Luận án tiến sĩ: Nghiên cứu chế tạo và khảo sát vật liệu perovskite cho linh kiện pin mặt trời lai

Nghiên cứu chế tạo và khảo sát đặc trưng vật liệu perovskite vô cơ hữu cơ cho linh kiện pin mặt trời lai, mở ra tiềm năng ứng dụng mới.

Chuyên ngành

Vật liệu điện tử

Người đăng

Ẩn danh

Thể loại

Luận án tiến sĩ

2022

149
8
0

Phí lưu trữ

35 Point

Mục lục chi tiết

LỜI CAM ĐOAN

1. CHƯƠNG 1: TỔNG QUAN VỀ VẬT LIỆU PEROVSKITE VÀ PIN MẶT TRỜI PEROVSKITE

1.1. Giới thiệu chung về pin mặt trời. Các thế hệ pin mặt trời. Các thông số đặc trưng của pin mặt trời

1.2. Pin mặt trời Perovskite

1.3. Lịch sử phát triển của pin mặt trời perovskite

1.4. Các thành phần cấu tạo của pin mặt trời perovskite

1.5. Nguyên lí hoạt động của pin mặt trời Perovskite

1.6. Một số dạng cấu trúc của pin mặt trời perovskite

1.7. Vật liệu Perovskite vô cơ – hữu cơ

1.8. Cấu trúc tinh thể của vật liệu Perovskite

1.9. Phân loại vật liệu Perovskite

1.10. Các tính chất đặc trưng của vật liệu perovskite

1.11. Các kỹ thuật tạo màng perovskite. Độ bền của vật liệu Perovskite vô cơ – hữu cơ

1.12. Nghiên cứu vật liệu Perovskite vô cơ – hữu cơ và ứng dụng cho pin mặt trời trên thế giới và tại Việt Nam

1.12.1. Tình hình nghiên cứu pin mặt trời perovskite trên thế giới

1.12.2. Tình hình nghiên cứu vật liệu và pin mặt trời perovskite tại Việt Nam

1.13. Kết luận chương 1

2. CHƯƠNG 2: CHẾ TẠO CÁC VẬT LIỆU CHO PIN MẶT TRỜI PEROVSKITE VÀ CÁC PHƯƠNG PHÁP KHẢO SÁT TÍNH CHẤT VẬT LIỆU

2.1. Hóa chất, dụng cụ thí nghiệm

2.2. Dụng cụ và thiết bị. Quy trình xử lý làm sạch đế

2.3. Tổng hợp vật liệu truyền điện tử (ETL)

2.3.1. Tổng hợp màng ôxít bán dẫn TiO2

2.3.2. Tổng hợp màng ôxít bán dẫn ZnO

2.4. Tổng hợp vật liệu thu năng lượng quang Perovskite vô cơ – hữu cơ

2.4.1. Tổng hợp vật liệu Perovskite CH3NH3PbI3

2.4.2. Tổng hợp vật liệu Perovskite hỗn hợp đa thành phần

2.4.3. Tổng hợp vật liệu Perovskite lai 2D/3D

2.4.4. Tổng hợp vật liệu Perovskite kép Cs2SnI6

2.5. Các phương pháp nghiên cứu cấu trúc, hình thái học và đặc trưng tính chất của vật liệu cho pin mặt trời perovskite

2.5.1. Phương pháp nhiễu xạ tia X (XRD)

2.5.2. Phương pháp hiển vi điện tử quét (SEM)

2.5.3. Phương pháp phổ tán xạ năng lượng tia X (EDX)

2.5.4. Phương pháp phổ hấp thụ tử ngoại – khả kiến (UV – VIS)

2.5.5. Phương pháp phổ quang huỳnh quang (PL)

2.5.6. Phương pháp đo đặc trưng quang - điện

2.6. Kết luận chương 2

3. CHƯƠNG 3: KHẢO SÁT CÁC TÍNH CHẤT CỦA VẬT LIỆU PEROVSKITE LAI HỮU CƠ - VÔ CƠ, VẬT LIỆU NANO TIO2 VÀ ZNO SỬ DỤNG TRONG PIN MẶT TRỜI

3.1. Các vật liệu dẫn điện tử cấu trúc nano

3.2. Màng nano TiO2 dạng phẳng chế tạo bằng phương pháp phún xạ kết hợp ôxy hóa nhiệt

3.3. Màng hạt nano TiO2 dạng xốp chế tạo bằng phương pháp quay phủ ly tâm. Màng hạt nano TiO2 dạng phẳng và dạng xốp chế tạo bằng phương pháp in lưới

3.4. Màng nano compozit TiO2-Au

3.5. Màng dạng thanh nano ZnO

3.6. Kết quả nghiên cứu chế tạo các vật liệu Perovskite

3.6.1. Vật liệu Perovskite CH3NH3PbI3

3.6.2. Vật liệu Perovskite hỗn hợp đa thành phần

3.6.3. Vật liệu Perovskite lai 2D/3D

3.6.4. Vật liệu Perovskite kép Cs2SnI6

3.7. Kết quả nghiên cứu tính chất hấp thụ quang và độ rộng vùng cấm của vật liệu perovskite lai hữu cơ– vô cơ thông qua việc thay đổi thành phần các cấu tử

3.8. Kết quả nghiên cứu tính chất lớp chuyển tiếp vật liệu perovskite lai hữu cơ – vô cơ và vật liệu truyền điện tử

3.8.1. Lớp chuyển tiếp vật liệu perovskite hỗn hợp đa thành phần MA0,2FA0,7Cs0,1Pb(I0,83Br0,17)3/ TiO2/AuNPs

3.8.2. Lớp chuyển tiếp vật liệu perovskite CH3NH3PbI3/ZnO thanh nano

3.9. Kết luận chương 3

4. CHƯƠNG 4: CHẾ TẠO, KHẢO SÁT CÁC THÔNG SỐ HOẠT ĐỘNG CỦA PIN MẶT TRỜI SỬ DỤNG LỚP HOẠT QUANG PEROVSKITE LAI HỮU CƠ - VÔ CƠ VÀ LỚP TRUYỀN ĐIỆN TỬ NANO TIO2

4.1. Thiết kế, chế tạo linh kiện pin mặt trời lai perovskite vô cơ – hữu cơ

4.2. Thiết kế, chế tạo pin mặt trời Perovskite cấu trúc thuận dạng phẳng (planar PSCs)

4.3. Thiết kế, chế tạo thử nghiệm pin mặt trời Perovskite cấu trúc thuận dạng xốp (mesoporous PSCs)

4.4. Thiết kế, chế tạo thử nghiệm pin mặt trời Perovskite cấu trúc thuận dạng xốp không dùng HTM (HTM-free PSCs)

4.5. Kết quả nghiên cứu pin mặt trời Perovskite cấu trúc thuận dạng phẳng (planar PSCs)

4.6. Hình thái học pin mặt trời Perovskite cấu trúc thuận dạng phẳng (planar PSCs)

4.7. Đặc trưng quang-điện pin mặt trời Perovskite cấu trúc thuận dạng phẳng

4.8. Kết quả nghiên cứu pin mặt trời Perovskite cấu trúc thuận dạng xốp

4.9. Hình thái học pin mặt trời Perovskite cấu trúc thuận dạng xốp

4.10. Đặc trưng quang-điện của pin mặt trời Perovskite cấu trúc thuận dạng xốp (mesoporous PSCs)

4.11. Kết quả nghiên cứu pin mặt trời Perovskite cấu trúc thuận dạng xốp không dùng lớp truyền lỗ trống (HTM-free PSCs)

4.12. Hình thái học pin mặt trời Perovskite cấu trúc thuận dạng xốp không dùng lớp truyền lỗ trống

4.13. Đặc trưng quang-điện pin mặt trời Perovskite cấu trúc thuận dạng xốp không dùng HTM (HTM-free PSCs)

4.14. Kết luận chương 4

KẾT LUẬN CHUNG

DANH MỤC CÁC CÔNG TRÌNH ĐÃ CÔNG BỐ

TÀI LIỆU THAM KHẢO

Tóm tắt

I. Tổng quan về vật liệu perovskite và pin mặt trời lai

Vật liệu perovskite đã trở thành tâm điểm trong nghiên cứu pin mặt trời lai nhờ vào những đặc tính vượt trội của chúng. Các loại pin mặt trời này không chỉ có hiệu suất cao mà còn dễ dàng chế tạo và tiết kiệm chi phí. Sự phát triển của pin mặt trời perovskite đã mở ra nhiều cơ hội mới trong lĩnh vực năng lượng tái tạo. Nghiên cứu này sẽ đi sâu vào các khía cạnh quan trọng của vật liệu này và ứng dụng của chúng trong công nghệ pin mặt trời.

1.1. Giới thiệu về pin mặt trời và lịch sử phát triển

Pin mặt trời đã trải qua nhiều giai đoạn phát triển từ những năm 1950. Các thế hệ pin mặt trời đã được cải tiến liên tục, từ pin silicon đến pin perovskite. Sự ra đời của pin mặt trời perovskite vào năm 2009 đã đánh dấu một bước ngoặt quan trọng trong công nghệ năng lượng mặt trời.

1.2. Các thành phần cấu tạo của pin mặt trời perovskite

Pin mặt trời perovskite thường bao gồm ba lớp chính: lớp vật liệu perovskite, lớp truyền điện tử và lớp truyền lỗ trống. Mỗi lớp có vai trò quan trọng trong việc tối ưu hóa hiệu suất quang điện của pin. Việc hiểu rõ cấu trúc này giúp cải thiện quy trình chế tạo và nâng cao hiệu suất của pin.

II. Thách thức trong nghiên cứu vật liệu perovskite cho pin mặt trời

Mặc dù vật liệu perovskite mang lại nhiều lợi ích, nhưng vẫn tồn tại nhiều thách thức trong việc phát triển và ứng dụng chúng. Các vấn đề như độ bền, khả năng chống ẩm và ổn định nhiệt độ là những yếu tố cần được giải quyết. Nghiên cứu hiện tại tập trung vào việc cải thiện các đặc tính này để tăng cường hiệu suất và tuổi thọ của pin.

2.1. Vấn đề độ bền của vật liệu perovskite

Độ bền của vật liệu perovskite là một trong những thách thức lớn nhất. Nhiều nghiên cứu đã chỉ ra rằng vật liệu này dễ bị phân hủy dưới tác động của độ ẩm và nhiệt độ cao. Việc tìm kiếm các giải pháp để cải thiện độ bền là rất cần thiết để đảm bảo tính khả thi trong ứng dụng thực tế.

2.2. Khả năng chống ẩm và ổn định nhiệt độ

Khả năng chống ẩm của pin mặt trời perovskite ảnh hưởng trực tiếp đến hiệu suất và tuổi thọ của chúng. Nghiên cứu hiện tại đang tìm kiếm các phương pháp để bảo vệ vật liệu khỏi độ ẩm và nhiệt độ cao, nhằm nâng cao tính ổn định và hiệu suất của pin trong điều kiện thực tế.

III. Phương pháp chế tạo vật liệu perovskite cho pin mặt trời

Chế tạo vật liệu perovskite cho pin mặt trời là một quá trình phức tạp, bao gồm nhiều bước từ tổng hợp đến xử lý. Các phương pháp như lắng đọng hơi hóa học, phún xạ và quay phủ được sử dụng để tạo ra các lớp vật liệu có chất lượng cao. Nghiên cứu này sẽ trình bày chi tiết các phương pháp chế tạo và những ưu điểm của từng phương pháp.

3.1. Phương pháp lắng đọng hơi hóa học

Phương pháp lắng đọng hơi hóa học (CVD) là một trong những kỹ thuật phổ biến để chế tạo vật liệu perovskite. Kỹ thuật này cho phép tạo ra các lớp mỏng với độ dày đồng nhất và chất lượng cao. Nghiên cứu đã chỉ ra rằng CVD có thể cải thiện đáng kể hiệu suất quang điện của pin.

3.2. Phương pháp quay phủ

Phương pháp quay phủ (spin coating) là một kỹ thuật đơn giản và hiệu quả để chế tạo lớp perovskite. Kỹ thuật này cho phép kiểm soát độ dày của lớp phủ và đảm bảo tính đồng nhất. Nhiều nghiên cứu đã chứng minh rằng lớp phủ được tạo ra bằng phương pháp này có hiệu suất quang điện cao.

IV. Khảo sát đặc trưng của vật liệu perovskite trong pin mặt trời

Khảo sát đặc trưng của vật liệu perovskite là bước quan trọng để đánh giá hiệu suất của pin mặt trời. Các phương pháp như nhiễu xạ tia X, hiển vi điện tử quét và phổ hấp thụ được sử dụng để phân tích cấu trúc và tính chất quang điện của vật liệu. Nghiên cứu này sẽ trình bày các kết quả khảo sát và phân tích chi tiết.

4.1. Phương pháp nhiễu xạ tia X XRD

Nhiễu xạ tia X (XRD) là một phương pháp quan trọng để xác định cấu trúc tinh thể của vật liệu perovskite. Kết quả từ XRD cung cấp thông tin về độ tinh khiết và cấu trúc của vật liệu, từ đó giúp đánh giá khả năng ứng dụng trong pin mặt trời.

4.2. Phương pháp hiển vi điện tử quét SEM

Hiển vi điện tử quét (SEM) cho phép quan sát hình thái bề mặt của vật liệu perovskite ở độ phóng đại cao. Phương pháp này giúp xác định kích thước và hình dạng của các hạt, từ đó ảnh hưởng đến hiệu suất quang điện của pin mặt trời.

V. Ứng dụng thực tiễn của vật liệu perovskite trong pin mặt trời

Vật liệu perovskite đã được ứng dụng rộng rãi trong các loại pin mặt trời lai, mang lại hiệu suất cao và chi phí sản xuất thấp. Nghiên cứu hiện tại đã chỉ ra rằng việc sử dụng vật liệu perovskite có thể cải thiện đáng kể hiệu suất quang điện so với các loại pin truyền thống. Các ứng dụng thực tiễn của chúng đang được mở rộng trong nhiều lĩnh vực.

5.1. Hiệu suất quang điện của pin mặt trời perovskite

Hiệu suất quang điện của pin mặt trời perovskite đã đạt được những bước tiến đáng kể trong những năm gần đây. Nhiều nghiên cứu đã chỉ ra rằng hiệu suất chuyển đổi năng lượng có thể đạt tới 25%, vượt qua nhiều loại pin truyền thống khác.

5.2. Ứng dụng trong các lĩnh vực năng lượng tái tạo

Với những ưu điểm vượt trội, vật liệu perovskite đang được ứng dụng trong nhiều lĩnh vực năng lượng tái tạo. Chúng không chỉ được sử dụng trong pin mặt trời mà còn có tiềm năng trong các ứng dụng khác như cảm biến và thiết bị quang điện.

VI. Kết luận và tương lai của nghiên cứu vật liệu perovskite

Nghiên cứu về vật liệu perovskite cho pin mặt trời lai đang mở ra nhiều triển vọng mới trong lĩnh vực năng lượng tái tạo. Mặc dù còn nhiều thách thức cần vượt qua, nhưng tiềm năng của chúng là rất lớn. Tương lai của công nghệ này hứa hẹn sẽ mang lại những giải pháp bền vững cho nhu cầu năng lượng toàn cầu.

6.1. Tóm tắt những thành tựu đạt được

Nghiên cứu đã đạt được nhiều thành tựu quan trọng trong việc phát triển vật liệu perovskite. Các kết quả khảo sát cho thấy hiệu suất quang điện của pin mặt trời đã được cải thiện đáng kể, mở ra hướng đi mới cho công nghệ năng lượng mặt trời.

6.2. Hướng nghiên cứu trong tương lai

Hướng nghiên cứu trong tương lai sẽ tập trung vào việc cải thiện độ bền và khả năng chống ẩm của vật liệu perovskite. Các giải pháp mới sẽ được phát triển để tối ưu hóa hiệu suất và tuổi thọ của pin mặt trời, nhằm đáp ứng nhu cầu năng lượng ngày càng tăng.

Tóm tắt và mô tả trên trang này được tạo với sự hỗ trợ của AI. Nếu bạn thấy nội dung không chính xác hoặc có vấn đề, vui lòng Báo lỗi nội dung.

18/07/2025
Luận án tiến sĩ nghiên cứu chế tạo và khảo sát đặc trưng của vật liệu perovskite vô cơ hữu cơ ứng dụng cho linh kiện pin mặt trời lai

Trích đoạn nội dung tài liệu

Chương 1 trình bày tổng quan giới thiệu chung về các thế hệ pin mặt trời, trong đó đặc biệt là pin mặt trời perovskite, cấu tạo và nguyên lý hoạt động của pin và các dạng cấu trúc phổ biến nhất của các pin mặt trời perovskite. Tổng quan vật liệu perovskite, cấu trúc tinh thể, phân loại các vật liệu perovskite bao gồm vật liệu perovskite vô cơ – hữu cơ, các tính chất, các kỹ thuật phủ màng khác nhau và độ bền của vật liệu perovskite vô cơ – hữu cơ cũng được giới thiệu. Các cập nhật về tình hình nghiên cứu trong lĩnh vực pin mặt trời perovskite vô cơ-hữu cơ trên thế giới và tại Việt Nam là cơ sở để so sánh và giải thích khoa học trong phần kết quả của luận án. Giới thiệu chung về pin mặt trời 1.

Các thế hệ pin mặt trời Pin mặt trời hay tế bào quang điện, tế bào năng lượng mặt trời (solar cells) là thiết bị có khả năng thực hiện biến đổi năng lượng ánh sáng thành năng lượng điện. Căn cứ theo vật liệu, công nghệ chế tạo và đặc điểm cấu tạo người ta chia ra làm các thế hệ pin mặt trời như mô tả trên hình 1. Sơ đồ phân loại các thế hệ pin mặt trời [10]. LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.com 6 Pin mặt trời thế hệ thứ nhất làm từ các bán dẫn vô cơ đơn tinh thể Silic hoặc đa tinh thể Silic.

Hầu hết pin mặt trời Silic thương mại sử dụng tấm silic đơn tinh thể pha Bo dày cỡ 400 µm được nuôi theo phương pháp Czochralski (CZ). Hiện nay hiệu suất của pin mặt trời loại này từ 18 % đến 23 % trong phòng thí nghiệm và sản phẩm thương mại vào khoảng từ 14 % đến 17 %. Cho đến nay, pin mặt trời Si vẫn là đại diện được thương mại hóa phổ biến nhất trong số các loại khác, chiếm khoảng 95% tổng sản lượng vào năm 2020 [11]. Tuy nhiên, pin mặt trời Silic có công nghệ sản xuất rất phức tạp, tiêu hao năng lượng đầu vào lớn, giá thành cao [12].

Pin mặt trời thế hệ thứ hai là các pin mặt trời màng mỏng bán dẫn đa tinh thể, chủ yếu là vật liệu bán dẫn nhiều thành phần như CdTe, Cu(InGa)Se2 (viết tắt là CIGS), v. Ngoài ra pin mặt trời màng mỏng Silic vô định hình cũng thuộc loại này. CIGS sở hữu hiệu suất cao hơn CdTe (trung bình khoảng 10% - 12%), với một số loại có thể đạt được hiệu suất 22,8%, do đó cạnh tranh thuận lợi với pin mặt trời dựa trên phiến tinh thể Silic (c-Si) [12]. Thế hệ pin mặt trời thứ ba được ra đời vào năm 1991 khi giáo sư Gratzel, Thụy Sỹ đã phát minh ra loại pin mặt trời dùng chất nhuộm màu (Dye sensitized solar cells, viết tắt là DSSCs) trong đó sử dụng điện cực là vật liệu bán dẫn TiO2 nano xốp có tẩm các chất nhuộm màu nhúng trong dung dịch chất điện ly chứa các ion iốt để tạo ra một linh kiện pin mặt trời quang điện hóa cho hiệu suất khoảng 7,1 % [13].

Hiện nay có rất nhiều chất nhuộm màu khác nhau thuộc loại này đã được nghiên cứu chế tạo với phổ mầu rất đa dạng rải khắp trong vùng phổ ánh sáng nhìn thấy. Hiệu suất cao nhất của DSSCs hiện nay là 14,3 % với cặp chất nhuộm màu liên hợp LEG4 và ADEKA-1 [14]. Ngoài chất nhuộm màu ra, các vật liệu thu năng lượng quang mới vẫn đang tiếp tục được nghiên cứu ứng dụng cho pin mặt trời như vật liệu hữu cơ thường được gọi là pin mặt trời hữu cơ (Organic solar cells, viết tắt là OSCs) hay các chấm lượng tử trong pin mặt trời chấm lượng tử (Quantum dot sensitized solar cells, viết tắt là QDSSCs). Gần đây, sự ra đời của một dòng pin mới thuộc thế hệ pin mặt trời thứ ba dựa trên vật liệu thu năng lượng quang perovskite vô cơ – hữu cơ ABX3 (trong đó A là các cation hữu cơ, B là Pb và X là các anion vô LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.com 7 cơ thuộc nhóm halogen như Cl, Br hoặc I) gọi là pin mặt trời perovskite (Perovskite Solar Cells, viết tắt là PSCs).

Năm 2013 trên tạp chí Nature, giáo sư Michael Gratzel và cộng sự công bố công trình nghiên cứu linh kiện pin mặt trời perovskite CH3NH3PbI3 đạt hiệu suất lên tới 15 % đã tạo động lực thúc đẩy mạnh mẽ làn sóng nghiên cứu về pin mặt trời perovskite này [15]. Chỉ sau một thời gian ngắn nghiên cứu phát triển, hiện nay hiệu suất được ghi nhận của pin mặt trời perovskite đơn lớp là 25,2 % [16]. Với nguồn nguyên liệu giá thành rẻ, công nghệ chế tạo đơn giản, hiệu suất cao nên PSCs có tiềm năng là ứng cử viên thay thế cho các công nghệ pin mặt trời trước đây [17]. Các thông số đặc trưng của pin mặt trời Mạch điện tương đương Khi được chiếu sáng, một pin mặt trời hoạt động tương đương một nguồn dòng, tạo ra dòng quang điện Iph.

Lớp tiếp xúc bán dẫn p - n có tính chỉnh lưu tương đương như một điốt. Dòng điện qua nó gọi là dòng điốt hay dòng điện dò ID. Đại lượng đặc trưng cho độ cản trở dòng dò của điốt là điện trở sơn Rsh mắc song song với với nguồn dòng và điốt. Dòng điện đi qua điện trở sơn là Ish.

Đại lượng đặc trưng cho tổng điện trở của các điện cực, các lớp tiếp xúc,. gọi là điện trở nội của linh kiện pin mặt trời hay điện trở nối tiếp Rs. Điện trở mạch ngoài hay còn gọi là điện trở tải được coi là một điện trở R mắc song song với toàn bộ các thành phần trên chính. Dòng điện qua điện trở tải là I (Hình 1.

Sơ đồ tương đương của pin mặt trời Khi đó phương trình đặc trưng Vôn - Ampe của pin mặt trời khi được chiếu sáng được viết như sau: I = Iph - ID - Ish (1.1) LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.com 8 Trong đó ID là dòng chạy qua điốt và được biểu diễn như biểu thức dưới đây: é q (V + IRS ) ù I D = I S êexp - 1ú (1.2) ë nk BT û với IS là dòng bão hòa, phụ thuộc vào nhiệt độ của pin mặt trời; q là điện tích của điện tử; n là hệ số lý tưởng, phụ thuộc vào công nghệ hoàn thiện pin Mặt trời, giá trị dao động từ 1 đến 2,4; kB là hằng số Boltzman. Phương trình của dòng điện trong sơ đồ tương đương hình 1.2 sẽ được biểu diễn lại như sau: é q (V + IRS ) ù V + IRS I = I ph - I S êexp - 1ú - (1.3) ë nkBT û Rsh Điện trở Rsh thường lớn hơn RS nhiều nên phương trình (1.3) trở thành: é q (V + IRS ) ù I = I ph - I S êexp - 1ú (1.4) ë nkBT û Phương trình 1.4 là phương trình biểu diễn dòng điện chạy trong mạch tương đương của một pin mặt trời. Đường đặc trưng dòng – thế của pin mặt trời ở điều kiện tối và khi được chiếu sáng sẽ có dạng như được trình bày trên hình 1. Đường đặc trưng J-V của pin mặt trời.

Căn cứ vào đường đặc trưng dòng – thế, ta có thể định nghĩa và xác định các đại lượng đặc trưng của pin mặt trời như sau: Dòng ngắn mạch ISC Dòng ngắn mạch ISC là cường độ dòng điện khi V = 0. Khi đó dòng ngắn mạch sẽ được xác định bởi biểu thức: LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.com 9 é qI R ù I SC = I ph - I S êexp SC S - 1ú (1.5) ë nkBT û Trên đồ thị đường đặc trưng dòng – thế, dòng ngắn mạch ISC chính là giá trị cường độ dòng điện khi đường đặc trưng cắt trục tung. Thế hở mạch VOC Thế hở mạch VOC là hiệu điện thế được đo khi mạch ngoài của pin mặt trời hở mạch. Khi đó mạch ngoài có dòng I = 0.

nkBT I ph VOC = ln (1.6) q Is Trên đồ thị đường đặc trưng dòng – thế, thế hở mạch VOC chính là giá trị điện thế mà tại đó đường đặc trưng cắt trục hoành. Với IS được biểu diễn như bởi công thức: æ Eg ö IS =qALD g 0exp ç - ÷ (1.7) è kT ø Trong đó LD là độ dài khuyếch tán trung bình của cặp điện tử lỗ trống. A là diện tích bề mặt tiếp xúc p - n, g0 là hệ số kích thích nhiệt. Eg độ rộng vùng cấm của bán dẫn.

Eg nkT g 0 LD A VOC = - ln (1.8) q q KN ph K là hiệu suất góp của lớp tiếp xúc có giá trị cực đại là 1, Nph là số các cặp điện tử - lỗ trống được tạo ra trong phạm vi giới hạn của bước sóng lg. Từ công thức (1.4) ta thấy: khi T = 0 thì VOC = Eg/q, khi T > 0 thì VOC < Eg/q. Công suất ra cực đại Pmax Công suất ra cực đại là giá trị công suất ở đầu ra lớn nhất mà pin mặt trời có thể cung cấp. Nó phản ánh khả năng hoạt động của pin theo chế độ tải bên ngoài.

Pmax = Imp Vmp (1.9) Trên đồ thị đường đặc trưng dòng – thế, Pmax là diện tích hình chữ nhật lớn nhất bên trong đường cong dòng – thế, I và V ở đây là dòng điện, hiệu điện thế cho công suất ra cực đại (Imp,Vmp) (Hình 1. LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.com 10 Hệ số điền đầy FF Hệ số điền đầy (FF) là tỷ số giữa công suất ra cực đại và tích số giữa cường độ dòng ngắn mạch và thế hở mạch. Nó phản ánh phẩm chất của linh kiện so với trường hợp lý tưởng. Trường hợp lý tưởng hệ số điền đầy FF = 1.10) $% &% $% #&% Hệ số FF của một pin mặt trời liên quan tới các thành phần điện trở nối tiếp, điện trở sơn.

Để có FF lớn thì RS phải nhỏ nhất có thể, đồng thời Rsh lớn nhất có thể, trường hợp lý tưởng RS = 0, Rsh = ¥ (hình 1. VOC giảm khi Rsh giảm, ISC giảm khi RS tăng. Hiệu suất chuyển đổi năng lượng của pin mặt trời (PCE) Hiệu suất chuyển đổi năng lượng (power conversion efficiency, viết tắt là PCE) đặc trưng cho khả năng biến đổi năng lượng ánh sáng mặt trời thành năng lượng điện. Hiệu suất chuyển đổi năng lượng được xác định là tỷ số giữa công suất ra cực đại (Pmax) và công suất chiếu sáng (Pin) trên pin.FF h = max = SC OC (1.11) Pin Pin Như vậy, muốn đạt hiệu suất cao cần thiết phải tìm cách tăng dòng ngắn mạch (ISC), thế hở mạch (VOC) và hệ số điền đầy FF.

Nội dung được bảo vệ bản quyền — Tải xuống đầy đủ

Tài liệu "Nghiên cứu vật liệu perovskite cho pin mặt trời lai: Chế tạo và khảo sát đặc trưng" cung cấp cái nhìn sâu sắc về quá trình chế tạo và đặc trưng hóa vật liệu perovskite, một trong những công nghệ hứa hẹn nhất trong lĩnh vực năng lượng tái tạo. Nghiên cứu này không chỉ giúp hiểu rõ hơn về tính chất của vật liệu mà còn mở ra hướng đi mới cho việc phát triển pin mặt trời hiệu suất cao. Đặc biệt, tài liệu nhấn mạnh tầm quan trọng của việc tối ưu hóa cấu trúc và thành phần hóa học để nâng cao hiệu suất quang điện.

Để mở rộng kiến thức của bạn về vật liệu perovskite, bạn có thể tham khảo thêm tài liệu Nghiên cứu chế tạo vật liệu perovskite hữu cơ vô cơ halogen ứng dụng cho pin năng lượng mặt trời, nơi bạn sẽ tìm thấy thông tin về các ứng dụng thực tiễn của vật liệu này trong công nghệ pin mặt trời. Ngoài ra, tài liệu Chế tạo nghiên cứu một số tính chất của perovskite có hằng số điện môi lớn và khả năng ứng dụng sẽ giúp bạn hiểu rõ hơn về các tính chất điện của vật liệu perovskite. Cuối cùng, tài liệu Chế tạo và nghiên cứu vật liệu bifeo3 pha tạp ion đất hiếm cũng cung cấp những thông tin bổ ích về các vật liệu liên quan có thể ứng dụng trong lĩnh vực năng lượng. Những tài liệu này sẽ giúp bạn có cái nhìn toàn diện hơn về nghiên cứu và ứng dụng của vật liệu perovskite trong công nghệ năng lượng hiện đại.