MỞ ĐẦU Chƣơng 1: TỔNG QUAN VỀ LÝ THUYẾT Chƣơng 2: THỰC NGHIỆM VÀ CÁC PHƢƠNG PHÁP NGHIÊN CỨU Chƣơng 3: KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN KẾT LUẬN VÀ KIẾN NGHỊ TÀI LIỆU THAM KHẢO e 7 Chƣơng 1: TỔNG QUAN VỀ LÝ THUYẾT 1. Tổng quan lý thuyết về quang xúc tác Trong hóa học, xúc tác quang là phản ứng quang khi có mặt chất xúc tác và ánh sáng. Trong quang phân có xúc tác, ánh sáng đƣợc hấp thụ bởi một chất nền bị hấp phụ. Trong xúc tác quang, hoạt tính quang xúc tác (PCA) phụ thuộc vào khả năng của chất xúc tác tạo ra các cặp điện tử-lỗ trống, tạo ra các gốc tự do (ví dụ: gốc hydroxyl: • OH, O2 ,) có thể trải qua các phản ứng thứ cấp.
Ứng dụng thực tế của nó đã đƣợc thực hiện nhờ việc khám phá ra quá trình điện phân nƣớc bằng titanium dioxide (TiO2). Dựa vào lý thuyết vùng, khả năng dẫn điện của các vật liệu rắn đƣợc giải thích. Điện tử tồn tại trong nguyên tử trên những mức năng lƣợng gián đoạn, nhƣng trong chất rắn, khi mà các nguyên tử kết hợp lại với nhau sẽ có các khối, lúc này các mức năng lƣợng bị phủ lên nhau và trở thành các vùng năng lƣợng. Cấu trúc điện tử của kim loại gồm vùng hóa trị (Valance band-VB) là vùng có các obitan phân tử liên kết đƣợc xếp đủ electron và vùng dẫn (Condutance band- CB) là vùng có obitan phân tử liên kết còn trống electron.
Vùng nằm giữa vùng hóa trị và vùng dẫn đƣợc gọi là vùng cấm, khoảng cách giữa đáy vùng dẫn và đỉnh vùng hóa trị đƣợc gọi là độ rộng vùng cấm Eg (Band gap energy). Khi có ánh sáng kích thích đủ lớn có mức năng lƣợng lớn hơn năng lƣợng vùng cấm Eg, các electron trong vùng hóa trị sẽ nhảy lên vùng dẫn, trở thành chất dẫn điện có điều kiện. Kết quả tại vùng dẫn sẽ có các electron mang điện tích âm, đƣợc gọi là các electron quang sinh (photogenerated electron e-CB) và tại vùng hóa trị sẽ xuất hiện các lỗ trống mang điện tích dƣơng (photogenerated hole h+VB). Sự xuất hiện các electron quang sinh và lỗ trống quang sinh này dẫn đến các quá trình hóa học xảy ra bao gồm quá trình oxi hóa đối với h+VB và quá trình khử đối với e-CB.
Dƣới tác dụng của ánh sáng có bƣớc sóng thích hợp, các electron hóa trị của các chất bán dẫn bị tách khỏi liên kết từ vùng hóa trị (VB) chuyển đến vùng e 8 dẫn (CB) tạo ra lỗ trống khuyết điện tử (mang điện tích dƣơng) ở vùng hóa trị.1) Các electron và lỗ trống chuyển đến bề mặt và tƣơng tác với một số chất bị hấp thụ nhƣ nƣớc và oxygen tạo ra những chất tự do trên bề mặt chất bán dẫn. Cơ chế phản ứng xảy ra nhƣ sau: Quá trình oxi hóa: hVB H 2O HO H (1.2) hVB HO HO (1.3) Quá trình khử: eCB h O2 O2 (1.5) H 2O eCB HO HO (1.6) Các gốc tự do và sản phẩm trung gian tạo ra nhƣ OH, O2 , H2O2, O2 đóng vai trò quan trọng trong cơ chế quang phân hủy các hợp chất hữu cơ khi tiếp xúc. Tổng quan về vật liệu 1. Vật liệu grapphene oxide và graphene oxide dạng khử Graphene oxide có cấu trúc là các nhóm chức chứa oxygen gắn trên mạng lƣới carbon [37].
Cấu trúc GO đƣợc nghiên cứu bởi nhiều nhà khoa học bằng các phƣơng pháp tổng hợp khác nhau.1: Cấu trúc hóa học của Graphite oxide (A: Epoxy bridges, B: Hydroxyl groups, C: Pairwise carboxyl groups)[38] e 9 Graphene oxide bao gồm có 4 nhóm chức chủ yếu: hydroxyl (-OH), epoxy (-O-) đính ở trên bề mặt, và nhóm carboxyl (-COOH), carbonyl (-CO-) đính ở mép của các đơn lớp. Cấu trúc và tính chất của GO phụ thuộc vào các quá trình tổng hợp, nó vẫn giữ đƣợc cấu trúc lớp của graphene, nhƣng khoảng cách các lớp lớn hơn khoảng 0,7 nm và các lớp bị vênh nhau hơn so với graphene [37, 39]. Nhờ có các nhóm chức chứa oxygen trên đã làm tăng lên khả năng phản ứng của GO và đồng thời làm tăng khoảng cách giữa các lớp GO và tăng tính ƣa nƣớc của GO. Với cấu trúc nhƣ vậy, GO có nhiều tính chất nhƣ: tính dẫn điện, tính hấp phụ và khả năng phân tán.
Với những ƣu thế nhƣ diện tích bề mặt riêng lớn và trơ về mặt hóa học, GO đƣợc biết đến nhƣ một vật liệu thay thế tốt cho than hoạt tính hay các vật liệu hấp phụ truyền thống trong việc loại bỏ các ion kim loại khỏi môi trƣờng nƣớc. Cơ chế hấp phụ của vật liệu hấp phụ phụ thuộc vào tính chất và cấu trúc của chúng (cấu tạo phân tử, momen lƣỡng cực, sự hiện diện của các nhóm chức trên bề mặt). Qua các nghiên cứu trên cho thấy GO với những tính chất đặt biệt vƣợt trội với diện tích bề mặt riêng cao, tính ổn định hóa học tốt, cộng với tƣơng tác π- π mạnh của vòng thơm tiềm năng cho hiệu quả hấp phụ tốt đối với các chất nhuộm màu, các ion kim loại nặng. Graphene oxide là sản phẩm của quá trình trình oxy hóa graphite.
Phƣơng pháp tổng hợp GO chủ yếu theo 02 nguyên tắc: phƣơng pháp từ dƣới lên (bottom – up methods) và phƣơng pháp từ trên xuống (top – down methods). Trong đó phƣơng pháp từ dƣới lên chủ yếu nhƣ lắng đọng hơi hóa học nhƣng đƣợc nghiên cứu là tốn thời gian và khó sản xuất số lƣợng lớn [40], vì vậy phƣơng pháp từ trên xuống đƣợc tập trung nghiên cứu nhiều hơn. GO đƣợc tổng hợp bằng 03 phƣơng pháp chính: Brodie (1859) [41], Staudenmaier (1899) [42] và Hummers và Offeman (1958) [7]. e 10 Phương pháp Brodie (1895): GO thu đƣợc bằng cách sử dụng kết hợp cả NaClO3 và HNO3 để oxy hóa grapite.
Bằng cách sử dụng phƣơng pháp phân tích nguyên tố, phân tử của sản phẩm cuối có công thức C11H4O5 [43,44]. Sản phẩm này có tính acid nhẹ và có khả năng phân tán trong môi trƣờng kiềm, nhƣng lại có kích thƣớc nhỏ, hạn chế độ dày và có cấu trúc khuyết tật. Bên cạnh đó, phƣơng pháp này nguy hiểm dễ gây kích nổ vì có NaClO3 và sản phẩm khí ClO2 đƣợc tạo thành có nguy cơ cháy nổ cao. Phương pháp Staudenmaier (1899): So với phƣơng pháp Brodie, GO thu đƣợc bằng cách kết hợp KClO3, NaClO3 trong H2SO4 và HNO3 để tăng mức độ oxi hóa của GO.
Tuy nhiên, nhƣợc điểm của phƣơng pháp này là tốn thời gian và dễ gây nổ vì KClO3 là chất dễ gây kích nổ và sản phẩm tạo ra có nguy cơ cháy nổ cao. Mặc khác, yêu cầu điều kiện tổng hợp phải đƣợc kiểm soát nghiêm ngặt và xử lý chất thải của quá trình tổng hợp phức tạp. Phƣơng pháp tổng hợp phụ thuộc vào phản ứng của graphite với các chất oxy hóa hỗn hợp mạnh, chịu rủi ro nổ, gây ô nhiễm môi trƣờng nghiêm trọng và thời gian phản ứng keo dài tới hàng trăm giờ. Phương pháp Hummers và Offeman (1958): Phƣơng pháp sử dụng hỗn hợp H2SO4, NaNO3, KMnO4 giúp cho sản phẩm GO tăng mức độ oxy hóa cao hơn các sản phẩm đƣợc tổng hợp bằng phƣơng pháp trƣớc đó [7].
Tuy nhiên, KMnO4 là một chất oxy hóa đƣợc sử dụng nhƣng trên thực tế Mn2O7 mới là tác nhân tham gia quá trình oxy hóa graphite thành GO theo các phản ứng sau: KMnO4 + 3H2SO4 → K+ + MnO3+ + H3O+ + 3HSO4 (1.7) MnO3+ + MnO4- → Mn2O7 (1.2: Sơ đồ mô tả quá trình tổng hợp GO theo phƣơng pháp Hummers [7] Trong các quá trình phản ứng cần kiểm soát nhiệt độ là rất quan trọng, vì Mn2O7 là chất oxy hóa mạnh, dễ bị kích nổ khi đun nóng trên 55oC hoặc khi tiếp xúc với hợp chất hữu cơ. Trong các phƣơng pháp trên thì phƣơng pháp Hummers là phƣơng pháp phổ biến hơn cả. Trong nhiều năm qua, phƣơng pháp Hummers đã đƣợc cải tiến nhằm loại bỏ việc sử dụng NaNO3 do đó ngăn ngừa tạo ra khí độc hại trong quá trình tổng hợp, các phƣơng pháp này đƣợc gọi là phƣơng pháp Hummers cải tiến (Modified Hummers). Vật liệu SnO2 và cấu trúc vật liệu SnO2 Cấu trúc tinh thể SnO2 có một số dạng đa hình nhƣ: kiểu rutile (P42/mnm), kiểu CaCl2 (Pnnm), kiểu - PbO2 (Pbcn), kiểu Pirit (Pa ̅ ), kiểu pha trực thoi ZrO2 I (Pbca), kiểu Flourit (Fm ̅ m), trực thoi kiểu cotunnit pha II (Pnam) với số phối trí gấp chín lần [45-49].
Tất cả các cấu trúc này đƣợc thu một cách tuần tự khi pha rutile ổn định và phổ biến nhất phải chịu áp suất cơ học cao.3: Cấu trúc đa hình của SnO2: (a) kiểu Rutile (P42/mnm) và kiểu CaCl2 (Pnnm), (b) kiểu - PbO2 (Pbcn), (c) kiểu Pirit (Pa ̅), (d) kiểu pha trực thoi ZrO2 I (Pbca), (e) kiểu Flourit (Fm̅m), (f) trực thoi kiểu cotunnit pha II (Pnam) [45]. Hiện nay có không ít các công trình nghiên cứu cả lý thuyết và thực nghiệm về SnO2 dạng rutile, tuy nhiên với các dạng đa hình khác vẫn còn rất ít các nghiên cứu. Năng lƣợng vùng cấm của SnO2 dạng rutile là 3,57 eV. Cấu trúc tinh thể SnO2 dạng rutile có tính đối xứng D4h-l4, thuộc hệ tứ giác.
Có các thông số mạng tinh thể là: ===90o, a=0,473 nm, c=0,318 nm. SnO2 đƣợc biết đến với ứng dụng của nó trong cảm biến khí, làm chất xúc tác oxy hóa và chất dẫn trong suốt. Các hoạt động bề mặt rất quan trọng đối với các tính chất hóa học và vật lý khác nhau làm cho SnO2 trở thành vật liệu quan trọng cho các ứng dụng này. Hơn nữa, sự phát triển và hình dạng của các cấu trúc nano đặc biệt phụ thuộc vào năng lƣợng nhiệt động lực học của bề mặt và sự tăng trƣởng xảy ra nhằm mục đích giảm thiểu năng lƣợng.
Trong phần hiện tại, các bề mặt đo góc và không đo góc, các tái tạo, năng lƣợng bề mặt và mật độ của các trạng thái đƣợc thảo luận. Oxygen đƣợc hấp e 13 thụ hóa học trên Sn, là bƣớc đầu tiên của quá trình hình thành oxide, có thể làm thay đổi cấu trúc điện tử của nó. Để hiểu các khía cạnh khác nhau của bề mặt SnO2 là hóa trị kép của Sn. Khi chiếu xạ bằng ánh sáng nhìn thấy lên bề mặt của chất xúc tác quang SnO2, cặp electron (e−) và lỗ trống (h+) đƣợc tạo ra, dẫn đến sự hình thành các lỗ trống trong vùng hóa trị và electron ở vùng dẫn tƣơng ứng.
Gốc oxy hóa mạnh (OH•) là sản phẩm hoạt động chính để phân hủy chất ô nhiễm thành CO2 và H2O. Điện tử có thể bị oxy hấp thụ để tạo thành gốc superoxide (•O2−). Thuốc nhuộm bị phá hủy thông qua quá trình oxy hóa trực tiếp bởi các gốc OH• và các gốc •O2−.