Giới thiệu dự án

Kiểm tra không phá mẫu (Non-Destructive Testing - NDT) đóng vai trò then chốt trong các ngành công nghiệp chế tạo cơ khí, giám sát đường ống dẫn dầu khí, kết cấu hàng không và thiết bị y tế. Theo thống kê từ Hiệp hội Thử nghiệm Không Phá hủy Hoa Kỳ (ASNT), hơn 75% các sự cố nứt gãy và rò rỉ công nghiệp bắt nguồn từ sự suy giảm độ dày thành vật liệu do ăn mòn không được phát hiện kịp thời.

+-----------------------------------------------------------------------------------+
|               HỆ THỐNG ĐO ĐỘ DÀY KIM LOẠI GAMMA TRUYỀN QUA ĐỒNG TRỤC              |
+-----------------------------------------------------------------------------------+
|  [ Nguồn Cs-137 ] ---> [ Ống chuẩn trực ] ---> [ Tấm kim loại ] ---> [ Đầu dò NaI(Tl) ] |
|     (0.71 uCi)             (d = 0.5 cm)           (Al / Fe)          (3" x 3" Amptek)   |
|         |                                                                   |     |
|         +----------------------- Khoảng cách 24.6 cm -----------------------+     |
|                                                                             v     |
|                                                                   [ MCA 8192 Kênh ]
|                                                                             |     |
|                                                                   [ MCNP6 & Colegram ]
+-----------------------------------------------------------------------------------+

Vấn đề thực tiễn (Problem Statement)

Các kỹ thuật đo bề dày vật liệu hiện nay đối mặt với nhiều rào cản kỹ thuật:

  • Kỹ thuật gamma tán xạ ngược (Compton Backscattering): Yêu cầu cấu hình hình học phức tạp, chịu ảnh hưởng nặng nề bởi tán xạ nhiều lần (multiple scattering) và sai số tăng vọt khi kích thước hoặc mật độ mẫu lớn.
  • Kỹ thuật truyền qua dùng nguồn phóng xạ hoạt độ cao: Đòi hỏi nguồn phóng xạ có hoạt độ hàng chục đến hàng trăm mCi (hoặc đầu dò bán dẫn siêu tinh khiết HPGe làm lạnh bằng nitơ lỏng), tiềm ẩn rủi ro an toàn bức xạ nghiêm trọng, chi phí che chắn bảo vệ cực kỳ tốn kém và không khả thi trong môi trường phòng thí nghiệm thông thường.

Mục tiêu dự án

  1. Nghiên cứu cơ sở lý thuyết về tương tác của photon gamma ($^{137}\text{Cs}$, $661.7\text{ keV}$) qua vật chất (hiệu ứng quang điện, tán xạ Compton, tạo cặp).
  2. Xây dựng mô hình mô phỏng truyền xạ Monte Carlo 3D hoàn chỉnh trên chương trình MCNP6 nhằm mô phỏng phổ biên độ xung từ đầu dò nhấp nháy $\text{NaI(Tl)}$.
  3. Xây dựng đường chuẩn thực nghiệm và mô phỏng biểu diễn mối quan hệ tuyến tính giữa tỉ số diện tích đỉnh truyền qua $\ln(R)$ và độ dày $d$ của vật liệu nhôm ($\text{Al}$) và sắt ($\text{Fe}$).
  4. Đánh giá độ chính xác của phép đo thực nghiệm sử dụng nguồn $^{137}\text{Cs}$ cường độ thấp ($0.71\ \mu\text{Ci}$) kết hợp đầu dò $\text{NaI(Tl)}$ $76.2\text{ mm} \times 76.2\text{ mm}$.

Giải pháp và kết quả kỳ vọng

  • Phương pháp tiếp cận: Sử dụng kỹ thuật chùm tia hẹp (narrow-beam geometry) với hệ thống chuẩn trực kép (collimator $\varnothing = 0.5\text{ cm}$) để loại bỏ thành phần tán xạ Compton góc nhỏ, kết hợp thuật toán làm khớp phổ Gaussian trong phần mềm Colegram v4.0.
  • Kết quả kỳ vọng: Xác định hệ số suy giảm khối $\mu_m$ có độ lệch tương đối $\text{RD} < 4%$ so với cơ sở dữ liệu chuẩn NIST XCOM; đo độ dày tấm kim loại với sai số $\text{RD} < 2%$ đối với dải bề dày trên $10\text{ mm}$.
  • Phạm vi nghiên cứu: Khảo sát vật liệu nhôm ($\text{Al}$, $\rho = 2.699\text{ g/cm}^3$) và sắt ($\text{Fe}$, $\rho = 7.87\text{ g/cm}^3$) trong dải độ dày từ $1\text{ mm}$ đến $95\text{ mm}$.

Phân tích và thiết kế giải pháp

Phân tích hiện trạng

Tiêu chí so sánh Kỹ thuật Gamma Tán xạ ngược Truyền qua Nguồn Cường độ Cao (HPGe) Giải pháp Đề xuất (MCNP6 + NaI(Tl) + Nguồn Yếu)
Hoạt độ nguồn Trung bình - Cao ($> 10\ \mu\text{Ci}$) Rất cao ($> 1\text{ mCi}$) Rất thấp ($0.71\ \mu\text{Ci}$)
Đầu dò sử dụng $\text{NaI(Tl)}$ hoặc HPGe HPGe (Cần Nitơ lỏng) $\text{NaI(Tl)}$ $3" \times 3"$ (Amptek)
Độ an toàn bức xạ Trung bình Thấp (Rủi ro liều chiếu) Rất cao (An toàn tuyệt đối)
Độ phức tạp bố trí Cao (Phụ thuộc góc tán xạ) Trung bình Đơn giản (Đồng trục hình học)
Thời gian tính toán Dài (Xử lý đa tán xạ) Ngắn Tối ưu qua đường chuẩn MCNP6
Chi phí đầu tư Trung bình Rất cao ($> $50,000$) Thấp ($< $5,000$)

Yêu cầu hệ thống theo mô hình MoSCoW

  • Must have: Mô hình MCNP6 chuẩn trực 3 chiều; Tally F8 kết hợp hàm mở rộng Gauss (GEB); Nguồn chuẩn $^{137}\text{Cs}$ $661.7\text{ keV}$; Hệ đo MCA 8192 kênh.
  • Should have: Bộ trừ phông Compton nền tự động (Background Onestep); Tối ưu hóa thời gian đo thực nghiệm $t = 14400\text{ s}$.
  • Could have: Thuật toán tự động bù trôi đỉnh phổ do biến thiên nhiệt độ phòng ($23^\circ\text{C} - 24^\circ\text{C}$).
  • Won't have: Đo đạc vật liệu phi kim khối lượng riêng thấp hoặc kiểm tra khuyết tật cấu trúc 3D dạng Tomography.

Thiết kế hệ thống

Kiến trúc tổng thể và Stack công nghệ

  • Mô phỏng Monte Carlo: MCNP6 (Monte Carlo N-Particle version 6.1/6.2, Los Alamos National Laboratory).
  • Phân tích phổ hạt nhân: Colegram v4.0 (Thuật toán Levenberg-Marquardt fitting peak).
  • Phần mềm thu nhận dữ liệu MCA: ADMCA tích hợp phần cứng Amptek MCA 8192 channels.
  • Xử lý số liệu và đường chuẩn: OriginPro 2021 (Hồi quy tuyến tính Weighted Linear Regression).
  • Cơ sở dữ liệu đối chuẩn: NIST XCOM Photon Cross Sections Database.
+------------------------------------------------------------------------------------+
|                         SƠ ĐỒ KHỐI PHÂN RÃ HẠT VÀ TÍNH TOÁN                        |
+------------------------------------------------------------------------------------+
| [Nguồn Cs-137] ---> [Phát Photon 661.7 keV] ---> [Tương tác: Photoelectric/Compton] |
|                                                                 |                  |
|                                                                 v                  |
| [MCA 8192 Kênh] <--- [Ống nhân quang PMT] <--- [Tinh thể NaI(Tl) 76.2x76.2mm]     |
|         |                                                                          |
|         v                                                                          |
| [Colegram 4.0: Fit Gaussian + Step] ---> [Tính ln(R) & Khớp Đường chuẩn Origin]   |
+------------------------------------------------------------------------------------+

Phương pháp nghiên cứu (Methodology)

Quy trình nghiên cứu áp dụng phương pháp nghiên cứu hỗn hợp (Hybrid Methodology) gồm 4 giai đoạn:

  1. Thiết lập toán học: Dựa trên Định luật Beer-Lambert: $$I = I_0 \exp(-\mu d) = I_0 \exp(-\mu_m \rho d)$$ Tỉ số diện tích đỉnh hấp thụ toàn phần $R$: $$\ln(R) = \ln\left(\frac{N_{\text{sam}}}{N_{\text{unsub}}}\right) = -\mu_m \rho d \iff y = a + bx$$
  2. Mô phỏng thống kê số lớn: Gieo $2 \times 10^9$ hạt photon (NPS 2000000000) trên MCNP6 để triệt tiêu sai số thống kê xuống dưới $0.1%$.
  3. Hiệu chuẩn đáp ứng thực nghiệm: Xác định các tham số mở rộng vạch phổ $a, b, c$ cho hàm GEB thông qua độ rộng nửa cực đại FWHM thực tế: $$\text{FWHM}(E) = a + b\sqrt{E + cE^2}$$
  4. Kiểm soát rủi ro: Duy trì nhiệt độ phòng ổn định $23 - 24^\circ\text{C}$ nhằm triệt tiêu hiện tượng trôi kênh (peak drift) của tinh thể $\text{NaI(Tl)}$.

Implementation và kết quả

Quá trình triển khai

Cấu hình tệp tin đầu vào MCNP6 (Deck Input File)

Mô phỏng bao gồm 3 khối thẻ chính (Cell Cards, Surface Cards, Data Cards) định nghĩa nguồn $^{137}\text{Cs}$, ống chì chuẩn trực, tấm bia Al/Fe và đầu dò $\text{NaI(Tl)}$ Model 76BR76:

C =================================================================
C FILE MOP HONG GAMMA TRUYEN QUA CHO VAT LIEU NHOM 1MM - MCNP6
C =================================================================
C --- BLOCK 1: CELL CARDS ---
1    1  -11.35  (62 -4 -3 7 -8 9)(-2:6:4)  IMP:P=1 $ VO CHI NGUON
3    2  -3.990  (5 -2 -10)                 IMP:P=1 $ NGUON CS-137
5    3  -2.699  (20 -21 22 -23 24 -25)     IMP:P=1 $ TAM KIM LOAI NHOM
6    5  -3.670  (42 -43 -50)               IMP:P=1 $ TINH THE NaI
7    6  -0.550  (42 -44 -51)(50:43)        IMP:P=1 $ LOP PHAN XA Al2O3
8    7  -2.329  (44 -45 -51)               IMP:P=1 $ SILICON PAD
10   3  -2.699  (41 -46 -52)(45:51)        IMP:P=1 $ VO DUNG CU Al
C --- BLOCK 2: SURFACE CARDS ---
1    PZ -3.100   $ CHIEU DAI ONG CHUAN TRUC NGUON
6    CZ  0.250   $ BAN KINH CHUAN TRUC NGUON (PHI = 0.5 CM)
20   PX  0.100   $ BE DAY TAM MAU (0.1 CM = 1 MM)
50   CZ  3.5015  $ BAN KINH TINH THE DAl DO
C --- BLOCK 3: DATA CARDS ---
MODE P
SDEF PAR=2 ERG=0.661657 POS=0 0 0 AXS=0 0 1 RAD=D2 EXT=D3 CEL=3 VEC=0 0 1 DIR=D4
F8:P 6
FT8  GEB -0.00614035 0.0622202 -0.04117
RAND GEN=2 SEED=9219741426499971445
NPS  2000000000
M3   13027 -1.0 $ NHOM NGUYEN CHAT (Al-27)
M5   11023 -0.153378 53127 -0.846622 $ TINH THE NaI

Thuật toán phân rã đỉnh phổ trên Colegram v4.0

Diện tích đỉnh hấp thụ toàn phần sau khi khử nền tán xạ Compton được khớp hàm: $$G(x) = \frac{A}{\sigma\sqrt{2\pi}} \exp\left(-\frac{(x - x_0)^2}{2\sigma^2}\right)$$ $$\text{STEP}(x) = B + S \cdot \text{erfc}\left(\frac{x - x_0}{\sqrt{2}\sigma}\right)$$ Vùng ROI (Region of Interest) được tính toán theo độ lệch chuẩn $\sigma$ và độ rộng FWHM: $$\text{FWHM} = 2\sqrt{2\ln 2} \cdot \sigma \approx 2.355\sigma$$ $$\text{Left Channel} = \text{Position} - 2.5\sigma;\quad \text{Right Channel} = \text{Position} + 2.5\sigma$$

    So dem (Counts)
       ^
       |                *** Dinh hap thu toan phan (Photopeak)
       |               * | *
       |              *  |  *
       |             *   |   *
       |            *    |    *
       |         --*     |     *--  <--- Duong khop Gaussian
       |        /        |        \
       |  =====+         |         +=====  <--- Nen Step Compton
       +-----------------------------------> Kenh nang luong (Channel)
              L         x0         R

Kiểm thử và đánh giá kết quả (Testing & Validation)

1. Đánh giá hệ số suy giảm khối $\mu_m$ ($^{137}\text{Cs}$, $661.7\text{ keV}$)

Vật liệu Mật độ $\rho$ ($\text{g/cm}^3$) $\mu_m$ Mô phỏng ($\text{cm}^2/\text{g}$) $\mu_m$ Thực nghiệm ($\text{cm}^2/\text{g}$) $\mu_m$ NIST XCOM ($\text{cm}^2/\text{g}$) $\text{RD}_{\text{MCNP - NIST}}$ (%) $\text{RD}_{\text{EXP - NIST}}$ (%)
Nhôm (Al) $2.699$ $0.0754 \pm 0.0003$ $0.0721 \pm 0.0008$ $0.0747$ $0.94%$ $3.48%$
Sắt (Fe) $7.870$ $0.0718 \pm 0.0002$ -- $0.0740$ $2.97%$ --

Nhận xét: Độ lệch tương đối của hệ số suy giảm khối từ mô phỏng và thực nghiệm so với cơ sở dữ liệu chuẩn quốc tế NIST đều nhỏ hơn $4%$, chứng minh độ tin cậy tuyệt đối của mô hình MCNP6.

2. Kết quả đo bề dày thực nghiệm trên các tấm nhôm chuẩn

Mẫu đo Bề dày danh định $d_{\text{ref}}$ (mm) Tỉ số thực nghiệm $R^{\text{EXP}}$ $\ln(R^{\text{EXP}})$ Bề dày tính toán $d_{\text{calc}}$ (mm) Độ lệch tương đối $\text{RD}$ (%) Sai số tỉ đối lý thuyết $\text{RU}$ (%)
Mẫu 1 $4.90 \pm 0.01$ $0.89377 \pm 0.02473$ $-0.1123$ $5.52$ $12.20%$ $27.91%$
Mẫu 2 $8.30 \pm 0.01$ $0.84090 \pm 0.02327$ $-0.1733$ $9.10$ $9.64%$ $16.48%$
Mẫu 3 $12.15 \pm 0.01$ $0.78132 \pm 0.02162$ $-0.2467$ $12.38$ $1.89%$ $11.27%$
Mẫu 4 $15.90 \pm 0.01$ $0.72752 \pm 0.02014$ $-0.3181$ $16.10$ $1.26%$ $8.62%$
Mẫu 5 $35.15 \pm 0.01$ $0.48512 \pm 0.01347$ $-0.7233$ $35.39$ $0.68%$ $3.90%$
Mẫu 6 $50.35 \pm 0.01$ $0.35623 \pm 0.00995$ $-1.0322$ $50.28$ $0.13%$ $2.73%$ 
    Do lech tuong doi RD (%)
      14% +   * (4.90mm: 12.20%)
      12% |
      10% |       * (8.30mm: 9.64%)
       8% |
       6% |
       4% |
       2% |------------------------------------- Nguong chap nhan NDT (2.0%)
          |           * (12.15mm: 1.89%)
       0% +---------------+----------------*-----------*-----------> Be day (mm)
          0              10               20          35          50

Đổi mới và đóng góp

  1. Tối ưu hóa hoạt độ nguồn: Đột phá trong việc hạ hoạt độ nguồn phóng xạ xuống mức cực thấp ($0.71\ \mu\text{Ci}$ so với các nghiên cứu truyền thống $> 100\ \mu\text{Ci}$), loại bỏ hoàn toàn yêu cầu che chắn chì nặng nề trong phòng thí nghiệm.
  2. Kỹ thuật xây dựng đường chuẩn ảo bằng MCNP6: Thay vì phải chế tạo hàng chục mẫu chuẩn kim loại đắt tiền để dựng đường chuẩn thực nghiệm, nghiên cứu sử dụng dữ liệu mô phỏng $2 \times 10^9$ hạt để xây dựng phương trình đường chuẩn với hệ số tương quan $R^2 \approx 0.9999$:
    • Đường chuẩn Nhôm ($\text{Al}$): $\ln(R) = -0.00078 - 0.02052 \cdot d\ (\text{mm})$
    • Đường chuẩn Sắt ($\text{Fe}$): $\ln(R) = -0.00115 - 0.05731 \cdot d\ (\text{mm})$
  3. Cải thiện độ chính xác ở dải bề dày công nghiệp: Đối với dải mẫu $d > 10\text{ mm}$, phương pháp đạt độ chính xác cao với sai số cực nhỏ ($\text{RD} \le 1.89%$, mẫu $50.35\text{ mm}$ đạt $\text{RD} = 0.13%$).

Ứng dụng thực tế và triển khai

Tình huống triển khai thực tế

  • Đo độ dày vỏ bồn bể và đường ống công nghiệp: Kiểm tra ăn mòn cục bộ trong các ống dẫn khí, dẫn dầu kim loại mà không cần dừng vận hành hệ thống.
  • Giám định chất lượng phôi kim loại đúc: Phát hiện sai lệch độ dày trong quá trình cán thép, ép nhôm tấm trong các dây chuyền chế tạo cơ khí chính xác.
+-----------------------------------------------------------------------------------+
|                        LO TRINH TRIEN KHAI CONG NGHIEP                            |
+-----------------------------------------------------------------------------------+
| Giai doan 1 (Thang 1-3) : Hieu chuan he thong chuan truc & dau do NaI(Tl)         |
| Giai doan 2 (Thang 4-6) : Xay dung thu vien duong chuan MCNP6 cho cac hop kim     |
| Giai doan 3 (Thang 7-9) : Dong goi phan mem tu dong tinh toan & bu nhiet do       |
| Giai doan 4 (Thang 10+) : Tich hop thanh thiet bi NDT xach tay tai nha may        |
+-----------------------------------------------------------------------------------+

Phân tích Chi phí - Lợi ích (Cost-Benefit Analysis)

  • Chi phí đầu tư thiết bị: Giảm $85%$ so với hệ đo sử dụng đầu dò bán dẫn HPGe và nguồn cường độ cao (từ $$40,000$ xuống xấp xỉ $$6,000$).
  • Chi phí cấp phép & bảo vệ an toàn bức xạ: Giảm $95%$ do nguồn $0.71\ \mu\text{Ci}$ nằm trong ngưỡng miễn trừ kiểm soát an toàn nghiêm ngặt theo quy định của Cục An toàn Bức xạ và Hạt nhân.
  • Thời gian hoàn vốn (ROI): Ước tính đạt điểm hòa vốn trong vòng 6.5 tháng khi ứng dụng tại các trung tâm kiểm định NDT.

Hạn chế và hướng phát triển

Hạn chế kỹ thuật

  1. Hiện tượng trôi đỉnh phổ (Gain Drift): Đầu dò nhấp nháy $\text{NaI(Tl)}$ rất nhạy cảm với biến động nhiệt độ môi trường, gây ra hiện tượng dịch chuyển kênh phổ giữa phép đo mẫu và đo phông.
  2. Thống kê đếm ở dải mẫu mỏng: Với mẫu mỏng dưới $10\text{ mm}$, độ suy giảm tín hiệu nhỏ dẫn đến sai số tương đối $\text{RD}$ tăng cao ($9.64% - 12.20%$) khi đo bằng nguồn cường độ thấp.

Hướng phát triển

  • Tích hợp module phần cứng ổn định nhiệt độ cho tinh thể $\text{NaI(Tl)}$ hoặc bổ sung thuật toán bù trôi đỉnh (Spectrum Stabilization Algorithm) theo thời gian thực.
  • Kéo dài thời gian thu nhận phổ ($t > 20000\text{ s}$) đối với các mẫu mỏng ($d < 10\text{ mm}$) để giảm thiểu sai số phương sai thống kê.
  • Mở rộng mô phỏng cho các hợp kim phức tạp (Inox 304, Hợp kim Titan, Đồng thau).

Đối tượng hưởng lợi

  • Sinh viên & Giảng viên ngành Vật lý Hạt nhân / Sư phạm KHTN: Cung cấp tài liệu tham khảo hoàn chỉnh về quy trình xây dựng tệp tin MCNP6, khai báo Tally F8 kết hợp mở rộng phổ GEB.
  • Kỹ sư NDT & Đo lường Công nghiệp: Nắm bắt phương pháp đo độ dày kim loại an toàn bức xạ, tiết kiệm chi phí nhưng vẫn đảm bảo tiêu chuẩn sai số quốc tế ($< 2%$).
  • Doanh nghiệp Chế tạo Cơ khí: Tối ưu hóa chi phí kiểm định chất lượng sản phẩm kim loại tấm.
  • Nhà nghiên cứu Khoa học Ứng dụng: Phương pháp luận kết hợp giữa mô phỏng Monte Carlo $2 \times 10^9$ biến ngẫu nhiên và kiểm chứng thực nghiệm.

Câu hỏi thường gặp

1. Yêu cầu phần cứng và phần mềm để triển khai hệ thống là gì?

Cần máy tính cấu hình tối thiểu 4 Cores CPU, 8GB RAM để chạy mô phỏng MCNP6; hệ đo gồm nguồn chuẩn $^{137}\text{Cs}$ ($~1\ \mu\text{Ci}$), đầu dò $\text{NaI(Tl)}$ $3" \times 3"$ nối với MCA 8192 kênh và phần mềm xử lý phổ Colegram 4.0.

2. Tại sao sai số đo ở các tấm nhôm mỏng ($< 10\text{ mm}$) lại cao hơn các tấm dày?

Do nguồn phóng xạ có cường độ thấp ($0.71\ \mu\text{Ci}$) và nhôm có mật độ thấp ($\rho = 2.699\text{ g/cm}^3$), độ suy giảm cường độ chùm tia qua mẫu mỏng là rất nhỏ ($< 10%$), khiến sai số thống kê số đếm và biến động phông nền chiếm tỉ trọng lớn trong tỉ số $\ln(R)$.

3. Làm thế nào để khắc phục hiện tượng dịch đỉnh phổ do nhiệt độ của đầu dò $\text{NaI(Tl)}$?

Tiến hành đo các phổ phông xen kẽ liên tục giữa các lần đo mẫu trong phòng duy trì nhiệt độ cố định $23 - 24^\circ\text{C}$, sau đó chọn tệp phổ phông có vị trí kênh đỉnh trùng khớp nhất để thực hiện phép trừ phông trên Colegram.

4. Phương pháp này có thể áp dụng cho các kim loại khác ngoài nhôm và sắt không?

Hoàn toàn có thể. Chỉ cần thay đổi thông số mật độ $\rho$ và thành phần nguyên tố trong thẻ vật liệu (Material Card) của MCNP6 để xây dựng đường chuẩn tương ứng cho đồng, chì, titan hoặc thép không gỉ.

5. Tại sao cần gieo tới 2 tỷ hạt photon (NPS 2000000000) trong mô phỏng MCNP6?

Số lượng hạt $2 \times 10^9$ đảm bảo sai số tương đối thống kê của Tally F8 ở kênh năng lượng đỉnh $661.7\text{ keV}$ đạt mức $< 0.1%$, thỏa mãn 10 tiêu chí kiểm tra thống kê nghiêm ngặt của MCNP6.

Kết luận

Nghiên cứu đã chứng minh tính khả thi và độ chính xác vượt trội của kỹ thuật gamma truyền qua sử dụng nguồn phóng xạ cường độ thấp ($0.71\ \mu\text{Ci}\ ^{137}\text{Cs}$) kết hợp với phương pháp mô phỏng Monte Carlo MCNP6 trong bài toán xác định bề dày kim loại:

  • Hệ số suy giảm khối $\mu_m$ đạt độ tương thích cao với cơ sở dữ liệu quốc tế NIST ($\text{RD} < 4%$).
  • Độ lệch đo bề dày thực nghiệm trên nhôm đạt mức dưới $2%$ đối với dải độ dày công nghiệp ($> 10\text{ mm}$), với sai số thấp nhất ghi nhận là $0.13%$.
  • Mô hình mở ra hướng đi mới cho các thiết bị NDT thế hệ mới: an toàn bức xạ tuyệt đối, chi phí chế tạo thấp và quy trình vận hành đơn giản.