Giáo trình Vô tuyến Điện tử: Nguyên lý, linh kiện - Phan Thanh Vân, ĐHSP TPHCM

Giáo trình vô tuyến điện tử cung cấp kiến thức nền tảng và chuyên sâu về các hệ thống truyền thông không dây. Tìm hiểu nguyên lý hoạt động, thiết kế mạch và

• Tác giả: Phan Thanh Vân
• Trường học: Đại học Sư phạm Thành phố Hồ Chí Minh
• Chuyên ngành: Vô tuyến Điện tử
• Đề tài: Giáo trình Vô tuyến Điện tử: Lý thuyết và nguyên lý cơ bản
• Loại tài liệu: Giáo trình
• Địa điểm: Hồ Chí Minh

Tóm tắt

I. Tổng quan về giáo trình vô tuyến điện tử

Giáo trình Vô tuyến điện tử là tài liệu học thuật cốt lõi dành cho sinh viên khối ngành kỹ thuật và vật lý. Nội dung bao gồm toàn bộ nền tảng lý thuyết về sóng điện từ, nguyên lý hoạt động của các mạch điện tử cơ bản. Giáo trình trình bày cấu trúc mạng tinh thể của vật liệu bán dẫn. Các nguyên tử trong mạng tinh thể được sắp xếp theo quy luật tuần hoàn trong không gian ba chiều. Silic và Germanium là hai vật liệu bán dẫn phổ biến nhất. Mỗi nguyên tử Silic liên kết với bốn nguyên tử kế cận tạo thành cấu trúc kim cương đặc trưng. Giáo trình cũng đề cập đến các mức năng lượng electron theo nguyên lý loại trừ Pauli. Các electron phân bố trên các quỹ đạo s, p, d, f với số lượng tối đa trên mỗi tầng xác định. Khi nguyên tử có đầy đủ electron trên mỗi tầng, cấu trúc trở nên bền vững. Nền tảng vật lý này giúp người học hiểu rõ cơ chế dẫn điện và ứng dụng của vật liệu bán dẫn trong kỹ thuật vô tuyến điện tử hiện đại.

1.1. Cấu trúc mạng tinh thể của vật liệu bán dẫn

Cấu trúc mạng tinh thể đóng vai trò nền tảng trong việc hiểu tính chất của vật liệu bán dẫn. Trong mạng tinh thể, các nguyên tử được sắp xếp theo quy luật tuần hoàn trong không gian ba chiều. Ví dụ điển hình là Carbon dạng kim cương và Silic có cấu trúc hoàn toàn giống nhau. Mỗi nguyên tử nằm ở các đỉnh và tâm của khối lập phương. Mỗi nguyên tử liên kết với bốn nguyên tử kế cận qua liên kết cộng hóa trị mạnh. Các chất như nhựa, thủy tinh, cao su không có cấu trúc mạng tinh thể nên không được xét đến trong lĩnh vực bán dẫn. Hiểu rõ cấu trúc mạng tinh thể giúp dự đoán tính dẫn điện và đặc tính quang học của vật liệu.

1.2. Các mức năng lượng và nguyên lý loại trừ Pauli

Các electron trong nguyên tử chiếm các tầng có mức năng lượng khác nhau theo nguyên lý loại trừ Pauli. Mỗi tầng chứa tối đa 2n² electron. Tầng thứ nhất chứa tối đa hai electron. Tầng thứ hai chứa tối đa tám electron. Các electron phân bố trên các quỹ đạo s, p, d, f tương ứng với các số lượng khác nhau. Quỹ đạo s chứa tối đa hai electron, quỹ đạo p chứa tối đa sáu electron, quỹ đạo d chứa tối đa mười electron. Khi nguyên tử có đủ số electron tối đa trên mỗi tầng, nguyên tử đạt trạng thái bền vững. Helium và Neon là ví dụ về nguyên tử có cấu hình bền.

II. Phân tích nguyên lý hoạt động mạch điện tử cơ bản

Nguyên tắc liên lạc bằng vô tuyến điện dựa trên hệ thống thu phát sóng điện từ hoàn chỉnh. Máy phát gồm mạch tạo dao động cao tần, nguồn tín hiệu cần truyền đi như âm thanh hoặc hình ảnh. Tín hiệu được điều chế lên sóng mang cao tần trước khi phát qua ăng-ten. Máy thu thực hiện quy trình ngược lại. ăng-ten thu nhận dao động cao tần đã điều chế. Mạch cộng hưởng chọn tần số đài muốn thu. Mạch tách sóng tách tín hiệu ra khỏi sóng mang cao tần. Mạch khuếch đại công suất khuếch đại tín hiệu lên mức đủ mạnh. Bộ phận lặp lại tín hiệu chuyển đổi thành âm thanh hoặc hình ảnh. Hệ thống này vận hành dựa trên nguyên lý lan truyền sóng điện từ trong không gian. Các linh kiện điện tử như điốt và transistor đóng vai trò then chốt trong toàn bộ quá trình xử lý tín hiệu vô tuyến. Đặc tính phi tuyến của các linh kiện cho phép thực hiện các phép biến đổi tần số, khuếch đại và tạo dao động cần thiết.

2.1. Cấu tạo và chức năng của máy phát sóng vô tuyến

Máy phát sóng vô tuyến gồm nhiều khối mạch liên kết chặt chẽ với nhau. Mạch tạo dao động cao tần sinh ra sóng mang có tần số ổn định. Nguồn tín hiệu cung cấp thông tin cần truyền đi dưới dạng tín hiệu âm thanh hoặc hình ảnh. Mạch điều chế ghép thông tin lên sóng mang bằng phương pháp biên độ hoặc tần số. Mạch khuếch đại công suất tăng cường độ tín hiệu trước khi đưa ra ăng-ten. ăng-ten phát biến đổi dòng điện cao tần thành sóng điện từ lan truyền trong không gian. Mỗi khối mạch đảm nhận một chức năng riêng biệt nhưng phối hợp nhịp nhàng để đảm bảo chất lượng phát sóng tốt nhất.

2.2. Cấu tạo và chức năng của máy thu sóng vô tuyến

Máy thu sóng vô tuyến thực hiện quá trình thu và xử lý tín hiệu ngược lại với máy phát. ăng-ten thu bắt sóng điện từ từ không gian và chuyển thành dòng điện cao tần. Mạch cộng hưởng có vai trò chọn lọc tần số đài mong muốn trong số nhiều tín hiệu cùng tồn tại. Mạch tách sóng thực hiện quá trình giải điều chế, tách tín hiệu thông tin ra khỏi sóng mang cao tần. Mạch khuếch đại công suất nâng mức tín hiệu lên đủ mạnh để điều khiển thiết bị tái tạo. Loa trong vô tuyến truyền thanh hoặc đèn hình trong vô tuyến truyền hình là bộ phận lặp lại tín hiệu cuối cùng.

III. Phương pháp phân tích mạch điện tử ứng dụng vô tuyến

Phân tích mạch điện tử đòi hỏi hiểu biết sâu về đặc tính của từng linh kiện. Điốt bán dẫn là linh kiện cơ bản nhất với cấu trúc tiếp giáp P-N. Điốt cho phép dòng điện đi qua thuận chiều và khóa dòng ngược chiều. Điốt biến dung Varicap là loại điốt silic cấu tạo đặc biệt. Đặc tuyến ngược của Varicap hoạt động như một tụ điện có điện dung thay đổi được. Điện dung này phụ thuộc vào điện áp ngược đặt vào. Transistor là linh kiện chủ động có khả năng khuếch đại tín hiệu. Transistor lưỡng cực BJT gồm ba vùng bán dẫn P và N ghép lại. Dòng điện qua cực C được điều khiển bởi dòng điện cực B. UJT là transistor một cực có đặc tính dòng điện âm. UJT được ứng dụng rộng rãi trong mạch phát xung điều khiển SCR. Mạch Darlington ghép hai transistor để tăng hệ số khuếch đại dòng điện. Phương pháp phân tích sử dụng đồ thị đặc tuyến tĩnh và động để xác định điểm làm việc của mạch.

3.1. Đặc tính và ứng dụng của điốt bán dẫn trong mạch vô tuyến

Điốt bán dẫn là linh kiện có cấu trúc tiếp giáp P-N đơn giản nhất. Khi đặt điện áp thuận, lớp tiếp giáp hẹp lại và dòng điện chạy qua dễ dàng. Khi đặt điện áp ngược, lớp tiếp giáp mở rộng và dòng điện bị chặn. Điốt biến dung Varicap khai thác đặc tuyến ngược để tạo tụ điện có điện dung điều chỉnh được. Bề dày lớp điện môi thay đổi theo điện áp ngược đặt vào. Varicap được dùng trong mạch cộng hưởng để điều chỉnh tần số cộng hưởng bằng điện áp. Ứng dụng phổ biến nhất là trong các máy thu sóng vô tuyến hiện đại.

3.2. Nguyên lý hoạt động và ứng dụng của transistor trong mạch vô tuyến

Transistor lưỡng cực BJT gồm ba cực B, C, E với cấu trúc NPN hoặc PNP. Dòng điện cực C tỷ lệ thuận với dòng điện cực B theo hệ số khuếch đại beta. Transistor hoạt động ở ba chế độ: khuếch đại, bão hòa và cắt. Trong mạch khuếch đại, transistor làm việc ở chế độ tuyến tính. Mạch Darlington ghép hai transistor nối tiếp để tăng hệ số khuếch đại tổng. UJT có đặc tính vùng điện trở âm dùng trong mạch phát xung. Điện thế đỉnh của UJT xác định bởi eta nhân với điện áp cung cấp cộng điện áp tiếp xúc PN.

IV. Ứng dụng thực tế của nguyên lý vô tuyến điện tử hiện đại

Nguyên lý vô tuyến điện tử có ứng dụng rộng rãi trong đời sống và công nghiệp hiện đại. Vô tuyến truyền thanh là ứng dụng lâu đời nhất, truyền tải tín hiệu âm thanh qua sóng radio. Vô tuyến truyền hình sử dụng nguyên lý tương tự nhưng phức tạp hơn nhiều do phải truyền cả tín hiệu hình ảnh. Truyền thông di động dựa trên nguyên lý điều chế và giải điều chế sóng vô tuyến. Radar sử dụng sóng điện từ để phát hiện và theo dõi vật thể ở khoảng cách xa. Hệ thống dẫn đường hàng không và hàng hải phụ thuộc hoàn toàn vào kỹ thuật vô tuyến. Internet không dây Wi-Fi áp dụng nguyên lý truyền dữ liệu số qua sóng radio tần số cao. Mạch nguồn ổn áp sử dụng nguyên lý so sánh và hồi tiếp để duy trì điện áp đầu ra ổn định. Mạch phát xung dùng UJT điều khiển SCR được ứng dụng trong công nghiệp điều khiển công suất. Giáo trình vô tuyến điện tử cung cấp nền tảng vững chắc để tiếp cận tất cả các ứng dụng công nghệ hiện đại này.

4.1. Ứng dụng trong truyền thông và phát thanh truyền hình

Vô tuyến truyền thanh và truyền hình là những ứng dụng đầu tiên và quan trọng nhất của nguyên lý vô tuyến điện tử. Máy phát phát sóng radio sử dụng phương pháp điều chế biên độ hoặc điều chế tần số. Máy thu sử dụng mạch cộng hưởng để chọn lọc kênh phát mong muốn. Quá trình tách sóng tại máy thu khôi phục lại tín hiệu âm thanh hoặc hình ảnh ban đầu. Công nghệ truyền hình kỹ thuật số hiện đại sử dụng phương pháp điều chế số cho chất lượng vượt trội. Vệ tinh truyền thông mở rộng phạm vi phủ sóng đến toàn cầu dựa trên nguyên lý truyền sóng điện từ cơ bản.

4.2. Ứng dụng trong mạch điều khiển công suất và thiết bị điện tử

Mạch ổn áp sử dụng nguyên lý hồi tiếp âm để duy trì điện áp đầu ra không đổi. Khi điện áp đầu ra tăng, mạch lấy mẫu phát hiện sự thay đổi và điều chỉnh transistor công suất hoạt động ngược lại. Mạch Darlington tăng hệ số khuếch đại dòng để điều khiển tải công suất lớn. UJT kết hợp với tụ điện và điện trở tạo mạch phát xung có chu kỳ chính xác. Xung từ mạch UJT điều khiển đóng ngắt SCR trong các bộ điều khiển công suất. Các nguyên lý này được ứng dụng rộng rãi trong biến tần, bộ nguồn xung và thiết bị điều khiển công nghiệp hiện đại.

Trích đoạn nội dung tài liệu

CHƯƠNG I LINH KIỆN ĐIỆN TỬ ---0--- BÀI 1: VẬT LIỆU LINH KIỆN ĐIỆN TỬ I.- Cơ sở vật lý của vật liệu linh kiện: 1.- Cấu trúc mạng tinh thể: Khi nghiên cứu tính dẫn điện của vật rắn, ta chỉ chọn để xem xét vật rắn có các nguyên tử được sắp xếp tạo nên một mạng tuần hoàn trong không gian 3 chiều. Ta không xét đến các chất dẻo, thủy tinh, cao su. vì chúng không có cấu trúc mạng như vậy. Cấ u trúc mạ ng tinh thể Silic Ví dụ: Carbon (dạng kim cương) hoặc Silic có cấu trúc tinh thể hoàn toàn giống nhau, trong đó các nguyên tử nằm ở các đỉnh và tâm của khối lập phương (cấu trúc khối tâm).

Mỗi nguyên tử được liên kết với 4 nguyên tử kế cận. (Carbon dạng graphit có cấu trúc khác) Các liên kết của mỗi nguyên tử Silic.- CÁC MỨC NĂNG LƯỢNG CỦA NGUYÊN TỬ: Ta biết các electron trong nguyên tử, sẽ chiếm các tầng có các mức năng lượng khác nhau theo nguyên lý loại trừ Pauli: Có tối đa 2n2 electron trên mỗi tầng và các electron đó phân bố trên các vân đạo s, p, d, f. Ví dụ: Tầng 1: n = 1, có số electron tối đa 2. Tầng 2: n = 2, có số electron tối đa 8.

[Vân đạo s ( = 0) : chứa tối đa 2 electron. Vân đạo p ( = 1) : chứa tối đa 6 electron. Vân đạo d ( = 2) : chứa tối đa 10 electron.] 4 Khi có đầy đủ số electron tối đa trên mỗi tầng, nguyên tử sẽ có cơ cấu bền. Ví du: 2He, 10Ar có cơ cấu bền và 11Na có cơ cấu không bền.

Ngoài ra các electron sẽ lần lượt chiếm các vân đạo theo nguyên tắc sau đây: 1s n = 1, =0 2s 2p n = 2, = 0, 1 3s 3p 3d n = 3, = 0, 1, 2 4s 4p 4d 4f n = 4, = 0, 1, 2, 3 5s 5p 5d 5f. n = 5, = 0, 1, 2, 3, 4 Ví dụ: 6C : 1s2 2s2 2p2 2 2 6 2 2 14Si : 1s 2s 2p 3s 3p 2 2 6 2 6 2 10 32Ge : 1s 2s 2p 3s 3p 4s 3d 4p2 2 2 2 1 11Na : 1s 2s 2p 3s Các mức năng lượng chưa bị electron chiếm gọi là các mức năng lượng trống. Khi các electron nhận được năng lượng (do va chạm với electron khác hoặc với photon .) sẽ nhảy lên mức năng lượng cao hơn.- THUYẾT VÙNG NĂNG LƯỢNG: Ta thấy electron trong nguyên tử được sắp xếp trên các mức năng lượng cố định: Ví dụ: 11Na : 1s2 2s2 2p2 3s1 2 2 6 2 6 2 9 29Cu : 1s 2s 2p 3s 3p 4s 3d Trong đó các electron nằm sâu bên trong nguyên tử, bị giữ chặt bởi hạt nhân hơn các electron ở các tầng bên ngoài nên các electron tầng ngoài sẽ linh động hơn. Khi các nguyên tử tiến gần lại với nhau cỡ hằng số mạng “a”, các mức năng lượng sẽ bị tách ra và hợp thành các dải.

Cuối cùng các mức năng lượng của các electron sâu bên trong nguyên tử và các electron bên ngoài hợp thành Vùng Hóa Trị BV (Bande Valence), tập hợp các mức năng lượng trống hợp thành Vùng Dẫn BC (Bande Conduction), khoảng cách năng lượng giữa 2 dải trên gọi là Vùng Cấm hay Khe Năng Lượng Eg (gap). E Vùng Dẫ n EC Vùng Eg = EC - EV Cấ m EV Vùng Hoá Trị Các vùng năng lượng trong nguyên tử. 5  Nếu tất cả các electron đều nằm trong Vùng Hóa Trị: không có electron dẫn điện.  Khi các electron ở Vùng Hóa Trị nhận được năng lượng E > Eg, thì electron từ Vùng Hóa Trị sẽ nhảy lên Vùng Dẫn để tham gia dẫn điện.

Ví dụ: Si có Eg = 1,1 eV. Ge có Eg = 0,72 eV. SiO2 có Eg = 8eV.- PHÂN BIỆT ĐIỆN MÔI-CHẤT BÁN DẪN-KIM LOẠI: Về cấu trúc vùng năng lượng: Chất bán dẫn và điện môi có cấu trúc giống nhau, nhưng bản chất lại khác nhau. Hiện nay, Si ( Eg = 1,1 eV) và SiO2 (Eg = 8 eV) được dùng rất nhiều trong công nghệ bán dẫn.

E E Vùng Dẫ n EC Vùng Dẫ n EC Eg = 8 eV Eg = 1,1 eV EV EV Vùng Hóa Trị Vùng Hóa Trị Các vùng năng lượng trong SiO2 Các vùng năng lượng trong Si a/ ĐIỆN MÔI: Điện môi là chất có Eg rất lớn, ở điều kiện bình thường electron trong Vùng Hóa Trị không thể vượt qua rào năng lượng Eg, để lên Vùng Dẫn được. Ta phải cung cấp năng lượng lớn E > Eg thì electron từ Vùng Hóa Trị nhận năng lượng mới nhảy lên Vùng Dẫn để tham gia dẫn điện được. b/ CHẤT BÁN DẪN : Chất bán dẫn có Vùng Cấm Eg tương đối thấp, electron có thể nhận năng lượng để từ Vùng Hóa Trị lên Vùng Dẫn tham gia dẫn điện. Khi tăng nhiệt độ, số electron từ Vùng Hóa Trị nhận đủ năng lượng nhảy lên Vùng Dẫn càng nhiều, điện trở của chất bán dẫn càng giảm.

c/ KIM LOẠI: Kim loai có Vùng Dẫn và Vùng Hoá Trị sát nhau hoặc gối lên nhau, nên ở điều kiện thường không cần cung cấp năng lượng cũng đã có sẵn các electron tự do trong Vùng Dẫn tham gia dẫn điện. Vì vậy ta có Eg = 0. 6 E Vùng Dẫ n EV EC Vùng Hóa Trị Các vùng năng lượng trong kim loại. Ví dụ: 13Al : 1s 2 2s2 2p6 3s2 3p1 2 11Na: 1s 2s2 2p6 3s1.

Khi tăng nhiệt độ, dao động mạng tinh thể tăng, cản trở sự di chuyển của electron nên điện trở của kim loại tăng. Các nguyên tử hóa trị 4 như Germani (Ge); Silic (Si) là chất bán dẫn. Ta thấy tầng ngoài cùng của các nguyên tử này đều có 4 electron, nên cần có thêm 4 electron nữa để đạt được cơ cấu bền, nghĩa là nó phải tạo thêm 4 liên kết cộng hóa trị với 4 nguyên tử lân cận (mỗi liên kết cộng hóa trị có 2 electron dùng chung cho cả 2 nguyên tử). Ví dụ: Mạng tinh thể của chất bán dẫn Germani có cấu hình như sau: E Ge Vùng Dẫ n EC Eg = 0,72eV EV Vùng Hóa Trị Các mức năng lượng trong chất bán dẫn Ge Mạng tinh thể của chất bán dẫn Ge.

Tùy theo tạp chất được pha vào chất bán dẫn mà ta có các loại bán dẫn sau đây: A .- CHẤT BN DẪN THUẦN: (Intrinsic semiconductor). Trong mạng tinh thể, chỉ có thuần các nguyên tử bán dẫn, ví dụ Germani (Ge), Silic (Si), không có nguyên tử tạp chất lạ. 7 Ta xét sự dẫn điện của loại bán dẫn này theo nhiệt độ:  Ở 00K: Không có dao động nhiệt trong mạng tinh thể, các nguyên tử nằm yên ở các nút mạng nên các liên kết cộng hóa trị không thu được năng lượng để đứt ra. Chúng rất bền chắc: không có electron tự do nên chất bán dẫn là điện môi.

 Ở nhiệt độ bình thường : Các nguyên tử bị dao động nhiệt quanh vị trí cân bằng, chúng cung cấp năng lượng cho các liên kết cộng hóa trị. Khi thu đủ năng lượng E  Eg các liên kết cộng hoá trị đứt ra cho các electron tự do và chúng có thể tham gia dẫn điện.  Ở nhiệt độ cao: Số liên kết cộng hóa trị bị đứt ra càng nhiều, nên số electron tự do được tạo ra càng lớn, độ dẫn điện tăng. Cơ chế của sự dẫn điện trong chất bán dẫn thuần: Khi đặt chất bán dẫn vào một điện trường ngoài, các liên kết cộng hóa trị thu đủ năng lượng sẽ bị đứt ra tạo các electron tự do, chúng di chuyển về phía cực dương của điện trường và để lại một trạng thái năng lượng bị khuyết, ta gọi đó là lổ trống.

Như vậy nguyên tử Ge có lổ trống chỉ còn 7 electron tầng ngoài, nó rất muốn nhận thêm một electron để đạt cơ cấu bền. Các electron lân cận rất dễ dàng di chuyển lại chiếm lổ trống này và lại để lổ trống khác. cứ như thế, ta thấy rằng electron di chuyển ngược chiều điện trường, còn lổ trống di chuyển cùng chiều điện trường. Cả hai đều tham gia dẫn điện vì electron nhận năng lượng từ Vùng Hóa Trị nhảy lên Vùng Dẫn tham gia dẫn điện, còn lổ trống di chuyển ngay trong Vùng Hóa Trị do sự di dời của các electron đến lấp các lổ trống.

Trong chất bán dẫn thuần, ta có: I = Ie + Ip và số electron bằng số lổ trống (ne = np). E BC EC Ge EV BV Mạng tinh thể của chất bán dẫn thuần Các mức năng lượng trong Germani chất bán dẫn thuần. Chú ý: Dòng điện trong chất bán dẫn thuần chỉ phụ thuộc vào nhiệt độ nên ta gọi là dòng điện bảo hòa.- CHẤT BÁN DẪN PHA TẠP CHẤT: Khi chất bán dẫn được pha tạp chất có hóa trị 3 hoặc hóa trị 5 với nồng độ rất thấp vào mạng tinh thể của nó (pha 1 nguyên tử tạp chất trong 1012 nguyên tử bán dẫn). Các nguyên tử tạp chất sẽ chiếm một trong các nút mạng, độ dẫn điện của chất bán dẫn tăng lên đáng kể.

8 1/ CHẤT BÁN DẪN LOẠI N: (Negative). Pha tạp chất hóa trị 5 như Arsenic (As), Phosphor (P) vào chất bán dẫn Germani (Ge) hoặc Silic (Si) có hóa trị 4: 2 33As : 1s 2s2 2p6 3s2 3p6 4s2 3d10 4p3. Tầng ngoài cùng của nguyên tử As có 5 electron, sẽ tạo liên kết cộng hóa trị với 4 nguyên tử Ge lân cận. Do đó thừa ra 1 electron, electron này rất linh động, chỉ cần một năng lượng rất thấp (khoảng 0.01eV) cũng đủ để nó thoát ra khỏi nguyên tử As và tham gia dẫn điện.

Nên nhớ rằng electron này khi di chuyển không để lại lổ trống !! Ngoài ra các liên kết cộng hóa trị của nguyên tử Ge cũng có thể bứt ra khi chúng nhận được năng lượng đủ lớn (E  Eg) và chúng tham gia dẫn điện như trong chất bán dẫn thuần (gồm electron và lổ trống). Vậy trong chất bán dẫn loại N, electron và lổ trống đều tham gia dẫn điện, nhưng số electron nhiều hơn số lổ trống (do đó có tên chất bán dẫn N: negative). Ta gọi electron trong chất bán dẫn loại N là hạt mang điện đa số, còn lổ trống trong chất bán dẫn loại N là hạt mang điện thiểu số. Nếu xét trên giản đồ năng lượng, electron của nguyên tử As sẽ nằm trên mức năng lượng gần sát đáy dưới của Vùng Dẫn, gọi là mức ED (Donor).

E = EC - ED ( 0,01eV) Chỉ cần một năng lượng rất nhỏ cỡ 0.01eV, electron từ mức ED nhảy lên Vùng Dẫn tham gia dẫn điện.