Tổng quan luận án

Nguyễn Thị Thanh Vân (2014). Nghiên cứu một số tính chất của các hệ hạt nano từ tính FePd và FePt chế tạo bằng phương pháp hóa siêu âm và điện hóa siêu âm. Luận án Tiến sĩ Vật lý, chuyên ngành Vật lý Chất rắn (Mã số: 62440104). Trường Đại học Khoa học Tự nhiên, Đại học Quốc gia Hà Nội. Người hướng dẫn khoa học: GS. Nguyễn Hoàng Lương và PGS. Nguyễn Hoàng Hải.


Tính cấp thiết và khoảng trống nghiên cứu

Vật liệu FePt và FePd có hằng số dị hướng từ tinh thể lớn, từ độ bão hòa lớn và độ ổn định hóa học cao, được xem là vật liệu tiềm năng cho các linh kiện ghi từ mật độ cao. Nhu cầu nâng cao mật độ ghi từ (phổ biến ở mức 100 Gb/in², có thể nâng đến cỡ Tb/in²) cùng với xu hướng tiểu hình hóa thiết bị điện tử thúc đẩy việc nghiên cứu chế tạo hạt nano từ cứng với lực kháng từ lớn và từ độ bão hòa cao. Theo tác giả, hạt nano FePt đã được chế tạo bằng nhiều phương pháp như biến dạng cơ học, nóng chảy hồ quang, phún xạ, hóa, xung laser và điện phân; hạt nano FePd cũng được chế tạo bằng phương pháp hóa và phún xạ. Tuy nhiên, theo đánh giá của tác giả, rất ít nhóm nghiên cứu trên thế giới đã chế tạo hạt nano FePt và FePd bằng phương pháp hóa siêu âm và điện hóa siêu âm. Riêng đối với hạt nano FePd, theo nhận định trong luận án, chưa có nhóm tác giả nào trên thế giới sử dụng phương pháp hóa siêu âm để chế tạo.

Mục tiêu nghiên cứu

Luận án đặt mục tiêu: (1) chế tạo thành công hạt nano FePt và FePd bằng phương pháp hóa siêu âm và điện hóa siêu âm; (2) nghiên cứu các tính chất cấu trúc và một số tính chất từ của các hạt nano đó; (3) khảo sát ảnh hưởng của các chế độ xử lý nhiệt tới tính chất từ và sự thay đổi cấu trúc; (4) so sánh kết quả thực nghiệm giữa hạt nano FePt và FePd chế tạo bằng cùng một phương pháp, và giữa hạt nano FePt chế tạo bằng hai phương pháp khác nhau.

Đối tượng và phạm vi nghiên cứu

Đối tượng nghiên cứu là các hệ hạt nano từ tính FePd và FePt với các tỷ phần thành phần nguyên tử khác nhau (ký hiệu FD1–FD5 cho FePd, FT1–FT5 cho FePt). Phạm vi thực nghiệm giới hạn trong điều kiện phòng thí nghiệm tại Trường Đại học Khoa học Tự nhiên – Đại học Quốc gia Hà Nội, với kinh phí hỗ trợ từ đề tài NAFOSTED mã số 103.09. Luận án được hoàn thành và bảo vệ năm 2014.


Tổng quan tài liệu và vị trí của luận án

Tác giả điểm lại các hướng nghiên cứu chính liên quan đến hạt nano FePt và FePd trên thế giới, tập trung vào chế tạo và tính chất từ:

  • Sun và cộng sự (2000) chế tạo hạt nano FePt bằng phương pháp hóa khử từ tiền chất Pt(acac)₂ và Fe(CO)₅. Kích thước hạt từ 3 nm đến 10 nm (đo bằng TEM); mẫu Fe₅₂Pt₄₈ ủ tại 550°C cho lực kháng từ Hc = 4,3 kOe.
  • Hao Zeng và cộng sự (2002) chế tạo hạt nano FePt từ Fe(CO)₅/Pt(acac)₂ ở nhiệt độ cao, ủ trong khoảng 500°C–800°C (1 giờ, khí Ar+5%H₂). Lực kháng từ đạt cực đại cỡ 20 kOe tại nhiệt độ ủ 600°C, sau đó giảm khi tăng tiếp nhiệt độ.
  • Saita và Maenosono chế tạo FePt từ Fe(OEt)₃ và Pt(acac)₂ với axit oleic và oleylamin. Hạt trước ủ có pha fcc, kích thước 2,9 nm (tính từ XRD); sau ủ tại 600°C/30 phút trong Ar/H₂ chuyển thành pha fct L1₀ (c = 3,711 Å, a = 3,855 Å, c/a = 0,963), lực kháng từ 11,2 kOe.
  • Sato và cộng sự (2002) chế tạo hạt nano FePt và FePd bằng phương pháp bốc bay chùm điện tử trên đế NaCl(001) và MgO(001), đạt Hc = 5 kOe (FePt) và Hc = 3 kOe (FePd) với nhiệt độ ủ 500°C–600°C. Thông số trật tự FePt đạt s = 0,56 khi ủ 600°C trong 24 giờ.
  • Watanabe và cộng sự (2006) chế tạo FePd bằng phương pháp hóa từ Pd(acac)₂ và Fe(CO)₅, ủ tại 600°C/1 giờ trong chân không; Hc hạt nano FePd trước ủ là 630 Oe, sau ủ là 2040 Oe.
  • Sato và đồng nghiệp (2009) chế tạo hạt nano FePd bằng phương pháp lắng đọng electron Pd và Fe trên đế NaCl(001) ở nhiệt độ đế 400°C, kích thước hạt đo được 10 nm; quan sát cấu trúc nguyên tử bằng TEM phân giải cao.
  • Ristau và cộng sự khảo sát tính chất từ màng mỏng FePt, xác định tỷ phần pha trật tự theo phương trình Johnson-Mehl-Avrami: f = 1 − exp(−kt^n) với số mũ Avrami n = 1,1; mẫu ủ 120 phút hoặc lâu hơn chỉ còn pha trật tự.
  • Michaelsen và đồng nghiệp thảo luận về vai trò của phương pháp nhiệt lượng quét vi sai (DSC) trong nghiên cứu màng mỏng và chuyển pha.
  • Barmak và đồng nghiệp sử dụng DSC để xác định enthalpy của chuyển pha bất trật tự–trật tự: −10,2 ± 2,1 kJ/nguyên tử gam với FePt và −3,1 ± 0,2 kJ/nguyên tử gam với CoPt; số mũ Avrami thực nghiệm n ≈ 1,5 cho cả hai hợp kim.
  • Tại Việt Nam, Nguyen Hoang Luong và cộng sự nghiên cứu màng mỏng Fe₅₆Pt₄₄ bằng phương pháp phún xạ; Nguyen Thi Thanh Van và đồng nghiệp nghiên cứu màng mỏng (FePt)₁₀₀₋ₓCuₓ bằng phương pháp phún xạ; Nguyễn Hoàng Hải và đồng nghiệp chế tạo hạt nano FePt bằng phương pháp điện hóa siêu âm.
  • Nguyễn Hoàng Hải và cộng sự cũng đã nghiên cứu độ nhớt từ trên vật liệu α-Fe(Co)/(Nd,Pr)₂Fe₁₄B, kết quả được tác giả luận án sử dụng để đối chiếu khi phân tích hiệu ứng nhớ từ.

Khoảng trống luận án lựa chọn: Chưa có công bố nào về việc chế tạo hạt nano FePd bằng phương pháp hóa siêu âm, và rất ít công bố về việc chế tạo hạt nano FePt và FePd bằng phương pháp điện hóa siêu âm.


Cơ sở lý thuyết và phương pháp nghiên cứu

Lý thuyết và khung phân tích

Luận án dựa trên các khái niệm và lý thuyết cốt lõi của vật lý chất rắn và vật lý từ học:

  • Chuyển pha bất trật tự – trật tự (A1–L1₀): Khi ủ dưới nhiệt độ tới hạn (Tth = 1300°C với FePt), các nguyên tử Fe và Pt sắp xếp theo trình tự trên các mặt phẳng luân phiên dọc trục c, chuyển cấu trúc fcc (pha A1) sang fct (pha L1₀). Quá trình được mô tả theo mô hình Johnson-Mehl-Avrami với phương trình f = 1 − exp(−kt^n).
  • Thông số trật tự s: Được xác định theo công thức s = (rFe − xFe)/yPt = (rPt − xPt)/yFe, tính từ tỷ số diện tích vạch siêu mạng và vạch cơ bản trong giản đồ nhiễu xạ tia X, sử dụng thừa số Debye–Waller (M), thừa số tán xạ nguyên tử (f, φ) và thừa số phân cực Lorentz (LP).
  • Dị hướng từ tinh thể và dị hướng đơn trục: Năng lượng từ tinh thể Ec = K₁sin²θ + K₂sin⁴θ + …, trong đó Ki là hằng số dị hướng bậc i. Cấu trúc L1₀ FePt có K₁ = 6,6–10 × 10⁶ J/m³, FePd có K₁ = 1,8 × 10⁶ J/m³.
  • Độ nhớt từ và lý thuyết hồi phục năng lượng: Sự biến thiên từ độ theo thời gian được mô tả qua M(t) ∝ ln(t/τ₀), với τ₀ = exp(E/kBT). Cửa sổ năng lượng tại thời điểm t: Ec = kBT·ln(t/τ₀).
  • Hiện tượng xâm thực âm học: Áp suất tại điểm nóng tính theo pdn = 114Rr^1,88·I^0,17·f^0,11; nhiệt độ điểm nóng đạt vài nghìn Kelvin, tốc độ thay đổi nhiệt độ cỡ 10¹⁰ K/s.

Phương pháp chế tạo mẫu

Luận án sử dụng hai phương pháp:

  1. Phương pháp hóa siêu âm: Dung dịch hai muối Fe(C₂H₃O₂)₂ và Pd(C₂H₃O₂)₂ (hoặc H₂PtCl₆ thay cho muối Pt) được chiếu xạ siêu âm trong bình 3 cổ. Thời gian rung siêu âm cho FePd là 1,5 giờ, cho FePt là 4 giờ. Hạt sau khi chế tạo được xử lý nhiệt (ủ) trong khoảng 450°C–650°C với thời gian 1 giờ.
  2. Phương pháp điện hóa siêu âm: Sử dụng hệ điện hóa siêu âm với xung dòng điện và xung siêu âm đồng bộ. Cường độ xung dòng thay đổi từ 15 mA/cm² đến các giá trị khác (FT2–FT5). Mẫu FePt được ủ tại 700°C/1 giờ.

Thiết bị đo và phân tích

  • Phổ tán sắc năng lượng (EDS): phân tích thành phần nguyên tử.
  • Nhiễu xạ tia X (XRD), nhiễu xạ kế D5005 tại Trung tâm Khoa học Vật liệu: xác định cấu trúc, hằng số mạng và thông số trật tự.
  • Kính hiển vi điện tử truyền qua (TEM): khảo sát vi hình thái và kích thước hạt.
  • Từ kế mẫu rung (VSM): đo tính chất từ ở nhiệt độ phòng.
  • Hệ đo PPMS Evercool II: đo tính chất từ ở nhiệt độ thấp (2 K, 10 K, 50 K).

Nội dung chính theo từng chương

Chương 1: Tổng quan

Chương này trình bày nền tảng lý thuyết về hai hệ vật liệu FePt và FePd. Với FePt, tác giả mô tả giản đồ pha (ba pha bền: Fe₃Pt, FePt, FePt₃), cấu trúc tinh thể của pha fcc và fct, quá trình chuyển pha A1–L1₀, cách tính thông số trật tự từ giản đồ XRD và năng lượng chuyển pha (enthalpy = −10,2 ± 2,1 kJ/nguyên tử gam). Bảng thông số cấu trúc cho biết FePt trật tự L1₀ có a = 3,86 Å, c = 3,71 Å, c/a = 0,96; hằng số dị hướng K₁ = 7 × 10⁶ J/m³, từ độ bão hòa MS = 1,4 T, nhiệt độ Curie TC = 750 K. Với FePd, pha trật tự L1₀ có a = 3,852 Å và c = 3,723 Å, K₁ = 1,8 × 10⁶ J/m³, μ₀MS = 1,39 T, TC = 800 K. Chương trình bày chi tiết cơ chế xâm thực âm học, cấu tạo hệ thống điện hóa siêu âm và các thông số ảnh hưởng đến quá trình điện hóa siêu âm.

Chương 2: Thực nghiệm

Chương mô tả chi tiết quy trình chế tạo ba nhóm mẫu: (i) hạt nano FePd bằng phương pháp hóa siêu âm (bình 3 cổ, thời gian 1,5 giờ); (ii) hạt nano FePt bằng phương pháp hóa siêu âm (thời gian 4 giờ); (iii) hạt nano FePt bằng phương pháp điện hóa siêu âm với xung dòng 15 mA/cm² và các giá trị khác. Sau khi chế tạo, các mẫu được xử lý nhiệt ở thời gian ủ 1 giờ tại nhiều nhiệt độ khác nhau. Chương cũng mô tả nguyên lý và cấu hình của các thiết bị đo: nhiễu xạ kế D5005, kính TEM, VSM (sơ đồ nguyên lý) và PPMS Evercool II.

Chương 3: Cấu trúc và tính chất từ của hạt nano FePd chế tạo bằng phương pháp hóa siêu âm

Năm mẫu FexPd₁₀₀₋ₓ với x = 42, 50, 55, 60, 63 (ký hiệu FD1–FD5) được chế tạo và ủ tại các nhiệt độ từ 450°C đến 600°C. Phổ EDS xác nhận thành phần nguyên tử thực tế của từng mẫu. Ảnh TEM cho thấy sự thay đổi vi hình thái trước và sau ủ của mẫu FD4. Giản đồ XRD ghi nhận hằng số mạng phụ thuộc vào nhiệt độ ủ (bảng sự phụ thuộc hằng số mạng theo nhiệt độ ủ của FP4) và theo thành phần mẫu khi ủ tại 550°C/1 giờ. Về tính chất từ, đường cong từ hóa ban đầu của mẫu FD4 ủ tại các nhiệt độ 450°C, 500°C, 550°C, 600°C được đo tại 2 K. Đường cong từ trễ ở nhiệt độ phòng của các mẫu FD1–FD5 ủ tại các nhiệt độ khác nhau, và đường từ trễ của FePd ủ tại 550°C với x = 42, 50, 55, 60, 63, được trình bày đầy đủ. Mẫu FD4 được đo đường từ trễ ở 50 K, 10 K và 2 K; sự phụ thuộc của Hc và độ vuông từ (S) vào nhiệt độ đo và nhiệt độ ủ được phân tích. Một kết quả đáng chú ý là hiệu ứng nhớ từ quan sát được trên mẫu FD4 ủ tại 550°C (FD4-550) với các chuỗi thay đổi từ trường trong vùng −2 kOe đến −1,7 kOe, −1,8 kOe, −1,9 kOe, −1,975 kOe, −1,99 kOe và −2,1 kOe; sự phụ thuộc của từ độ theo logarit thời gian được trình bày trong phần hình nhỏ kèm theo từng đường cong nhớ từ. Độ nhớt từ S* phụ thuộc vào từ trường ngoài của mẫu FD4 cũng được trình bày, kèm theo đồ thị sự phụ thuộc của từ độ theo thời gian sau khi từ hóa bão hòa ở +13,5 kOe rồi đảo từ về −2 kOe.

Chương 4: Cấu trúc và tính chất từ của hạt nano FePt chế tạo bằng phương pháp hóa siêu âm

Mẫu FT1 (Fe₅₀Pt₅₀ danh nghĩa) và các biến thể được chế tạo và ủ tại 450°C, 500°C, 550°C, 600°C và 650°C/1 giờ. Phổ EDS xác nhận thành phần mẫu FT1. Ảnh TEM cho thấy trạng thái vi hình thái sau khi chế tạo. Giản đồ XRD của mẫu FT1 trước ủ và sau ủ tại các nhiệt độ được trình bày; đồ thị hằng số mạng và thông số trật tự s theo nhiệt độ ủ (bảng sự phụ thuộc của hằng số mạng theo nhiệt độ ủ của FT1, bảng thông số trật tự của các mẫu FT1 ủ tại các nhiệt độ khác nhau) cho thấy sự hình thành pha trật tự fct L1₀. Đường cong từ trễ ở nhiệt độ phòng của mẫu FT1 ngay sau khi chế tạo và sau khi ủ tại các nhiệt độ khác nhau được trình bày. Đặc biệt, chương so sánh hai chế độ nguội sau ủ — nguội bình thường và nguội nhanh — ở các nhiệt độ ủ 450°C, 500°C, 550°C, 600°C, 650°C: sự phụ thuộc của lực kháng từ, từ độ bão hòa và độ vuông từ vào nhiệt độ ủ của mẫu FT1 và FT1-f (nguội nhanh) được so sánh trực tiếp.

Chương 5: Cấu trúc và tính chất từ của hạt nano FePt chế tạo bằng phương pháp điện hóa siêu âm

Hạt nano Fe₄₅Pt₅₅ và các mẫu FT2–FT5 được chế tạo với cường độ xung dòng 15 mA/cm² và các giá trị khác. Phổ EDS của mẫu chế tạo với xung dòng 15 mA/cm² xác nhận thành phần. Ảnh TEM của mẫu Fe₄₅Pt₅₅ trước ủ và sau ủ tại 700°C/1 giờ được trình bày; giản đồ XRD (trước và sau ủ) cho thấy sự chuyển pha fcc → fct. Đường cong từ trễ ở nhiệt độ phòng của mẫu với xung dòng 15 mA/cm² và đường từ trễ của các mẫu FT2–FT5 ủ tại 700°C/1 giờ được so sánh. Sự phụ thuộc của lực kháng từ vào cường độ xung dòng (ủ 700°C) và vào nhiệt độ ủ (mẫu FT2) được trình bày. Ở nhiệt độ thấp, đường từ trễ của mẫu FT2 tại các nhiệt độ đo khác nhau cùng với sự phụ thuộc của Hc và độ vuông từ theo nhiệt độ của mẫu FT2 ủ tại 700°C/1 giờ được phân tích.


Kết quả và những đóng góp mới

Theo phần kết luận chung của luận án, các kết quả và đóng góp chính gồm:

  • Lần đầu tiên chế tạo thành công hạt nano FePd bằng phương pháp hóa siêu âm và chế tạo hạt nano FePt bằng phương pháp hóa siêu âm; đây là hai hướng chưa được công bố trước đó theo đánh giá của tác giả.
  • Xác lập được quy trình chế tạo và các thông số thực nghiệm (thời gian siêu âm, nồng độ tiền chất, nhiệt độ và thời gian ủ, chế độ nguội) ảnh hưởng đến thành phần, cấu trúc và tính chất từ của hạt nano FePd và FePt.
  • Xác định sự phụ thuộc của hằng số mạng, thông số trật tự, lực kháng từ Hc và độ vuông từ S vào nhiệt độ ủ và thành phần nguyên tử cho cả hai hệ.
  • Làm rõ ảnh hưởng của chế độ nguội (nguội bình thường và nguội nhanh) sau ủ đối với tính chất từ của hạt nano FePt chế tạo bằng phương pháp hóa siêu âm.
  • Với hạt nano FePt chế tạo bằng phương pháp điện hóa siêu âm, xác định được ảnh hưởng của cường độ xung dòng đến lực kháng từ và độ vuông từ; đề xuất điều kiện ủ phù hợp (700°C/1 giờ).
  • Quan sát và phân tích định tính hiệu ứng nhớ từ trên hạt nano FePd, với kết quả là sự phụ thuộc logarit của từ độ theo thời gian, phù hợp với lý thuyết hồi phục năng lượng (Boltzmann–Arrhenius).
  • Thực hiện so sánh tính chất từ giữa hạt nano FePt chế tạo bằng hai phương pháp (hóa siêu âm và điện hóa siêu âm).

Luận án không trình bày mục riêng về kiến nghị chính sách; các đề xuất mang tính kỹ thuật thực nghiệm (lựa chọn nhiệt độ ủ, thành phần nguyên tử, chế độ nguội, cường độ xung dòng) được trình bày trực tiếp trong từng chương kết quả.


Hạn chế và hướng nghiên cứu tiếp

Luận án không có mục riêng về hạn chế và hướng nghiên cứu tiếp theo. Dựa trên phạm vi nghiên cứu được trình bày trong văn bản, có thể nhận thấy: phạm vi thành phần nguyên tử được khảo sát còn giới hạn ở một số dải nhất định; tính chất từ ở nhiệt độ thấp chỉ được thực hiện chi tiết cho một số mẫu đại diện; các cơ chế vi mô của hiệu ứng nhớ từ chưa được mô phỏng tính toán đi kèm. Việc mở rộng sang các hệ ba nguyên tố (ví dụ FePtCu đã được đề cập trong lời cảm ơn qua công bố màng mỏng trước đó của tác giả) và tối ưu hóa quy trình hóa siêu âm cho sản lượng lớn hơn là các hướng có thể khai thác tiếp theo.


Giá trị tham khảo

Luận án có giá trị tham khảo đối với các nhóm đối tượng sau:

  • Nghiên cứu sinh và nhà nghiên cứu trong lĩnh vực vật lý chất rắn, vật lý từ học và khoa học vật liệu nano quan tâm đến hệ hợp kim FePt và FePd, đặc biệt phần lý thuyết chuyển pha A1–L1₀ (Chương 1) và phương pháp tính thông số trật tự từ giản đồ XRD.
  • Nhà nghiên cứu về phương pháp hóa siêu âm và điện hóa siêu âm: quy trình chi tiết chế tạo hạt nano trong Chương 2 và phần mô tả hiện tượng xâm thực âm học cùng các thông số điện hóa siêu âm trong Chương 1 cung cấp nền tảng thực nghiệm có thể tham khảo trực tiếp.
  • Nhà nghiên cứu về vật liệu ghi từ mật độ cao: các bảng so sánh tính chất từ của FePt, FePd với các nam châm vĩnh cửu (SmCo₅, Nd₂Fe₁₄B) và vật liệu ghi từ điển hình (Co, CoPt, MnAl) cung cấp dữ liệu tham chiếu có hệ thống.
  • Người làm thực nghiệm từ học: phần mô tả và phân tích hiệu ứng nhớ từ trên hạt nano FePd (Chương 3) là tài liệu tham khảo về quy trình đo và cách trình bày kết quả nhớ từ.

Câu hỏi thường gặp

1. Hạt nano FePd được chế tạo bằng phương pháp hóa siêu âm từ tiền chất nào và trong bao lâu? Theo Chương 2, dung dịch hai muối Fe(C₂H₃O₂)₂ và Pd(C₂H₃O₂)₂ được cho vào bình 3 cổ và chiếu xạ siêu âm trong 1,5 giờ để tạo thành hạt nano FePd.

2. Tại sao cần so sánh hai chế độ nguội (nguội bình thường và nguội nhanh) sau khi ủ mẫu FePt? Chương 4 cho thấy chế độ nguội ảnh hưởng trực tiếp đến tính chất từ của hạt nano FePt: lực kháng từ, từ độ bão hòa và độ vuông từ của mẫu FT1 và FT1-f (nguội nhanh) có sự khác biệt đáng kể theo nhiệt độ ủ, do pha trật tự fct có thể bị "đóng băng" ở trạng thái khác nhau tùy vào tốc độ nguội.

3. Hiệu ứng nhớ từ trên mẫu FD4-550 biểu hiện như thế nào trong thực nghiệm? Theo Chương 3, mẫu FD4-550 được từ hóa bão hòa rồi đảo từ trường trong vùng từ −2 kOe đến các giá trị như −1,7 kOe, −1,8 kOe, −1,9 kOe v.v. Từ độ thay đổi theo logarit thời gian (biểu diễn trong phần hình nhỏ kèm theo từng đường cong nhớ từ), phù hợp với biểu thức lý thuyết M(t) ∝ ln(t/τ₀).

4. Thông số trật tự s của hạt nano FePt đạt giá trị bao nhiêu và được tính như thế nào? Thông số trật tự s được tính từ tỷ số diện tích (hoặc cường độ) vạch siêu mạng (001) và vạch cơ bản (002) trong giản đồ XRD, sử dụng các thừa số Debye (M), tán xạ nguyên tử (f, φ) và phân cực Lorentz (LP). Giá trị cụ thể của s theo từng nhiệt độ ủ của mẫu FT1 được tổng hợp trong bảng thông số trật tự của Chương 4; để so sánh, tài liệu trích dẫn của Sato và cộng sự (2002) ghi nhận s = 0,56 cho FePt ủ tại 600°C trong 24 giờ.

5. Trong phương pháp điện hóa siêu âm, cường độ xung dòng ảnh hưởng như thế nào đến lực kháng từ của hạt nano FePt? Theo Chương 5, mẫu FePt được chế tạo với cường độ xung dòng bắt đầu từ 15 mA/cm² và các giá trị khác (FT2–FT5); sau khi ủ tại 700°C/1 giờ, sự phụ thuộc của lực kháng từ vào cường độ xung dòng chế tạo được trình bày dưới dạng đồ thị, cho thấy cường độ xung dòng là thông số điều chỉnh được tính chất từ của hạt nano FePt chế tạo theo phương pháp này.


Kết luận

Luận án của Nguyễn Thị Thanh Vân (2014) trình bày một cách hệ thống quy trình chế tạo và các tính chất vật lý của hạt nano FePd và FePt bằng hai phương pháp hóa siêu âm và điện hóa siêu âm — hai phương pháp ít được khai thác cho hai hệ vật liệu này theo đánh giá của tác giả tại thời điểm công bố. Công trình xác lập được mối liên hệ giữa các thông số chế tạo (thành phần nguyên tử, nhiệt độ và thời gian ủ, chế độ nguội, cường độ xung dòng) với cấu trúc (hằng số mạng, thông số trật tự) và tính chất từ (Hc, MS, S) của hạt nano. Bên cạnh đó, việc quan sát và phân tích hiệu ứng nhớ từ trên hệ FePd là một kết quả thực nghiệm được triển khai chi tiết trong khuôn khổ lý thuyết hồi phục năng lượng. Kết quả tổng hợp từ ba nhóm mẫu (FePd hóa siêu âm, FePt hóa siêu âm, FePt điện hóa siêu âm) cung cấp dữ liệu thực nghiệm có thể tham khảo trong các nghiên cứu tiếp theo về vật liệu từ cứng kích thước nano.