BỘ KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ ĐỀ TÀI ĐỘC LẬP CẤP NHÀ NƯỚC NGHIÊN CỨU CƠ BẢN ĐỊNH HƯỚNG ỨNG DỤNG (6/2009-6/2012) SẢN PHẨM KHOA HỌC CỦA ĐỀ TÀI CHẾ TẠO VÀ NGHIÊN CỨU SỬ DỤNG CÁC CHẤM LƯỢNG TỬ CdSe/ZnS VỚI CÁC LỚP VỎ ĐÃ ĐƯỢC BIẾN TÍNH LÀM CHẤT ĐÁNH DẤU HUỲNH QUANG SINH HỌC, PHỤC VỤ CHO SẢN XUẤT VÀ XUẤT KHẨU CÁC SẢN PHẨM NÔNG NGHIỆP (MÃ SỐ 1/2/742/2009/HĐ-ĐTĐL) Cơ quan chủ trì: Viện Khoa học Vật liệu, VKHCNVN Chủ nhiệm đề tài: Nguyễn Quang Liêm HÀ NỘI – 7/2012 NỘI DUNG 1. Các quy trình công nghệ: (i) Quy trình chế tạo chấm lượng tử CdSe và CdTe (ii) Quy trình liên quan đến công nghệ xác định nhanh dư lượng thuốc trừ sâu, chất bảo vệ thực vật (iii) Quy trình công nghệ phát hiện virus cúm gia cầm H5N1 (iv) Quy trình xác định nhanh, chính xác số lượng E. coli O157:H7 bằng phức hợp kháng thể+QDs phát quang qui mô phòng thí nghiệm (v) Quy trình tạo phức hợp kháng thể đặc hiệu vi khuẩn E. coli O157:H7 +QDs qui mô phòng thí nghiệm (qui mô 5 ml/mẻ) 2.
Các biên bản thẩm định quy trình công nghệ và sản phẩm 3. Danh mục các công bố khoa học và minh chứng 4. Sách đã xuất bản 5. Kết quả đào tạo (i) Quy trình chế tạo chấm lượng tử CdSe và CdTe i.
Chế tạo các chấm lượng tử bán dẫn CdSe trong TOPO/HDA phát quang hiệu suất cao vùng phổ khả kiến xanh lá cây-đỏ, quy mô hàng gam/mẻ. Các hóa chất có độ sạch phân tích được sử dụng trực tiếp để chế tạo các chấm lượng tử CdSe, CdSe/ZnS mà không cần tinh chế lại. Cụ thể, cần sử dụng các hoá chất như sau: muối cadmium acetate Cd(CH3COO)2.2H2O, cadmium oxide (CdO) độ sạch 99,5%; tri-n-octylphosphine oxide (TOPO, C24H51PO, Merck) 98%; tri-n-octylphosphine (TOP, C24H51P, Fluka) 90%; hexadecylamine (HDA, C16H35N, Merck) 92%; dodecylphosphonic acid (DDPA, C12H27O3P, polycarbon Inc. Chấm lượng tử CdSe chế tạo từ hợp chất cơ kim Hợp chất cơ-kim (ở đây là phức TOPOCd, trong nhiều công bố khác là Cd- dimethyl Cd(Me)2) và TOPSe được phân huỷ trong môi trường của một chất hữu cơ có trọng lượng phân tử lớn và nhiệt độ sôi cao (ở đây chọn là TOPO- HDA) để chế tạo ra các chấm lượng tử CdSe.
Tại nhiệt độ cao cỡ 260÷320 o C, các tiền chất cơ-kim này bị phân huỷ, giải phóng ra các ion Se2- và các ion Cd2+, các ion này vẫn bị bao bọc trong môi trường của các hợp chất chất hữu cơ trên. Trong điều kiện khuấy trộn mạnh, các ion Se2- và Cd2+ này sẽ kết hợp với nhau để sinh ra các mầm vi tinh thể đầu tiên; từ đó với lượng các ion Se2- và Cd2+ tồn tại trong dung dịch phản ứng tiếp tục cung cấp cho các mầm vi tinh thể phát triển thành các tinh thể kích thước nanô mét. Tuỳ thuộc vào kích thước chấm lượng tử mong muốn, sẽ ngừng cung cấp nhiệt cho bể phản ứng (để dừng sự phát triển tinh thể) ở một thời gian xác định. Cụ thể, công nghệ chế tạo các chấm lượng tử CdSe từ hợp chất cơ-kim được thực hiện theo quy trình như sau: - Bước 1: Cân Cd(CH3COO)2.2H2O và bột selen theo tỉ lệ mol Cd:Se là 1÷1,5:8; - Bước 2 chuẩn bị tiền chất TOPOCd: Hoà tan Cd(CH3COO)2.2H2O trong TOPO ở nhiệt độ 80 oC và sục khí ni-tơ.
Khi muối cadmium acetate tan hết thu được một dung dịch trong suốt, màu vàng nhạt; - Bước 3 chuẩn bị tiền chất TOPSe: Hoà tan Se trong TOP tương ứng khoảng 0,2 M ở nhiệt độ cỡ 80 oC, cũng trong môi trường khí trơ (Ar hoặc N2). Khi Se tan hết trong TOP, thu được dung dịch trong suốt, không màu; - Bước 4 thực hiện phản ứng tạo mầm tinh thể: Phun nhanh hỗn hợp hai dung dịch TOPSe và TOPOCd trên vào bình cầu chứa hỗn hợp TOPO và HDA đã được gia nhiệt ở nhiệt độ ~250÷300 oC trong môi trường khí N2. Một máy khuấy từ được sử dụng để khuấy trộn mạnh liên tục hỗn hợp các dung dịch trên ở nhiệt độ khá cao; nhờ đó, các mầm vi tinh thể CdSe được hình thành từ các ion Cd2+ và Se2-, các ion này nằm trong hỗn hợp dung dịch của hợp chất hữu cơ TOPO-HDA có khối lượng phân tử lớn và nặng. Việc khuấy trộn liên tục làm tăng khả năng gặp nhau giữa hai loại ion khác dấu Cd2+ và Se2- và hình thành các mầm vi tinh thể đồng đều hơn.
Việc khống chế kích thước các chấm lượng tử CdSe được thực hiện nhờ cùng một lúc vào các yếu tố: tỷ lệ giữa các nhóm chất hoạt động bề mặt TOPO và HDA, nhiệt độ phát triển tinh thể và thời gian phát triển kích thước các chấm lượng tử. Ngừng cung cấp nhiệt cho bình phản ứng sẽ làm ngừng quá trình phát triển tinh thể ở kích thước mong muốn. Có thể quan sát thấy trong quá trình phát triển/lớn lên của các tinh thể nanô, hỗn hợp dung dịch trong bình phản ứng chuyển màu từ trong suốt vàng nhạt sang màu vàng chanh, vàng, da cam và đỏ, tuỳ thuộc vào nhiệt độ và thời gian thực hiện phản ứng. Chế tạo các chấm lượng tử CdSe từ CdO Qui trình chế tạo chấm lượng tử CdSe chất lượng cao với lượng ~300 mg/mẻ được thực hiện như trên Hình i.1: - Bước 1 tạo phức chất của Cd với DDPA: Hỗn hợp của CdO (2 mmol), DDPA (4,2 mmol), TOPO (8 ml) và HDA (12 ml) được nạp vào bình cầu 3 cổ dung tích 250 ml.
Đun nóng chảy hỗn hợp ở 60 oC và hút chân không ~45 phút để loại bỏ ôxi và các tạp chất dễ bay hơi. Sau đó, điền khí N2 để tạo môi trường bảo vệ và nâng nhiệt độ lên 300 oC. Ở nhiệt độ này, dung dịch nóng chảy của TOPO và HDA hoà tan CdO, tạo phức Cd với DDPA tạo thành dung dịch trong suốt màu vàng nhạt. Dung dịch được giữ ở 300 oC khoảng 15 phút, sau đó hạ và ổn định ở nhiệt độ mong muốn phản ứng xảy ra (240÷300 o C, tuỳ thuộc vào kích thước chấm lượng tử muốn chế tạo).
Sơ đồ chế tạo các QDs CdSe trong hỗn hợp dung môi TOPO/TOP/HDA. - Bước 2 chuẩn bị tiền chất TOPSe: Hòa tan hoàn toàn 8 mmol Se trong 20 ml TOP trong môi trường khí trơ, thu được dung dịch TOPSe 0,4 M. - Bước 3 tạo mầm tinh thể: Dung dịch phức Cd2+ với DDPA trong hỗn hợp dung dịch nóng của TOPO và HDA đã tạo thành trong bình phản ứng 3 cổ được giữ ở 300 oC khoảng 15 phút, sau đó hạ và ổn định ở nhiệt độ mong muốn phản ứng xảy ra (240÷300 oC, tuỳ thuộc vào kích thước chấm lượng tử muốn chế tạo). Sau đó, phun nhanh 11 ml dung dịch TOPSe 0,4 M và khuấy mạnh bằng máy khuấy từ.
- Bước 4 phát triển tinh thể: Sau một thời gian khoảng vài giây, dung dịch trong bình phản ứng đổi màu vàng nhạt, cam nhạt hoặc đậm tuỳ theo nhiệt độ phản ứng và thời gian lấy mẫu trong khoảng vài chục giây đến vài chục phút. Điều khiển quá trình phát triển tinh thể bằng thời gian giữ bình phản ứng ở nhiệt độ cao. Kích thước của hạt vật liệu được xác định gián tiếp qua việc đo phổ hấp thụ UV-vis và phổ huỳnh quang. Khi nhận được các chấm lượng tử phát quang vùng phổ/màu sắc khác nhau như mong muốn, ngừng gia nhiệt để chấm dứt sự phát triển tinh thể.
Sản phẩm có thể được lấy ra (hút bằng syringe) ở ~100 oC. - Bước 5 làm sạch: Sản phẩm chấm lượng tử CdSe chế tạo được sau đó được phân tán trong toluene có nồng độ ~5 mg/ml và được làm sạch bằng các dung môi toluene và methanol theo quy trình sau: các chấm lượng tử CdSe được pha loãng bằng dung môi toluene đến khi có nồng độ ~1 mg/ml, rung siêu âm 5 phút và li tâm với tốc độ 5000 v/p trong 10 phút. Sau đó, loại bỏ kết tủa - sản phẩm dư thừa, lấy dung dịch và thêm dung môi methanol có cùng thể tích với toluen, quay li tâm với tốc độ 5000 v/p trong 10 phút. Gạn bỏ dung dịch, lấy kết tủa và phân tán trong các dung môi khác nhau (như n-hexane, toluene, chloroform) hoặc có thể làm sạch vài lần như chu trình trên tuỳ theo mục đích sử dụng.
Sản phẩm chấm lượng tử CdSe được phân tán lại trong các dung môi khác nhau như n-hexane, toluene, chloroform,…và được bảo quản ở ngay nhiệt độ phòng. Kích thước và tính chất quang (hấp thụ, huỳnh quang) của chấm lượng tử CdSe có thể được điều chỉnh bằng các thông số công nghệ như tỷ lệ của TOPO/HDA, Cd/Se, thời gian và nhiệt độ phản ứng. Trong khi thực hiện nghiên cứu, chúng tôi đã nhận thấy nhiệt độ và thời gian phát triển tinh thể đóng vai trò rất quan trọng, nên đã sử dụng một số thông số công nghệ tối ưu đã được công bố về lượng sử dụng của TOPO/HDA, tỉ lệ Cd/Se, mà dành sự quan tâm nghiên cứu về ảnh hưởng của nhiệt độ và thời gian đến kích thước và chất lượng của các chấm lượng tử CdSe. Tuỳ thuộc vào kích thước chấm lượng tử mong muốn, chúng tôi đã điều chỉnh nhiệt độ phản ứng của phức chất chứa Cd với TOPSe và thời gian phát triển tinh thể.
Khoảng nhiệt độ phù hợp để chế tạo các chấm lượng tử CdSe được xác định trong khoảng 240–300 o C. Kết quả quan trọng thứ nhất là ở một nhiệt độ phản ứng xác định, thời gian phát triển tinh thể càng dài cho phép hạt tinh thể lớn hơn. Thực nghiệm cho thấy thời gian phát triển tinh thể khoảng 1÷3 phút là tối ưu. Ví dụ, khi thực hiện phản ứng ở nhiệt độ ~250 oC, chấm lượng tử CdSe chế tạo được có kích thước trung bình ~3,2 nm trong thời gian phát triển tinh thể 1 phút, có độ bán rộng phổ huỳnh quang rất hẹp hơn (chỉ <30 nm) so với khi thực hiện phản ứng ở cùng nhiệt độ, nhưng kéo dài thời gian phát triển tinh thể nhằm tạo chấm lượng tử có kích thước trung bình lớn.
Nguyên nhân của sự mở rộng phân bố kích thước hạt là do quá trình Ostwald làm cho các tinh thể mầm nhỏ phát triển chậm hơn, thậm chí bị tan dần thành kích thước nhỏ hơn, trong khi đó các mầm lớn hơn được ưu tiên phát triển, làm cho phân bố kích thước hạt bị mở rộng ở vùng kích thước nhỏ. Giữ nguyên thời gian nuôi tinh thể, nhiệt độ phản ứng được sử dụng làm yếu tố điều khiển một cách hiệu quả kích thước và tính chất quang của các chấm lượng tử CdSe. Kết quả quan trọng thứ hai chúng tôi nhận được là khi giữ nguyên các điều kiện chế tạo (hoá chất, thời gian sinh mầm và phát triển tinh thể) thì cần nhiệt độ cao để có được chấm lượng tử kích thước lớn với chất lượng tốt.