Tổng quan luận án

Luận án tiến sĩ "Nghiên cứu cấu trúc pha trung gian của các ôxit 2 nguyên và 3 nguyên" được thực hiện bởi nghiên cứu sinh Trần Thùy Dương dưới sự hướng dẫn khoa học của PGS. TS. Nguyễn Văn Hồng, chuyên ngành Vật lý kỹ thuật (mã số 9520401) tại Trường Đại học Bách khoa Hà Nội năm 2019.

Về tính cấp thiết và khoảng trống nghiên cứu, các vật liệu ôxit như $\text{SiO}_2$, $\text{GeO}_2$, $\text{CaO}\cdot\text{SiO}_2$, $\text{MgO}\cdot\text{SiO}_2$ và $\text{Al}_2\text{O}_3\cdot2\text{SiO}_2$ là các thành phần chủ yếu tồn tại trong lòng Trái Đất ở trạng thái lỏng và vô định hình dưới điều kiện áp suất cao. Cấu trúc mạng, sự chuyển đổi pha trung gian cũng như phân bố không gian của chúng ở điều kiện sâu trong lòng đất vẫn còn nhiều vấn đề chưa được làm rõ. Bên cạnh đó, các vật liệu này giữ vai trò quan trọng trong công nghiệp điện tử, quang học, chế tạo gốm sứ và đặc biệt là công nghệ thủy tinh hóa để cô lập, lưu trữ các kim loại nặng độc hại và các đồng vị phóng xạ từ rác thải hạt nhân. Mặc dù đã có nhiều nghiên cứu thực nghiệm và lý thuyết, các vấn đề về cấu trúc topo mạng $\text{Si-O}$, sự hình thành các đa diện phối trí cao, nguồn gốc phân tách đỉnh trong hàm phân bố xuyên tâm và cơ chế giam giữ các ion kim loại thông qua các tâm điện tích âm vẫn đang tồn tại nhiều tranh luận khoa học.

Mục tiêu nghiên cứu của luận án bao gồm:

  1. Nghiên cứu cấu trúc pha trung gian của các vật liệu ôxit vô định hình, thủy tinh và lỏng ở các điều kiện nhiệt độ và áp suất khác nhau (áp suất từ $0$ đến $100\text{ GPa}$).
  2. Nghiên cứu ảnh hưởng của các nguyên tố điều chỉnh mạng ($\text{Ca}$, $\text{Mg}$) và nguyên tố trung gian ($\text{Al}$) đến cấu trúc mạng $\text{Si-O}$, định hướng ứng dụng trong xử lý kim loại độc hại và rác thải hạt nhân.

Đối tượng nghiên cứu là các pha cấu trúc trung gian hình thành trong quá trình chuyển đổi cấu trúc của các hệ ôxit hai nguyên và ba nguyên ($\text{GeO}_2$, $\text{CaO}\cdot\text{SiO}_2$, $\text{SiO}_2$, $\text{MgO}\cdot\text{SiO}_2$, $\text{Al}_2\text{O}_3\cdot2\text{SiO}_2$) dưới các điều kiện nhiệt độ, áp suất và thành phần hóa học khác nhau.

Phạm vi nghiên cứu được xác định cụ thể gồm hai nội dung:

  1. Đặc trưng cấu trúc của $\text{GeO}_2$ lỏng (ở nhiệt độ $3500\text{ K}$) và $\text{CaO}\cdot\text{SiO}_2$ thủy tinh (ở nhiệt độ $300\text{ K}$) trong dải áp suất nén $0\div100\text{ GPa}$.
  2. Vai trò của nguyên tố điều chỉnh mạng ($\text{Mg}$, $\text{Ca}$) và nguyên tố trung gian ($\text{Al}$) trong mạng $\text{Si-O}$ ở các điều kiện nhiệt độ ($300\text{ K}$, $3200\text{ K}$) và áp suất ($0\div20\text{ GPa}$).

Tổng quan tài liệu và vị trí của luận án

Luận án đã tổng quan hệ thống 96 tài liệu tham khảo trong nước và quốc tế liên quan đến cấu trúc của ôxit vô định hình, thủy tinh và lỏng dưới áp suất cao cũng như công nghệ thủy tinh hóa chất thải hạt nhân.

Về hệ $\text{GeO}_2$, tác giả điểm lại các công trình của Hailian Li và Yaghi (1998), Cuello (2007), Henderson (2006), Sharma (2006), Wolf (1999) chỉ ra rằng ở áp suất khí quyển, $\text{GeO}_2$ có cấu trúc mạng tứ diện với liên kết chung góc, khoảng cách liên kết $\text{Ge-O}$ trung bình $\sim1{,}74\text{ \AA}$, các góc $\text{O-Ge-O}$ và $\text{Ge-O-Ge}$ lần lượt là $109^\circ$ và $130^\circ$. Các nghiên cứu thực nghiệm EXAFS, nhiễu xạ tia X và nơtrôn của Tolentino (1989), Ding (2010), Zeidler (2015), Marrocchelli (2012), Crichton (2010) cho thấy khi tăng áp suất, độ dài liên kết $\text{Ge-O}$ tăng từ $1{,}74\text{ \AA}$ lên $1{,}82\text{ \AA}$ (ở $13\text{ GPa}$) và xuất hiện trạng thái trung gian $\text{GeO}_5$ ở $6\div10\text{ GPa}$ trước khi chuyển sang mạng bát diện $\text{GeO}_6$ hoàn toàn ở $15\text{ GPa}$ hoặc $30\text{ GPa}$. Đặc biệt, nghiên cứu của Yoshio Kono và cộng sự (2016) cùng nghiên cứu của Duffy (2014) ghi nhận sự phân tách đỉnh thứ hai của hàm phân bố khoảng cách $\text{Ge-Ge}$ thành đỉnh kép ($2{,}82\text{ \AA}$ và $3{,}21\text{ \AA}$ tại $22{,}6\text{ GPa}$; $2{,}79\text{ \AA}$ và $3{,}24\text{ \AA}$ tại $37{,}9\text{ GPa}$; $2{,}73\text{ \AA}$ và $3{,}15\text{ \AA}$ tại $49{,}4\text{ GPa}$; $2{,}73\text{ \AA}$ và $3{,}13\text{ \AA}$ tại $61{,}4\text{ GPa}$) và hợp nhất trở lại thành một đỉnh duy nhất ở áp suất trên $72{,}5\text{ GPa}$. Nhóm tác giả P. K. Hung và N. V. Hong (2009, 2013) cũng đã quan sát tính đa hình và sự cùng tồn tại của các đa diện $\text{GeO}_4$, $\text{GeO}_5$, $\text{GeO}_6$ nhưng các kết luận trước đó chủ yếu dừng lại ở phân tích hình ảnh định tính.

Về hệ silicat $\text{CaO}\cdot\text{SiO}_2$, $\text{MgO}\cdot\text{SiO}_2$ và $\text{Al}_2\text{O}_3\cdot\text{SiO}_2$, các công trình của Shim (2009), Cormier và Cuello (2011), Koziatek và cộng sự (2015), L. T. San, N. V. Hong, P. K. Hung (2016), Lehlohonolo Mongalo (2016), Massiot (2008), Dean Nevins (2009), Wilding (2004, 2008) đã khảo sát sự thay đổi số phối trí của $\text{Si}$ và cation mạng. Nghiên cứu thực nghiệm cho thấy khoáng wollastonite ($\text{CaO}\cdot\text{SiO}_2$) chuyển sang vô định hình ở $25{,}6\text{ GPa}$ ($300\text{ K}$). Về ứng dụng thủy tinh hóa rác thải hạt nhân, các công trình của Clark (1984), Wójcik (2007), Ezz-Eldin (2001), Calas (2006, 2014), Batyukhnova (2007) nhấn mạnh vai trò của ma trận silicat trong việc cố định các nguyên tố nhóm actini ($\text{U}$, $\text{Pu}$, $\text{Cm}$) và các sản phẩm phân hạch ($\text{Cs}$, $\text{Sr}$, $\text{Co}$).

Khoảng trống nghiên cứu được luận án lựa chọn giải quyết:

  • Cung cấp phân tích định lượng chi tiết về sự phân bố không gian 3 chiều và quy mô kích thước của các đám đa diện $\text{GeO}_x$ và $\text{SiO}_x$ ($x=4, 5, 6$) cũng như các đám liên kết chung góc, chung cạnh, chung mặt.
  • Giải thích bản chất vi mô của hiện tượng phân tách đỉnh đầu tiên trong hàm phân bố xuyên tâm của cặp $\text{Ge-Ge}$ và $\text{Si-Si}$ ở áp suất cao.
  • Làm rõ topo mạng $\text{Si-O}$, sự phân bố ôxy cầu (BO), ôxy không cầu (NBO), ôxy tự do (FO) và cơ chế hình thành các tâm điện tích âm dạng $\text{NBO}$ và $(\text{TO}_x)^-$ để cố định các ion kim loại điều chỉnh mạng trong ma trận thủy tinh silicat.

Cơ sở lý thuyết và phương pháp nghiên cứu

Luận án sử dụng phương pháp mô phỏng động lực học phân tử (ĐLHPT) cổ điển để xây dựng và khảo sát các mô hình cấu trúc nguyên tử của vật liệu ôxit.

Các mô hình thế tương tác cặp được sử dụng bao gồm:

  • Hàm thế BKS (Van Beets – Kramer – Van Santen) dùng cho hệ $\text{SiO}_2$.
  • Hàm thế OE dùng cho hệ $\text{GeO}_2$.
  • Hàm thế Oganov (OG) dùng cho hệ $\text{MgO}$.
  • Các bộ thông số thế tương tác thực nghiệm cho hệ $\text{CaO}\cdot\text{SiO}_2$ và $\text{Al}_2\text{O}_3$.

Quy trình tính toán nhiệt động lực học được tiến hành qua các tập hợp thống kê:

  • Tập hợp số hạt, áp suất và nhiệt độ không đổi (NPT) để nén và cân bằng hệ ở các mức áp suất xác định.
  • Tập hợp số hạt, thể tích và năng lượng không đổi (NVE) để thu thập dữ liệu cấu trúc vi mô và tính toán các đại lượng vật lý.

Các kỹ thuật và công cụ phân tích cấu trúc được triển khai:

  • Hàm phân bố xuyên tâm (HPBXT, biểu diễn qua $g(r)$ hoặc $G(r)$): Xác định khoảng cách liên kết trung bình giữa các cặp nguyên tử ($\text{Ge-Ge}$, $\text{Ge-O}$, $\text{O-O}$, $\text{Si-Si}$, $\text{Si-O}$, $\text{Ca-O}$, $\text{Mg-O}$, $\text{Al-O}$).
  • Phân bố số phối trí (CN): Xác định số nguyên tử lân cận gần nhất thông qua tích phân bán kính cầu phối trí thứ nhất.
  • Phân tích phân bố góc liên kết và độ dài liên kết: Góc $\text{O-T-O}$ bên trong đa diện và góc $\text{T-O-T}$ giữa các đa diện ($\text{T} = \text{Si}, \text{Ge}, \text{Al}$).
  • Phân loại nguyên tử ôxy: Phân chia thành ôxy cầu ($\text{BO}$ - liên kết với 2 nguyên tử tạo mạng), ôxy không cầu ($\text{NBO}$ - liên kết với 1 nguyên tử tạo mạng), ôxy tự do ($\text{FO}$ - không liên kết với nguyên tử tạo mạng $\text{Si}$), ôxy chỉ liên kết với $\text{Si}$ ($\text{O}{\text{Si}}$), và ôxy liên kết đồng thời với $\text{Si}$ và cation kim loại ($\text{O}{\text{Si,Mg}}$, $\text{O}_{\text{Si,Ca}}$).
  • Phân tích liên kết topo mạng: Xác định các kiểu kết nối giữa các khối đa diện $\text{TO}_x$ gồm liên kết chung góc (corner-sharing), chung cạnh (edge-sharing), chung mặt (face-sharing).
  • Phân tích cấu trúc đám (cluster analysis): Đánh giá số lượng ($N_c$) và số nguyên tử ($N_a$) của các đám đa diện phối trí ($\text{SiO}_4, \text{SiO}_5, \text{SiO}_6, \text{GeO}_4, \text{GeO}_5, \text{GeO}_6, \text{AlO}_3, \text{AlO}_4, \text{AlO}_5, \text{AlO}_6$), các đám liên kết chung cạnh/mặt/góc và các mạng con $\text{SiO}_x$, $\text{AlO}_x$, $\text{OSi}_y$, $\text{OAl}_y$.
  • Phân tích liên kết tricluster dạng $\text{A-O-B}$ ($\text{A}, \text{B} = \text{Si}, \text{Al}$).
Thông số / Kỹ thuật Chi tiết áp dụng trong luận án
Đối tượng mô phỏng $\text{GeO}_2$ lỏng, $\text{CaO}\cdot\text{SiO}_2$ thủy tinh, $\text{SiO}_2$, $\text{MgO}\cdot\text{SiO}_2$, $\text{Al}_2\text{O}_3\cdot2\text{SiO}_2$
Hàm thế tương tác Thế BKS ($\text{SiO}_2$), Thế OE ($\text{GeO}_2$), Thế OG/Oganov ($\text{MgO}$), Tham số thế cho $\text{CaO}$ và $\text{Al}_2\text{O}_3$
Tập hợp mô phỏng NPT (cân bằng áp suất - nhiệt độ), NVE (thu thập dữ liệu cấu trúc)
Thang áp suất khảo sát $0\div100\text{ GPa}$ (đối với $\text{GeO}_2$, $\text{CaO}\cdot\text{SiO}_2$); $0\div20\text{ GPa}$ (đối với $\text{Al}_2\text{O}_3\cdot2\text{SiO}_2$)
Thang nhiệt độ khảo sát $300\text{ K}$ (thủy tinh $\text{CaO}\cdot\text{SiO}_2, \text{MgO}\cdot\text{SiO}_2$), $3200\text{ K}$ ($\text{MgO}\cdot\text{SiO}_2$), $3500\text{ K}$ ($\text{GeO}_2$ lỏng)
Đại lượng cấu trúc chính HPBXT $g(r)$, số phối trí CN, góc liên kết, tỷ lệ $\text{BO/NBO/FO}$, kích thước đám đa diện và kiểu liên kết góc/cạnh/mặt

Nội dung chính theo từng chương

Chương 1: Tổng quan

Chương 1 trình bày tổng quan các nghiên cứu thực nghiệm và mô phỏng lý thuyết về ảnh hưởng của áp suất cao lên cấu trúc mạng của các ôxit hai nguyên ($\text{GeO}_2$, $\text{SiO}_2$) và ba nguyên ($\text{CaO}\cdot\text{SiO}_2$, $\text{MgO}\cdot\text{SiO}_2$, $\text{Al}_2\text{O}_3\cdot2\text{SiO}_2$). Nội dung chương điểm lại các pha tinh thể và quy luật chuyển pha dưới áp suất của $\text{GeO}_2$ từ cấu trúc dạng $\alpha$-thạch anh (số phối trí 4, liên kết chung góc) sang dạng rutin ($10\text{ GPa}$), dạng $\text{CaCl}_2$ ($25\text{ GPa}$), dạng $\alpha\text{-PbO}_2$ ($44\text{ GPa}$) và dạng pyrite ($70\div90\text{ GPa}$ với số phối trí 6, ưu thế liên kết chung cạnh và chung góc).

Chương 1 cũng tổng quan cơ sở khoa học của công nghệ thủy tinh hóa rác thải hạt nhân và chất thải kim loại nặng. Tác giả phân tích các tiêu chuẩn bắt buộc đối với vật liệu nền thủy tinh hóa gồm: độ bền cơ học, độ bền nhiệt cao, tính ổn định hóa học, khả năng kết hợp đa dạng các loại đồng vị phóng xạ với tỷ lệ khối lượng lớn, khả năng chống chịu bức xạ ($\alpha, \beta, \gamma, \text{nơtrôn}$) và nhiệt độ nung chảy xử lý thấp (dưới $1200^\circ\text{C}$) nhằm tránh sự bay hơi của các sản phẩm phân hạch phóng xạ. Cấu trúc mạng ngẫu nhiên của silicat được xác định là ma trận phù hợp nhất đáp ứng các đòi hỏi kỹ thuật này.

Chương 2: Phương pháp tính toán

Chương 2 mô tả chi tiết phương pháp xây dựng mô hình tính toán động lực học phân tử cho các mẫu $\text{GeO}_2$, $\text{SiO}_2$, $\text{CaO}\cdot\text{SiO}_2$, $\text{MgO}\cdot\text{SiO}_2$ và $\text{Al}_2\text{O}_3\cdot2\text{SiO}_2$. Tác giả thiết lập các bảng thông số thế tương tác gồm: bảng thông số thế BKS cho hệ $\text{SiO}_2$, thế OE cho hệ $\text{GeO}_2$, các thông số thế cho hệ $\text{CaO}$, thế Oganov cho hệ $\text{MgO}$ và thế tương tác cho hệ $\text{Al}_2\text{O}_3$.

Chương này trình bày cơ sở toán học và thuật toán phân tích vi cấu trúc:

  • Thuật toán xác định hàm phân bố xuyên tâm cặp $g(r)$ và số phối trí lân cận.
  • Thuật toán phân loại các đơn vị cấu trúc $\text{TO}_x$ ($x=3, 4, 5, 6$).
  • Phương pháp phân tích topo mạng: xác định tỷ lệ các nguyên tử ôxy cầu ($\text{BO}$), ôxy không cầu ($\text{NBO}$), ôxy tự do ($\text{FO}$), và các nhóm ôxy liên kết hỗn hợp $\text{O}{\text{Si}}$, $\text{O}{\text{Si,Mg}}$, $\text{O}_{\text{Si,Ca}}$.
  • Phương pháp phân tích liên kết chung góc, chung cạnh, chung mặt giữa các đa diện kề nhau.
  • Thuật toán phân tích đám (cluster analysis) để tính toán số lượng đám ($N_c$), quy mô số nguyên tử trong từng đám ($N_a$) và kích thước không gian ba chiều của các pha cấu trúc trung gian.

Chương 3: Ảnh hưởng của áp suất lên cấu trúc của các vật liệu ôxit

Chương 3 tập trung khảo sát cấu trúc của $\text{GeO}_2$ lỏng (ở nhiệt độ $3500\text{ K}$) và thủy tinh $\text{CaO}\cdot\text{SiO}_2$ (ở nhiệt độ $300\text{ K}$) dưới dải áp suất nén từ $0$ đến $100\text{ GPa}$.

Đối với $\text{GeO}_2$ lỏng:

  • Khi áp suất tăng từ $0$ đến $100\text{ GPa}$, mật độ của hệ tăng liên tục (Bảng 3.1). Cấu trúc chuyển đổi dần từ cấu trúc tứ diện $\text{GeO}_4$ sang cấu trúc bát diện $\text{GeO}_6$ thông qua pha trung gian $\text{GeO}_5$.
  • Tại các áp suất trung gian ($9, 12, 15, 20\text{ GPa}$), cấu trúc thể hiện tính đa hình rõ rệt với sự cùng tồn tại đồng thời của cả ba loại đa diện $\text{GeO}_4$, $\text{GeO}_5$ và $\text{GeO}_6$. Kích thước các đám $\text{GeO}_5$ và $\text{GeO}_6$ tăng lên trong khi các đám $\text{GeO}_4$ giảm kích thước và phân rã (Bảng 3.2).
  • Về topo liên kết: Ở áp suất thấp, liên kết chung góc chiếm ưu thế tuyệt đối (ví dụ đám liên kết chung góc gồm 452 nguyên tử ở $9\text{ GPa}$). Khi tăng áp suất, số lượng liên kết chung cạnh và chung mặt tăng mạnh (ví dụ đám liên kết chung mặt gồm 120 nguyên tử xuất hiện ở $30\text{ GPa}$) (Bảng 3.3, 3.4, 3.5).
  • Giải thích hiện tượng tách đỉnh thứ nhất trong HPBXT cặp $\text{Ge-Ge}$: Tại áp suất cao, hàm phân bố xuyên tâm xuất hiện đỉnh kép. Luận án chỉ ra rằng đỉnh ở khoảng cách ngắn tương ứng với khoảng cách giữa các nguyên tử $\text{Ge}$ trong các đa diện liên kết chung cạnh và chung mặt, trong khi đỉnh ở khoảng cách lớn hơn tương ứng với các liên kết chung góc. Sự xuất hiện ngày càng nhiều của các liên kết chung cạnh khi mạng bị nén chặt chính là nguồn gốc vi mô dẫn đến sự phân tách đỉnh này, tương ứng với sự chuyển dịch sang cấu trúc tinh thể kiểu $\text{CaCl}_2$ và sau đó hợp nhất lại ở cấu trúc dạng pyrite tại áp suất siêu cao.

Đối với thủy tinh $\text{CaO}\cdot\text{SiO}_2$:

  • Khảo sát sự thay đổi khoảng cách liên kết và số phối trí $\text{Si-O}$ và $\text{Ca-O}$ theo áp suất. Ở $0{,}1\text{ MPa}$ ($300\text{ K}$), khoảng cách $\text{Si-O}$ là $1{,}62\text{ \AA}$ (số phối trí $4{,}0$), khoảng cách $\text{Si-Si}$ là $3{,}17\text{ \AA}$, góc $\text{Si-O-Si}$ là $148{,}4^\circ$, khoảng cách $\text{Ca-O}$ là $2{,}34\text{ \AA}$ (số phối trí $6{,}5$). Khi nén đến $15\text{ GPa}$, khoảng cách $\text{Si-O}$ giảm còn $1{,}60\text{ \AA}$, $\text{Si-Si}$ còn $3{,}06\text{ \AA}$, góc $\text{Si-O-Si}$ giảm xuống $\sim138^\circ$, khoảng cách $\text{Ca-O}$ giảm còn $2{,}28\text{ \AA}$.
  • Quá trình chuyển đổi từ $\text{SiO}_4$ sang $\text{SiO}_5$ và $\text{SiO}_6$ diễn ra cùng với sự hình thành các đám liên kết chung cạnh (đạt 202 nguyên tử ở $100\text{ GPa}$) và chung mặt (26 nguyên tử ở $100\text{ GPa}$) (Bảng 3.6, 3.7, 3.8, 3.9).
  • Luận án ghi nhận và giải thích sự tách đỉnh đầu tiên của HPBXT cặp $\text{Si-Si}$ tại áp suất $40\text{ GPa}$ tương tự như cơ chế đã phát hiện ở hệ $\text{GeO}_2$.
Áp suất / Hệ mẫu Đặc trưng cấu trúc trật tự gần (SRO) Đặc trưng trật tự khoảng trung (IRO) & Topo Dấu hiệu phân tách HPBXT
$\text{GeO}_2$ ($0\text{ GPa}$, $3500\text{ K}$) Chủ yếu $\text{GeO}_4$, khoảng cách $\text{Ge-O} \sim 1{,}74\text{ \AA}$, góc $\text{O-Ge-O} \sim 109^\circ$ Liên kết chung góc chiếm ưu thế, mạng không gian mở Đỉnh đơn $\text{Ge-Ge}$
$\text{GeO}_2$ ($15\div30\text{ GPa}$, $3500\text{ K}$) Cùng tồn tại $\text{GeO}_4, \text{GeO}_5, \text{GeO}_6$; $\text{Ge-O}$ tăng lên $\sim 1{,}82\text{ \AA}$ Xuất hiện và phát triển mạnh các đám liên kết chung cạnh và chung mặt Xuất hiện đỉnh kép $\text{Ge-Ge}$ (khoảng cách ngắn: chung cạnh/mặt; khoảng cách dài: chung góc)
$\text{GeO}_2$ ($>72{,}5\text{ GPa}$, $3500\text{ K}$) $\text{GeO}_6$ chiếm ưu thế hoàn toàn, số phối trí đạt 6 Mạng bát diện nén chặt, tương đồng pha tinh thể pyrite Đỉnh kép hợp nhất thành đỉnh đơn
$\text{CaO}\cdot\text{SiO}_2$ ($0{,}1\text{ MPa}$, $300\text{ K}$) $\text{SiO}_4$ ($\text{CN}=4{,}0$), $\text{Si-O}=1{,}62\text{ \AA}$, $\text{Ca-O}=2{,}34\text{ \AA}$ ($\text{CN}=6{,}5$) Tứ diện $\text{SiO}_4$ nối góc xen kẽ với các bát diện $\text{CaO}_6$, giàu $\text{NBO}$ Đỉnh đơn $\text{Si-Si}$ ($3{,}17\text{ \AA}$)
$\text{CaO}\cdot\text{SiO}_2$ ($40\div100\text{ GPa}$, $300\text{ K}$) Xuất hiện $\text{SiO}_5, \text{SiO}_6$; $\text{Si-O}$ và góc $\text{Si-O-Si}$ co ngắn/thu hẹp Hình thành các đám $\text{SiO}_6$ lớn, tăng số lượng liên kết chung cạnh/mặt Phân tách đỉnh thứ nhất $\text{Si-Si}$ tại $40\text{ GPa}$

Chương 4: Vai trò của các nguyên tố điều chỉnh mạng và nguyên tố trung gian trong mạng Si-O

Chương 4 làm rõ ảnh hưởng của các cation biến tính ($\text{Ca}^{2+}, \text{Mg}^{2+}$) và cation trung gian ($\text{Al}^{3+}$) đến mạng silicat:

  1. Hệ $\text{MgO}\cdot\text{SiO}_2$ so sánh với $\text{SiO}_2$ tinh khiết (ở $300\text{ K}$ và $3200\text{ K}$):
    • Trong $\text{SiO}_2$ tinh khiết, hầu hết các nguyên tử ôxy đều là ôxy cầu ($\text{BO}$).
    • Khi đưa $\text{MgO}$ vào mạng silica, các cation $\text{Mg}^{2+}$ phá vỡ các liên kết $\text{Si-O-Si}$, làm giảm mức độ trật tự ở thang SRO và IRO. Ở $300\text{ K}$, nồng độ $\text{BO}$ và $\text{NBO}$ trong $\text{MgO}\cdot\text{SiO}_2$ lần lượt là $46{,}7%$ và $47{,}8%$ (Bảng 4.3). Ở $3200\text{ K}$, tỷ lệ này biến đổi tương ứng là $39%$ và $58%$. Sự xuất hiện của lượng lớn $\text{NBO}$ chứng minh mạng $\text{Si-O}$ bị phân mảnh để tạo vị trí liên kết cho $\text{Mg}^{2+}$.
  2. Hệ $\text{Al}_2\text{O}_3\cdot2\text{SiO}_2$ dưới áp suất $0\div20\text{ GPa}$:
    • Phân tích cho thấy sự hình thành hai mạng con đan xen là mạng con $\text{SiO}_x$ và mạng con $\text{AlO}_x$ (Bảng 4.6, 4.7).
    • Sự phân bố các đám phối trí $\text{SiO}_4, \text{SiO}_5, \text{SiO}_6$ và $\text{AlO}_3, \text{AlO}_4, \text{AlO}_5, \text{AlO}_6$ (Bảng 4.8, 4.9) cùng các đám $\text{OSi}_y$ và $\text{OAl}_y$ (Bảng 4.12, 4.13) cho thấy sự phân tách pha vi mô và tính không đồng nhất về thành phần trong pha lỏng aluminosilicat.
  3. Cơ chế tạo điện tích âm và cố định ion kim loại:
    • Trong điều kiện thường, các cation kim loại ($\text{Ca}^{2+}, \text{Mg}^{2+}$, kim loại nặng, hạt nhân phóng xạ như $\text{Ba}^{2+}, \text{Cs}^+, \text{Sr}^{2+}, \text{Co}^{2+}, \text{U}, \text{Pu}$) liên kết vào mạng $\text{Si-O}$ tại các vị trí gần nguyên tử ôxy không cầu ($\text{NBO}$) hoặc ôxy tự do ($\text{FO}$).
    • Dưới tác dụng của áp suất nén, số lượng $\text{NBO}$ suy giảm làm mạng $\text{Si-O}$ tái trùng hợp (tăng độ polime hóa). Tuy nhiên, các cation kim loại vẫn được giữ chặt trong mạng nhờ cơ chế bù trừ điện tích mới: áp suất kích hoạt sự hình thành các đa diện phối trí cao mang điện tích âm $(\text{SiO}_5)^-$ và $(\text{SiO}_6)^{2-}$. Các đa diện tích điện âm này tạo lực hút tĩnh điện mạnh để giam giữ các ion $\text{Ca}^{2+}/\text{Mg}^{2+}$.
    • Tương tự, khi thay thế $\text{Si}^{4+}$ bằng nguyên tố hóa trị ba như $\text{Al}^{3+}$, đơn vị tứ diện $[\text{AlO}_4]^-$ mang điện tích âm cục bộ, đóng vai trò như các bẫy giữ cation kim loại mà không cần làm đứt gãy mạng $\text{Si-O}$.

Kết quả và những đóng góp mới

Luận án đã đạt được các kết quả khoa học và đóng góp mới sau:

  1. Đã khảo sát và mô tả định lượng toàn diện sự chuyển đổi cấu trúc của mạng $\text{GeO}_2$ lỏng và $\text{CaO}\cdot\text{SiO}_2$ thủy tinh trong dải áp suất rộng $0\div100\text{ GPa}$; xác định sự phân bố kích thước các đám phối trí cao ($\text{GeO}_5, \text{GeO}_6, \text{SiO}_5, \text{SiO}_6$), các đám liên kết chung cạnh và chung mặt; phát hiện sự tồn tại của các đa diện cô lập nằm bên trong các đám cấu trúc khác (được coi là các khuyết tật vi mô), khẳng định tính đa hình và tính không đồng nhất cấu trúc trong chất lỏng và thủy tinh ôxit.
  2. Lần đầu tiên giải thích rõ ràng nguồn gốc vi mô của hiện tượng phân tách đỉnh đầu tiên trong hàm phân bố xuyên tâm của cặp $\text{Ge-Ge}$ và cặp $\text{Si-Si}$ ở áp suất cao là do sự gia tăng số lượng các liên kết chung cạnh và chung mặt giữa các đa diện phối trí cao.
  3. Làm rõ sự khác biệt trong cấu trúc mạng silicat chứa nguyên tố điều chỉnh mạng ($\text{Ca}, \text{Mg}$) và nguyên tố trung gian ($\text{Al}$) so với mạng silica ($\text{SiO}_2$) nguyên chất. Luận án đã làm sáng tỏ cơ chế tạo điện tích âm (thông qua $\text{NBO}$, các đơn vị $(\text{TO}_x)^-$ và $[\text{AlO}_4]^-$), giải thích cơ chế giam giữ và cố định các cation kim loại trong mạng silicat.

Về mặt ứng dụng và giải pháp đề xuất:

  • Cung cấp cơ sở dữ liệu cấu trúc phục vụ việc tính toán các mô hình địa chấn và tiến hóa manti/magma trong lòng Trái Đất ở điều kiện nhiệt độ và áp suất cao.
  • Đề xuất nguyên lý tối ưu hóa thành phần thủy tinh hóa xử lý rác thải hạt nhân: chủ động điều chỉnh nồng độ nguyên tố tạo mạng và nguyên tố trung gian ($\text{Al}$) để hình thành các bẫy điện tích âm $(\text{TO}_x)^-$ bền vững, giúp giữ cố định lượng lớn các đồng vị phóng xạ và kim loại nặng độc hại mà vẫn duy trì độ trùng hợp và độ bền cơ - nhiệt của khối thủy tinh.

Hạn chế và hướng nghiên cứu tiếp

Về hạn chế, luận án tập trung vào phương pháp mô phỏng động lực học phân tử cổ điển với các thế tương tác cặp kinh nghiệm đối với các hệ mô hình chuẩn 2 nguyên và 3 nguyên ($\text{GeO}_2$, $\text{SiO}_2$, $\text{CaO}\cdot\text{SiO}_2$, $\text{MgO}\cdot\text{SiO}_2$, $\text{Al}_2\text{O}_3\cdot2\text{SiO}_2$). Các yếu tố biến tính phức tạp trong môi trường bức xạ phân rã dài hạn của các đồng vị actini thực tế ($\text{U}, \text{Pu}, \text{Cm}$) chưa được tính toán trực tiếp trong mô phỏng dài hạn.

Về hướng nghiên cứu tiếp:

  • Mở rộng mô hình tính toán động lực học phân tử cho các hệ thủy tinh đa thành phần phức tạp hơn (chứa đồng thời $\text{SiO}_2\text{-Al}_2\text{O}_3\text{-B}_2\text{O}_3\text{-CaO}\text{-Na}_2\text{O}$ và các oxit kim loại nặng).
  • Khảo sát các sai hỏng mạng phát sinh dưới tác động trực tiếp của các loại bức xạ hạt nhân ($\alpha, \beta, \gamma, \text{nơtrôn}$) theo thời gian lưu trữ dài hạn.

Giá trị tham khảo

Nội dung và kết quả của luận án có giá trị tham khảo chuyên môn đối với:

  • Nghiên cứu sinh, học viên cao học và giảng viên thuộc các chuyên ngành Vật lý kỹ thuật, Vật lý chất rắn, Khoa học và kỹ thuật vật liệu, Địa vật lý và Công nghệ hóa học.
  • Các nhà nghiên cứu và kỹ sư trong lĩnh vực xử lý môi trường hạt nhân, công nghệ gốm - thủy tinh kỹ thuật cao, đặc biệt là phần phân tích topo mạng và cơ chế giam giữ ion kim loại bằng phương pháp thủy tinh hóa ở Chương 4.
  • Các nhóm nghiên cứu ứng dụng phương pháp mô phỏng động lực học phân tử trong việc phân tích trật tự gần (SRO), trật tự khoảng trung (IRO) và cấu trúc cụm đám trong vật liệu vô định hình tại Chương 2 và Chương 3.

Câu hỏi thường gặp

1. Nguồn gốc vi mô của hiện tượng phân tách đỉnh đầu tiên trong hàm phân bố xuyên tâm cặp Ge-Ge và Si-Si dưới áp suất cao là gì?
Dưới áp suất nén cao (từ $15\text{ GPa}$ đến dưới $72{,}5\text{ GPa}$ đối với $\text{GeO}_2$ và quanh $40\text{ GPa}$ đối với $\text{CaO}\cdot\text{SiO}_2$), cấu trúc mạng chuyển đổi từ cấu trúc tứ diện sang bát diện, đi kèm với sự gia tăng mạnh số lượng các liên kết chung cạnh và chung mặt bên cạnh liên kết chung góc truyền thống. Khoảng cách giữa hai nguyên tử $\text{Ge}$ (hoặc $\text{Si}$) trong các đa diện nối chung cạnh/mặt ngắn hơn đáng kể so với trong các đa diện nối chung góc. Sự cùng tồn tại của hai nhóm khoảng cách này tạo ra hiện tượng phân tách đỉnh đầu tiên thành đỉnh kép trong hàm phân bố xuyên tâm.

2. Sự khác biệt về vai trò cấu trúc giữa nguyên tố điều chỉnh mạng (như Ca, Mg) và nguyên tố trung gian (như Al) trong mạng Si-O là gì?
Các nguyên tố điều chỉnh mạng ($\text{Ca}^{2+}, \text{Mg}^{2+}$) làm đứt gãy mạng $\text{Si-O}$, làm giảm mức độ trật tự cấu trúc và tạo ra nhiều ôxy không cầu ($\text{NBO}$). Ngược lại, nguyên tố trung gian ($\text{Al}^{3+}$) tham gia trực tiếp vào mạng tạo thành các tứ diện $[\text{AlO}_4]^-$ đan xen với $[\text{SiO}_4]$, tạo ra các tâm tích điện âm mà không làm phá vỡ liên tục cấu trúc khung mạng silicat.

3. Cơ chế nào giúp mạng thủy tinh silicat giữ cố định các ion phóng xạ và kim loại nặng khi bị nén ở áp suất cao mặc dù số lượng NBO suy giảm?
Ở điều kiện áp suất thường, các cation kim loại liên kết vào mạng thông qua các ôxy không cầu ($\text{NBO}$). Khi nén ở áp suất cao, số lượng $\text{NBO}$ giảm do mạng tăng cường polime hóa, nhưng áp suất kích thích sự chuyển phối trí tạo ra các đa diện $(\text{SiO}_5)^-$ và $(\text{SiO}_6)^{2-}$ tích điện âm. Lực hút tĩnh điện từ các đa diện mang điện tích âm này tiếp tục giữ chặt các ion kim loại trong mạng thủy tinh.

4. Tính đa hình và không đồng nhất trong cấu trúc của GeO2 lỏng dưới áp suất cao thể hiện qua các dữ liệu nào?
Tính đa hình thể hiện ở sự cùng tồn tại đồng thời của cả ba loại đa diện $\text{GeO}_4$, $\text{GeO}_5$ và $\text{GeO}_6$ trong dải áp suất chuyển tiếp $6\div30\text{ GPa}$. Tính không đồng nhất thể hiện qua sự phân bố không gian tạo thành các đám cụm riêng biệt có kích thước biến thiên, trong đó tồn tại các đa diện cô lập nằm sâu bên trong các đám cấu trúc khác đóng vai trò như các khuyết tật mạng.

5. Luận án đã công bố những công trình nào trên các tạp chí quốc tế?
Tác giả đã công bố 04 công trình khoa học trên các tạp chí thuộc danh mục ISI:

  • 01 bài trên Journal of Non-Crystalline Solids (Tập 459, 2017, tr. 103-110).
  • 02 bài trên Materials Research Express (Tập 4, Số 3, 2017, 035202 và Tập 4, Số 6, 2017, 065201).
  • 01 bài trên The European Physical Journal B (Tập 90, Số 2, 2017, tr. 37).

Kết luận

Luận án tiến sĩ của tác giả Trần Thùy Dương đã sử dụng phương pháp mô phỏng động lực học phân tử để khảo sát toàn diện cấu trúc pha trung gian, trật tự gần, trật tự khoảng trung và topo mạng của các hệ ôxit $\text{GeO}_2$, $\text{CaO}\cdot\text{SiO}_2$, $\text{MgO}\cdot\text{SiO}_2$ và $\text{Al}_2\text{O}_3\cdot2\text{SiO}_2$ trong dải áp suất $0\div100\text{ GPa}$. Công trình đã giải thích bản chất vật lý của hiện tượng phân tách đỉnh hàm phân bố xuyên tâm dưới tác dụng nén ép thông qua sự gia tăng liên kết chung cạnh và chung mặt. Đồng thời, luận án đã xác lập cơ chế hình thành điện tích âm trong mạng silicat, cung cấp luận cứ khoa học quan trọng cho việc nghiên cứu địa vật lý manti và tối ưu hóa ma trận thủy tinh hóa xử lý chất thải hạt nhân nguy hại.