CHƯƠNG 1 LÝ THUYET VE HIỆU SUÁT CUA DAU DO 1. Giới thiệu về đầu đò ban dẫn siêu tinh khiết HPGe Đầu do thường được sứ dụng hiện nay là đầu dd bán dẫn siêu tinh khiết HPGe có độ nhạy vả độ phân giải rat cao. Do lượng tử gamma không mang điện và không gây ion hóa hoặc kích thích vào vật liệu làm đầu dò. Cho nên khi ghi nhận phô gamma thì đầu đò được chia làm hai phân: © Thứ nhất, nó hoạt động như một bộ chuyên đổi trung bình mà tại đó các lượng tử gamma có xác suất tương tác trung bình sinh ra một hay nhiều electron nhanh.
¢ Tht hai, nó hoạt động như thiết bị ghi nhận chuyển đôi electron nhanh thành những tín hiệu điện. Mọi tương tác xảy ra trong đầu đò có tạo ra xung điện đều có biên độ tỉ lệ thuận với năng lượng của tương tác đó. Cách thông thưởng dé thé hiện thông tin cia xung là phân bố độ cao xung vi phân. Sử dụng hệ trục tọa độ Descartes bao gồm; ¢ Truc hoành là vi phân biên độ dH.
Trục hoành có đơn vị là biên độ xung ¢ Truc tung được biểu thị bởi vi phân của số dém xung dN quan sát được với biên độ trong khoảng vi phan dH tương ứng, ký hiệu dN/dH. Trục tung có đơn vi la nghịch dao của biên độ xung. Số xung mà biên độ nằm trong khoảng hai gia trị đặc biệt H; và Hạ có thê nhận được bằng cách lay tích phân của diện tích đưới phân bố được giới hạn giữa chúng. 4) aN Nu,aan,= | an 4H (1.1) H Sự tỉ lệ giữa biên độ xung và năng lượng cho phép biến đôi trục hoanh từ đơn vị của biên độ thành đơn vị của năng lượng (thường dùng là keV hoặc MeV), đơn vị của trục tung thành đơn vị của nghịch đảo năng lượng.
Phương trình (1.1) lúc này được viết lại như sau: N¿ .2) the hiện số photon tương tác có nang lượng giữa E; và E;. Phân bố độ cao xung lúc nay được gọi là phê gamma. Sự thẻ hiện thuộc tính vật lý của phân bố độ cao xung vi phân hoặc phố gamma luôn bao ham diện tích dưới phô giữa hai giới hạn của độ cao xung hoặc năng lượng tương đương.1 Phé gamma thực nghiệm của nguồn “Ba 3 tì/0 ị 3%(t E os 10EC6 3 2+ | roar aa | =_ —. oe Oa \ a ec al | | or » 1 2 Nang lượng ke ¥) Hình 1.1: Phé gamma thực nghiệm của nguồn 'ÈŠBa 1.
Hiệu suất ghi 1. Khái niệm hiệu suất Khi photon tới đầu đò. tương tác với vật liệu đầu đò xảy ra theo một trong các hiệu ứng sau: hiệu ứng quang điện, tan xạ Compton, tan xa Thomson, hiệu ứng tạo cặp. Trong đó hiệu ứng quang điện sẽ chuyển toàn bộ năng lượng toàn phần của photon cho đầu đò còn các hiệu ứng khác chỉ chuyển một phan năng lượng của photon cho đầu đò.
Trong thực tế điều cần xác định là các đặc trưng của tia gamma cũng như các đặc trưng của nguồn quan tâm. Các đặc trưng này có thé là năng lượng tia gamma hay hoạt độ của nguồn, trong khi đó cái mà ta thu được chỉ là các số đếm ghi nhận được từ đầu dò. Dé có thể suy ngược từ các số dém này ra hoạt độ nguồn can phải biết hiệu suất của đầu dò. Các loại hiệu suất $ Hiệu suất tuyệt đối (z„) được định nghĩa là tỉ số giữa số các xung ghi nhận được và số các lượng tử gamma phát ra bởi nguồn.
Hiệu suất này phụ thuộc không chỉ vào tính chất của đầu đò ma còn phụ thuộc vào bồ trí hình học (chủ yếu là khoảng cách giữa nguồn và đầu đò). s* Hiệu suất nội (e,„.) được định nghĩa là ti số giừa số các xung ghi nhận được và số các lượng tử bức xạ đến đầu dò. Đối với nguồn đăng hướng, hai hiệu suất nay liên hệ với nhau một cách đơn giản như sau: E„=£,„X(4z/Q) (1.3) Đề thuận tiện trong việc trình bay hiệu suất của dau do, rất nhiều nha sản xuất đầu dò đã mô tả tỉ số hiệu suất đỉnh tương đối (z, ) tính theo phan trăm. Ta tính z, bằng hiệu suất đỉnh tương đối so với hiệu suất đỉnh của tinh thé nhấp nháy Nal(TI) hình trụ chuẩn có kích thước 7,62 cmx7,62 em, khoảng cách giữa nguồn với đầu đỏ được cho là 25cm trong ca hai trường hợp dé chuẩn hoá.
Dinh năng lượng thông thường được sứ dụng dé xác định hiệu suất tương đối 1a đỉnh năng lượng toàn phan 1332,5keV từ nguồn ““Co với hiệu suất đỉnh tuyệt đỗi của tinh the nhấp nháy Nal(TI) có giá trị 12x10”. Một quy luật xắp xi (không chính thức) cho đầu đỏ Germanium đồng trục là tí lệ hiệu suất dưới dang phan trăm được tinh bằng cách lấy thẻ tích đầu đỏ (cm) chia cho hệ số 4. Hiệu suất đỉnh năng lượng toàn phằn(FEPE) Hiệu suất đỉnh năng lượng toàn phan (z?) được định nghĩa là xác suất của một photon phát ra từ nguồn mat mát toản bộ năng lượng của nó trong thé tích hoạt động của đầu do. Trong phân bố độ cao xung vi phân, các hiện tượng mat năng lượng toàn phần này được thẻ hiện bởi một đính xuất hiện ở vị trí cuỗi của phô.
Các hiện tượng ma chi mat một phan năng lượng của bức xạ tới sẽ xuất hiện xa hơn về phía trái của phô. Số các hiện tượng mat năng lượng toản phan có thể được thu bởi một tích phân đơn giản diện tích toản phần dưới đỉnh. Phương pháp thực nghiệm thông thường được sử đụng là dùng một số nguồn phát gamma đơn năng dé tính toán hiệu suất đỉnh năng lượng toàn phan theo năng lượng. Tuy nhiên, năng lượng của gamma còn phụ thuộc vào khoảng cách cho nên ứng với mỗi khoảng cách nhất định có một đường cong hiệu suất.
Điều nảy là rất mat thời gian va tốn kém trong quá trình đo đạc thực nghiệm. 2000 -8a35 PO NOS = setae _¬ © g=1500 s2segaas © x @ ;2S2 SILo = Đ Se%xxz`©® ® =_.RFESSöäg® = 51000 —~Ror ter = = ~7TelgSCV@nr-=Ae =<c=sE3%gØ2cS£be c #3 #ưøav eo @© so 2# C=zøÑpje + oo + e N= © BgSdse°* @ a ee? eee? II Đồng vị Hình 1.2: Nguồn phóng xạ thường dùng trong việc xây dựng đường cong hiệu suất thực nghiệm Trong thực nghiệm hiệu suất đỉnh năng lượng toàn phần được xác định bởi: NP(E) 2 e"(E)= AL, (6l C MA) Với z?,N?, A, I, t lần lượt là hiệu suất đình năng lượng toàn phan, diện tích đỉnh năng lượng toàn phan, hoạt độ tai thời điểm do (Bq). xác suất phát gamma, thời gian đo (s). C,là hệ số hiệu chỉnh như tự hap thu, sự rã trong thời gian đo.
Ngày nay với sự hỗ trợ của máy tinh, các đường cong hiệu suất tại các khoảng cách khác nhau có thẻ được tính toán bằng các phương pháp bán thực nghiệm hoặc phương pháp mô phỏng. Trong phương pháp bán thực nghiệm chỉ cần tiễn hành thực nghiệm tại một khoảng cách với các nguôn phat gamma quan tâm. Tại vị trí đó ảnh hưởng trùng phủng tông được bỏ qua. Sau đó áp dụng nguyên lý của Moens để hiệu chinh hình học đo của nguồn và đầu dò, từ đó xây dựng đường cong hiệu suất tại vị trí cần xác định.
Nguyên lý của Moens được trình bày như sau: trên cơ sở hiệu suất đỉnh năng lượng toàn phan tại một vị trí chuẩn P, được tính bởi &(E.P,) =<, (E)Q(E,P, ) trong đó «,,,(E) là hiệu suất nội của đầu dò phụ thuộc vào năng lượng. O(E,P,} là góc khối giữa nguồn và dau dò. Doi với một nguồn điểm P, hiệu suất có thê được khai triển như một ham của hiệu suất chuan tại củng năng lượng tương đương E: ee * (1.P): được gọi la hệ số chuyển đổi. Từ công thức (1.6) ở trên giá trị hiệu suất đình năng lượng toàn phan theo phương pháp bán thực nghiệm tại khoảng cách can xác định sẽ bằng: e" (E,P)=e"(E,P,)xT(E,P) (1.7) Phương pháp mô phỏng hiệu suất đình năng lượng toàn phần mô phóng được định nghĩa là: số gamma tại định năng lượng toàn phan chia cho số gamma phát ra từ nguồn 1.8) (18 e" = = Hiệu suất của một tia gamma có năng lượng xác định có thẻ được nội suy hoặc ngoại suy từ các hiệu suất của các tỉa gamma chuẩn đã được tính trước đó.
Hiệu suất của việc đo nguồn có kích thước có thể được tính bảng cách đo hiệu suất của các nguồn điểm chuẩn tại các vị trí khác nhau mô phỏng theo hình học của nguồn thể tích. Nếu không biết vật liệu phóng xạ nằm ở đâu trong lớp vỏ bọc hãy lặp lại việc đo sau khi lật nguồn lại và tính hiệu suất trung bình. Hiệu suất tổng và tí số P/T 1. Hiệu suất tổng Hiệu suất tông (z') được định nghĩa như là xác suất của một photon phát ra từ nguồn mat bat kì năng lượng khác không của nó trong thẻ tích hoạt động của đầu dò.
Trong phân bố độ cao xung vi phân, diện tích tong dưới phỏ của tat cả các xung không quan tâm đến biên độ được ghi nhận đẻ xác định hiệu suất tông. Trong thực tế, rất nhiêu hệ thông đo đạc luôn luôn đặt ra một yêu cẩu răng độ cao xung phải lớn hơn một mức ngưỡng xác định nào đó được thiết lập dé phân biệt chống lại các xung rất nhỏ từ nhiễu điện tử. chỉ có thé tiễn tiệm cận đến hiệu suất tong lý thuyết bằng cách lảm thấp ngưỡng nảy hết mức có thê. Trong thực tế, dé xác định hiệu suất tong cần thực hiện các bước sau: - Trừ phông.
- Ngoại suy phổ đến năng lượng zero ký hiệu ETZ (ETZ được ngoại suy thô bằng cách lay trung bình 4 kênh từ trái sang phải của ETZ). - Lấy tông số đếm toàn phan theo công thức: tt Nĩ= 3 C,+AvgC,„.9) \aeFrZ Ở đây R là số kênh tương ứng với biên phải của đỉnh năng lượng toàn phan, C, là số đếm tại kênh thứ i, AvgCerz là số đếm trung bình tại kênh ETZ. Hiệu suất tong được tính theo công thức sau: -Ö-N Œ) AL(E) en) Với e', NT, A, 1, t lần lượt là hiệu suất tông tương ứng với năng lượng E, điện tích tong, hoạt độ tại thời điểm đo (Bq), xác suất phát gamma, thời gian đo (s) tương ứng của năng lượng quan tâm. Trong tính toán hệ số trùng phing thì hiệu suất tong là một nhân tô rất quan trọng.
Tuy nhiên, các nguồn phát gamma đơn năng không có sẵn vì thế các giá trị nảy sẽ được mô phòng toàn bộ năng lượng gamma quan tâm. Tỉ số P/T Hiệu suất đỉnh năng lượng toàn phan và hiệu suất tông có mỗi quan hệ với nhau bởi tỉ số đỉnh trên tông P/T, bên cạnh đó một số tác giả dùng ti số tông trên đỉnh (T/P).