Giáo trình Vật lý Bán dẫn Tập 1 - Phùng Hồ & Phan Quốc Phô (ĐH Bách Khoa HN)

Giáo trình vật lý về vật lý bán dẫn tập 1 phần 1 phùng hồ và phan quốc phô, biên soạn theo chương trình đào tạo chuẩn, hệ thống hóa kiến thức từ cơ bản đến nâng cao.

Chuyên ngành

Vật lý bán dẫn

Người đăng

Ẩn danh

Thể loại

Giáo trình

2001

163
105
1

Phí lưu trữ

45 Point

Tóm tắt

I. Tổng quan Giáo trình Vật lý bán dẫn Phùng Hồ Phan Quốc Phô

Giáo trình Vật lý bán dẫn tập 1: Những vấn đề vật lý cơ bản của hai tác giả Phùng Hồ và Phan Quốc Phô là một tài liệu vật lý bán dẫn nền tảng, được biên soạn dành cho sinh viên, học viên cao học và nghiên cứu sinh chuyên ngành vật lý, kỹ thuật vật liệu. Cuốn sách này, xuất bản bởi Nhà xuất bản Bách Khoa - Hà Nội, là kết quả của nhiều năm giảng dạy và nghiên cứu tại Trường Đại học Bách Khoa Hà Nội. Nội dung tập trung vào việc hệ thống hóa các kiến thức cốt lõi, từ cấu trúc tinh thể, cấu trúc vùng năng lượng đến các hiện tượng vật lý cơ bản trong chất bán dẫn. Đây không chỉ là một sách chuyên ngành vật lý thông thường mà còn là một công trình khoa học, cung cấp một cái nhìn sâu sắc và có hệ thống về lĩnh vực vật lý chất rắn. Mục tiêu của giáo trình là trang bị cho người đọc một nền tảng lý thuyết vững chắc, làm tiền đề cho việc nghiên cứu các vật liệu bán dẫnlinh kiện bán dẫn phức tạp hơn. Với cách trình bày logic, đi từ những khái niệm cơ bản đến các vấn đề chuyên sâu, cuốn sách trở thành tài liệu không thể thiếu cho bất kỳ ai muốn tìm hiểu nghiêm túc về thế giới vi mô của vật liệu bán dẫn. Các tác giả đã kế thừa và cập nhật từ những lần xuất bản trước, loại bỏ các chương đã được trình bày trong các giáo trình khác để đảm bảo tính tập trung và chuyên sâu.

1.1. Vai trò của tài liệu vật lý bán dẫn chuyên ngành

Trong bối cảnh công nghệ bán dẫn phát triển vũ bão, việc có một giáo trình khoa học vật liệu chuẩn mực là vô cùng quan trọng. Giáo trình của Phùng Hồ và Phan Quốc Phô đóng vai trò là cầu nối giữa lý thuyết vật lý cơ bản và các ứng dụng kỹ thuật hiện đại. Nó không chỉ cung cấp kiến thức mà còn định hướng phương pháp tư duy, giúp người học hiểu rõ bản chất của các hiện tượng. Tài liệu này đặc biệt hữu ích trong việc xây dựng nền tảng cho các môn học nâng cao như công nghệ linh kiện, vật liệu điện tử, và quang điện tử. Sự chính xác và hệ thống của cuốn sách giúp người học tránh được những sai lầm phổ biến khi tiếp cận một lĩnh vực phức tạp như vật lý chất rắn.

1.2. Đối tượng và mục tiêu của sách Phùng Hồ Phan Quốc Phô

Cuốn sách hướng đến một phổ đối tượng rộng, từ sinh viên đại học năm thứ ba, thứ tư các ngành Vật lý kỹ thuật, Điện tử - Viễn thông, Khoa học vật liệu cho đến các học viên cao học và nghiên cứu sinh. Mục tiêu chính là cung cấp một hệ thống kiến thức toàn diện về các nguyên lý vật lý cơ bản của chất bán dẫn. Theo lời nói đầu, các tác giả mong muốn "truyền đạt lại ít nhiều kinh nghiệm, hiểu biết và tài liệu" cho thế hệ kế cận. Do đó, giáo trình không chỉ dừng lại ở lý thuyết mà còn chú trọng đến việc tự học, tự đào sâu kiến thức, làm cơ sở để giải quyết các bài toán ứng dụng thực tế sẽ được trình bày trong Tập II.

II. Thách thức khi tiếp cận Giáo trình Vật lý bán dẫn tập 1

Việc tự học Giáo trình Vật lý bán dẫn tập 1 của Phùng Hồ và Phan Quốc Phô đặt ra nhiều thách thức, đặc biệt với những người mới bắt đầu. Khó khăn lớn nhất đến từ sự trừu tượng và yêu cầu nền tảng toán học, vật lý vững chắc. Các khái niệm như mạng đảo, vùng Brillouin, hay phương trình Schrodinger trong trường tuần hoàn đều là những kiến thức nâng cao, đòi hỏi sự am hiểu sâu sắc về cơ học lượng tử ứng dụng. Nếu không có kiến thức nền tốt, người đọc dễ bị "ngợp" trước các phương trình toán học phức tạp và các phép biến đổi. Một thách thức khác là sự liên kết chặt chẽ giữa các chương. Các khái niệm được xây dựng theo một chuỗi logic, việc bỏ qua hoặc không hiểu rõ một phần sẽ ảnh hưởng lớn đến việc tiếp thu các phần sau. Ví dụ, để hiểu về nồng độ hạt dẫn ở Chương 2, người học phải nắm vững lý thuyết vùng năng lượng và mật độ trạng thái đã được trình bày ở Chương 1. Sự phức tạp này đòi hỏi người học phải có tính kiên trì và phương pháp học tập khoa học, đi từng bước một và kết hợp việc đọc lý thuyết với việc giải các bài tập liên quan để củng cố kiến thức.

2.1. Tiếp cận cơ học lượng tử ứng dụng trong vật lý chất rắn

Chương 1 của giáo trình ngay lập tức đưa người đọc vào thế giới của cơ học lượng tử ứng dụng thông qua phương trình Schrodinger cho điện tử trong tinh thể. Sách trình bày các phép gần đúng quan trọng như gần đúng đoạn nhiệt (Born-Oppenheimer) để tách chuyển động của hạt nhân và điện tử. Phép gần đúng này được nêu rõ: "người ta có thể xem các hạt nhân là đứng yên và tọa độ của chúng là Rj = Rj0". Việc chuyển từ bài toán nhiều hạt tương tác sang bài toán một điện tử trong trường tự hợp (phương pháp Hartree-Fock) là một bước nhảy vọt về khái niệm. Hiểu được bản chất của hàm sóng Bloch và tính tuần hoàn của nó trong không gian đảo là chìa khóa để giải quyết các bài toán về vật lý chất rắn.

2.2. Sự phức tạp của lý thuyết vùng năng lượng và mạng đảo

Khái niệm mạng đảo và vùng Brillouin là một công cụ toán học thuần túy nhưng lại cực kỳ quan trọng để mô tả sóng trong môi trường tuần hoàn của tinh thể. Giáo trình định nghĩa rõ: "Vùng Brillouin là một khái niệm thuần túy toán học được dùng để nghiên cứu quá trình lan truyền sóng trong tinh thể". Việc hình dung không gian đảo và xây dựng vùng Brillouin thứ nhất cho mạng lập phương tâm mặt đòi hỏi khả năng tư duy hình học không gian tốt. Từ đó, lý thuyết vùng năng lượng giải thích tại sao có vùng cấm và vùng cho phép, phân biệt kim loại, chất cách điện và bán dẫn. Đây là phần kiến thức trừu tượng và là rào cản lớn đối với nhiều sinh viên.

III. Hướng dẫn phân tích cấu trúc tinh thể từ sách vật lý bán dẫn

Chương 1 của giáo trình vật lý bán dẫn Phùng Hồ và Phan Quốc Phô cung cấp một phương pháp tiếp cận bài bản về cấu trúc tinh thể, nền tảng của toàn bộ ngành vật lý chất rắn. Cuốn sách bắt đầu bằng việc giới thiệu các chất bán dẫn thông dụng như Silic (Si), Germani (Ge) và các hợp chất A(III)B(V). Một điểm cốt lõi được nhấn mạnh là các chất này thường kết tinh theo mạng lập phương tâm mặt, với mỗi nút mạng gắn một "gốc" (basis) gồm hai nguyên tử. Đối với Si, sách mô tả chi tiết: "tinh thể Sĩ... có thể xem như gồm hai mạng lập phương tâm mặt lồng vào nhau, mạng thứ hai dịch đi một đoạn bằng a√3/4 theo phương đường chéo". Cấu trúc này được gọi là mạng kim cương. Việc hiểu rõ cấu trúc hình học này là bước đầu tiên và quan trọng nhất. Sau đó, giáo trình giới thiệu một công cụ toán học mạnh mẽ là mạng đảo. Mạng đảo không tồn tại trong không gian thực mà được xây dựng trong không gian vectơ sóng (không gian K), giúp đơn giản hóa việc phân tích nhiễu xạ và chuyển động của sóng trong tinh thể. Việc xây dựng vùng Brillouin từ mạng đảo là một bước logic tiếp theo, xác định các trạng thái sóng độc lập có thể tồn tại trong tinh thể.

3.1. Cấu trúc mạng kim cương của Silic và Germani

Silic và Germani là hai vật liệu bán dẫn đơn chất điển hình, kết tinh theo cấu trúc mạng kim cương. Trong giáo trình, cấu trúc này được mô tả là hai mạng lập phương tâm mặt (FCC) lồng vào nhau. Nếu một nguyên tử nằm ở gốc tọa độ (0,0,0), nguyên tử thứ hai trong cùng một ô cơ sở sẽ nằm ở tọa độ (a/4, a/4, a/4), với 'a' là hằng số mạng. Sự sắp xếp này tạo ra các liên kết cộng hóa trị mạnh mẽ theo hướng tứ diện, giải thích các tính chất cơ học và điện đặc trưng của Si và Ge. Việc nắm vững cấu trúc này giúp hình dung được sự định hướng của các liên kết và là tiền đề để hiểu về sự lai hóa sp3 trong các nguyên tố nhóm IV.

3.2. Mạng đảo và vùng Brillouin Nền tảng toán học quan trọng

Giáo trình dành một phần quan trọng để định nghĩa và hướng dẫn cách xây dựng mạng đảo. Mạng đảo của một mạng lập phương tâm mặt (FCC) là một mạng lập phương tâm khối (BCC). Các vectơ cơ sở của mạng đảo được xác định từ các vectơ cơ sở của mạng trực tiếp. Vùng Brillouin thứ nhất, được định nghĩa là ô Wigner-Seitz của mạng đảo, chứa tất cả các vectơ sóng không tương đương, đại diện cho mọi trạng thái khả dĩ của điện tử. Sách nhấn mạnh: "Trong vùng Brillouin thứ I chứa đầy đủ các véctơ sóng K đặc trưng cho tất cả các trạng thái (hàm sóng) độc lập". Hiểu khái niệm này là bắt buộc để có thể phân tích cấu trúc vùng năng lượng.

IV. Cách hiểu cấu trúc vùng năng lượng trong vật lý bán dẫn tập 1

Sau khi xây dựng nền tảng về cấu trúc tinh thể, giáo trình vật lý bán dẫn tập 1 đi sâu vào một trong những chủ đề quan trọng nhất: cấu trúc vùng năng lượng. Đây là chìa khóa giải thích mọi tính chất điện của vật liệu. Giáo trình tiếp cận vấn đề bằng cách giải phương trình Schrodinger cho một điện tử chuyển động trong trường thế tuần hoàn của tinh thể. Kết quả quan trọng, định lý Bloch, chỉ ra rằng hàm sóng của điện tử có dạng một sóng phẳng được điều biến bởi một hàm tuần hoàn. Điều này dẫn đến sự hình thành các vùng năng lượng cho phép và vùng cấm. Cuốn sách của Phùng Hồ và Phan Quốc Phô đã trình bày chi tiết về sự phụ thuộc của năng lượng vào vectơ sóng E(K), đặc biệt là ở gần các điểm cực trị (đáy vùng dẫn và đỉnh vùng hóa trị). Chính tại những khu vực này, các hạt tải điện chính, lỗ trống và electron, tồn tại và quyết định tính dẫn điện. Khái niệm khối lượng hiệu dụng, một đại lượng đặc trưng cho đáp ứng của hạt tải với lực ngoài, được giới thiệu một cách tự nhiên từ độ cong của giản đồ E(K). Các ví dụ cụ thể về cấu trúc vùng của Si và Ge được phân tích kỹ lưỡng, chỉ ra sự khác biệt giữa bán dẫn vùng cấm thẳng và xiên.

4.1. Sự hình thành vùng dẫn vùng hóa trị và mức năng lượng Fermi

Theo phương pháp gần đúng liên kết mạnh được trình bày trong sách, khi các nguyên tử cô lập tiến lại gần nhau để tạo thành tinh thể, các mức năng lượng riêng rẽ của chúng sẽ tách ra thành các dải năng lượng rộng. Dải năng lượng được lấp đầy điện tử ở mức cao nhất được gọi là vùng hóa trị. Dải năng lượng trống hoặc chỉ được lấp đầy một phần ngay trên vùng hóa trị là vùng dẫn. Khoảng cách năng lượng giữa đỉnh vùng hóa trị và đáy vùng dẫn là vùng cấm. Mức năng lượng mà tại đó xác suất tìm thấy điện tử bằng 1/2 được gọi là mức năng lượng Fermi, đóng vai trò quyết định trong việc xác định nồng độ hạt dẫn.

4.2. Khái niệm khối lượng hiệu dụng của lỗ trống và electron

Khối lượng hiệu dụng (m*) không phải là khối lượng thực của điện tử mà là một tham số mô tả cách điện tử tăng tốc trong tinh thể dưới tác dụng của một lực bên ngoài. Giáo trình giải thích rằng nó được xác định bởi độ cong của đường cong năng lượng E(K): 1/m* = (1/ħ²) * (d²E/dK²). Tại đáy vùng dẫn, độ cong là dương, m* > 0, điện tử hành xử như một hạt mang điện tích âm. Tại đỉnh vùng hóa trị, độ cong là âm, m* < 0. Để thuận tiện, chuyển động của tập thể các điện tử còn lại trong vùng hóa trị được mô tả bằng chuyển động của các "chỗ trống" gọi là lỗ trống, có điện tích dương và khối lượng hiệu dụng dương.

4.3. Các trạng thái tạp chất chất bán dẫn loại n và p

Giáo trình cũng đề cập đến ảnh hưởng của tạp chất lên cấu trúc vùng năng lượng. Khi một nguyên tử tạp chất (ví dụ As trong Si) được đưa vào mạng tinh thể, nó tạo ra các mức năng lượng cục bộ nằm trong vùng cấm. Tạp chất cho điện tử (đono) tạo ra mức năng lượng gần đáy vùng dẫn, dễ dàng kích thích electron lên vùng dẫn, tạo ra chất bán dẫn loại n. Tạp chất nhận điện tử (axepto) tạo ra mức năng lượng gần đỉnh vùng hóa trị, dễ dàng nhận electron từ vùng hóa trị, tạo ra các lỗ trống, hình thành chất bán dẫn loại p.

V. Nền tảng cho linh kiện từ Giáo trình Vật lý bán dẫn cơ bản

Mặc dù Giáo trình Vật lý bán dẫn tập 1 của Phùng Hồ và Phan Quốc Phô tập trung vào "Những vấn đề vật lý cơ bản", nội dung của nó lại chính là nền tảng không thể thiếu để hiểu về hoạt động của mọi linh kiện bán dẫn hiện đại. Toàn bộ công nghệ vi điện tử được xây dựng dựa trên sự kiểm soát dòng chảy của lỗ trống và electron trong các vật liệu bán dẫn. Để làm được điều đó, cần phải hiểu rõ cách các hạt tải này được tạo ra, cách chúng di chuyển và tái hợp. Các khái niệm như nồng độ hạt dẫn cân bằng (Chương 2), các hiện tượng động học (Chương 3), và nồng độ hạt dẫn không cân bằng (Chương 4) được trình bày trong sách là kiến thức cốt lõi. Đặc biệt, việc tìm hiểu về tiếp xúc P-N, được hình thành khi ghép một chất bán dẫn loại p và một chất bán dẫn loại n, là bước đầu tiên để chế tạo các linh kiện cơ bản. Cấu trúc vùng năng lượng bị uốn cong tại mặt tiếp xúc, tạo ra một hàng rào thế và một miền nghèo, dẫn đến đặc tính chỉnh lưu của diode bán dẫn. Từ đó, các cấu trúc phức tạp hơn như transistor lưỡng cực (BJT) hay transistor hiệu ứng trường (FET) được phát triển, mở ra kỷ nguyên của mạch tích hợp.

5.1. Nguyên lý hoạt động cơ bản của tiếp xúc P N

Khi một chất bán dẫn loại p và p được nối với nhau, electron từ vùng n sẽ khuếch tán sang vùng p và tái hợp với lỗ trống, trong khi lỗ trống từ vùng p khuếch tán sang vùng n. Quá trình này tạo ra một vùng gần mặt tiếp xúc không có hạt dẫn tự do (miền nghèo) và một điện trường nội tại hướng từ n sang p. Điện trường này ngăn cản sự khuếch tán tiếp theo, tạo ra một trạng thái cân bằng. Hàng rào thế năng này chính là chìa khóa cho tính chất chỉnh lưu: nó cho phép dòng điện chạy qua dễ dàng khi phân cực thuận và cản trở dòng điện khi phân cực nghịch. Đây là nguyên lý cơ bản của mọi diode bán dẫn.

5.2. Vai trò của vật liệu bán dẫn trong công nghệ hiện đại

Toàn bộ xã hội số hiện đại, từ máy tính, điện thoại thông minh đến mạng internet, đều dựa trên các linh kiện bán dẫn được chế tạo từ các vật liệu bán dẫn như Silic. Hiểu biết sâu sắc về các tính chất vật lý của các vật liệu này, như được trình bày trong giáo trình, cho phép các kỹ sư và nhà khoa học thiết kế, chế tạo và tối ưu hóa các linh kiện ngày càng nhỏ hơn, nhanh hơn và hiệu quả hơn. Các kiến thức về khối lượng hiệu dụng, độ linh động hạt tải, thời gian sống của hạt dẫn... đều là những thông số trực tiếp ảnh hưởng đến hiệu năng của một transistor lưỡng cực hay một vi mạch tích hợp.

VI. Đánh giá sách vật lý bán dẫn Tài liệu gối đầu giường cho dân kỹ thuật

Tổng kết lại, Giáo trình Vật lý bán dẫn tập 1: Những vấn đề vật lý cơ bản của Phùng Hồ và Phan Quốc Phô không chỉ là một cuốn sách giáo khoa mà còn là một tài liệu tham khảo có giá trị cao, một sách chuyên ngành vật lý kinh điển cho cộng đồng khoa học và kỹ thuật tại Việt Nam. Điểm mạnh lớn nhất của cuốn sách là tính hệ thống, logic và sự chặt chẽ trong trình bày. Các tác giả đã thành công trong việc diễn giải những khái niệm vật lý phức tạp, đặc biệt là các vấn đề liên quan đến cơ học lượng tử ứng dụng trong vật lý chất rắn, một cách tương đối dễ tiếp cận. Mặc dù đòi hỏi người đọc phải có nền tảng kiến thức tốt, nhưng một khi đã nắm bắt được, cuốn sách sẽ mở ra một cánh cửa mới để hiểu sâu sắc về thế giới của các vật liệu bán dẫn. Đây thực sự là một tài liệu vật lý bán dẫn gối đầu giường, không chỉ cho sinh viên mà còn cho các kỹ sư, nhà nghiên cứu đang làm việc trong lĩnh vực liên quan. Sự tồn tại và giá trị của cuốn sách qua nhiều năm khẳng định vị thế không thể thay thế của nó trong hệ thống các giáo trình khoa học vật liệu tại Việt Nam.

6.1. Tóm tắt giá trị cốt lõi của giáo trình khoa học vật liệu này

Giá trị cốt lõi của giáo trình nằm ở việc xây dựng một nền tảng lý thuyết vững chắc và có hệ thống. Nó không chỉ liệt kê các công thức mà giải thích cặn kẽ nguồn gốc vật lý đằng sau chúng, từ cấu trúc vùng năng lượng đến hành vi của lỗ trống và electron. Sách cung cấp một bộ công cụ lý thuyết hoàn chỉnh để phân tích các tính chất của chất bán dẫn, làm cơ sở cho việc nghiên cứu và phát triển các linh kiện bán dẫn mới. Tính chính xác và hàn lâm của nội dung đảm bảo rằng người học được trang bị kiến thức chuẩn mực và sâu sắc.

6.2. Hướng phát triển và các chủ đề trong các tập tiếp theo

Tập I đặt nền móng lý thuyết, trong khi Tập II, như lời giới thiệu, sẽ tập trung vào "Những vấn đề và bài tập ứng dụng". Điều này cho thấy một lộ trình học tập rõ ràng: từ việc nắm vững các nguyên lý cơ bản đến việc áp dụng chúng để giải quyết các bài toán thực tế. Các chủ đề nâng cao như hiệu ứng Hall, các hiện tượng quang điện, hay các cấu trúc bán dẫn dị thể có thể sẽ được đề cập trong các phần sau. Việc tiếp tục nghiên cứu các tập tiếp theo của bộ giáo trình vật lý bán dẫn này sẽ giúp hoàn thiện kiến thức và kỹ năng cần thiết cho một chuyên gia trong lĩnh vực bán dẫn.

19/07/2025

Trích đoạn nội dung tài liệu

Chương 1: Cấu trúc tỉnh thể và cấu trúc năng lượng của các chất bản dẫn trong đó 7 là một véctơ mang tinh thé. Nhu vậy, phương trình Schrodinger (1-19) là phương trình của một điện tử chuyển động trong một trường tuần hoàn. Lời giải của phương trình này là các trạng thái (hay các quỹ đạo) có thể của điện tử. Chúng ta biết rằng hàm sóng của điện tử tự do chính là một hàm sóng phẳng: Vạg(Œ)=A.etKT) với phổ năng lượng liên tục: PˆhˆK? ER) =F om Trong tính thể, hàm thế năng (7 )là một hàm tuần hoàn với chu kỳ tuần hoàn bang chu ky mang tinh thể.

Bloch đã chứng minh rằng trong trường thế tuần hoàn U(F ), hàm sóng của điện tử thỏa mãn phương trình Schrodinger có dạng hàm Bloch (7): Vg(F)=øg(F)et) (1-20) trong đó @z(Ÿ)=@g(Ÿ +ñ) là một hàm tuần hoàn có chu kỳ là chu kỳ tuần hoàn của mạng tỉnh thể, nghĩa là của hàm thế (7). Như vậy hàm sóng Bloch là một hàm sóng phẳng có biên độ @z(r) biến điệu theo chu kỳ tuần hoàn của mạng tinh thể. Chúng ta thêm vào hàm Bloch chỉ số K bởi vì với những giá trị K khác nhau @_(7) có thể khác nhau. Mặt khác, ta biết rằng Wz (¥ ) phai thoa mn phuong trinh Schrodinger: Hyg (F)=Eyg(F) Do vay năng lượng của điện tử E phải là hàm số của véctơ sóng K, E= E(K).

Tìm sự phụ thuộc này là một trong những bài toán quan trọng bậc nhất của vật lý chất rắn. Người ta đã chứng minh rằng hàm sóng (7) cũng như năng lượng E(K) của điện tử là những hàm tuần hoàn trong không gian đảo, hay không gian véctơ sóng K , đồng thời ta luôn có: E(K ) = E(—K). Phương pháp gần đúng liên kết mạnh Để giải phương trình Schrodinger đối với một điện tử ta cũng phải dùng phương pháp gần đúng. Một trong các phép gần đúng đó là gần đúng liên kết mạnh.

Trong gần đúng này người ta lấy hàm sóng của điện tử trong các nguyên tử cô lập „(7 ) làm hàm sóng bậc không, „(7 ) là hàm riêng của phương trình Schrodinger đối với nguyên tử: a 2, Raat? )=| Fea E7) |yu(P)=Eyy,(T (1-21) V,(7) 1a thé nang cua dién tir trong nguyén ti cé lap; EZ, 1a mot mức năng lượng nào đó ứng với hàm sóng w,(7) trong nguyén tt cé lap. Trường Đại học Bách Khoa Hà Nội 23 Chương 1: Cấu trúc tính thể và cấu trúo năng lượng của các chất bán dẫn ¬ 2 2. (Se;m~m]- 3gA+ỀY/Ø~0:Mfp | Se"y,#~8)Ìá Be (1-26) bu ve (Œ -8)| se Wa Œ -A) m Bây giờ chúng ta lần lượt tính các thành phần trong biểu thitc E”’. Ching ta đặt (i-m)=t , chúng ta thấy rằng r là khoảng cách giữa hai hạt nhân có tọa độ là ñ và m.

Đặt tích phân: | [ưaŒ--m) wa(T—ñ)dr=®, (1-27) gọi mẫu số của #'” là 7,, tử số của E” là 7;, nghĩa là £( =/,/J; và ta lần lượt tính các giá trị đó: 1=| lx£ “jœ-nj|| xe nm vali) | Ta có thể chuyển tích phân này về dạng tổng hai lần: [yx(E=ñ )w„(E~R yăr J¡=5>>efE(-3/l mii Vita di dat (i-~m)=f , khitacé dinh m thì (ñ—m) và ? cùng đi qua tất cả các giá trị như nhau khi 7 đi qua tất cả các giá trị, vì thế lấy tổng theo ñ cũng tương đương lấy tổng theo 7 và ta có thể viết: Jr= >>. mot Trong dấu tổng theo 7Ø: là các thành phần bằng nhau không phụ thuộc vào 77, s6 thành phần đó bằng N, bằng số các nguyên tử trong tinh thé, vi vậy ta có: J,=N de® 5, (1-28) F Ta chuyển sang tính tử số cứø E', nghĩa là đại lượng J): 9i=|||S£ “viø-U|~ã;a+Sfuf=0Mi0 |Sef9y,p~p lu (1-29) Ta có thể chuyển tích phân này thành tổng hai lần: J) LEY 7 v2Ø-1|- [ 1A+12/7-8)2/0)|/,~8n ii Dat: (4-!)=p, T-t=r', ñ-t=ñ và từ đó ta có: Trường Đại học Bách Khoa Hà Nội 25 Chương 1: Cấu trúc tinh thể và cấu trúc năng lượng của các chất bán dẫn các giá trị đã tìm được ta có: Jy=N| Egy Ss, +C+ Ye” Ap) (1-33). P Pp Kết quả cuối cùng là năng lượng của điện tử trong gần đúng bậc nhất sẽ được tính bằng: Se? ACB) EO) = J2. 7 E a —" Ce + kp (1-34) Lue Ss, ! Le TS fh ‡ B ồ Giá trị S, 6 đây chính là tích phân Š, chúng ta đã ký hiệu trên đây, nghĩa là: Sy= [vari Wy, (FA r= [v3 (Fy (F'—p de! (1-35) biểu diễn độ chồng chéo của hai hàm sóng thuộc hai nguyên tử cách nhau một khoảng cách p.

Để đơn giản chúng ta giả thiết rằng các hàm sóng hoàn toàn không chồng chéo lên nhau ngay cả đối với hai nguyên tử nằm cạnh nhau, nghĩa là chúng ta giả thiết S,=0 khi p#0. Khi p=0 ta co: S„=|wZ(2W(f)dr'=1 và biểu thức FÝ? có dạng gần đúng sau: Et!2=E„+C+Še'# A(B ) (1-36) B Chúng ta ứng dung kết quả này cho trường hợp mạng lập phương đơn giản, với một số giả thiết sau: - Mỗi nút mạng có một nguyên tử. —e - Chỉ tính năng lượng trao đổi với các nguyên tử (0-10) 0) Y gần nhất, số nguyên tử đó trong tỉnh thể lập phương đơn giản là 6 nguyên tử với các tọa độ như trên hình (00-1) (1-9) và được biểu diễn như sau: (10,0) (~1,0,0) ` a oe ˆ 3 p=as(0,1,0) (0,-1,0) Hình 1-9: Tọa độ các nguyên tử (0,0,1) (0,0,—1) trong mạng lập phương đơn giản. Thay ÿ vào các biểu thức đối với #!?, nhớ rằng vectơ sóng K cé các thành phần 1a K,, K,, K,, ta c6: EO) =E,+C+Al eR et eh 49 Kt rel genikut| A EM =E,+C+2A| cosK ,at+cosK ,a+cosK a |=E(K) (1-37) Trường Đại học Bách Khoa Hà Nội 27 Chương 1: Vau trúc ann ine va Cau ruc nang tuong Cua CaC Chat Dan gan điều kiện biên sẽ ít ảnh hưởng đến chuyển động của điện tử ở sâu trong mẫu.

Chúng ta có thể thay thế điểu kiện biên trên bề mặt bằng điều kiện tuần hoàn Born - Karman, điểu kiện này đòi hỏi hàm sóng ở hai điểm cách nhau một số nguyên lần chu kỳ mạng tỉnh thể luôn luôn trùng nhau. Chúng ta xét một mẫu tinh thể có hình dạng một khối chữ nhật với các cạnh là Ly Ly, Lz (Ly. Gia sử tinh thể có cấu trúc dạng lập phương đơn giản với hằng số mạng là a, taco thé viét L,=Ny.a nghia là Lị=N;.a, trong đó suy ra số nguyên tử N trong tinh thể bằng tích My.M„M; = N Chúng ta tưởng tượng rằng toàn bộ không gian trong đó chúng ta nghiên cứu lấp đầy bằng các mẫu tỉnh thể gồm N nguyên tử như thế. Khi đó điều kiện biên tuần hoàn của Born - Karman đòi hỏi hàm sóng của điện tử phải thỏa mãn phương trình sau: ự (7)=ự(+x,y,z)=W(CtE,v,y+k,,z+b,) (1-38) Hàm sóng trong tỉnh thể là hàm Block: ự (7)=ø; (F elk? Ứng dụng điều kiện Born - Karman ta có: U(x + Ly.y + Ly 2+ Lz) = ope eK tx, elk yt y elk: cL, =y(x, y,2).

Ly elfyty e%:L: Để đáp ứng điều kiện tuần hoàn Born - Karman thi: Keble: elk yey =e/:L: ~Ị hay là : K,Ly=2nn; ; K,by= 2m; ; K,L;= 2T; trong d6 7), nạ, n; là các số nguyên bất kỳ âm, dương và bằng 0, nghĩa là ta có: 21t; 27; 21; K = ; K. Ta nhận thấy rằng các thành phần K¿, Xy, K; của vếctơ sóng K thay đổi 2 không liên tục mà nhận các giá trị gián đoạn với gia số nhỏ nhất bằng AK;= =. 1 Từ đây ta cũng thấy rằng trong không gian véctơ sóng K mà cũng là không gian mạng đảo, mỗi véctơ sóng ứng với một thể tích: 3 = ¬ 2" ,2 = “ AVy= AK,.L; là thể tích mẫu tỉnh thể. Bây giờ chúng ta thử tính xem có thể có bao nhiêu giá trị K đặc trưng cho các hầm sóng độc lập không trùng nhau.

Để đơn giản ta xét bài toán một chiều: 3n, ¡——*ma Ự,g R (x)= em P4V/( x = ma ) = S6 lý w(x—ma) y 2 m m Trường Đại học Bách Khoa Hà Nội 29 Vinay 6 uu uy Wn va Cau ud Hany tUỌIIỢ Cua Cac Cnat ban dan N, N 1 pS <> — 7 Ske <7 N, Ny T T% ~r2 Xn;<=~ “XSK<= N. ———=< —: N 7 ——< —_ 2 3S aK: <q Nhu vay Ky nhan Ny gia tri khdc nhau, Ky nhan Ny giá trị K, nhận N, giá trị, nghĩa là véctơ K nhận N= xNyÑ; giá trị khác nhau, ứng với N trạng thái khác nhau. Trong ví dụ của chúng ta, đối với tỉnh thể dạng lập phương đơn giản N chính là số nguyên tử trong tinh thể. Trong mẫu tỉnh thể chứa W nguyên tử, mỗi mức năng lượng trong nguyên tử cô lập sẽ tách thành W mức năng lượng cho phép nằm rất sát nhau tạo thành vùng cho phép.

Mỗi trạng thái của điện tử như thế có véctơ sóng được đặc trưng bằng một thể tích AW„= (2n) _ (2x}` vO Na? Trong ví dụ trên, vùng Brillouin thứ nhất là một hình lập phương có cạnh bằng 2rt/a, có thể tích là: Vp = (2z/a)` =V,. Tir day ta thấy rằng: Va (2mja)` _ AW~_ (2n))ÍNa) - nghĩa là vàng Brillouin thứ nhất có thể chứa MN thể tích AV„ mà mỗi thể tích cơ bản này đặc trưng cho một trạng thái điện tử. Các vùng năng lượng cho phép sẽ được điển đầy từ thấp lên cao. Vùng cho phép điền đây toàn phần cao nhất gọi là vùng hóa trị, vùng cho phép điền đầy một phần hay trống hoàn toàn thấp nhất là vùng dẫn.

Vùng cấm tức là vùng không cho phép nằm giữa vùng hóa trị và vùng trống hoàn toàn thấp nhất (vùng dẫn) có vai trò quan trọng. Bề rộng năng lượng của vùng này gọi là bểrộng vùng:cấm AE. Sự phụ thuộc năng lượng của điện tử vào véctơ sóng ở đáy và đỉnh vùng năng lượng cho phép Các chất với phổ năng lượng chỉ có các vùng cho phép điền đầy hoàn toàn hoặc trống hoàn toàn ở nhiệt độ thấp hầu như không dẫn điện. Đó là các chất điện môi hoặc chất bán dẫn.

Sự phân chia giữa chất điện môi và chất bán dẫn hoàn toàn quy ước và căn cứ vào bề rộng vùng cấm. Các chất có bể rộng vùng cấm hẹp hơn 2,5 eV thường được coi là các chất bán dẫn. Trong các chất bán dẫn, khi nhiệt độ tăng lên, điện tử từ vùng hóa trị có thể chuyển mức lên vùng dẫn. Những điện tử có nhiều khả năng chuyển mức lên vùng dẫn thường ở đỉnh vùng hóa trị và sau khi chuyển lên vùng dẫn điện tử cũng ở lan can day ving dan.

Vi vay đối với chất bán dẫn, hành vị của điện tử ở lân cận đỉnh vùng hóa trị và đáy vùng dẫn là cực kỳ quan trọng và cũng vì thế chúng ta sẽ khảo sát sự phụ thuộc của năng lượng vào véctơ sóng K ở lân cận các cực trị đó.

Nội dung được bảo vệ bản quyền — Tải xuống đầy đủ