Đồ án tốt nghiệp: Phương pháp đảm bảo công suất tối đa của dàn pin điện mặt trời bằng thay đổi cấu trúc - Nguyễn Văn Ngọc Tú

Đồ án nghiên cứu phương pháp tối ưu hóa công suất của hệ thống dàn pin điện mặt trời thông qua việc thay đổi cấu trúc. Phân tích kỹ thuật nhằm đạt hiệu suất

Người đăng

Ẩn danh

Thể loại

Khóa luận tốt nghiệp

2020

155
1
0

Phí lưu trữ

45 Point

Tóm tắt

I. Tổng quan về pin mặt trời và phương pháp đảm bảo công suất tối đa

Pin mặt trời là thiết bị chuyển đổi quang năng thành điện năng dựa trên hiệu ứng quang điện. Trong hệ thống điện mặt trời, việc đảm bảo công suất tối đa (MPP) là yếu tố quyết định hiệu suất hoạt động. Phương pháp thay đổi cấu trúc dàn pin, hay còn gọi là tái cấu trúc (reconfiguration), là kỹ thuật điều khiển cách kết nối các tấm pin quang điện để tối ưu hóa công suất đầu ra. Kỹ thuật này đặc biệt quan trọng khi các tấm pin hoạt động trong điều kiện bức xạ không đồng đều. Các thuật toán MPPT truyền thống như Perturb and Observe hay Incremental Conductance chỉ tối ưu cho từng tấm pin riêng lẻ. Phương pháp tái cấu trúc tập trung vào tối ưu toàn bộ hệ thống. Nguyên lý cơ bản là sắp xếp lại cách ghép nối các tấm pin theo chuỗi song song để cân bằng dòng điện. Tiếp cận này mang lại hiệu quả vượt trội so với phương pháp truyền thống.

1.1. Khái niệm và nguyên lý hoạt động của pin mặt trời

Pin mặt trời quang điện (PV) gồm nhiều tế bào bán dẫn, thường là silic, có khả năng chuyển đổi ánh sáng mặt trời thành dòng điện một chiều. Khi photon có năng lượng đủ lớn chiếu vào tế bào, electron bị giải phóng và tạo ra dòng điện. Công suất đầu ra phụ thuộc trực tiếp vào cường độ bức xạ mặt trời và nhiệt độ môi trường. Mỗi tấm pin có đường đặc tính V-I với điểm công suất cực đại MPP riêng biệt. Tại điểm MPP, tích số điện áp và dòng điện đạt giá trị lớn nhất. Việc duy trì hoạt động ở điểm MPP là mục tiêu cốt lõi của mọi hệ thống điện mặt trời hiệu quả.

1.2. Vai trò của MPPT trong hệ thống điện mặt trời

MPPT (Maximum Power Point Tracking) là kỹ thuật theo dõi điểm công suất cực đại, giúp hệ thống khai thác tối đa năng lượng từ pin mặt trời. Các thuật toán MPPT liên tục điều chỉnh điện áp hoặc dòng điện để tấm pin luôn hoạt động ở điểm MPP. Phương pháp phổ biến bao gồm Perturb and Observe (P&O), Incremental Conductance và phương pháp dòng điện không đổi. Tuy nhiên, MPPT truyền thống gặp hạn chế khi các tấm pin bị che bóng hoặc bức xạ không đồng đều. Trong điều kiện này, đường đặc tính công suất xuất hiện nhiều cực đại cục bộ. Các thuật toán MPPT thông thường có thể bị kẹt tại cực đại cục bộ, bỏ qua cực đại toàn cục. Đây là lý do phương pháp tái cấu trúc ra đời để bổ sung cho MPPT.

II. Phân tích vấn đề công suất trong dàn pin mặt trời

Dàn pin mặt trời hoạt động trong điều kiện thực tế thường gặp nhiều thách thức lớn. Bóng che từ cây cối, tòa nhà, đường dây điện hoặc bụi bẩn là nguyên nhân chính gây giảm công suất. Khi một tấm pin bị che, nó trở thành tải tiêu thụ thay vì nguồn phát điện. Hiện tượng này gọi là điểm nóng (hotspot), có thể gây hư hỏng vĩnh viễn cho tấm pin. Trong cấu hình chuỗi nối tiếp truyền thống, tấm pin yếu nhất quyết định dòng điện toàn chuỗi. Điều này đồng nghĩa công suất toàn bộ hệ thống bị giảm đáng kể. Nghiên cứu cho thấy chỉ cần che 10% diện tích có thể giảm đến 50% công suất đầu ra. Biến động bức xạ theo thời gian trong ngày cũng tạo ra sự mất cân bằng giữa các tấm pin. Vào buổi sáng hoặc chiều, góc chiếu sáng khác nhau dẫn đến bức xạ nhận được khác nhau. Giải pháp truyền thống là sử dụng điốt bypass để bảo vệ, nhưng không tối ưu hóa được công suất.

2.1. Ảnh hưởng của che bóng và bức xạ không đồng đều

Che bóng là vấn đề nghiêm trọng nhất ảnh hưởng đến hiệu suất dàn pin mặt trời. Khi một phần của chuỗi pin bị che, dòng điện qua chuỗi giảm mạnh theo nguyên tắc dòng điện bằng nhau trong mạch nối tiếp. Điốt bypass chỉ giúp bảo vệ tấm pin bị che nhưng không khôi phục được công suất mất mát. Đường đặc tính công suất trong điều kiện che bóng xuất hiện nhiều đỉnh, tạo thành nhiều điểm cực đại cục bộ (local maximum) và một điểm cực đại toàn cục (global maximum). Các thuật toán MPPT truyền thống thường tìm thấy cực đại cục bộ đầu tiên và dừng lại. Kết quả là hệ thống hoạt động ở công suất thấp hơn nhiều so với tiềm năng thực tế. Che bóng một phần có thể giảm công suất từ 20% đến 70% tùy mức độ.

2.2. Hạn chế của cấu trúc cố định trong hệ thống pin mặt trời

Cấu trúc cố định nghĩa là cách kết nối các tấm pin (chuỗi, song song hoặc hỗn hợp) không thay đổi trong suốt quá trình vận hành. Cách tiếp cận này giả định tất cả tấm pin nhận bức xạ như nhau. Trong thực tế, điều kiện bức xạ thay đổi liên tục theo thời gian và vị trí địa lý. Cấu trúc cố định không thể thích ứng với sự thay đổi này. Một chuỗi nối tiếp dài dễ bị ảnh hưởng bởi tấm pin yếu nhất. Cấu trúc song song yêu cầu điện áp đồng đều, khó đạt được khi bức xạ khác nhau. Giải pháp truyền thống sử dụng bộ biến đổi DC-DC riêng cho từng chuỗi, tăng chi phí và độ phức tạp. Phương pháp tái cấu trúc thay đổi cách ghép nối trực tiếp, không cần thêm phần cứng phức tạp. Đây là hướng đi hiệu quả về chi phí để giải quyết vấn đề.

III. Phương pháp thay đổi cấu trúc để đảm bảo công suất tối đa

Phương pháp tái cấu trúc dàn pin hoạt động dựa trên nguyên lý thay đổi cách kết nối các tấm pin thông qua mạng chuyển mạch (switch matrix). Khi điều kiện bức xạ thay đổi, hệ thống thu thập dữ liệu dòng điện và điện áp từ từng tấm pin. Thuật toán xử lý dữ liệu này để ước tính bức xạ nhận được tại mỗi vị trí. Dựa trên kết quả, hệ thống tính toán cấu hình kết nối tối ưu và điều khiển các khóa chuyển mạch thực hiện thay đổi. Có nhiều chiến lược tái cấu trúc khác nhau. Phương pháp sắp xếp theo thứ tự bức xạ giảm dần (best-worst sorting) đặt tấm pin có bức xạ cao nhất cùng chuỗi với tấm pin có bức xạ thấp nhất. Điều này giúp cân bằng dòng điện giữa các chuỗi. Phương pháp của Wilson sử dụng thuật toán sắp xếp lặp đi lặp lại để tìm cấu hình tối ưu. Phương pháp của Matam cải tiến bằng cách ước tính bức xạ từ dữ liệu vận hành thực tế. Hệ thống chuyển mạch thường sử dụng các khóa bán dẫn công suất MOSFET hoặc IGBT.

3.1. Phương pháp tái cấu trúc theo nguyên lý cân bằng bức xạ

Phương pháp cân bằng bức xạ là kỹ thuật phổ biến nhất trong tái cấu trúc dàn pin. Nguyên lý cơ bản là sắp xếp các tấm pin sao cho tổng bức xạ nhận được ở mỗi chuỗi là xấp xỉ bằng nhau. Wilson đề xuất thuật toán sắp xếp theo thứ tự giảm dần, ghép cặp tấm pin bức xạ cao nhất với thấp nhất. Matam cải tiến bằng cách lấy dữ liệu dòng điện, điện áp trực tiếp từ tấm pin để ước tính bức xạ. Sau đó tìm cấu hình chuyển mạch từ cấu hình ban đầu sang cấu hình cân bằng. Thuật toán này thực hiện nhanh với số bước ít. Số lượng khóa chuyển mạch được tính theo công thức NSW = NPV.(m²-m)SPST, trong đó m là số hàng trong cấu hình. Phương pháp này giảm đáng kể số thiết bị so với ma trận chuyển mạch đầy đủ.

3.2. Thuật toán điều khiển và tối ưu hóa cấu hình kết nối

Thuật toán điều khiển là bộ não của hệ thống tái cấu trúc. Thuật toán iterative and hierarchical sorting xử lý dữ liệu bức xạ từ các cảm biến hoặc ước tính từ đặc tính V-I. Quy trình bao gồm: thu thập dữ liệu, sắp xếp theo thứ tự giảm dần, ghép cặp và điều khiển chuyển mạch. Thuật toán thực hiện trên ma trận, mỗi lần loại bỏ một hàng và lặp lại cho đến khi còn một hàng. Điểm mạnh là số bước thực hiện ít, thời gian xử lý nhanh. Thuật toán phù hợp cho cấu hình có số phần tử mỗi hàng bằng nhau. Bộ điều khiển vi xử lý như DSP hoặc FPGA thường được sử dụng để thực thi thuật toán thời gian thực. Tần số tái cấu trúc phụ thuộc vào tốc độ thay đổi bức xạ, thường từ vài giây đến vài phút một lần.

IV. Kết luận và ứng dụng của phương pháp thay đổi cấu trúc

Phương pháp thay đổi cấu trúc dàn pin mặt trời là giải pháp hiệu quả để đảm bảo công suất tối đa trong điều kiện bức xạ không đồng đều. So với phương pháp MPPT truyền thống, tái cấu trúc giúp tăng công suất từ 15% đến 30% trong điều kiện che bóng. Hệ thống chỉ yêu cầu thêm mạng chuyển mạch và bộ điều khiển, chi phí tăng không đáng kể. Công nghệ này phù hợp cho nhiều ứng dụng thực tế. Các trang trại điện mặt trời lớn có thể áp dụng để giảm ảnh hưởng của bóng che từ hàng pin trước. Hệ thống điện mặt trời trên mái nhà dân dụng cũng hưởng lợi từ công nghệ này. Tuy nhiên, vẫn còn một số thách thức cần giải quyết. Độ tin cậy của khóa chuyển mạch trong môi trường khắc nghiệt cần được cải thiện. Thuật toán cần tối ưu hóa thêm để giảm thời gian tính toán. Nghiên cứu trong tương lai hướng tới kết hợp trí tuệ nhân tạo để dự đoán và điều khiển cấu hình tự động.

4.1. Ưu điểm và hạn chế của phương pháp tái cấu trúc

Phương pháp tái cấu trúc có nhiều ưu điểm vượt trội. Thứ nhất, tăng công suất đầu ra đáng kể trong điều kiện che bóng. Thứ hai, không yêu cầu thêm bộ biến đổi DC-DC cho từng chuỗi, giảm chi phí. Thứ ba, có thể kết hợp với thuật toán MPPT để đạt hiệu quả tối đa. Thứ tư, phù hợp với nhiều loại cấu hình chuỗi song song khác nhau. Về hạn chế, hệ thống chuyển mạch tăng độ phức tạp phần cứng. Khóa chuyển mạch có thể gây tổn hao công suất và giảm độ tin cậy. Thời gian tái cấu trúc cần đủ nhanh để theo kịp thay đổi bức xạ nhưng không quá频繁 gây dao động. Chi phí bảo trì mạng chuyển mạch cũng cần được cân nhắc trong tính toán kinh tế.

4.2. Ứng dụng thực tế và triển vọng phát triển

Công nghệ tái cấu trúc dàn pin đang được nghiên cứu và ứng dụng rộng rãi. Các nhà máy điện mặt trời quy mô lớn áp dụng để tối ưu hóa sản lượng điện. Hệ thống điện mặt trời trên mái nhà tại khu vực đô thị, nơi có nhiều bóng che, đặc biệt hưởng lợi. Ngành hàng hải và vũ trụ cũng quan tâm đến công nghệ này do điều kiện bức xạ thay đổi phức tạp. Triển vọng phát triển rất hứa hẹn với sự tiến bộ của công nghệ bán dẫn công suất. Các khóa chuyển mạch SiC và GaN mới có tổn hao thấp hơn, tuổi thọ cao hơn. Kết hợp với trí tuệ nhân tạo và IoT, hệ thống có thể tự động dự đoán và thích ứng với điều kiện thời tiết. Chi phí dự kiến sẽ giảm khi công nghệ được thương mại hóa rộng rãi hơn.

Tóm tắt và mô tả trên trang này được tạo với sự hỗ trợ của AI từ nội dung tài liệu gốc; tài liệu do người dùng đóng góp và được kiểm duyệt trước khi xuất bản. Báo lỗi nội dung.

21/04/2026
Đồ án pin mặt trời tìm hiểu phương pháp đảm bảo công suất tối đa của dàn pin điện mặt trời bằng thay đổi cấu trúc

Trích đoạn nội dung tài liệu

CHƯƠNG 1 : CẤU TRÚC HỆ THỐNG NĂNG LƯỢNG MẶT TRỜI VÀ CHIẾN LƯỢC TĂNG HIÊU XUẤT LÀM VIỆC CỦA HỆ THỐNG TRONG ĐIỀU KIỆN BỊ CHE PHỦ MỘT PHẦN Trong chương này , trình bày tổng quan về hệ thống NLMT có hòa lưới bao gồm các thành phần , mô hình kết nối các thành phần cơ bản của hệ thống NLMT và các cấu trúc kết nối TPQĐ. Tiếp theo , trình bày tổng quan chiến lược tăng hiệu suất làm việc của hệ thống NLMT trong điều kiện chiếu sáng không đồng nhất cho mạch kết nối TCT và SP , dựa trên phương pháp cân bằng bức xạ. Phân tích ưu , nhược điểm các phương pháp của các nghiên cứu khác , từ đó xây dựng định hướng nghiên cứu cho đồ án. Chiến lược tăng hiệu suất làm việc cho hệ thống NLMT trong điều kiện bị che phủ một phần được tác giả phân tích và công bố tại ( CT1 .1: Tổng Quan Về Hệ Thống Năng Lượng Mặt Trời 1.1: Năng lượng mặt trời Mặt trời là ngôi sao ở trung tâm hệ mặt trời,chiếm khoản 99,86% khối lượng của hệ mặt trời.

Trái đất và các thiên thể khác như các hành tinh, tiểu hành tinh ,thiên thạch,sao chổi và bụi quay quanh mặt trời. Khoảng cách trung bình giữa mặt trời và trái đất xấp xỉ 149,6 triệu kilomet ( 1 đơn vị thiên văn AU ) nên ánh sáng mặt trời cần 8 phút 19 giây mới đến được trái đất. Năng lượng mặt trời ở dạng sáng hỗ trợ cho gần hết sự sống trên trái đất thông qua quá trình quang hợp, và điều khiển khí hậu cũng như thời tiết trên trái đất. Thành phần của mặt trời gôm Hydro ( khoảng74% khối lượng, 92% thể tích ), heli ( khoảng24% khối lượng, 7% thể tích ), và một lượng nhỏ các nguyên tố khác, gồm sắt, nickel, oxi, silic, lưu huỳnh, magie, carbon, neon, canxi, và crom.

2 Mặt trời có bề mặt xấp xỉ 5. Quang phổ của bức xạ mặt trời ở trong không gian và ở trên trái đất thể hiện trong hình 1-1. Hình 1-1: Quang phổ của bức xạ mặt trời trong không gian và trên trái đất (màu xanh) [11] 1.2: Bức xạ mặt trời Trái đất quay quanh mặt trời mỗi vòng mất 365.2 ngày, tại một thời điểm một nửa trái đất được chiếu sáng bởi mặt trời. Khi bức xạ mặt trời chiếu vào bầu khí quyển trái đất, bầu khí quyển sẽ hấp thu tia cực tím (UV) và tia hồng ngoại, chỉ cho phép bức xạ mặt trời có bước song giao động từ 0.

Bức xạ mặt trời là nặng lượng mặt trời nhận được trên diện tích bề mặt đơn vị được tính bằng Wat/m2. Phần bức xạ năng lượng mặt trời truyền tới bề mặt trái đất trong những ngày quang đãng ở thời điểm cao nhất khoảng 1. Yếu tố cơ bản xác định cường độ của bức xạ mặt trời ở một thời điểm nào đó trên trái đất là quãng đường nó đi qua. Sự mất mát năng 3 lượng trên quãng đường đó gắn liền với sự tán xạ và phụ thuộc vào thời gian trong ngày, mùa , vị trí địa lý.

Hình 1-2: Quá trình truyền năng lượng bức xạ mặt trời qua lớp khí quyển trái đất [12] 1.3: Điện mặt trời Điện mặt trời là chuyển đổi ánh sáng mặt trơi thành điện, chuyển đổi trực tiếp bằng cách sử dụng tấm pin quang điện (TPQĐ), chuyển đổi gián tiếp bằng cách sử dụng điện mặt trời tập trung (ĐMTTT). Hệ thông ĐMTTT sử dụng ống kính, gương và các hệ thống theo dõi để tập trung một khu vục rộng lớn cảu ánh sáng mặt trời vào một chùm nhỏ. TPQĐ 4 chuyển đổi ánh sáng thành dòng điện bằng cách sử dụng hiệu ứng quang điện. Nhiệt tập trung vào đó được sử dụng như một nguồn năng lượng cho một nhà máy điện thông thường.

Các nhà máy ĐMTTT thương mại được phát triển đầu tiên vào nhưng năm 1980, CSP SEGS354MW là nhà máy ĐMTTT lớn nhất thế giới và nằm ở sa mạc Mojave của California. Các nhà máy ĐMTTT lớn khác gồm nhà máy điện mặt trời Solnova (150 MK) và nhà máy điện mặt trời Andasol (100 MK), cả hai ở Tây Ban Nha. Nhà máy quang điện Sarnia Canada là nhà máy quang điện lớn nhất thế giới. TPQĐ là một thiết bị quang điện bao gôm nhiều tế bào quang điện, chuyển đổi ánh sáng thành dòng điện bằng cách sử dụng hiệu ứng quang điện.

phần sau đây, mô tả định nghĩa về tấm pin quang điện, hiệu ứng quang điện, các thông số cơ bản về tết bào quang điện, tấm pin quang điện.1: Tế bào quang điện Ngày nay vật liệu chủ yếu chế tạo pin nặng lượng mặt trời ( và cho các thiết bị bán dẫn ) là silic dạng tinh thể. Hoạt động của pin năng lượng mặt trời được chia làm 3 giai đoạn (Hình 1-3). - Đầu tiên năng lượng từ photon ánh sáng được hấp thụ và hình thành các cặp electron-hole trong chất bán dẫn. - Các cặp electron-hole sau đó bị phân chia bởi ngăn cách tạo bởi các loại chất bán dẫn khác nhau (p-n junction).

Hiệu ứng này tạo nên hiệu điện thế của pin mặt trời - Pin mặt trời sau đó được nối trực tiếp vào mạch ngoài và tạo nên dòng điện. 5 Hình 1-3: Hiệu ứng quang điện[13] 1.2: Đặc tính Dòng điện – Điện áp ( I - V ) và Công suất – Điện áp ( P – V ) Đường cong đặc tính I-V thể hiện tất cả các điểm vận hành và mối tương quan giữa dòng điện – điện áp của tế bảo quang điện (TBQĐ). Đường cong này được tạo ra bằng các thay đổi giá trị phụ tải của TBQĐ trong phòng thí nghiệm. Ví dụ như trong (Hình 1-4) là đường đặc tính dòng điện – điện áp của TPQĐ.

Điểm vận hành thể hiện trong đường đặc tính I-V phụ thuộc vào phụ tải của TBQĐ. Đường cong đặc tính P-V tương ứng dược tính theo công thức P=V*I. 6 Hình 1-4: Đặc tính dong điện–Điện áp (I-V) và Công suất - Điện áp (P-V) của tế bào quang điện [14] Công suất của TBQD chịu ảnh hưởng rất lớn từ mức độ ánh sáng mặt trời. Các TPQĐ khi nhận được nhiều ánh sáng sẽ cho công suất cao hơn[15].

Hình 1-5 thể hiện mối quan hệ giữa dòng điện – điện áp và mức độ bức xạ mặt trời. Bức xạ mặt trời càng lớn thì công suất tạo ra bởi công suất càng cao. Hình 1-5: Ảnh hưởng của ánh sáng mặt trời đến đường cong đặc tính dòng điện – điện áp[15] 7 Các TBQĐ khi hoạt động chịu ảnh hưởng lớn từ nhiệt độ xung quanh. Dòng ngắn mạch tăng nhẹ khi nhiệt độ cao hơn so với tiêu chẩn (25oC).

Tuy nhiên dòng mở mạch lại bị ảnh hưởng rất lớn khi nhiệt độ TPQĐ vượt quá 25oC. Như vậy, mặc dù dòng điện tăng nhưng không đáng kể so với điện áp giảm dẫn đến công suất của TPQĐ giảm [15]. Hình 1-6 giải thích mối lien hệ giữa đường cong đặc tính dòng điện – điện áp và sự thay đổi của nhiệt độ. Khi nhiệt độ tăng thì công suất của TPQĐ sẽ giảm.

Hình 1-6: Ảnh hưởng của nhiệt độ đến đường cong đặc tính dòng điện – điện áp [15] 1.3: Mô hình toán học của tế bào quang điện Tế bào quang điện (TBQĐ) (solar cells) – là phần tử bán dẫn [16]có chứa trên bề mặt số lượng lớn các cảm biến ánh sáng là diode quang, thực hiện biến đổi năng lượng ánh sáng thành năng lượng điện. TBQĐ có thể được biểu diễn bởi mạch điện trong (Hình 1-7). Mối liên hệ giữa dòng điện – điện áp được phân tích trong công thức (1-1) 𝑞(𝑉−1𝑅𝑠 𝑉−𝐼𝑅𝑆 𝐼 = 𝐼𝐿 − 𝐼0 (𝑒 𝐴𝑘𝑇 − 1) − (1.1) 𝑅𝑆𝐻 8 Trong đó: I : Dòng điện của TBQĐ k : Hằng số Boltzamann V : Điện áp của TBQĐ T : Nhiệt độ tuyệt đối I0 : Dòng bão hòa RS : Điện trở nối tiếp q : Điện tích electron RSH : Điện trở song song A : Hệ số chất lượng của diode Hình 1-7: Mạch điện của tế bào quang điện [16] 1.4: Tấm pin quang điện ( TPQĐ ) Một TPQĐ được kết nối bởi nhiều TBQĐ , chúng được kết nối nối tiếp và song song , số lượng TBQĐ tùy thuộc vào yêu cầu của hệ thống. Trong những mô hình TPQĐ đơn giản , ảnh hưởng của điện trở song song là không đáng kể , RSH là giá trị vô cùng lớn do đó đặc tính dòng điện - điện áp của TPQĐ được thu gọn trong công thức (1-2).

Với np và n lần lượt là số TBQĐ mắc song song và nổi tiếp trong TPQĐ [17].5: Điện áp mở mạch, dòng ngắn mạch và điểm công suất cực đại (MPP) Trong biểu đồ đặc tính dòng điện – điện áp có 2 điểm quan trọng là điện áp mở mạch Voc và điện áp ngắn mạch Ioc. Ở cả 2 điểm làm việc này, công suất cảu hệ thống NLMT đều bằng 0 , Voc có thể được tính bằng công thức (1-3) khi dòng điện của TBQĐ bằng 0. Dòng ngắn mạch Ioc tại V=0 cũng có thể được tính bằng IL theo công thức (1-4).4) Điểm làm việc cho công suất cực đại của TBQĐ trong đồ thị đặc tính dòng điện – điện áp là điểm có giá trị P=V*I lớn nhất. Điểm này được gọi là điểm công suất cực đại (MPP) và có duy nhất 1 điểm trong đồ thị (Hình 1-8).

Hình 1-8: Điểm công suất cực đại (MPP) trong biểu đồ đặc tính dòng điện – điện áp của TPQĐ [18] 10 1.6: Blocking diode và bypass diode trong TPQĐ Hình 1-9: Vị trí Bypass Diode và Blocking diode trong kết nối TPQĐ [19] Diode được hiểu đơn giản là thiết bị có 2 chân, có tác dụng định hướng, chỉ cho dòng điện chạy theo 1 chiều. Chúng được làm từ chất bán dẫn, thông thường là silicon, hoặc các chất tương tự như selen, gecmani. Hình 1-10 là diode với 2 chân anode và cathode. Dòng điện chỉ có thể chạy theo chiều từ Anode sang Cathode, mà không thể chạy theo chiều ngược lại.

Hình 1-10 : Chân anode và cathode của diode [20] 11 Hình 1-9 : thể hiện vị trí của Bypass diode và Blocking diode trong kết nối TPQĐ Blocking diode chỉ cho phép dòng điện từ tấm pin mặt trời sang thiết bị lưu trữ nhưng ngăn cản dòng ngược trở lại từ thiết bị lưu trữ trở ngược lại tấm pin , giúp ngăn dòng xã từ ắc quy sang tấm pin và giúp lưu trữ năng lượng tốt hơn. Trong trường hợp có nhiều dãy pin nối song song , nó cũng có tác dụng ngăn cản dòng điện chạy ngược từ nhiều dãy vào một dãy pin khi một dãy xảy ra lỗi ngắn mạch hay rò điện .

Nội dung được bảo vệ bản quyền — Tải xuống đầy đủ