I. Tổng quan về điện cực BiVO4 tại ĐH Khoa học Thái Nguyên
Bismuth vanadate (BiVO4) là vật liệu bán dẫn oxit kim loại nhóm n tiêu biểu trong công nghệ chuyển hóa năng lượng mặt trời. Nghiên cứu tại Trường Đại học Khoa học – Đại học Thái Nguyên tập trung làm rõ tính chất cấu trúc và quang học của điện cực BiVO4. Vật liệu này sở hữu độ rộng vùng cấm quang học xấp xỉ 2,4 eV. Mức năng lượng này cho phép điện cực hấp thụ dải phổ rộng trong vùng ánh sáng khả kiến chiếm khoảng 43% năng lượng bức xạ mặt trời. Cấu trúc tinh thể đơn tà scheelite (monoclinic scheelite) của BiVO4 thể hiện hoạt tính xúc tác vượt trội so với các pha tinh thể khác như zircon hay tetragonal. Vị trí đáy vùng dẫn nằm sát thế khử hydro, trong khi đỉnh vùng hóa trị có thế oxy hóa rất dương. Đặc điểm này tạo động lực hóa học mạnh mẽ cho phản ứng oxy hóa nước tạo oxy. Tuy nhiên, tính chất chuyển dời hạt tải điện khối và độ dẫn điện nội tại thấp là các hạn chế cốt lõi. Luận văn thạc sĩ tại Đại học Khoa học Thái Nguyên đã hệ thống hóa cơ sở lý thuyết, phân tích chi tiết cơ chế kích thích quang sinh và phân tách điện tích trên bề mặt tiếp xúc giữa màng bán dẫn và dung dịch điện ly.
1.1. Cấu trúc pha tinh thể và vùng năng lượng của BiVO4
BiVO4 tồn tại ở ba pha cấu trúc tinh thể chính gồm monoclinic scheelite, tetragonal scheelite và tetragonal zircon. Trong ba cấu trúc, pha monoclinic scheelite thể hiện hoạt tính quang điện hóa phân ly nước cao nhất. Sự biến dạng mạng tinh thể trong pha đơn tà này làm tăng mức độ xen phủ giữa các vân đạo Bi 6s và O 2p. Hiện tượng này thu hẹp dải vùng cấm xuống mức 2,4 eV. Vị trí đỉnh vùng hóa trị đạt khoảng 2,4 V so với điện cực hydro tiêu chuẩn (RHE). Nhờ đó, vật liệu tạo ra thế oxy hóa đủ mạnh để kích hoạt phản ứng sinh oxy từ nước. Đáy vùng dẫn nằm gần 0 V so với RHE, hỗ trợ quá trình phân tách electron và lỗ trống quang sinh diễn ra thuận lợi dưới nguồn sáng mô phỏng mặt trời.
1.2. Cơ chế quang xúc tác oxy hóa nước của màng BiVO4
Cơ chế quang điện hóa của BiVO4 khởi đầu khi photon ánh sáng có năng lượng lớn hơn vùng cấm chiếu vào màng bán dẫn. Electron ở vùng hóa trị bị kích thích nhảy lên vùng dẫn, để lại lỗ trống mang điện tích dương. Dưới tác dụng của gradient thế tại vùng điện tích không gian, electron di chuyển vào đế dẫn FTO rồi truyền sang cathode kim loại để khử proton thành khí hydro. Cùng lúc đó, các lỗ trống quang sinh di chuyển ra mặt tiếp xúc bán dẫn và chất điện ly để thực hiện phản ứng oxy hóa bốn electron. Phản ứng này biến đổi các phân tử nước thành oxy phân tử và ion hydro. Hiệu suất chuyển đổi phụ thuộc chặt chẽ vào vận tốc truyền dẫn hạt tải điện và tốc độ phản ứng oxy hóa tại giao diện tiếp xúc.
II. Vấn đề quang điện hóa của điện cực BiVO4 trong phân ly nước
Mặc dù BiVO4 sở hữu vùng cấm lý tưởng, hiệu suất thực tế của vật liệu thường thấp hơn nhiều so với giới hạn lý thuyết 7,5 mA/cm2. Nghiên cứu thực nghiệm chỉ ra ba rào cản vật lý chính kìm hãm hiệu quả quang điện hóa. Đầu tiên là khoảng cách khuếch tán của lỗ trống quang sinh rất ngắn, chỉ dao động từ 70 nm đến 100 nm. Con số này nhỏ hơn đáng kể so với độ sâu hấp thụ ánh sáng khoảng vài trăm nanomet. Khi lớp màng quá dày, lỗ trống sinh ra ở sâu bên trong dễ tái hợp với electron trước khi tới bề mặt. Thứ hai, độ dẫn điện khối của BiVO4 thuần rất kém do khối lượng hiệu dụng của hạt tải điện lớn và độ linh động thấp. Electron di chuyển chậm qua các lớp tiếp xúc, dẫn đến điện trở nội của màng tăng vọt. Thứ ba, động học phản ứng oxy hóa nước tại mặt phân giới diễn ra chậm chạp. Các trạng thái bẫy bề mặt giữ lại hạt mang điện, gây thất thoát năng lượng qua kênh tái hợp không bức xạ. Do vậy, kiểm soát chính xác độ dày và cấu trúc màng là yêu cầu then chốt để cân bằng giữa khả năng hấp thụ quang học và quãng đường khuếch tán.
2.1. Quãng đường khuếch tán lỗ trống ngắn gây tái hợp
Đặc tính vật lý giới hạn lớn nhất của BiVO4 là quãng đường khuếch tán ngắn của lỗ trống quang sinh. Khoảng cách di chuyển hiệu dụng này chỉ đạt từ 70 nm đến 100 nm. Trong khi đó, độ sâu hấp thụ ánh sáng ở bước sóng khả kiến đòi hỏi độ dày lớp màng phải đạt từ 300 nm đến 500 nm để thu nhận toàn bộ năng lượng photon. Sự mất cân bằng này dẫn đến hiện tượng phần lớn lỗ trống tạo ra ở sâu trong khối màng không thể tới mặt tiếp xúc điện ly. Chúng nhanh chóng tái hợp với electron quang sinh và giải phóng nhiệt. Hậu quả trực tiếp là làm giảm mạnh lượng dòng quang sinh và hiệu suất chuyển đổi lượng tử của toàn bộ hệ điện cực.
2.2. Nhược điểm của các phương pháp chế tạo truyền thống
Các phương pháp chế tạo màng truyền thống như phân hủy kim loại hữu cơ (MOD) hay quay phủ tồn tại nhiều nhược điểm. Kỹ thuật MOD đòi hỏi dung dịch tiền chất hữu cơ đắt tiền và xử lý nhiệt phức tạp. Quá trình bay hơi dung môi dễ tạo khuyết tật mạng và lỗ rỗng không đồng đều, làm giảm độ lặp lại giữa các mẻ chế tạo. Phương pháp quay phủ chỉ phù hợp với mẫu kích thước nhỏ, gây lãng phí hóa chất và khó mở rộng quy mô công nghiệp. Trong khi đó, kỹ thuật lắng đọng điện hóa yêu cầu hệ thiết bị kiểm soát thế phức tạp và kiểm soát nghiêm ngặt môi trường dung dịch. Những trở ngại này thúc đẩy việc tìm kiếm phương pháp hóa học đơn giản hơn.
III. Phương pháp chế tạo điện cực BiVO4 bằng kỹ thuật cán màng
Để khắc phục hạn chế của các phương pháp cũ, nghiên cứu tại Đại học Khoa học Thái Nguyên áp dụng quy trình tổng hợp hóa học kết hợp cán màng. Phương pháp này gồm các giai đoạn chuẩn bị tiền chất, tạo mực in và gia công nhiệt. Đầu tiên, vật liệu tiền chất bismuth oxyiodide (BiOI) được tổng hợp bằng kỹ thuật khuếch tán khí amoniac (NH3). Cấu trúc dạng tấm mỏng micro của BiOI đóng vai trò khung định hình lý tưởng. Tiếp theo, bột BiOI được phân tán đồng đều vào dung môi cùng tiền chất vanadi VO(acac)2 để tạo thành hệ mực sệt. Hỗn hợp mực tiền chất được quét trải lên đế thủy tinh dẫn điện FTO bằng dao cán Doctor Blade. Người thực hiện có thể chủ động điều chỉnh khoảng cách dao từ 20 µm đến 100 µm để thay đổi độ dày màng từ 1,1 µm đến 2,6 µm. Mẫu sau khi cán được nung ở 450 độ C trong không khí để chuyển hóa hoàn toàn BiOI và tiền chất V thành màng bán dẫn BiVO4 pha đơn tà. Kỹ thuật cán màng đảm bảo độ đồng đều cao trên diện tích lớn, giảm chi phí thiết bị và cho phép kiểm soát vi cấu trúc một cách chính xác.
3.1. Tổng hợp BiOI bằng kỹ thuật khuếch tán khí NH3
Quy trình tổng hợp BiOI bắt đầu bằng việc hòa tan bismuth nitrat pentahydrat Bi(NO3)3.5H2O và kali iodua KI trong dung dịch nước khử ion. Bình phản ứng chứa dung dịch tiền chất được đặt trong môi trường kín có chứa dung dịch amoniac đậm đặc. Khí NH3 bay hơi và khuếch tán từ từ vào pha lỏng. Quá trình khuếch tán chậm rãi làm tăng độ pH của dung dịch một cách đồng nhất. Nhờ vậy, phản ứng kết tủa tinh thể BiOI diễn ra có kiểm soát, tạo ra các hạt dạng vi phiến mỏng xếp lớp đồng đều. Kỹ thuật khuếch tán NH3 giúp loại bỏ hiện tượng quá bão hòa cục bộ. Tinh thể BiOI thu được có độ kết tinh cao, hình thái vi phiến sắc nét và phân bố kích thước hạt rất đồng đều.
3.2. Chế tạo mực tiền chất và quy trình nung biến đổi pha
Bột BiOI sau khi sấy khô được nghiền mịn và phối trộn với dung dịch chứa vanadyl acetylacetonate VO(acac)2 theo tỷ lệ mol Bi:V chuẩn xác. Hỗn hợp được bổ sung chất kết dính hữu cơ ethyl cellulose và dung môi terpineol nhằm tạo thành hệ mực có độ nhớt phù hợp. Mực tiền chất được phủ lên bề mặt đế FTO thông qua dao gạt định vị khe hở. Sau giai đoạn sấy màng sơ bộ ở 80 độ C, phiến mẫu được nung trong lò nung ở 450 độ C trong 2 giờ. Dưới tác động nhiệt phân, ion vanadi phản ứng trực tiếp với mạng lưới BiOI, đồng thời giải phóng khí iod I2 bay hơi. Quá trình chuyển hóa pha diễn ra hoàn chỉnh, tạo nên lớp màng BiVO4 đơn tà bám dính chắc chắn trên nền dẫn FTO.
IV. Ứng dụng điện cực BiVO4 từ nghiên cứu ĐH Khoa học Thái Nguyên
Kết quả nghiên cứu thực nghiệm khẳng định hoạt tính quang điện hóa vượt trội của anode BiVO4 chế tạo bằng phương pháp cán màng. Trong dung dịch đệm kali photphat (KPi) nồng độ 0,1 M dưới điều kiện chiếu sáng chuẩn AM 1.5G, điện cực BiVO4 thuần đạt mật độ dòng quang sinh ấn tượng 0,55 mA/cm2 tại thế phân cực 1,23 V so với RHE. Mức dòng này tương đương hoặc vượt trội so với nhiều mẫu chế tạo bằng kỹ thuật MOD hay thủy nhiệt truyền thống mà chưa cần bổ sung xúc tác bề mặt. Độ dày màng vật liệu đóng vai trò quyết định tới hoạt tính. Màng có độ dày tối ưu khoảng 1,5 µm đạt sự cân bằng hoàn hảo giữa khả năng bắt giữ ánh sáng và hiệu suất trích xuất lỗ trống quang sinh. Độ ổn định quang hóa theo thời gian được kiểm chứng qua các phép đo chronoamperometry liên tục. Thành công của công trình mở ra hướng ứng dụng tiềm năng trong các module pin quang điện hóa sản xuất khí hydro sạch quy mô lớn. Ngoài ra, vật liệu cũng có thể ứng dụng trong xử lý các hợp chất hữu cơ độc hại trong môi trường nước bằng năng lượng mặt trời.
4.1. Hiệu suất quang điện hóa và ảnh hưởng của độ dày màng
Khảo sát mối quan hệ giữa độ dày lớp vật liệu và hoạt tính quang điện hóa cho thấy kết quả rõ nét. Khi độ dày màng tăng từ 1,1 µm lên khoảng 1,5 µm, mật độ dòng quang tăng dần từ 0,38 mA/cm2 lên đỉnh 0,55 mA/cm2 tại 1,23 V so với RHE. Hiện tượng này xuất phát từ việc gia tăng khối lượng vật liệu giúp hấp thụ nhiều photon ánh sáng hơn. Tuy nhiên, khi độ dày vượt quá 1,8 µm và đạt tới 2,6 µm, dòng quang sinh suy giảm rõ rệt. Lớp màng quá dày kéo dài quãng đường di chuyển của hạt tải điện, khiến tốc độ tái hợp electron và lỗ trống tăng vọt. Mức 1,5 µm là độ dày tối ưu để đảm bảo khả năng truyền điện tích hiệu quả nhất.
4.2. Định hướng phát triển anode quang sản xuất hydro sạch
Thành công trong việc chế tạo màng BiVO4 bằng kỹ thuật cán mở ra triển vọng lớn cho các nghiên cứu tiếp theo. Để nâng cao hơn nữa hiệu suất phân tách điện tích, vật liệu có thể được pha tạp các nguyên tố kim loại như vonfam (W), molypden (Mo) hoặc titan (Ti). Các tạp chất này đóng vai trò chất cho electron, giúp tăng độ dẫn điện khối của bán dẫn. Bên cạnh đó, việc biến tính bề mặt bằng lớp đồng xúc tác oxy hóa như Co-Pi, FeOOH hay NiOOH sẽ đẩy nhanh động học phản ứng oxy hóa nước. Sự kết hợp giữa kỹ thuật cán màng diện tích lớn và biến tính hóa học tạo tiền đề vững chắc cho việc thiết kế các module pin quang điện hóa thực tế.