Ứng Dụng Quang Học Hạt Điện Tích: Nghiên Cứu của Helmut Liebl (2008)

Khám phá quang học hạt tích điện trong cuốn "Helmut Liebl Applied Charged Particle Optics" (Springer, 2008). Lý thuyết, ứng dụng, thiết kế hệ thống quang học.

Trường đại học

Viện Vật lý Plasma Max Planck, Đại học Kỹ thuật Munich

Chuyên ngành

Vật lý

Người đăng

Ẩn danh

Thể loại

Sách chuyên khảo

2008

136
1
0

Phí lưu trữ

35 Point

Mục lục chi tiết

1. Lenses: Basic Optics

1.1. Simple Transfer Matrices

1.2. Passage of Charged Particles Through a Uniform Electrostatic Field

1.3. Transfer Matrix of the Uniform Field

1.4. Acceleration of Charged Particles Emitted from a Planar Surface

1.5. Transfer Matrix of Electrostatic Field Between Spherical Concentric Equipotential Surfaces

1.6. Acceleration of Charged Particles Emitted from a Spherical Surface

2. Electrostatic Deflection

2.1. Parallel Plate Condenser

2.2. General Toroidal Condenser

3. Magnetic Deflection

3.1. Small Deflection Angles

3.2. Magnetic Sector Fields

3.3. Axial Focusing with Uniform Magnetic Sector Field

3.4. Non-Uniform Magnetic Sector Fields

3.5. Uniform Magnetic Sector Fields

3.6. Non-Uniform Magnetic Sector Fields

5. Fringe Field Confinement

5.1. Emission Lens Combined with Optical Mirror Objective Lens

5.2. Combined Objective and Emission Lens

5.3. Dynamic Emittance Matching

5.4. Energy Analyzer for Parallel Beam with Coinciding Entrance and Exit Axes

5.5. Elimination of Transverse Image Aberrations of Sector Fields

5.6. Energy-Focusing Mass Spectrometers

Tóm tắt

I. Quang Học Hạt Điện Tích Tổng Quan Về Nguyên Lý và Ứng Dụng

Quang học hạt điện tích nghiên cứu tương tác ánh sáng vật chất ở cấp độ hạt điện tích. Lĩnh vực này kết hợp các nguyên lý của quang học, cơ học lượng tử, và điện từ học để giải thích và ứng dụng các hiện tượng liên quan đến photonelectron. Khác với quang học cổ điển tập trung vào tính chất sóng của ánh sáng, quang học hạt điện tích đi sâu vào tính chất hạt và sự tương tác của ánh sáng với các hạt mang điện. Các hiện tượng như hiệu ứng quang điện, phát xạ quang điện, và hấp thụ ánh sáng được giải thích dựa trên mô hình hạt của ánh sáng. Tài liệu gốc đề cập đến việc nghiên cứu này tập trung vào các ứng dụng như kính hiển vi phát xạ, hệ thống chùm ion và electron ở dải năng lượng dưới 20 keV. Theo Liebl, mục đích chính là giúp các nhà vật lý thiết kế thiết bị hoặc hiểu rõ hơn về các công cụ họ sử dụng, bao gồm cả những tham khảo từ những năm 1930. Ứng dụng của quang học hạt điện tích rất đa dạng, từ tế bào quang điện trong năng lượng mặt trời đến lasercảm biến ánh sáng. Sự hiểu biết sâu sắc về quang học hạt điện tích là nền tảng cho nhiều công nghệ hiện đại và tiếp tục là một lĩnh vực nghiên cứu năng động với nhiều tiềm năng phát triển. Năng lượng photon là yếu tố then chốt trong các tương tác này, quyết định khả năng electron bị kích thích và giải phóng.

1.1. Lưỡng Tính Sóng Hạt Nền Tảng Của Quang Học Hạt Điện Tích

Ánh sáng thể hiện cả tính chất sóng và hạt (lưỡng tính sóng hạt). Trong quang học hạt điện tích, tính chất hạt được nhấn mạnh, với ánh sáng được coi là dòng các photon mang năng lượng xác định. Năng lượng photon tỉ lệ thuận với tần số của ánh sáng và tỉ lệ nghịch với bước sóng. Tính chất sóng vẫn đóng vai trò quan trọng trong việc xác định sự lan truyền và giao thoa của ánh sáng, nhưng các tương tác cụ thể với vật chất được giải thích bằng sự trao đổi năng lượng giữa photonelectron.

1.2. Các Hiện Tượng Quang Điện Cơ Bản Hấp Thụ Phát Xạ và Tán Xạ

Hấp thụ ánh sáng xảy ra khi một photon tương tác với một electron trong vật chất, truyền năng lượng cho electron và làm nó nhảy lên mức năng lượng cao hơn. Phát xạ quang điện là quá trình ngược lại, trong đó một electron mất năng lượng và phát ra một photon. Tán xạ ánh sáng xảy ra khi photon bị lệch hướng khi tương tác với vật chất, mà không làm thay đổi đáng kể năng lượng của nó. Các hiện tượng này là cơ sở của nhiều ứng dụng quang học hạt điện tích.

II. Hiệu Ứng Quang Điện Cách Ánh Sáng Giải Phóng Electron

Hiệu ứng quang điện là hiện tượng electron bị phát ra khỏi bề mặt vật chất khi bị chiếu sáng. Einstein giải thích hiệu ứng này bằng cách cho rằng ánh sáng được tạo thành từ các photon, mỗi photon mang một năng lượng nhất định. Khi một photon va chạm với một electron, nó có thể truyền năng lượng cho electron. Nếu năng lượng của photon đủ lớn, electron có thể vượt qua lực liên kết của vật chất và thoát ra ngoài. Năng lượng tối thiểu cần thiết để giải phóng electron được gọi là công thoát. Phát xạ quang điện có nhiều ứng dụng quan trọng, bao gồm tế bào quang điện, cảm biến ánh sáng, và quang điện tử. Tài liệu gốc không đi sâu vào hiệu ứng quang điện một cách cụ thể, tuy nhiên đây là một trong những minh chứng quan trọng nhất cho tính chất hạt của ánh sáng. Hiểu rõ hiệu ứng này giúp ta thiết kế và tối ưu hóa các thiết bị sử dụng năng lượng mặt trời và các ứng dụng khác liên quan đến quang điện tử.

2.1. Định Luật Einstein Về Hiệu Ứng Quang Điện Năng Lượng và Tần Số

Định luật Einstein về hiệu ứng quang điện phát biểu rằng năng lượng của electron phát ra tỉ lệ thuận với tần số của ánh sáng chiếu vào, và độc lập với cường độ ánh sáng. Điều này chứng minh rằng ánh sáng được lượng tử hóa thành các photon, mỗi photon mang một năng lượng bằng hf, trong đó h là hằng số Planck và f là tần số của ánh sáng. Công thoát của vật liệu quyết định tần số tối thiểu cần thiết để xảy ra hiệu ứng quang điện.

2.2. Ứng Dụng Của Hiệu Ứng Quang Điện Trong Cảm Biến Ánh Sáng và Tế Bào Quang Điện

Cảm biến ánh sáng sử dụng hiệu ứng quang điện để chuyển đổi ánh sáng thành tín hiệu điện. Khi ánh sáng chiếu vào bề mặt của cảm biến, electron bị phát ra và tạo ra dòng điện. Cường độ dòng điện tỉ lệ thuận với cường độ ánh sáng. Tế bào quang điện sử dụng hiệu ứng quang điện để chuyển đổi ánh sáng mặt trời thành điện năng. Các tế bào này sử dụng chất bán dẫn để tạo ra một điện trường, giúp tách các electron và lỗ trống, tạo ra dòng điện.

III. Laser và Quang Học Hạt Điện Tích Bí Quyết Tạo Ra Ánh Sáng Mạnh

Laser là một nguồn ánh sáng đặc biệt, tạo ra ánh sáng đơn sắc, định hướng, và có cường độ cao. Nguyên lý hoạt động của laser dựa trên phát xạ cưỡng bức, một hiện tượng cơ học lượng tử trong đó một photon kích thích một nguyên tử đang ở trạng thái kích thích phát ra một photon khác giống hệt nó. Để tạo ra phát xạ laser, cần phải đạt được trạng thái đảo ngược dân số, trong đó số lượng nguyên tử ở trạng thái kích thích lớn hơn số lượng nguyên tử ở trạng thái cơ bản. Laser có nhiều ứng dụng trong y học, công nghiệp, và khoa học. Liebl đề cập đến việc thiết kế và hiểu các hệ thống laser trong phạm vi năng lượng cụ thể. Quang học phi tuyến đóng vai trò quan trọng trong việc tạo ra các loại laser đặc biệt với các tính chất độc đáo.

3.1. Phát Xạ Cưỡng Bức Nguyên Lý Hoạt Động Của Laser

Phát xạ cưỡng bức là quá trình quan trọng trong hoạt động của laser. Khi một photon tương tác với một nguyên tử đang ở trạng thái kích thích, nó có thể kích thích nguyên tử đó phát ra một photon khác giống hệt nó về năng lượng, pha, và hướng. Quá trình này tạo ra sự khuếch đại ánh sáng trong laser.

3.2. Ứng Dụng Của Laser Trong Y Học Công Nghiệp và Khoa Học

Laser có nhiều ứng dụng quan trọng trong nhiều lĩnh vực khác nhau. Trong y học, laser được sử dụng để phẫu thuật, điều trị các bệnh về mắt, và trong chẩn đoán hình ảnh. Trong công nghiệp, laser được sử dụng để cắt, hàn, và khắc vật liệu. Trong khoa học, laser được sử dụng để nghiên cứu vật lý lượng tử, quang phổ học, và trong các thí nghiệm khoa học khác.

IV. Vật Lý Lượng Tử và Quang Học Hạt Điện Tích Mối Liên Hệ Sâu Sắc

Quang học hạt điện tích dựa trên các nguyên lý của vật lý lượng tử, đặc biệt là lý thuyết lượng tử hóa ánh sáng và mô tả electron như các hạt có tính chất sóng. Các khái niệm như hàm sóng, trạng thái lượng tử, và nguyên lý bất định Heisenberg đóng vai trò quan trọng trong việc hiểu các hiện tượng quang học hạt điện tích. Các mô hình nguyên tử hiện đại, dựa trên cơ học lượng tử, cung cấp một cái nhìn chi tiết về cấu trúc và năng lượng của các electron trong nguyên tử, giúp giải thích sự tương tác của ánh sáng với vật chất. Liebl không trực tiếp đề cập đến mối liên hệ này, nhưng cơ sở lý thuyết của quang học hạt điện tích hoàn toàn dựa trên các khám phá của vật lý lượng tử.

4.1. Hàm Sóng và Trạng Thái Lượng Tử Mô Tả Electron Trong Nguyên Tử

Trong cơ học lượng tử, electron được mô tả bằng hàm sóng, một hàm toán học cho biết xác suất tìm thấy electron tại một vị trí nhất định trong không gian. Các electron trong nguyên tử chỉ có thể tồn tại ở các trạng thái lượng tử xác định, mỗi trạng thái có một năng lượng cụ thể. Sự chuyển đổi giữa các trạng thái lượng tử này dẫn đến sự hấp thụ hoặc phát xạ ánh sáng.

4.2. Nguyên Lý Bất Định Heisenberg Giới Hạn Độ Chính Xác Trong Quang Học Hạt Điện Tích

Nguyên lý bất định Heisenberg phát biểu rằng không thể xác định đồng thời vị trí và động lượng của một hạt với độ chính xác tuyệt đối. Nguyên lý này có ảnh hưởng đến độ chính xác của các phép đo trong quang học hạt điện tích. Ví dụ, khi cố gắng xác định vị trí của một electron bằng cách chiếu ánh sáng vào nó, photon sẽ tương tác với electron và làm thay đổi động lượng của nó.

V. Ứng Dụng Quang Học Hạt Điện Tích Trong Năng Lượng Mặt Trời Hiệu Quả

Năng lượng mặt trời là một nguồn năng lượng tái tạo quan trọng, và quang học hạt điện tích đóng vai trò then chốt trong việc phát triển các tế bào quang điện hiệu quả hơn. Các tế bào quang điện chuyển đổi ánh sáng mặt trời trực tiếp thành điện năng dựa trên hiệu ứng quang điện. Hiểu rõ các nguyên lý của quang học hạt điện tích cho phép các nhà khoa học thiết kế các vật liệu và cấu trúc tế bào quang điện tối ưu, giúp tăng cường khả năng hấp thụ ánh sáng, giảm thiểu sự mất mát năng lượng, và nâng cao hiệu suất chuyển đổi. Chất bán dẫn là vật liệu chính được sử dụng trong tế bào quang điện.

5.1. Tối Ưu Hóa Vật Liệu Bán Dẫn Cho Tế Bào Quang Điện

Việc lựa chọn và tối ưu hóa chất bán dẫn là yếu tố quan trọng để nâng cao hiệu suất của tế bào quang điện. Các chất bán dẫn khác nhau có khả năng hấp thụ ánh sáng ở các bước sóng khác nhau. Bằng cách sử dụng nhiều lớp chất bán dẫn với các khoảng năng lượng khác nhau, có thể tạo ra các tế bào quang điện có khả năng hấp thụ một phần lớn hơn của quang phổ mặt trời.

5.2. Các Kỹ Thuật Nâng Cao Khả Năng Hấp Thụ Ánh Sáng Trong Tế Bào Quang Điện

Có nhiều kỹ thuật có thể được sử dụng để tăng cường khả năng hấp thụ ánh sáng trong tế bào quang điện, chẳng hạn như sử dụng các lớp phủ chống phản xạ, cấu trúc bề mặt nano, và các hệ thống tập trung ánh sáng. Các kỹ thuật này giúp giảm thiểu sự phản xạ ánh sáng và tăng cường sự hấp thụ photon trong chất bán dẫn.

VI. Tương Lai Quang Học Hạt Điện Tích Nghiên Cứu và Tiềm Năng Phát Triển

Quang học hạt điện tích tiếp tục là một lĩnh vực nghiên cứu năng động với nhiều tiềm năng phát triển. Các nhà khoa học đang khám phá các vật liệu mới, các kỹ thuật chế tạo tiên tiến, và các ứng dụng sáng tạo của quang học hạt điện tích. Các lĩnh vực nghiên cứu triển vọng bao gồm quang học phi tuyến, vật liệu quang học mới, và các ứng dụng trong công nghệ lượng tử. Liebl nhấn mạnh tầm quan trọng của việc tiếp tục nghiên cứu và phát triển trong lĩnh vực này để tạo ra các công nghệ tiên tiến và giải quyết các vấn đề quan trọng trong xã hội.

6.1. Vật Liệu Quang Học Mới Mở Ra Cơ Hội Cho Các Ứng Dụng Tiên Tiến

Việc phát triển các vật liệu quang học mới với các tính chất độc đáo mở ra cơ hội cho các ứng dụng tiên tiến trong nhiều lĩnh vực khác nhau. Ví dụ, các vật liệu quang học phi tuyến có thể được sử dụng để tạo ra các nguồn ánh sáng mới, các thiết bị xử lý tín hiệu quang học, và các ứng dụng khác.

6.2. Quang Học Hạt Điện Tích và Công Nghệ Lượng Tử Bước Tiến Mới

Quang học hạt điện tích đóng vai trò quan trọng trong sự phát triển của công nghệ lượng tử. Các hệ thống quang học lượng tử sử dụng các photonelectron để thực hiện các phép tính phức tạp, truyền thông an toàn, và tạo ra các cảm biến siêu nhạy. Nghiên cứu và phát triển trong lĩnh vực quang học hạt điện tích sẽ tiếp tục thúc đẩy sự tiến bộ của công nghệ lượng tử.

27/09/2025

Trích đoạn nội dung tài liệu

Applied Charged Particle Optics www.com Helmut Liebl Applied Charged Particle Optics With 124 Figures 123 www. Helmut Liebl Hartstr. 17 85386 Eching Germany Library of Congress Control Number: 2007932728 ISBN 978-3-540-71924-3 Springer Berlin Heidelberg New York This work is subject to copyright. All rights are reserved, whether the whole or part of the material is concerned, specifically the rights of translation, reprinting, reuse of illustrations, recitation, broad- casting, reproduction on microfilm or in any other way, and storage in data banks.

Duplication of this publication or parts thereof is permitted only under the provisions of the German Copyright Law of September 9, 1965, in its current version, and permission for use must always be obtained from Springer. Violations are liable to prosecution under the German Copyright Law. Springer is a part of Springer Science+Business Media.com © Springer-Verlag Berlin Heidelberg 2008 The use of general descriptive names, registered names, trademarks, etc. in this publication does not imply, even in the absence of a specific statement, that such names are exempt from the relevant pro- tective laws and regulations and therefore free for general use.

Typesetting: Data prepared by the Author and by SPI Kolam Cover: eStudio Calamar Steinen Printed on acid-free paper SPIN 11903109 57/3180/SPI 543210 www.com To my dear wife Elfie, and our children Bernhard, Wolfgang, Regina, Christina, Martin, and our grandchildren.com Preface This booklet is essentially an extended English version of a course I taught at the Max Planck Institute for Plasma Physics in Garching/ Munich for physicists and graduate students working at the Institute and for the nearby Physics Department of the Technical University. It covers mostly applications of particle optics which I have designed, built and worked with myself during my career, such as mass spectrom- etry, focusing of ion beams, emission microscopy, ion and electron beam systems, in an energy range of less than 20 keV. It is intended to help physicists who have to design their own appa- ratus or to help them to better understand instruments they have to work with. Some of the subjects described date back quite some time, the oldest references as far back as the thirties in the last century.

And I am old enough to have met some of those authors personally. But the booklet also contains some material from my own file which has not been published previously. I should like to thank Dr. Dietmar Wagner for his invaluable help with the manuscript.

Eching, August 2007 Helmut Liebl www.com Contents 1 Lenses: Basic Optics .1 Simple Transfer Matrices .2 Passage of Charged Particles Through a Uniform Electrostatic Field .3 Transfer Matrix of the Uniform Field .4 Acceleration of Charged Particles Emitted from a Planar Surface .5 Transfer Matrix of Electrostatic Field Between Spherical Concentric Equipotential Surfaces .6 Acceleration of Charged Particles Emitted from a Spherical Surface .7 Passage of Charged Particles Through an Electrode with Round Aperture .9 Passage of Charged Particles Through an Electrode with Slotted Aperture. 39 2 Electrostatic Deflection .1 Parallel Plate Condenser. 59 3 Magnetic Deflection .1 Small Deflection Angles .2 Magnetic Sector Fields .3 Axial Focusing with Uniform Magnetic Sector Field .4 Non-Uniform Magnetic Sector Fields .2 General Toroidal Condenser .5 Uniform Magnetic Sector Fields .6 Non-Uniform Magnetic Sector Fields. 101 5 Fringe Field Confinement .1 Emission Lens Combined with Optical Mirror Objective Lens .2 Combined Objective and Emission Lens .3 Dynamic Emittance Matching .4 Energy Analyzer for Parallel Beam with Coinciding Entrance and Exit Axes .5 Elimination of Transverse Image Aberrations of Sector Fields .6 Energy-Focusing Mass Spectrometers .com 1 Lenses: Basic Optics Summary.

Basic optical formulae are derived, the transfer matrix method is ex- plained, the lens action of apertures is shown, and emission, immersion and einzel lenses are treated. A lens is characterized by the property that it imparts to a ray (particle trajectory) passing through it a deflection (∆r  ) which is proportional to the distance r1 from the axis, at which the ray passes, but which is independent of the original slope r1. For thin lenses this deflection may be assumed to be a sharp kink, occurring at the single principal plane P. If the entrance side – left of P – is designated by the index 1, and the exit side – right of P – by the index 2, one can write that the exit distance r2 equals the entrance distance r1 (Fig.1)   and the exit slope r2 equals the entrance slope r1 plus the (negative) change of slope ∆r  : r2 = r1 + ∆r  .2)  As stated above, −∆r = cr1 , where c is the proportionality constant.

It can be derived from the special case that the exit ray is parallel to the axis: r2 = 0, r1 = −∆r  = cr1 , (1.4) r1 f1 In this case (Fig.2) the entrance ray crosses the axis at the distance f1 from P ; f1 is the entrance focal length of the lens, F1 the entrance focal plane.2) can now be written as r1 r2 = r1 − .com 2 1 Lenses: Basic Optics Fig. Principle of a lens: A trajectory crossing the lens at distance r1 from the z-axis is deflected by an angle ∆r  which is proportional to r1 Fig. Trajectories starting from the axis point F – the focal point – leave the lens parallel to the z-axis. The distance of the focal plane F1 to the lens plane P is the focal length f1 Equations (1.5) can be written in matrix form        r 1 0 r r  =  = ML  , (1.6) r 2 − 1 f1 1 r 1 r 1 ML is called the transfer matrix of the lens.com 1 Lenses: Basic Optics 3 The transfer matrix is   a11 a12 ML = a21 a22 with the coefficients a11 = 1, a12 = 0, a21 = −1/f1 , a22 = 1.

In explicit form one has r2 = a11 r1 + a12 r1 , r2 = a21 r1 + a22 r1. This, with the above coefficients for a lens, yields (1. Another way of describing the action of a lens is in the form of the exit equation of the ray in the z–r coordinate system (Fig.3):       r1 r = ar1 + zr2 = ar1 + z r1 − , f1 where a is the distance of the object point A from P. With r1 = ar1 we have    a r = a+z 1− r1.

The object point A is imaged to a virtual image point B if a < f1 www.com 4 1 Lenses: Basic Optics Fig. Imaging of an extended object through a lens to a real image The distance of the image point B – the point where the exit ray crosses the axis – from P, i. the image distance b, is obtained from (1. f1 By dividing it by ab, this yields the familiar lens equation 1 1 1 + = .8) a b f1 For a < f1 , as in Fig.3, the image distance b is negative, i.

the image is virtual. For lenses, where the particle energy is the same on both the en- trance and exit side, the focal lengths are also the same on both sides: f2 = f1 = f.9) For the imaging of an extended object (Fig.4) the same rules apply as in light optics: s2 b lateral magnification: M = = , (1.10) s1 a r  1 angular magnification: 2 = .11) r1 M Electrostatic lenses are generally thick lenses which have two princi- pal planes P1 and P2 , and these are usually interchanged as shown in Fig.1 Simple Transfer Matrices The transfer matrix of a lens has been introduced above. Transfer ma- trices become very useful when composite optical systems consisting www.1 Simple Transfer Matrices 5 Fig. Schematic of electrostatic lens with interchanged principal planes P1 and P2 Fig.

Drift space without deflection of several elements in tandem are to be treated. Frequently, just one property of the composite system is of interest, e. the magnification, and therefore only one of the matrix coefficients needs to be calculated, which can often be done very quickly with the aid of a hand calculator. The simplest transfer matrix is that of a drift space (Fig.

From the figure one can see immediately that r2 = r1 + L r1 , (1.13) or in transfer matrix form        r 1L r r = = MD .14) r 2 01 r 1 r 1 When two optical elements are combined in tandem, their respective transfer matrices have to be multiplied. For the combination of a lens www.com 6 1 Lenses: Basic Optics Fig. Combination of einzel lens with drift space and a drift space (Fig.7) one has therefore to multiply the transfer matrices of the lens and the drift space:          r b11 b12 r b11 b12 a11 a12 r = = , r 3 b21 b22 r 2 b21 b22 a21 a22 r 1         drift space drift space lens      r c11 c12 r = .15) r 3 c21 c22 r 1 The coefficients cik are found according to the scheme 2 cik = bis ask , i, k = 1, 2, s=1 or explicitely c11 = b11 a11 + b12 a21 , c12 = b11 a12 + b12 a22 , c21 = b21 a11 + b22 a21 , c22 = b21 a12 + b22 a22. In our example, we have with (1.2 Passage of Charged Particles Through a Uniform Electrostatic Field 7 With these and the coefficients of the lens transfer matrix, one then obtains L c11 = 1 − , c12 = L, f 1 c21 = − , c22 = 1.

f Explicitly, this reads   r1 r2 = r1 + L r1 − , f r1 r2 = r1 −. f When the sequence of the two elements is reversed, i. drift space followed by lens, the aik s and bik s are interchanged.2 Passage of Charged Particles Through a Uniform Electrostatic Field Figure 1.8 shows the important case where a charged particle is acceler- ated through a uniform field between the equipotential planes denoted P1 and P2. The spaces to the left of P1 and right of P2 are field free and have the potentials V1 and V2.

The potentials are counted from where the charged particles have zero energy so that their kinetic energy in flight direction at any point in space with the potential Vi is eVi. In this simple case the differential equations of motion can be straightforwardly integrated and yield the motion of the particle in the z–r-coordinate system as a function of time t: m r̈ = 0, mz̈ = eE, z1 = r1 = 0, V1 ż1 = v1 cos α1 , ṙ1 = v1 sin α1 , v1 = 2e m www.com 8 1 Lenses: Basic Optics Fig. Acceleration of charged particle through a uniform field (v1 is the velocity of the particle at energy eV1 , m its mass). eE eE 2 ż = t + v1 cos α1 , z = t + v1 cos α1 · t, (1.17) By eliminating the time t one obtains the trajectory: eE 2 z t + cos α1 · t − = 0, 2mv1 v1 mv1 2eE t= cos2 α1 + z − cos α1 , eE mv12 2V1 E r= sin α1 z + cos2 α1 − cos α1 .18) E V1 This is the equation of the trajectory within the field.

Nội dung được bảo vệ bản quyền — Tải xuống đầy đủ