CHƯƠNG 1 - TỔNG QUAN 1. Lịch sử phát triển Thông thường, khi muốn tích điện người ta sử dụng pin hoặc ắc quy. Các nguồn điện hóa học này rất phổ biến, tuy nhiên chúng lại có nhược điểm là dung lượng hạn chế, các sản phẩm phế thải sau khi sử dụng gây ô nhiễm môi trường, và thời gian nạp điện của ắc quy thường mất nhiều giờ.Hiện nay các nhà khoa học trên thế giới đã nghiên cứu và chế tạo được một loại thiết bị mới, gọi là siêu tụ có điện dung tới khoảng 5000 Fara, cao hơn điện dung của các tụ điện thông thường tới hàng tỷ lần, thời gian nạp chỉ khoảng 10 giây [15]. Siêu tụ điện với công nghệ mới đã mở ra một triển vọng ứng dụng to lớn cho nhân loại.
Năm 1957, các nhà khoa học đã phát hiện ra siêu tụ điện khi sử dụng than hoạt tính để chế tạo điện cực, nhưng khi đó vẫn chưa giải thích được cơ chế hoạt động, nên phải ngừng phát triển theo hướng này. Đến năm 1966, siêu tụ điện mới được phát hiện và nghiên cứu trở lại khi các kỹ sư của một công ty dầu mỏ ở bang Ohio (Mỹ) đang nghiên cứu và phát triển pin nhiên liệu. Họ đã sử dụng hai lớp than hoạt tính được phân cách bằng chất cách điện xốp để làm hai bản cực của tụ điện, nhưng sau đó họ cũng không thành công trong việc thương mại hóa sản phẩm siêu tụ này. Từ năm 1990, nhờ sự phát triển của công nghệ tiên tiến (công nghệ nano) mà các sản phẩm siêu tụ đã được phát triển hơn, và được thị trường đón nhận, điển hình với doanh thu đạt được vào năm 2005 là 400 triệu USD.
Đặc biệt trong lĩnh vực chế tạo nguồn điện cho ô tô, siêu tụ đã có những đóng góp đáng kể. Luận văn thạc sĩ Lê Thị Thu Hằng 13 Nghiên cứu chế tạo vật liệu pha tạp Mn1-xMx O1+y .nH2O bằng phương pháp điện hoá ứng dụng làm vật liệu siêu tụ, M = Co, Fe Siêu tụ điện đã được thử nghiệm làm nguồn điện trong các phương tiện giao thông. Tại Trung Quốc và Cộng Hoà Liên Bang Đức đã thử nghiệm các tuyến xe buýt và đường sắt nhẹ chạy điện sử dụng siêu tụ điện, có khả năng nạp đầy khi đỗ tại bến lấy khách. Nhờ sự phát triển của công nghệ nano, các nhà khoa học tin tưởng rằng, thời gian tới siêu tụ có tương lai đầy hứa hẹn.
Nguyên lý tụ điện Siêu tụ có hai điện cực được nhúng trong một dung dịch điện ly, được ngăn cách với nhau, và có bộ phận dẫn điện ra ngoài. Quá trình tích trữ năng lượng được thực hiện trên hai điện cực do sự tích trữ điện tích tĩnh điện như hình 1. Màng ngăn Dung dịch điện ly, lớp hoạt động Bộ phận tiếp điện Bộ phận tiếp điện Hạt Cacbon tiếp xúc với dd điện ly IR IR Hình 1.1 – Sơ đồ nguyên lý mô tả cơ chế của tụ điện lớp kép và phân bố điện thế tại bề mặt phân chia của dung dịch điện ly và điện cực Luận văn thạc sĩ Lê Thị Thu Hằng 14 Nghiên cứu chế tạo vật liệu pha tạp Mn1-xMx O1+y .nH2O bằng phương pháp điện hoá ứng dụng làm vật liệu siêu tụ, M = Co, Fe Trong tụ điện phẳng có hai bản điện cực có diện tích bằng nhau A, được đặt đối song song với nhau và cách nhau một khoảng d trong chân không, thì điện dung C được tính theo phương trình (1.1) Nếu hai bản được tách ra bởi một chất điện môi có hằng số điện môi ε, điện dung được tính theo phương trình (1.2) Tụ điện lớp kép cũng tích trữ năng lượng tương tự như vậy, nhưng sự tích điện không thực hiện trên hai bản điện cực dẫn điện. Thay vào đó, năng lượng tích trữ được tích lũy trong lớp điện tích kép, tại bề mặt phân chia pha của điện cực dẫn điện với dung dich điện ly.
Khi nạp điện, các ion âm trong dung dịch điện ly sẽ khuếch tán tới cực dương, còn các ion dương khuếch tán tới điện cực âm. Khi đó, tạo ra hai lớp điện tích riêng biệt của tụ, do đó mật độ năng lượng tối đa W được tích trữ trong tụ điện được tính theo phương trình (1.3) Trong đó C là điện dung và V là điện áp. Như vậy, tụ điện lớp kép không bao gồm phản ứng hóa học, do đó siêu tụ có chu kỳ phóng nạp dài. Ngoài điện dung lớp kép, điện dung liên quan đến phản ứng xảy ra trên bề mặt điện cực cũng quan trọng.
Trong quá trình phản ứng, có sự trao đổi điện tử xảy ra ngang qua lớp kép, kết quả là dẫn đến sự thay đổi trạng thái ôxi hóa. Do đó, điện dung của quá trình Faraday được được gọi là giả điện dung. Luận văn thạc sĩ Lê Thị Thu Hằng 15 Nghiên cứu chế tạo vật liệu pha tạp Mn1-xMx O1+y .nH2O bằng phương pháp điện hoá ứng dụng làm vật liệu siêu tụ, M = Co, Fe 1. Lớp điện tích kép Như đã nói trên, chúng ta xem lớp điện tích kép như một tụ điện phẳng gồm hai bản: một bản là bề mặt điện cực, bản thứ hai là lớp dung dịch nằm sát bề mặt điện cực tích điện ngược dấu.
Lớp điện tích kép là kết quả của sự tương tác mạnh mẽ giữa các ion hay phân tử có trong dung dịch với bề mặt điện cực. Tại bề mặt phân chia dung dịch/kim loại có một lớp điện tích mỏng trên bề mặt kim loại, kết quả từ sự dư thừa hay thiếu hụt điện tử. Còn bản lỏng nằm trong dung dịch chia ra làm hai phần. Phần bên trong, phần gần điện cực nhất là phần đặc sít được gọi là lớp Helmholtz bao gồm các ion trái dấu bề mặt điện cực.
Độ dầy lớp Helmholtz gần bằng bán kính của ion bị solvat hoá (từ 3. Hằng số điện môi trong phần Helmholtz giảm nhiều so với hằng số điện môi trong dung dịch. Điều này là do sự định hướng của các phần tử dung môi lưỡng cực trong phần đặc dưới tác dụng của điện trường điện cực cũng như do kết quả tương tác đặc biệt của chúng với kim loại điện cực. Khi không có mặt những ion hấp thụ đặc biệt, độ giảm thế trong phần đặc Helmholtz là tuyến tính theo khoảng cách.
Phần đặc Helmholtz được chia làm hai phần: lớp Helmholtz trong và lớp Helmholtz ngoài. Lớp Helmholtz trong là lớp có chứa các phân tử dung môi và đôi khi là các dạng hấp phụ đặc biệt (có thể là ion hoặc là phân tử). Mặt phẳng đi qua tâm của các ion bị hấp phụ đặc biệt được gọi là mặt phẳng Helmholtz trong (Inner Helmholtz Plane) ký hiệu là IHP, cách bề mặt điện cực một khoảng x1. Các ion bị solvat hoá chỉ có thể tiếp cận gần nhất đến bề mặt điện cực ở khoảng cách x 2, mặt phẳng đi qua tâm các ion bị solvat hoá có thể tiếp cận điện cực gần nhất gọi là mặt phẳng Helmholtz ngoài (Outer Hlelmholtz Plane) ký hiệu là OHP.
Luận văn thạc sĩ Lê Thị Thu Hằng 16 Nghiên cứu chế tạo vật liệu pha tạp Mn1-xMx O1+y .nH2O bằng phương pháp điện hoá ứng dụng làm vật liệu siêu tụ, M = Co, Fe Lớp khuếch tán Cation bị solvat hóa a) Kim loại Anion hấp phụ đặc biệt = Phân tử solvat b) Hình 1.2 - Mô hình lớp điện tích kép có hấp phụ đặc biệt anion a) Mô hình lớp kép b) Sự thay đổi điện thế theo khoảng cách Phần bên ngoài, có cấu tạo khuếch tán nên gọi là lớp khuếch tán. Khoảng cách x2 đại diện cho khoảng cách gần nhất nhất mà ion bị solvat hoá có thể tiếp cận được bề mặt điện cực, và cũng là điểm xuất phát của lớp khuyếch tán. Luận văn thạc sĩ Lê Thị Thu Hằng 17 Nghiên cứu chế tạo vật liệu pha tạp Mn1-xMx O1+y .nH2O bằng phương pháp điện hoá ứng dụng làm vật liệu siêu tụ, M = Co, Fe Ngoài việc chịu tác dụng của điện trường điện cực, các ion còn có chuyển động nhiệt hình thành lớp khuếch tán trải rộng. Độ dầy lớp khuếch tán phụ thuộc vào nồng độ tổng ion có trong dung dịch; đối với dung dịch có nồng độ lớn hơn 10-2 M thì độ dầy lớp khuếch tán nhỏ hơn hoặc bằng 10-8 m.2(a) mô tả mô hình cấu tạo lớp điện tích kép ở điều kiện hấp thụ dặc biệt anion.
Vì điện dung lớp kép Cdl bao gồm điện dung lớp kép phần dầy đặc Helmholtz CH và điện dung lớp kép phần khuếch tán Cdiff , nên điện dung lớp kép tổng được tính bởi phương trình (1.2b mô tả sự thay đổi điện thế trong vùng dung dịch theo khoảng cách đến điện cực. Φ1 điện thế tại IHP, ΦM điện thế điện cực kim loại, ΦS các điện thế của dung dịch, qM điện tích kim loại, x 1 khoảng cách từ IHP tới kim loại, x2 khoảng cách của OHP tới kim loại, σi tổng mật độ điện tích của các lớp bên trong, σ d mật độ điện tích lớp khuếch tán. Và mật độ điện tích kim loại σ M chính bằng: σ M = - (σi +σd). Do chuyển động nhiệt, khuấy trộn dung dịch, các ion không được hấp thụ đặc biệt nên phân bố từ OHP vào trong lòng dung dịch và có cấu tạo khuếch tán ba chiều.
Điện thế trên lớp Helmholtz đặc sít và lớp khuếch tán có thể bị ảnh hưởng của nhiều yếu tố, ví dụ như cấu tạo của điện cực và bản chất của dung dịch điện ly. Giả điện dung (Pseudocapacitance) Khác với điện dung lớp kép có nguồn gốc là dòng không- Faraday (non- Faraday), không có sự chuyển điện tích qua lớp kép; giả điện dung phát sinh ở bề mặt điện cực, có nguồn gốc là dòng Faraday liên quan đến sự chuyển điện tích qua lớp kép. Tương tự như trong quá trình phóng điện và tích điện của ắc quy, nhưng điện dung sinh ra do mối quan hệ đặc biệt giữa lượng điện tích Luận văn thạc sĩ Lê Thị Thu Hằng 18 Nghiên cứu chế tạo vật liệu pha tạp Mn1-xMx O1+y .nH2O bằng phương pháp điện hoá ứng dụng làm vật liệu siêu tụ, M = Co, Fe tích được Δq và sự thay đổi điện thế ΔV để có tỷ số d(Δq)/d(ΔV) hay dq/dV chính là điện dung C: ∂ ( ∆q ) C= (1.5) ∂ ( ∆V ) Điện dung được biểu diễn bởi biểu thức trên được gọi là giả điện dung. Thông thường trong một tụ điện cacbon lớp kép, có đến khoảng 1-5% giả điện dung là do phản ứng Faraday của oxy hấp phụ trên bề mặt (phụ thuộc vào các điều kiện tổng hợp hoặc tiền xử lý của vật liệu cacbon).
Mặt khác, trong tụ giả điện dung luôn có thành phần điện dung lớp kép tương ứng với diện tích bề mặt tiếp xúc điện hoá chiếm khoảng 5-10% tổng giá trị điện dung.