Tổng quan luận án

Ghi đo bức xạ nơtron là một nhiệm vụ phức tạp trong vật lý thực nghiệm hạt nhân do hiệu suất ghi nhận phụ thuộc lớn vào năng lượng nơtron và luôn đi kèm với phông bức xạ gamma. Bức xạ gamma không thể loại bỏ dễ dàng bằng điện trường hay các vật liệu che chắn thông thường mà không làm ảnh hưởng đến trường nơtron, dẫn đến hiện tượng sai lệch kết quả đo. Trong các hệ đo phổ nơtron nhanh sử dụng đầu dò nhấp nháy hữu cơ, nơtron và gamma đều tạo ra tín hiệu ánh sáng, đòi hỏi phải áp dụng các kỹ thuật phân biệt dạng xung (Pulse Shape Discrimination - PSD). Các phương pháp PSD truyền thống trên hệ tương tự (như phương pháp cắt không, so sánh diện tích) bộc lộ nhiều nhược điểm: bị giới hạn tốc độ đếm (dưới 200 kcps), khả năng phân loại kém ở vùng năng lượng thấp (< 200 keVee), mạch điện cồng kềnh và khó thu gọn kích thước. Trong khi đó, các phương pháp kỹ thuật số mới xử lý trong miền tần số (Fourier, Wavelet) hoặc mạng nơron tuy cải thiện được khả năng phân tách nhưng giải thuật phức tạp, đòi hỏi cấu hình phần cứng lớn, khó thực thi trực tuyến. Tại Việt Nam, trước thời điểm nghiên cứu, các hệ đo nơtron chủ yếu dùng ống đếm khí hoặc ống đếm proton giật lùi loại bỏ gamma bằng ngưỡng biên độ kết hợp che chắn thụ động, chưa có hệ đo nào ứng dụng kỹ thuật phân biệt dạng xung số hóa trực tiếp trên đầu dò nhấp nháy.

Mục tiêu tổng quát của luận án là nghiên cứu, thiết kế và chế tạo một hệ đo nơtron và gamma có hiệu suất và độ chính xác cao, ứng dụng kỹ thuật mảng cổng lập trình được (FPGA) và xử lý tín hiệu số (DSP) nhằm thu gọn kích thước và giảm chi phí chế tạo. Luận án xác định ba nhiệm vụ nghiên cứu cụ thể:

  1. Thiết kế, chế tạo một đetectơ nhấp nháy đo nơtron và gamma sử dụng chất nhấp nháy lỏng EJ-301 phục vụ cho đào tạo, nghiên cứu và ứng dụng.
  2. Nghiên cứu, phát triển một phương pháp phân biệt dạng xung nơtron/gamma ứng dụng kỹ thuật số nhằm cải thiện khả năng phân biệt trong vùng năng lượng thấp (< 200 keVee) cho hệ đo sử dụng đetectơ nhấp nháy.
  3. Xây dựng hệ đo đồng thời nơtron và gamma bằng kỹ thuật số, tích hợp giải thuật phân biệt nơtron/gamma hiệu quả cao cho vùng năng lượng thấp.

Đối tượng nghiên cứu của luận án là bức xạ nơtron và gamma phát ra từ các nguồn phóng xạ đồng vị ($^{252}\text{Cf}, ^{137}\text{Cs}, ^{60}\text{Co}, ^{22}\text{Na}$) và dòng nơtron tại kênh dẫn bức xạ. Phạm vi không gian thực nghiệm được triển khai tại Viện Nghiên cứu Hạt nhân Đà Lạt và Trường Đại học Đà Lạt, bao gồm việc thử nghiệm thực tế trên dòng nơtron 148 keV tại Kênh ngang số 4 của Lò phản ứng hạt nhân Đà Lạt. Phạm vi năng lượng khảo sát tập trung vào dải từ 50 keVee đến 1350 keVee, đặc biệt chú trọng khoảng năng lượng dưới 200 keVee. Luận án hoàn thành vào năm 2019.

Tổng quan tài liệu và vị trí của luận án

Luận án đã tổng quan các công trình nghiên cứu trong và ngoài nước liên quan đến kỹ thuật ghi đo nơtron và các giải pháp loại trừ ảnh hưởng của bức xạ gamma:

  • Hướng nghiên cứu sử dụng ống đếm khí: Tác giả điểm lại các nghiên cứu của G. F. Knoll [1], [36] và các cộng sự [41–44], [46, 47] về ống đếm tỷ lệ chứa các khí hấp thụ nơtron nhiệt ($^{3}\text{He}, ^{10}\text{BF}_3, ^{6}\text{Li}$) hoặc tán xạ nơtron nhanh ($^{1}\text{H}, ^{4}\text{He}, \text{CH}_4$). Các công trình này chỉ ra rằng dù ống đếm khí có thể loại bỏ gamma bằng cắt ngưỡng biên độ hoặc phân tích thời gian tăng của xung [47], nhưng hiệu suất ghi nơtron nhanh rất thấp và thông tin phổ năng lượng nơtron bị mất mát do quá trình làm chậm hoặc bị áp đảo bởi năng lượng phản ứng hạt nhân.
  • Hướng nghiên cứu sử dụng đetectơ nhấp nháy hữu cơ trên hệ đo tương tự: Các nghiên cứu kinh điển về phát quang trong chất nhấp nháy hữu cơ (NE-213, BC-501A, EJ-301) của G. F. Knoll [1], J. B. Birks [35], N. P. Hawkes [25] và các kỹ thuật PSD tương tự như phương pháp cắt không (zero-crossing) [7, 9, 12], tích phân diện tích (charge comparison) [4, 13], thời gian tăng (rise time) [8, 30], tỷ số không đổi [17] sử dụng các khối chuẩn NIM (như Ortec PSA 458, 552) [14, 43]. Hạn chế chung của hệ tương tự là hiện tượng chồng chập xung ở tốc độ đếm cao (> 200 kcps) và hiệu quả phân tách suy giảm nghiêm trọng dưới 200 keV.
  • Hướng nghiên cứu phân biệt dạng xung bằng kỹ thuật số (DSP/FPGA): Tác giả tổng hợp các bước phát triển của hệ đo số hóa xung tốc độ cao:
    • Phương pháp phân tích tích phân điện tích số (Digital Charge Integration - DCI) được chuẩn hóa và dùng làm hệ quy chiếu đánh giá [15, 16, 18].
    • Phương pháp biến đổi Fourier rời rạc (Discrete Fourier Transform Method - DFTM) của M. Safari và cộng sự [18], cho thấy khả năng cải thiện phân tách và ít phụ thuộc vào nhiễu điện tử hơn DCI.
    • Phương pháp nhận dạng mẫu (Correlation Pattern Recognition - CPR) do D. Takaku khởi xướng và được K. Kamada cùng cộng sự phát triển [16, 31] trên đetectơ NE213 với tốc độ lấy mẫu trên 5 GSPS.
    • Phương pháp phân tích trong miền phi thời gian như biến đổi Fourier và biến đổi Laplace của R. Langa và cộng sự [32], phương pháp biến đổi wavelet rời rạc (DWT) của Harleen Singh và cộng sự [33].
    • Phương pháp mạng nơron nhân tạo dựa trên các xung chuẩn học máy [34, 35].
    • Kỹ thuật phân cụm lượng tử (Discrimination Based on Quantum Clustering - DBQC) của Y. Lotfi và cộng sự, đạt hệ số phẩm chất $\text{FoM} = 1{,}6$ tại ngưỡng 100 keVee.
    • Phương pháp khớp sự kiện chuẩn (Standard Event Fit - SEF) [57] dựa trên kiểm định $\chi^2$ phần đuôi xung.

Khoảng trống nghiên cứu mà luận án lựa chọn giải quyết: Các phương pháp số hóa trong miền tần số (Fourier, Wavelet), phân cụm lượng tử hoặc trí tuệ nhân tạo có hiệu quả phân tách tốt ở vùng năng lượng thấp nhưng đòi hỏi thuật toán phức tạp, khối lượng tính toán lớn, chủ yếu xử lý ngoại tuyến (offline) hoặc yêu cầu phần cứng máy tính rất mạnh. Ngược lại, các phương pháp miền thời gian đơn giản lại phân tách kém dưới 200 keVee. Luận án tập trung phát triển một phương pháp phân biệt dạng xung mới trong miền thời gian dựa trên xung tham khảo (Reference-Pulse - RP), kết hợp với kỹ thuật lọc xung chồng chập; đồng thời tự chủ thiết kế phần cứng đetectơ EJ-301 và hệ thu nhận số hóa DRS4 nhằm đạt hiệu quả phân tách cao ở vùng năng lượng thấp với chi phí thấp và thuật toán đơn giản có thể chạy trực tuyến.

Cơ sở lý thuyết và phương pháp nghiên cứu

Cơ sở vật lý của phương pháp dựa trên sự khác biệt về cơ chế truyền năng lượng và thời gian phân rã huỳnh quang trong chất nhấp nháy hữu cơ khi tương tác với nơtron và tia gamma. Khi bức xạ gamma tương tác, các điện tử giật lùi (Compton) gây ra sự ion hóa mật độ thấp. Khi nơtron nhanh tương tác, cơ chế tán xạ đàn hồi trên hạt nhân hydro tạo ra các proton giật lùi có mật độ ion hóa cao dọc theo quỹ đạo. Quá trình phát quang trong chất nhấp nháy gồm hai thành phần: thành phần phân rã nhanh ($\tau_f$) kéo dài vài nano giây do sự khử kích thích của trạng thái singlet, và thành phần phân rã chậm ($\tau_s$) kéo dài từ vài chục đến hàng trăm nano giây do sự tương tác giữa các trạng thái triplet kích thích. Tỷ lệ cường độ ánh sáng của thành phần chậm so với thành phần nhanh khi nơtron kích thích lớn hơn nhiều so với bức xạ gamma. Cường độ sáng tổng hợp được mô tả theo hàm số:

$$I(t) = A e^{-t/\tau_f} + B e^{-t/\tau_s}$$

Trong đó $A, B$ là cường độ ban đầu của thành phần nhanh và chậm; $\tau_f, \tau_s$ là các thời hằng phân rã tương ứng. Mối quan hệ giữa động năng hạt nặng và lượng ánh sáng sinh ra có tính chất phi tuyến, do đó thang năng lượng của hệ đo nhấp nháy được chuẩn hóa theo năng lượng tương đương của điện tử, sử dụng đơn vị keVee hoặc MeVee.

Chất nhấp nháy Dạng tồn tại Thời hằng phân rã nhanh $\tau_f$ (ns) Thời hằng phân rã chậm $\tau_s$ (ns)
EJ-301 (NE213) Lỏng 3,2 32,2
EJ-309 Lỏng 3,5 32,2
EJ-228 (NE111) Nhựa 0,5 1,4
EJ-204 (NE120A) Nhựa 0,7 1,6
EJ-299-33A Nhựa 13,0 35,0

Để định lượng hiệu quả phân biệt giữa nơtron và gamma, luận án sử dụng hệ số phẩm chất FoM (Figure of Merit):

$$\text{FoM} = \frac{|ch_n - ch_\gamma|}{\text{FWHM}n + \text{FWHM}\gamma}$$

Trong đó $ch_n, ch_\gamma$ là tọa độ đỉnh phân bố phân loại của nơtron và gamma; $\text{FWHM}n, \text{FWHM}\gamma$ là độ rộng nửa chiều cao của hai phân bố tương ứng trên phổ tham số PSD.

Phương pháp nghiên cứu thực nghiệm và xử lý tín hiệu:

  • Phương pháp chế tạo phần cứng: Thiết kế cơ khí gia công vỏ nhôm chứa chất nhấp nháy lỏng EJ-301 và vỏ bọc đetectơ; ghép nối quang học qua kính tử ngoại (UV) và mỡ silicone với ống nhân quang (PMT) Hamamatsu R9420 (thời gian tăng 1,6 ns; độ phân giải FWHM 550 ps; độ trễ xung 17 ns; cao áp hoạt động âm 1500 V). Thiết kế mạch phân cực có bổ sung mạng điện trở triệt dao động ($20 \div 100\ \Omega$) và các tụ $C_1, C_2, C_3$ ($10\text{ nF} / 200\text{ V}$) để chống méo sườn trước. Thiết kế mạch tiền khuếch đại (TKĐ) ghép trực tiếp sử dụng vi mạch khuếch đại thuật toán băng thông rộng THS3202.
  • Phương pháp số hóa và xử lý tín hiệu: Sử dụng bản mạch Domino Ring Sampler phiên bản 5 (DRS4 V5) do Viện Paul Scherrer (PSI - Thụy Sĩ) phát triển, tích hợp chip DRS4, chip FPGA và vi điều khiển giao tiếp máy tính qua cổng USB. Hệ thống thực hiện số hóa với tốc độ lấy mẫu danh định 1 GSPS (khảo sát đối chứng ở 2,5 GSPS bằng oscilloscope Tektronix DPO7254C). Xây dựng thuật toán hiệu chuẩn sai số điện áp bù và độ phi tuyến thời gian giữa các cell lấy mẫu trên chip DRS4.
  • Phương pháp thuật toán: Xây dựng và đánh giá 4 thuật toán PSD kinh điển gồm: Thời gian vượt ngưỡng (TCT), Phân tích độ dốc xung (PGA), Tích phân điện tích số (DCI), Nhận dạng mẫu (CPR). Đồng thời, phát triển thuật toán phân biệt mới dựa trên xung tham khảo (Reference-Pulse - RP) và thuật toán loại trừ xung chồng chập dựa trên thống kê độ lệch so với dạng xung chuẩn.
  • Nguồn dữ liệu thực nghiệm: Tín hiệu bức xạ từ các nguồn gamma chuẩn $^{22}\text{Na}$ (vạch Compton 341 keVee và 1062 keVee), $^{137}\text{Cs}$ (478 keVee), $^{60}\text{Co}$ (963 keVee và 1118 keVee); nguồn nơtron phân hạch tự phát $^{252}\text{Cf}$; và dòng nơtron lọc đơn năng 148 keV tại Kênh số 4 của Lò phản ứng hạt nhân Đà Lạt.

Nội dung chính theo từng chương

Chương 1. Tổng quan các hệ đo nơtron

Chương 1 trình bày tổng quan lý thuyết và thực nghiệm về các kỹ thuật đo bức xạ nơtron và bài toán tách nhiễu gamma:

  • Phân tích cơ chế ghi nhận của các loại ống đếm khí ($^{3}\text{He}, ^{10}\text{BF}_3, ^{1}\text{H}$) và đetectơ nhấp nháy hữu cơ; so sánh cấu trúc phần cứng giữa hệ đo tương tự truyền thống và hệ đo kỹ thuật số tốc độ cao. Hệ tương tự dùng các module NIM xử lý tích phân làm sườn sau kéo dài hàng trăm $\mu\text{s}$, dễ gây chồng chập khi tốc độ đếm lớn hơn 200 kcps. Ngược lại, hệ số hóa nhanh lấy mẫu trực tiếp tín hiệu dòng từ anode của PMT với thời gian xung rất ngắn (sườn trước dưới 20 ns, sườn sau khoảng 150 ns), cho phép giữ nguyên đặc trưng đuôi xung mà không bị méo dạng ở tốc độ đếm cao.
  • Phân tích chi tiết các kỹ thuật phân biệt dạng xung (PSD):
    • Kỹ thuật TCT: Đo khoảng thời gian xung vượt ngưỡng 10% biên độ đỉnh; thuật toán đơn giản nhưng phân tách kém ở dải năng lượng dưới 200 keVee.
    • Kỹ thuật PGA: So sánh độ suy giảm biên độ tại hai thời điểm $t_1, t_2$ trên sườn sau xung; kết quả phân tách không tốt dưới 500 keVee.
    • Kỹ thuật DCI: So sánh tỷ số diện tích phần đuôi (tích phân từ $t_2$ đến $t_3$) trên diện tích toàn phần (từ $t_1$ đến $t_3$); là chuẩn mực đối chứng nhưng suy giảm hiệu quả nhanh dưới 200 keVee do nhiễu đường cơ bản.
    • Kỹ thuật SEF: Dựa trên phép kiểm định $\chi^2$ giữa xung đo và các xung mẫu nơtron/gamma trên phần đuôi.
    • Kỹ thuật CPR: Xem mỗi xung số hóa $n$ điểm như một vector $n$ chiều, tính góc tương quan $\theta = \arccos\left(\frac{\mathbf{X}\cdot\mathbf{Y}}{|\mathbf{X}||\mathbf{Y}|}\right)$ so với vector xung tham khảo gamma.
    • Kỹ thuật biến đổi Wavelet (WTM): Biến đổi tín hiệu sang các hệ số tỷ lệ $P(a)$ để tính các tham số phân tách $\Delta D, \Delta S, \Delta A$, ít chịu ảnh hưởng của nhiễu nhưng thuật toán phức tạp.
  • Đánh giá kiến trúc xử lý tín hiệu số giữa hai mô hình: xử lý xung số tập trung trên máy tính thông qua bộ đệm FIFO (linh hoạt, tài nguyên tính toán lớn nhưng tốc độ đếm bị giới hạn bởi băng thông truyền thông) và xử lý trực tiếp trên FPGA (tốc độ đếm cao, giảm tải dữ liệu truyền về máy tính nhưng bị giới hạn bởi tài nguyên logic của chip).

Chương 2. Thực nghiệm

Chương 2 mô tả chi tiết quy trình thiết kế, chế tạo đầu dò, xây dựng khối điện tử số hóa và cài đặt thuật toán:

  • Chế tạo đầu đo nhấp nháy EJ-301: Vỏ đầu nhấp nháy bằng nhôm hình trụ có đường kính trong 34 mm, chiều dài 60 mm; mặt trong đánh bóng quang học; mặt trước bịt kín bằng kính UV truyền qua dải tử ngoại. Lượng chất nhấp nháy lỏng bơm vào đạt 95% thể tích buồng chứa, tương ứng $V = 3{,}14 \times 0{,}017^2 \times 0{,}06 \times 0{,}95 \approx 51{,}73\text{ ml}$ (dành 5% thể tích giãn nở nhiệt). Ống nhân quang PMT Hamamatsu R9420 được bọc kín sáng, phân cực cao áp âm -1500 V qua bộ chia thế chuyên dụng có ghép thêm các điện trở triệt dao động $R_Y = 20 \div 100\ \Omega$ và tụ phân dòng $C_1, C_2, C_3$ ($10\text{ nF} / 200\text{ V}$) nhằm loại bỏ hiện tượng dao động ký sinh ở sườn trước.
  • Thiết kế mạch tiền khuếch đại (TKĐ): Sử dụng vi mạch khuếch đại thuật toán THS3202 cấu hình hồi tiếp dòng, dải thông rộng. Mạch được ghép trực tiếp DC từ anode PMT mà không dùng tụ liên lạc để tránh méo dạng xung nano giây. Luận án khảo sát các hệ số khuếch đại 8,9 và 13,2; kiểm tra đường cơ bản, mức độ trôi DC và tỷ số tín hiệu trên nhiễu (SNR).
  • Xây dựng hệ số hóa và phần mềm: Tích hợp bản mạch DRS4 V5 hoạt động ở chế độ lấy mẫu 1 GSPS. Xây dựng thuật toán hiệu chuẩn điện áp bù và thời gian trễ giữa các kênh lấy mẫu của DRS4, giảm thiểu độ bất định thời gian giữa các cell. Viết chương trình điều khiển và phân tích đa kênh MCA_DRS4 trên máy tính, thực hiện các chức năng: định cấu hình ngưỡng kích hoạt phần cứng, đọc dữ liệu qua USB, hiệu chỉnh đường cơ bản thời gian thực, quản lý vùng quan tâm (ROI), thực thi các thuật toán PSD và hiển thị đồng thời phổ biên độ của nơtron và gamma.
  • Phát triển phương pháp xung tham khảo (RP) và khử chồng chập:
    • Xây dựng xung chuẩn $RP_n$ và $RP_\gamma$ bằng cách lấy trung bình số học hàng nghìn xung nơtron và gamma đã được phân loại chuẩn mực trên nguồn $^{252}\text{Cf}$ và chuẩn hóa biên độ về 1.
    • Thuật toán RP: Chuẩn hóa biên độ xung đo $MP(t)$ về cùng độ cao đỉnh với xung tham khảo, tính toán độ lệch tuyệt đối tích phân trên sườn sau giữa xung đo và hai xung tham khảo. Xung đo được phân loại theo khoảng cách sai số tối thiểu.
    • Thuật toán lọc xung chồng chập: So sánh hình dạng phần sườn trước và phần đuôi của xung đo với mô hình xung đơn; các xung có độ lệch dạng vượt ngưỡng dung sai thống kê $S$ sẽ bị gắn cờ loại bỏ trước khi đưa vào phân tích PSD và dựng phổ.

Chương 3. Kết quả và thảo luận

Chương 3 trình bày các kết quả đo đạc kiểm tra và đánh giá định lượng hệ thống:

  • Đặc tính kỹ thuật của đetectơ EJ-301 tự chế tạo: Mạch tiền khuếch đại THS3202 duy trì độ tuyến tính tốt trong dải biên độ ra đến 1,8 V; mức trôi DC đường cơ bản ổn định dưới 2 mV khi tốc độ đếm tăng từ thấp đến 100 kcps. Chuẩn năng lượng đetectơ được thiết lập thông qua bờ tán xạ Compton của các nguồn gamma chuẩn: $^{22}\text{Na}$ (341 và 1062 keVee), $^{137}\text{Cs}$ (478 keVee), $^{60}\text{Co}$ (963 và 1118 keVee). Quan hệ giữa điện áp đỉnh xung ra và năng lượng điện tử tương đương có độ tuyến tính cao ($R^2 > 0{,}999$). Hiệu suất ghi tương đối đối với nơtron đạt trên 10%.
  • Đánh giá so sánh 4 phương pháp PSD truyền thống trên phần mềm MCA_DRS4: Khảo sát trong vùng năng lượng từ 50 keVee đến 1100 keVee:
    • Phương pháp DCI đạt hiệu quả phân tách tốt nhất trong nhóm truyền thống ở vùng năng lượng trên 200 keVee, với giá trị FoM tăng dần theo năng lượng (đạt FoM > 1,2 ở vùng trên 500 keVee). Tuy nhiên, tại ngưỡng 50 keVee, FoM của DCI giảm xuống dưới 0,6, khiến hai đỉnh phân bố nơtron và gamma bị chồng lấn đáng kể.
    • Phương pháp TCT và PGA có giá trị FoM thấp hơn DCI trên toàn dải năng lượng; tại ngưỡng dưới 200 keVee, FoM của TCT và PGA đều đạt giá trị dưới 0,5, không thể phân tách tin cậy hai loại bức xạ.
    • Phương pháp CPR cho kết quả phân tách tương đương DCI ở vùng năng lượng cao nhưng đòi hỏi khối lượng phép tính nhân ma trận vector lớn, làm giảm tốc độ xử lý trực tuyến.
  • Hiệu quả của phương pháp xung tham khảo (RP): Phương pháp RP chứng minh sự vượt trội ở vùng năng lượng thấp. Tại ngưỡng năng lượng 50 keVee trên nguồn $^{252}\text{Cf}$, phương pháp RP đạt giá trị FoM xấp xỉ 0,85 đến 0,92 (trong khi DCI chỉ đạt khoảng 0,58). Ở dải năng lượng từ 100 keVee đến 1350 keVee, hệ số FoM của phương pháp RP duy trì giá trị cao, tách biệt hoàn toàn hai đỉnh Gaussian của nơtron và gamma. Thuật toán khử xung chồng chập giúp loại bỏ thành công các biến dạng phổ ở tốc độ đếm cao, giảm tỷ lệ phân loại nhầm nơtron từ các sự kiện chồng chập gamma.
  • Kết quả đo đạc trên nguồn phân hạch $^{252}\text{Cf}$ và Kênh số 4 Lò phản ứng Đà Lạt: Phần mềm MCA_DRS4 tích hợp phương pháp RP đã phân tách trực tiếp và đồng thời phổ năng lượng nơtron và phổ gamma. Khi đo trên dòng nơtron lọc 148 keV tại Kênh số 4 ở hai trạng thái mở kênh và đóng kênh (đo phông), hệ đo đã ghi nhận chính xác đỉnh nơtron năng lượng thấp tương ứng với cấu hình chùm nơtron của lò phản ứng sau khi trừ phông nơtron tán xạ và phông gamma môi trường. Phổ phân bố đo được có sự tương đồng chặt chẽ với các nghiên cứu đối chứng sử dụng đầu dò thương mại BC-501A kết hợp các hệ số hóa cao cấp trong y văn [81].

Kết quả và những đóng góp mới

Luận án đã đạt được các kết quả khoa học và kỹ thuật cụ thể:

  • Đóng góp về mặt phương pháp và lý luận:
    • Phát triển thành công phương pháp phân biệt dạng xung nơtron/gamma mới dựa trên xung tham khảo (RP) xử lý trong miền thời gian. Phương pháp này có cấu trúc giải thuật đơn giản, giảm thiểu số lượng phép tính số học phức tạp so với các phép biến đổi trong miền tần số (Wavelet, Fourier) hoặc mạng nơron, nhưng mang lại hệ số phẩm chất FoM vượt trội ở vùng năng lượng thấp (< 200 keVee, cụ thể tại ngưỡng 50 keVee và 100 keVee).
    • Tích hợp thành công thuật toán nhận diện và loại trừ xung chồng chập cho các tín hiệu nhấp nháy siêu ngắn, làm tăng độ tin cậy của phổ nơtron khi đo trong môi trường có hoạt độ bức xạ cao.
  • Đóng góp về mặt kỹ thuật và thực tiễn:
    • Làm chủ quy trình thiết kế và chế tạo hoàn chỉnh một đetectơ nhấp nháy đo nơtron/gamma từ chất nhấp nháy lỏng EJ-301, ghép nối với PMT Hamamatsu R9420 và mạch tiền khuếch đại tốc độ cao THS3202 tự thiết kế. Đetectơ có độ nhạy cao, thời gian đáp ứng nhanh, chống méo xung tốt và giá thành chế tạo thấp.
    • Xây dựng thành công hệ đo nơtron/gamma kỹ thuật số hoàn chỉnh sử dụng bản mạch lấy mẫu DRS4 V5 tốc độ 1 GSPS, phát triển bộ chương trình điều khiển và phân tích đa kênh MCA_DRS4. Hệ thống cho phép tách trực tuyến từng sự kiện đo và hiển thị đồng thời hai phổ nơtron và gamma độc lập.
    • Ứng dụng thực nghiệm thành công hệ thống trên nguồn phân hạch tự phát $^{252}\text{Cf}$ và dòng nơtron 148 keV tại Kênh ngang số 4 của Lò phản ứng hạt nhân Đà Lạt, cung cấp công cụ đo đạc phục vụ nghiên cứu vật lý hạt nhân và đào tạo trong nước.
  • Kiến nghị và giải pháp đề xuất: Luận án đề xuất tiếp tục hoàn thiện thiết kế phần cứng theo hướng tích hợp toàn bộ các khối chức năng PSD, MCA và thuật toán khử chồng chập trực tiếp vào cấu trúc logic của chip FPGA trên cùng một bo mạch thu nhận, thay vì xử lý trên máy tính qua giao tiếp USB, nhằm giải phóng giới hạn tốc độ đếm và hướng tới chế tạo các thiết bị đo liều nơtron/gamma cầm tay.

Hạn chế và hướng nghiên cứu tiếp

Văn bản luận án nêu rõ một số giới hạn kỹ thuật cần khắc phục:

  • Dữ liệu số hóa thô từ bản mạch DRS4 vẫn phải truyền qua cổng USB về máy tính để phần mềm MCA_DRS4 thực thi thuật toán phân loại và dựng phổ. Do giới hạn băng thông truyền dẫn của giao diện này, tốc độ đếm cực đại của hệ thống chưa đạt mức tối đa mà đetectơ và chip DRS4 có thể đáp ứng.
  • Thuật toán phân biệt dạng xung RP hiện mới được tối ưu hóa trên phần mềm máy tính, chưa được lập trình mô tả bằng ngôn ngữ VHDL để nạp trực tiếp vào FPGA của bo mạch.
  • Đầu đo nhấp nháy sử dụng chất lỏng EJ-301 có tính chất dễ cháy, độc hại và yêu cầu thể tích đệm giãn nở nhiệt, gây khó khăn hơn trong bảo dưỡng và vận chuyển so với các chất nhấp nháy dạng nhựa rắn (như EJ-299-33A).

Hướng nghiên cứu tiếp theo được luận án xác định:

  • Hoàn thiện mã nguồn VHDL để chuyển toàn bộ giải thuật PSD (phương pháp RP) và thuật toán khử chồng chập vào xử lý song song trong chip FPGA.
  • Nghiên cứu chế tạo các hệ đo liều nơtron và gamma tương đương (rem-counter) ứng dụng kỹ thuật số hóa tín hiệu.
  • Phát triển và thử nghiệm các cảm biến nhấp nháy dẻo (nhựa) có khả năng phân biệt nơtron/gamma để tăng tính cơ động cho các hệ cảnh báo bức xạ và thiết bị kiểm soát an ninh phóng xạ.
  • Ứng dụng hệ đo để phục vụ các thí nghiệm tán xạ nơtron và nghiên cứu vật liệu trên Lò phản ứng nghiên cứu mới trong tương lai.

Giá trị tham khảo

Luận án là tài liệu tham khảo có giá trị chuyên môn cao cho nhiều đối tượng trong lĩnh vực vật lý và kỹ thuật hạt nhân:

  • Nghiên cứu sinh và học viên cao học chuyên ngành Vật lý hạt nhân, Kỹ thuật hạt nhân, Điện tử hạt nhân: Cung cấp cơ sở lý thuyết toàn diện về cơ chế phát quang của chất nhấp nháy hữu cơ, các kỹ thuật phân tích dạng xung số hóa hiện đại và phương pháp đánh giá hệ số phẩm chất FoM.
  • Các kỹ sư thiết kế thiết bị hạt nhân và y sinh: Tham khảo trực tiếp bản vẽ thiết kế vỏ đầu đo quang học, sơ đồ mạch phân cực cao áp chống dao động cho PMT R9420, mạch tiền khuếch đại siêu cao tần THS3202 và quy trình hiệu chuẩn bản mạch lấy mẫu tốc độ cao DRS4.
  • Cán bộ nghiên cứu tại các trung tâm lò phản ứng và an toàn bức xạ: Tham khảo phương pháp phân tách phổ nơtron nhanh trong trường bức xạ hỗn hợp nơtron - gamma cường độ cao, cũng như giải pháp kỹ thuật tách dòng nơtron lọc đơn năng tại các kênh ngang của lò phản ứng hạt nhân.

Câu hỏi thường gặp

1. Tại sao việc phân biệt xung nơtron và gamma lại gặp khó khăn nghiêm trọng ở vùng năng lượng thấp dưới 200 keVee?
Ở vùng năng lượng thấp, số lượng photon phát quang sinh ra trong chất nhấp nháy rất ít, dẫn đến biên độ xung điện áp ra từ PMT nhỏ và tỷ số tín hiệu trên nhiễu (SNR) giảm mạnh. Sự thăng giáng thống kê của số lượng photon và nhiễu nhiệt điện tử làm mờ nhạt sự khác biệt vốn có giữa thành phần phân rã chậm của nơtron và gamma. Do đó, hai phân bố Gaussian của tham số PSD bị mở rộng và chồng lấn lên nhau, làm suy giảm hệ số FoM của các phương pháp truyền thống.

2. Nguyên lý hoạt động của phương pháp xung tham khảo (RP) do tác giả đề xuất là gì?
Phương pháp RP hoạt động dựa trên việc tính toán độ lệch dạng sườn sau của xung đo $MP(t)$ so với hai dạng xung chuẩn $RP_n(t)$ (xung nơtron tham khảo) và $RP_\gamma(t)$ (xung gamma tham khảo) đã được xác định trước và chuẩn hóa biên độ. Thuật toán so sánh sai số tích lũy giữa xung thực nghiệm với từng xung mẫu trong miền thời gian; xung đo sẽ được phân loại vào nhóm có độ lệch hình học nhỏ nhất. Giải thuật này không yêu cầu các phép biến đổi tích phân phức tạp trong miền tần số nhưng lại tận dụng được toàn bộ thông tin sườn sau, giúp nâng cao giá trị FoM ở vùng năng lượng thấp.

3. Tại sao ống nhân quang PMT Hamamatsu R9420 trong nghiên cứu phải sử dụng mạch phân cực cao áp âm và thêm mạng điện trở triệt dao động?
PMT R9420 được phân cực cao áp âm để giữ cho cực anode ở thế đất (DC ground), cho phép ghép trực tiếp tín hiệu ra vào mạch tiền khuếch đại THS3202 mà không cần qua tụ liên lạc cao áp, tránh làm biến dạng hoặc kéo dài sườn xung nano giây. Các điện trở triệt dao động $R_Y$ ($20 \div 100\ \Omega$) và các tụ phân dòng $C_1, C_2, C_3$ được bổ sung vào mạch phân cực nhằm triệt tiêu các dao động ký sinh tần số cao do thời gian tăng cực ngắn (~3,2 ns) của tín hiệu phát quang gây ra.

4. Bản mạch DRS4 V5 đóng vai trò gì trong cấu trúc phần cứng của hệ đo?
Bản mạch DRS4 V5 đóng vai trò là khối số hóa tín hiệu nhanh (Fast ADC). Bản mạch sử dụng chip DRS4 chế tạo theo công nghệ chuyển mạch tụ điện (switched-capacitor array) hoạt động như một vòng lấy mẫu domino tương tự, cho phép lấy mẫu tín hiệu với tốc độ cực cao (1 GSPS trong luận án) trên dải động rộng mà tiêu thụ ít năng lượng và chi phí thấp hơn nhiều so với các bộ Flash ADC thương mại cùng dải tần. Dữ liệu sau đó được số hóa bởi ADC tích hợp và nạp vào bộ đệm FPGA trước khi truyền về máy tính.

5. Kết quả thực nghiệm trên Kênh số 4 Lò phản ứng hạt nhân Đà Lạt chứng minh khả năng nào của hệ thống?
Thực nghiệm trên Kênh số 4 chứng minh hệ đo có khả năng nhận biết và tách biệt chính xác dòng nơtron lọc năng lượng thấp 148 keV ra khỏi phông gamma rất lớn của lò phản ứng. Việc so sánh giữa hai trạng thái đóng kênh và mở kênh cho thấy hệ thống đã loại trừ hiệu quả các đóng góp của phông bức xạ môi trường và xung chồng chập, thu được phổ phân bố nơtron đơn năng thực tế trùng khớp với các phép đo đối chuẩn của các công trình công bố trước đây.

Kết luận

Luận án của nghiên cứu sinh Phan Văn Chuân đã giải quyết thành công bài toán thiết kế và chế tạo một hệ đo nơtron và gamma kỹ thuật số hoàn chỉnh sử dụng đầu dò nhấp nháy lỏng EJ-301 tự gia công kết hợp bản mạch lấy mẫu tốc độ cao DRS4 V5. Tác giả đã đóng góp một phương pháp phân biệt dạng xung mới dựa trên xung tham khảo (RP), cải thiện rõ rệt hệ số phẩm chất phân tách ở vùng năng lượng thấp dưới 200 keVee với cấu trúc giải thuật tinh gọn. Các kết quả thực nghiệm tin cậy trên các nguồn đồng vị chuẩn và dòng nơtron 148 keV tại Kênh số 4 Lò phản ứng hạt nhân Đà Lạt đã chứng minh tính đúng đắn của phương pháp và khả năng làm chủ công nghệ chế tạo thiết bị đo hạt nhân hiện đại trong nước.