MỞ ĐẦU. 1 Chư ng 1 T NG QUAN……………………………………………………6 1. C C CƠ CHẾ QU G HỌC. Cơ chế hấp thụ ánh sáng.
Cơ chế chuyển dời. Quá trình tái hợp. CẤU TRÚC TI H THỂ ZnO. C C TÍ H CHẤT CỦ VẬT IỆU ZnO VÀ ZnO: l.
Tính chất cơ nhiệt – điện. Tính chất quang của vật liệu ZnO và ZnO: l. 21 Chư ng 2 THỰC NGHIỆM CHẾ TẠO VÀ PHƯƠNG PHÁP KHẢO SÁT. Error! Bookmark not defined.
THỰC GHIỆ CHẾ TẠO ẪU. Hóa chất và thiết bị chế tạo mẫu. Quy trình chế tạo bột huỳnh quang ZnO: l bằng phƣơng pháp khuếch tán nhiệt. C C PHƢƠ G PH P KHẢO S T TÍ H CHẤT CỦ VẬT IỆU.
Phƣơng pháp khảo sát hình thái bề mặt và kích thƣớc hạt. Phƣơng pháp khảo sát thành phần các nguyên tố của vật liệu…. Phƣơng pháp khảo sát cấu trúc tinh thể và thành phần pha của vật liệu. Các phƣơng pháp khảo sát tính chất quang của vật liệu.
Các phƣơng pháp đo các thông số điện quang của ED. 36 Chư ng 3 KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN. CẤU TRÚC TI H THỂ CỦ BỘT HUỲ H QU G ZnO: l. HÌ H TH I BỀ ẶT VÀ KÍCH THƢỚC HẠT CỦ BỘT HUỲ H QU G ZnO: l.
THÀ H PHẦ C C GUYÊ TỐ CÓ TRO G BỘT HUỲ H QUANG ZnO:Al. TÍ H CHẤT QU G CỦ BỘT HUỲ H QUANG ZnO:Al……. Ảnh hƣởng của nhiệt độ thiêu kết đến tính chất quang của bột ZnO:Al. Ảnh hƣởng của nồng độ pha tạp ion l 3+ đến tính chất quang của bột ZnO: l.
KẾT QUẢ THỬ GHIỆ TRÊ ED CỦ BỘT HUỲ H QUANG ZnO:Al. KẾT UẬ CHƢƠ G 3. 54 DANH MỤC CÔNG TRÌNH CÔNG BỐ CỦA TÁC GIẢ LIÊN QUAN ĐẾN LUẬN VĂN. 55 DANH MỤC TÀI LIỆU THAM KHẢO.
56 DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU, CHỮ VIẾT TẮT Kí hiệu Tên Tiếng Anh Tên Tiếng Việt Dq Crystal field separation factor Thông số tách trƣờng tinh thể E Energy ăng lƣợng RC Critical distance Khoảng cách tâm tới hạn YAG Crystal Y3Al5O12 Tinh thể Y3Al5O12 Α Absorption coefficient Hệ số hấp thụ Λ Wavelength Bƣớc sóng Chữ viết tắt Tên Tiếng Anh Tên Tiếng Việt CRI Color Rendering Index Hệ số hoàn màu EDS Energy dispersive X-ray Phổ tán sắc năng lƣợng tia spectroscopy X EPR Electronic paramag-netic Phổ cộng hƣởng từ tính resonance điện từ FCC Face center cubic Lập phƣơng tâm mặt FESEM Field emission scanning Hiển vi điện tử quét phát xạ electron microscopy trƣờng FWHM Full-width half-maximum Độ rộng bán phổ LED Light emitting diode Điốt phát quang NUV Near Ultraviolet Tử ngoại gần PL Photoluminescence spectrum Phổ huỳnh quang PLE Photoluminescence excitation Phổ kích thích huỳnh quang spectrum RE Rare earth Đất hiếm RE3+ Ion divalent rare earth Ion đất hiếm hóa trị 3 SEM Scanning electron microscopy Kính hiển vi điện tử quét UV Ultraviolet Tử ngoại XRD X-ray Diffraction Nhiễu xạ tia X WLED White Light Emitting diode Điốt phát quang ánh sáng trắng PDMS Polydimethylsiloxane UV polymer DANH MỤC BẢNG BIỂU Bảng 1.1: ăng lƣợng liên kết exciton trong bán dẫn. Các thông số vật lý thể hiện tính chất của vật liệu ZnO. guồn gốc của màu phát xạ trong vật liệu nano ZnO. Các thông số mạng tinh thể của bột ZnO và ZnO: l.
40 DANH MỤC HÌNH VẼ Hình 1. Sơ đồ chuyển mức điện tử khi vật liệu bán dẫn hấp thụ ánh sáng [1] …………………………………………………………………………. Các chuyển mức của điện tử vẽ trong không gian vectơ sóng k…. Sơ đồ các chuyển mức của điện tử có thể phát xạ ra photon.4: Cấu trúc kiểu wurtzite lục giác xếp chặt.5: Cấu trúc tinh thể ZnO dạng lập phƣơng rocksalt.Cấu trúc lập phƣơng giã kẽm đơn giản kiểu aCl.6: Cấu trúc lập phƣơng giả kẽm Blend.
Phổ huỳnh quang của vật liệu ZnO ứng với hai vùng phát xạ với cực đại tại 380 nm và 510 nm. Phổ huỳnh quang đo ở nhiệt độ thấp (10 K) của các dây nano ZnO. Các thiết bị chính để chế bột huỳnh quang ZnO: l bằng phƣơng pháp khuếch tán nhiệt: cân phân tích (a), máy khuấy từ (b), cối mã não (c) tủ sấy (d), lò nung abertherm (e), máy cất nƣớc hai lần (f)…………. Quy trình công nghệ chế tạo bột huỳnh quang ZnO pha tạp l bằng phƣơng pháp khuếch tán nhiệt.
Ảnh mô tả quá trình kết tủa hydroxit nhôm và khuếch tán nhiệt ion l vào trong hạt bột ZnO. Phổ chip UV ED 310 nm, bảng chèn trong hình là thông số điện, quang của ED, ảnh chụp ED và ảnh chụp keo UV silicon. Thiết bị FESE -JEOL/JSM-7600F tích hợp đo FESE và EDS tại Viện Tiên tiến Khoa học và Công nghệ ( IST)- Đại học Bách khoa Hà ội. Hệ đo giản đồ nhiễu xạ tia X(D/ X-2500/PC) tại Viện (KICET), Hàn Quốc.
Hệ huỳnh quang và kích thích huỳnh quang tại viện Tiên tiến Khoa học và Công nghệ ( IST), Trƣờng Đại học Bách khoa Hà ội. Hệ đo các thông số điện quang Gamma Scientific RadO GS- 1290 spectroradiometer. Phổ XRD của bột ZnO và ZnO pha tạp 3% l ủ ở các nhiệt độ khác nhau (a), phổ XRD quan sát ở góc nhiễu xạ hẹp trên mặt (002) (b)…. Phổ XRD ZnO pha tạp 3% l ủ ở 800oC với các nồng độ pha tạp khác nhau.
Ảnh FESE của vật liệu nguồn ZnO (a), và ZnO pha tạp l ([Al3+]/[Zn2+] = 3%mol) ủ ở nhiệt độ 600 oC (b), 800oC (c), 1000oC (d). Phổ EDS ZnO: l ([ l3+]/[Zn2+] = 3% mol) ủ ở 1000°C. Phổ P của bột ZnO và ZnO pha tạp 3% l ủ ở nhiệt độ từ 600 - 1000oC. Phổ P chuẩn hóa của bột ZnO và ZnO: l (3% mol) ủ ở nhiệt độ từ 600oC.
Phổ P của bột ZnO: l ủ ở 800oC với các nồng độ khác nhau và ảnh chèn là đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc của đỉnh phát xạ 542 nm vào nồng độ l. Ảnh chụp ED phủ bột ZnO: l (3%mol) ủ ở 800°C: a) ED ở trạng thái tắt; b) ED sau khi đƣợc cấp nguồn. Phổ ED sử dụng chip 310 nm phủ bột ZnO: l (3%mol) ủ ở nhiệt độ 800oC. Giản đồ CIE đánh dấu vị trí tọa độ màu của ED và bảng thông số của ED.
LÝ DO CHỌN ĐỀ TÀI Lịch sử phát triển của con ngƣời gắn liền với lịch sử phát triển của khoa học và công nghệ trong đó có lịch sử phát triển của nguồn sáng. Xa xƣa, con ngƣời chỉ biết tận hƣởng ánh sáng tự nhiên do mặt trời tạo ra, tuy nhiên khi xã hội con ngƣời phát triển thì nhu cầu sử dụng ánh sáng tăng cao và con ngƣời đã phát minh ra lửa vừa sử dụng với mục đích chiếu sáng và sử dụng để xua đuổi muông thú. Sau đó con ngƣời phát minh ra điện đã tạo ra một bƣớc đột phá mới về công nghệ và sau đó hàng loạt các phát minh mới gắn liền với nguồn điện đƣợc ra đời trong đó phải kể đến là phát minh của Joseph Swan và Thomas Edison (1847 – 1931) và bóng đèn sợi đốt vẫn tồn tại cho đến ngày nay. Khi xã hội phát triển thì nhu cầu sử dụng nguồn sáng chất lƣợng cao hơn, tinh tế hơn ngày càng đòi hỏi các nhà nghiên cứu khoa học cơ bản và ứng dụng tìm kiếm các nguồn vật liệu mới thay thế cũng nhƣ tìm ra các giải pháp nhằm cải thiệt chất lƣợng nguồn sáng đáp ứng mọi yêu cầu của xã hội.
Quá trình phát triển của nguồn chiếu sáng phải kể đến là sự ra đời của bóng đèn sợi đốt (1891), sau đó là các dạng bóng đèn phát xạ hơi thủy ngân nhƣ bóng đèn huỳnh quang và bóng đèn compact (1981) và ngày nay là sự ra đời và phát triển của nguồn chiếu sáng LED (2011). Các thiết bị chiếu sáng thông thƣờng nhƣ đèn sợi đốt, đèn huỳnh quang và huỳnh quang compact về cơ bản cũng có thể đáp ứng đƣợc yêu cầu chiếu sáng cơ bản. Tuy nhiên, bóng đèn sợi đốt thì hiệu suất chiếu sáng thấp, mất mát năng lƣợng nhiều do nhiệt sinh ra do vậy ở Châu Âu và các nƣớc tiên tiến đã cắt giảm thậm chí là cấm sản xuất, buôn bán loại đèn sợi đốt công suất cao 2 do tiêu thụ điện năng lớn; đèn huỳnh quang và huỳnh quang compact là giải pháp tiết kiệm năng lƣợng cho đèn sợi đốt, tuy nhiên loại đèn này vẫn còn nhiều khuyết điểm nhƣ hiệu suất phát quang thứ cấp (năng lƣợng điện tử kích thích hơi thủy ngân phát xạ tia UV sau đó kích thích bột huỳnh quang phát xạ) còn thấp, tuổi thọ chƣa cao ảnh hƣởng đến sức khỏe ngƣời sử dụng và môi trƣờng. Đèn ED ( ight-emitting diode) hay còn gọi là Điốt phát quang đƣợc biết đến vào năm 1907 bởi nhà thí nghiệm ngƣời Anh H.
Round tại phòng thí nghiệm Marconi khi ông làm thí nghiệm với tinh thể SiC (Silic và Cacbon). Sau đó, nhà khoa học ga Oleg Vladimirovich osev đã tạo ra LED đầu tiên, nghiên cứu sau đó đã bị quên lãng do không có ứng dụng nhiều trong thực tiễn. ăm 1955, Rubin Braunstein đã phát hiện ra sự phát xạ hồng ngoại bởi hợp chất GaAs (Gallium và Arsenide) và một số hợp chất bán dẫn khác. ăm 1961, hai nhà thí nghiệm là Bob Biard và Gary Pittman làm việc tại Texas Instruments đã nhận thấy rằng hợp chất GaAs phát ra tia hồng ngoại khi có dòng điện tác động và sau đó Bob và Gary đƣợc cấp bằng sáng chế ra điốt phát hồng ngoại.
Từ khi đèn ED ra đời cho đến nay vào năm 2014 giải Nobel về vật lý vinh danh cho phát minh về đèn ED đƣợc trao tặng cho 3 giáo sƣ gốc Nhật là Ông Isamu Akasaki, 85 tuổi, là giáo sƣ tại Đại học Meijo và giáo sƣ đặc cách tại Đại học Nagoya, Nhật Bản; Ông Hiroshi Amano, 54 tuổi, hiện cũng là một giáo sƣ tại Đại học Nagoya. Ông Shuji Nakamura, 60 tuổi là giáo sƣ ngƣời Mỹ gốc Nhật tại Trƣờng Kỹ thuật thuộc Đại học California, Mỹ. Giải obel đƣợc trao cho phát minh về đèn ED điều đó đã chứng tỏ vai trò quan trọng của nguồn chiếu sáng mới này. Đèn ED thực sự là một sản phẩm chiếu sáng của ngày nay và của cả tƣơng lai vì nguồn sáng ED đã khắc phục đƣợc gần nhƣ mọi khuyết điểm của các nguốn chiếu sáng truyền thống và khả năng tích hợp kỳ điệu của loại thiết bị chiếu sáng này trong các công nghệ mới, tiên tiến nhƣ các thiết bị hiển thị (tivi LED, 3 smartphone, các loại màn hình hiển thị, quảng cáo.
Với sự phát triển nhƣ vũ bão của đèn ED hiện nay về cả mặt công nghệ và ứng dụng thì các nghiên cứu khoa học cơ bản vẫn đóng vai trò quan trọng cho các nghiên cứu ứng dụng.