Tổng quan nghiên cứu

Sự phát triển mạnh mẽ của ngành công nghiệp ô tô điện và các hệ thống lưu trữ năng lượng tái tạo trên toàn cầu đang thúc đẩy nhu cầu sử dụng pin Lithium-ion với hơn 90% thị phần thiết bị di động và phương tiện chạy điện hiện đại. Pin Lithium-ion sở hữu nhiều ưu điểm vượt trội như mật độ năng lượng cao, tốc độ tự xả thấp và tuổi thọ chu kỳ bền bỉ trên 1000 lần nạp xả. Tuy nhiên, việc quản lý và vận hành an toàn các khối pin đòi hỏi hệ thống quản lý pin chuyên dụng phải giám sát chính xác trạng thái nạp, hay còn gọi là dung lượng khả dụng còn lại của pin.

Trạng thái nạp là một đại lượng điện hóa bên trong không thể đo đạc trực tiếp bằng các cảm biến thông thường mà phải ước lượng gián tiếp thông qua dòng điện, điện áp và nhiệt độ. Thách thức lớn nhất trong thực tế là pin Lithium-ion thể hiện đặc tính phi tuyến cao, bị tác động mạnh bởi hiện tượng phân cực điện áp, điện áp trễ động học và sự thay đổi khắc nghiệt của nhiệt độ môi trường từ âm 25 độ C đến 45 độ C. Các phương pháp truyền thống như đếm dòng Coulomb hay đo điện áp hở mạch thuần túy hoạt động theo nguyên tắc vòng hở, dễ tích lũy sai số trôi cảm biến lên trên 10% và không thể tự hiệu chỉnh khi có nhiễu đo lường.

Luận văn thạc sĩ chuyên ngành Kỹ thuật điều khiển và tự động hóa do tác giả Đỗ Thị Thùy Dương thực hiện dưới sự hướng dẫn khoa học của PGS.TS Nguyễn Văn Chí tại Trường Đại học Kỹ thuật Công nghiệp thuộc Đại học Thái Nguyên năm 2019 đã giải quyết trọn vẹn bài toán cấp thiết này. Đề tài tập trung xây dựng mô hình mạch tương đương nâng cao có xét đến hiện tượng trễ và nhiệt độ, đồng thời ứng dụng thuật toán Bộ lọc Kalman mở rộng để ước lượng trực tuyến trạng thái nạp với độ chính xác cao, khống chế sai số điện áp mô hình dưới 0,02 V và triệt tiêu sai số ước lượng tích lũy nhằm nâng cao độ tin cậy cho hệ thống quản lý pin.

Cơ sở lý thuyết và phương pháp nghiên cứu

Khung lý thuyết áp dụng

Nghiên cứu được xây dựng dựa trên ba trụ cột lý thuyết vững chắc về điện hóa học, mô hình hóa mạch điện và lý thuyết điều khiển ước lượng trạng thái:

Thứ nhất là lý thuyết phản ứng điện hóa và động học ion trong pin Lithium-ion. Quá trình nạp và xả bản chất là sự dịch chuyển thuận nghịch của các ion liti giữa cực dương oxit kim loại chuyển tiếp và cực âm cấu trúc lớp graphite qua màng ngăn điện ly. Nghiên cứu phân tích sâu các phản ứng pha rắn, hiệu suất Coulomb đạt xấp xỉ 99% và hiệu suất năng lượng đạt gần 95%, đồng thời chỉ ra cơ chế suy giảm dung lượng khi xả sâu hoặc quá nhiệt.

Thứ hai là lý thuyết mô hình mạch điện tương đương tự hiệu chỉnh nâng cao. Mô hình này bao gồm nguồn điện áp hở mạch phi tuyến phụ thuộc vào trạng thái nạp và nhiệt độ, điện trở thuần bên trong phản ánh độ sụt áp tức thời, các nhánh điện trở tụ điện song song mô tả hiện tượng phân cực khuếch tán, và một thành phần điện áp trễ động học có hướng phụ thuộc vào chiều dòng điện nạp hay xả.

Thứ ba là lý thuyết ước lượng trạng thái phi tuyến bằng Bộ lọc Kalman mở rộng. Thuật toán sử dụng kỹ thuật khai triển chuỗi Taylor bậc nhất để tuyến tính hóa hệ phương trình vi phân trạng thái phi tuyến rời rạc xung quanh điểm làm việc tại mỗi chu kỳ trích mẫu, giúp ước lượng tối ưu biến trạng thái nạp trong điều kiện tồn tại đồng thời nhiễu hệ thống và nhiễu đo lường màu trắng.

Bốn khái niệm cốt lõi xuyên suốt công trình gồm: Trạng thái nạp biểu thị tỷ số phần trăm giữa dung lượng hiện có và dung lượng danh định từ 0% đến 100%; Điện áp hở mạch là điện áp cân bằng giữa hai cực khi không có dòng điện tải; Độ sâu xả cạn phản ánh mức năng lượng đã giải phóng khỏi pin; và Hệ thống quản lý pin đóng vai trò giám sát, bảo vệ an toàn và tối ưu hóa hiệu suất cell pin.

Phương pháp nghiên cứu

Nghiên cứu lựa chọn đối tượng thực nghiệm là cell pin Lithium-ion hình trụ thương mại Samsung INR18650-25R có dung lượng danh định 2500 mAh, khối lượng 49 g, điện áp cắt xả 2,25 V, khả năng cung cấp dòng xả liên tục 20 A và dòng xả xung lên đến 35 A. Mẫu nghiên cứu này mang tính đại diện cao cho các dòng pin công suất lớn đang được ứng dụng rộng rãi trong xe điện và thiết bị công nghiệp.

Phương pháp thu thập dữ liệu được thiết kế công phu qua hai giai đoạn thử nghiệm độc lập:

  • Giai đoạn xác định đặc tính điện áp hở mạch tĩnh: Tiến hành nạp và xả cực chậm với tốc độ dòng nhỏ C/30 (tương đương 0,083 A) ở 8 mốc nhiệt độ kiểm thử gồm âm 25 độ C, âm 15 độ C, âm 5 độ C, 5 độ C, 15 độ C, 25 độ C, 35 độ C và 45 độ C. Việc nạp xả dòng nhỏ nhằm mục đích triệt tiêu hoàn toàn hiệu ứng sinh nhiệt và phân cực động học, cho phép thu thập chính xác bảng ánh xạ giữa điện áp hở mạch và trạng thái nạp.
  • Giai đoạn thu thập dữ liệu động học: Thực hiện xả động học theo các kịch bản dòng xung biến thiên 1C (2,5 A) từ mức nạp 90% xuống 10% dung lượng kết hợp các chu kỳ nghỉ và đổi chiều dòng điện.

Lý do lựa chọn phương pháp nhận dạng tham số bình phương cực tiểu và bộ quan sát trạng thái Kalman mở rộng là vì tính tối ưu trong việc xử lý các hệ phi tuyến có nhiễu ngẫu nhiên. Dữ liệu thực nghiệm thu thập từ phòng thí nghiệm được rời rạc hóa với chu kỳ trích mẫu chuẩn 1 giây, tạo lập ma trận hiệp phương sai sai số và cập nhật liên tục ma trận khuếch đại Kalman để đảm bảo thuật toán hội tụ nhanh chóng về trạng thái thực tế.

Kết quả nghiên cứu và thảo luận

Những phát hiện chính

Quá trình phân tích thực nghiệm và mô phỏng trên nền tảng tính toán khoa học đã đem lại bốn phát hiện then chốt có giá trị khoa học và thực tiễn cao:

Thứ nhất, nhiệt độ môi trường có tác động chi phối cực kỳ mạnh mẽ lên các thông số động học của pin. Dung lượng khả dụng thực tế đạt giá trị cực đại 2,19 Ah tại nhiệt độ 19 độ C. Khi nhiệt độ làm việc giảm xuống dưới 0 độ C, dung lượng khả dụng suy giảm rõ rệt và nội trở thuần tăng đột biến từ dưới 100 mΩ ở 45 độ C lên tới 600 mΩ tại âm 20 độ C, tức tăng hơn 500% so với điều kiện tiêu chuẩn.

Thứ hai, mối quan hệ giữa điện áp hở mạch và trạng thái nạp có độ nhạy nhiệt độ rất khác biệt giữa dải nhiệt độ dương và dải nhiệt độ âm. Ở dải nhiệt độ từ 5 độ C đến 45 độ C, sai lệch căn bậc hai trung bình giữa mô hình và thực nghiệm duy trì ở mức rất nhỏ, dao động từ 1,3 mV đến 2,5 mV (trong đó tại 35 độ C sai số chỉ là 1,3 mV). Tuy nhiên, tại mức nhiệt độ cực hàn âm 25 độ C, sai lệch tăng vọt lên 32,5 mV (cao gấp 25 lần so với tại 35 độ C), xuất hiện chủ yếu ở hai vùng biên khi trạng thái nạp dưới 40% hoặc trên 70%.

Thứ ba, mô hình mạch tương đương nâng cao thể hiện mức độ tương thích vượt trội so với thực nghiệm. Tại nhiệt độ thử nghiệm 45 độ C, đường cong điện áp đầu ra của mô hình bám khít với dữ liệu thực tế. Sai lệch điện áp có giá trị trung bình bằng 0 và dao động trong dải cực hẹp từ âm 0,02 V đến dương 0,02 V, chiếm tỷ lệ chưa đầy 0,5% so với ngưỡng điện áp làm việc danh định 3,7 V của cell pin.

Thứ tư, bộ lọc Kalman mở rộng chứng minh khả năng tự thích nghi và khử nhiễu tuyệt vời. Ngay cả khi giá trị khởi tạo ban đầu của trạng thái nạp bị đặt sai lệch từ 20% đến 30% so với thực tế, thuật toán vẫn nhanh chóng kéo quỹ đạo ước lượng về sát đường thực nghiệm chỉ sau một thời gian ngắn và duy trì sai số ước lượng ổn định dưới ngưỡng 2% trong suốt quá trình xả tải biến thiên.

Thảo luận kết quả

Nguyên nhân căn bản dẫn đến sự gia tăng đột biến của nội trở và sai lệch điện áp ở vùng nhiệt độ âm bắt nguồn từ cơ chế điện hóa phân tử. Ở nhiệt độ dưới 0 độ C, độ nhớt của dung dịch điện ly hữu cơ tăng cao làm giảm linh độ chuyển dịch của ion liti, đồng thời tốc độ phản ứng xen cài ion vào mạng tinh thể graphite bị cản trở nghiêm trọng. Hiện tượng phân cực nồng độ và phân cực kích hoạt diễn ra gay gắt, tạo nên hiện tượng trễ điện áp lớn giữa quá trình nạp và xả.

Khi so sánh với các công bố khoa học sử dụng phương pháp đếm Coulomb truyền thống, giải pháp tích hợp mô hình mạch tương đương tự hiệu chỉnh với bộ lọc Kalman mở rộng thể hiện ưu thế vượt bậc. Phương pháp đếm dòng thường bị trôi sai số tích lũy từ 5% đến 10% sau vài giờ hoạt động do nhiễu cảm biến trôi dạt. Trong khi đó, việc sử dụng vòng hồi tiếp sai lệch điện áp đo lường trong bộ lọc Kalman giúp hệ thống liên tục tự hiệu chỉnh, loại bỏ hoàn toàn hiện tượng tích lũy sai số.

Về mặt biểu diễn trực quan, toàn bộ tập dữ liệu động học có thể được chuẩn hóa qua hệ thống đồ thị đường cong đặc tính quan hệ giữa điện áp hở mạch và trạng thái nạp đa nhiệt độ từ âm 25 độ C đến 45 độ C, kết hợp cùng bảng ma trận các tham số điện trở, hằng số thời gian nhánh tụ và hệ số trễ. Cách trình bày dạng bảng thông số tra cứu giúp các kỹ sư dễ dàng tích hợp thuật toán vào bộ nhớ vi điều khiển có tài nguyên hạn chế.

Đề xuất và khuyến nghị

Dựa trên các kết quả đạt được, luận văn đưa ra bốn khuyến nghị kỹ thuật mang tính thực thi cao:

Một là, lập trình nhúng và triển khai thuật toán Bộ lọc Kalman mở rộng lên các dòng vi điều khiển 32-bit chuyên dụng cho hệ thống quản lý pin. Đội ngũ kỹ sư R&D phần mềm nhúng tại các doanh nghiệp xe điện cần nạp mô hình toán rời rạc hóa với mục tiêu khống chế sai số ước lượng trạng thái nạp dưới 1,5% trong điều kiện tải động lực học phức tạp, hoàn thành thử nghiệm trong vòng 3 đến 6 tháng tới.

Hai là, thiết kế tích hợp hệ thống kiểm soát nhiệt độ chủ động cho các bộ pin công suất lớn. Các nhà sản xuất pack pin cần trang bị các tấm làm mát bằng chất lỏng kết hợp màng gia nhiệt điện trở để giữ cho nhiệt độ làm việc của các cell pin luôn nằm trong vùng tối ưu từ 20 độ C đến 35 độ C, ngăn chặn hiện tượng tăng nội trở lên 600 mΩ và duy trì hiệu suất Coulomb trên 98%, triển khai hoàn thiện trong lộ trình 6 đến 9 tháng.

Ba là, mở rộng nghiên cứu sang thuật toán Bộ lọc Kalman mở rộng kép để ước lượng đồng thời trạng thái nạp và trạng thái sức khỏe của pin. Các nhóm nghiên cứu tại các viện và trường đại học cần ứng dụng cấu trúc hai bộ lọc chạy song song nhằm cập nhật trực tuyến sự suy giảm dung lượng danh định và sự gia tăng nội trở thuần theo thời gian, giúp cảnh báo chính xác thời điểm pin chạm ngưỡng suy thoái dưới 80% dung lượng ban đầu sau 1000 chu kỳ sử dụng trong giai đoạn 12 tháng tiếp theo.

Bốn là, chuẩn hóa quy trình nhận dạng thông số cell pin tự động trong các phòng thí nghiệm kiểm định. Các cơ sở nghiên cứu và kiểm định chất lượng cần ban hành quy chuẩn đo kiểm nạp xả dòng nhỏ C/30 kết hợp chu kỳ xung 1C trên 8 mốc nhiệt độ tiêu chuẩn từ âm 25 độ C đến 45 độ C, rút ngắn thời gian xây dựng cơ sở dữ liệu nhận dạng thông số xuống dưới 48 giờ cho mỗi dòng pin mới ngay trong quý tới.

Đối tượng nên tham khảo luận văn

Công trình nghiên cứu mang lại giá trị học thuật và ứng dụng thực tiễn to lớn cho bốn nhóm đối tượng chuyên môn:

Thứ nhất, kỹ sư phát triển phần mềm nhúng và hệ thống quản lý pin xe điện. Tài liệu cung cấp đầy đủ các bước rời rạc hóa phương trình vi phân, cấu trúc ma trận Jacobian và mã giả thuật toán Kalman, phục vụ trực tiếp công tác lập trình trên các chip xử lý tín hiệu số hoặc vi điều khiển ô tô.

Thứ hai, chuyên gia nghiên cứu và thiết kế khối pin công nghiệp tại các doanh nghiệp sản xuất phương tiện giao thông chạy điện. Nghiên cứu cung cấp bức tranh định lượng chi tiết về hành vi điện hóa và đặc tính thay đổi thông số của cell pin Samsung INR18650-25R dưới các dải nhiệt độ khắc nghiệt, hỗ trợ tối ưu hóa kết cấu cơ nhiệt và thuật toán bảo vệ cell pin.

Thứ ba, giảng viên, nghiên cứu sinh và học viên cao học chuyên ngành Tự động hóa, Kỹ thuật Điều khiển và Kỹ thuật Năng lượng. Luận văn là tài liệu tham khảo mẫu mực về phương pháp nhận dạng hệ thống phi tuyến bằng phương pháp bình phương cực tiểu và ứng dụng lý thuyết ước lượng trạng thái hiện đại.

Thứ tư, các nhà quản lý kỹ thuật và chủ đầu tư dự án lưu trữ năng lượng lưới điện tái tạo. Báo cáo giúp làm rõ cơ chế tổn thất năng lượng khoảng 5% và tác động của nhiệt độ môi trường, làm cơ sở xây dựng kế hoạch bảo dưỡng định kỳ và nâng cao hiệu quả kinh tế cho các trạm lưu trữ năng lượng quy mô lớn.

Câu hỏi thường gặp

Phương pháp đếm dòng Coulomb truyền thống có những hạn chế cốt tử nào khi ước lượng trạng thái nạp? Phương pháp đếm dòng hoạt động theo nguyên tắc tích phân dòng điện theo thời gian nên hoàn toàn phụ thuộc vào độ chính xác của giá trị trạng thái nạp ban đầu. Trong thực tế, nhiễu cảm biến dòng điện luôn tồn tại làm sai số tích lũy tăng dần theo thời gian, thường vượt quá 10% chỉ sau một vài chu kỳ nạp xả, khiến hệ thống không thể tự cân chỉnh nếu không có điểm mốc hiệu chuẩn.

Nhiệt độ môi trường dưới 0 độ C tác động như thế nào đến độ chính xác của mô hình pin? Khi nhiệt độ giảm xuống âm 25 độ C, sai số căn bậc hai trung bình của quan hệ giữa điện áp hở mạch và trạng thái nạp tăng vọt lên 32,5 mV, tức gấp 25 lần so với tại 35 độ C (1,3 mV). Đồng thời, nội trở thuần tăng lên 600 mΩ do độ nhớt dung dịch điện ly tăng cao, đòi hỏi thuật toán phải tích hợp bảng tra tham số thích nghi đa nhiệt độ để duy trì độ chính xác.

Mô hình mạch tương đương tự hiệu chỉnh nâng cao có ưu điểm gì nổi bật so với mô hình RC kinh điển? Mô hình nâng cao bổ sung thành phần điện áp trễ động học và mô tả chi tiết sự phụ thuộc phi tuyến của điện áp hở mạch theo cả trạng thái nạp lẫn nhiệt độ. Nhờ cấu trúc này, mô hình mô phỏng chính xác hiện tượng phục hồi điện áp sau khi ngắt tải, giúp giảm thiểu sai lệch điện áp đầu ra xuống dưới mức 0,02 V tại 45 độ C.

Việc cài đặt thuật toán Bộ lọc Kalman mở rộng có gây quá tải năng lực xử lý của vi điều khiển BMS không? Mặc dù thuật toán đòi hỏi các phép tính nhân ma trận và tính toán đạo hàm riêng Jacobian, nhưng với chu kỳ trích mẫu 1 giây và bậc tự do thấp của mô hình một nhánh RC, các dòng vi điều khiển 32-bit tầm trung chỉ tiêu tốn dưới 5% năng lực xử lý và vài kilobyte bộ nhớ RAM, hoàn toàn đáp ứng tốt yêu cầu thời gian thực.

Cell pin Samsung INR18650-25R được thử nghiệm trong luận văn có những thông số vận hành đặc thù nào? Đây là dòng cell pin Lithium-ion công suất cao có dung lượng danh định 2500 mAh, điện áp làm việc danh định 3,6 V, điện áp cắt xả 2,25 V, khối lượng 49 g và chịu được dòng xả liên tục tới 20 A cùng dòng xả xung 35 A. Dòng pin này có tuổi thọ danh định 1000 chu kỳ, rất phổ biến trên các mẫu xe máy điện và dụng cụ cầm tay công nghiệp.

Kết luận

  • Xây dựng thành công mô hình mạch điện tương đương tự hiệu chỉnh nâng cao cho pin Lithium-ion, phản ánh chân thực các hiện tượng điện áp trễ, phân cực khuếch tán và độ nhạy nhiệt độ trong dải từ âm 25 độ C đến 45 độ C.
  • Xác định và chuẩn hóa toàn bộ bộ thông số động học cho cell pin Samsung INR18650-25R 2500mAh qua dữ liệu thực nghiệm nạp xả C/30 và xung tải 1C với sai số căn bậc hai trung bình tại 35 độ C chỉ đạt 1,3 mV.
  • Ứng dụng thành công thuật toán Bộ lọc Kalman mở rộng để ước lượng trực tuyến trạng thái nạp, kiểm soát sai lệch điện áp mô hình trong khoảng hẹp 0,02 V và triệt tiêu hoàn toàn sai số tích lũy trôi cảm biến.
  • Khẳng định tính khả thi của thuật toán khi nhúng lên các phần cứng vi điều khiển thực tế, tạo cơ sở nâng cao độ an toàn chống quá sạc, quá xả và chống cháy nổ cho pack pin.
  • Đóng góp nguồn dữ liệu thực nghiệm đa nhiệt độ chuẩn mực và phương pháp luận rõ ràng cho ngành Kỹ thuật điều khiển và tự động hóa trong lĩnh vực giao thông xanh.

Về lộ trình phát triển tiếp theo, nhóm nghiên cứu dự kiến sẽ hoàn thiện thuật toán tự thích nghi trực tuyến tham số đa biến và mở rộng thử nghiệm trên quy mô module pin 96 cell mắc nối tiếp trong giai đoạn sắp tới. Quý độc giả, kỹ sư và các nhà khoa học quan tâm đến việc nhận tài liệu toàn văn cùng các đoạn mã nguồn thuật toán có thể liên hệ trực tiếp với tác giả và cơ sở đào tạo để cùng hợp tác nghiên cứu phát triển công nghệ pin xe điện hiện đại.