Luận án tiến sĩ về hệ thấp chiều oxit phức hợp tại Đại học Quốc gia Hà Nội

Luận án tiến sĩ nghiên cứu hệ thấp chiều oxit phức hợpmô phỏng và khảo sát một số tính chất, phân tích chuyên sâu, xây dựng mô hình lý thuyết, đề xuất giải pháp khoa học cho vấn

Trường đại học

Đại học Quốc gia Hà Nội

Chuyên ngành

Vật lý chất rắn

Người đăng

Ẩn danh

Thể loại

luận án tiến sĩ

2017

146
2
0

Phí lưu trữ

35 Point

Mục lục chi tiết

LỜI CAM ĐOAN

LỜI CẢM ƠN

1. CHƯƠNG 1: TỔNG QUAN VỀ OXIT PHỨC HỢP

Tóm tắt

I. Tổng quan về hệ thấp chiều oxit phức hợp và ứng dụng

Hệ thấp chiều oxit phức hợp là một lĩnh vực nghiên cứu quan trọng trong vật lý chất rắn. Các vật liệu này có cấu trúc tinh thể đặc biệt, cho phép nghiên cứu các tính chất vật lý độc đáo. Hệ thấp chiều thường được sử dụng trong các ứng dụng công nghệ cao như cảm biến, thiết bị điện tử và năng lượng. Nghiên cứu về hệ thấp chiều oxit phức hợp không chỉ giúp hiểu rõ hơn về các hiện tượng vật lý mà còn mở ra hướng đi mới cho các ứng dụng trong công nghệ hiện đại.

1.1. Đặc điểm cấu trúc của hệ thấp chiều oxit phức hợp

Hệ thấp chiều oxit phức hợp thường có cấu trúc tinh thể phức tạp, với các nguyên tử được sắp xếp theo cách đặc biệt. Cấu trúc này tạo ra các trạng thái điện tử và từ tính độc đáo, ảnh hưởng đến tính chất vật lý của vật liệu. Các nghiên cứu cho thấy rằng sự tương tác giữa các nguyên tử trong hệ thấp chiều có thể dẫn đến các hiện tượng như từ điện trở khổng lồ và tính chất siêu dẫn.

1.2. Ứng dụng của hệ thấp chiều oxit phức hợp trong công nghệ

Hệ thấp chiều oxit phức hợp được ứng dụng rộng rãi trong nhiều lĩnh vực công nghệ. Chúng có thể được sử dụng trong các thiết bị điện tử, cảm biến và pin mặt trời. Các nghiên cứu gần đây đã chỉ ra rằng các vật liệu này có thể cải thiện hiệu suất của các thiết bị điện tử nhờ vào tính chất điện từ độc đáo của chúng.

II. Thách thức trong nghiên cứu hệ thấp chiều oxit phức hợp

Mặc dù có nhiều tiềm năng, nghiên cứu về hệ thấp chiều oxit phức hợp cũng gặp phải nhiều thách thức. Một trong những vấn đề lớn nhất là việc xác định và mô phỏng chính xác các tính chất vật lý của chúng. Các phương pháp tính toán hiện tại vẫn chưa đủ mạnh để dự đoán chính xác các hiện tượng phức tạp trong hệ thấp chiều.

2.1. Khó khăn trong việc mô phỏng tính chất vật lý

Mô phỏng các tính chất vật lý của hệ thấp chiều oxit phức hợp đòi hỏi các phương pháp tính toán tiên tiến. Các mô hình hiện tại thường không thể phản ánh đầy đủ các tương tác giữa các nguyên tử, dẫn đến kết quả không chính xác. Việc phát triển các phương pháp mới là cần thiết để cải thiện độ chính xác của các mô phỏng.

2.2. Thách thức trong việc tổng hợp vật liệu

Tổng hợp các vật liệu oxit phức hợp với cấu trúc và tính chất mong muốn là một thách thức lớn. Các phương pháp tổng hợp hiện tại thường gặp khó khăn trong việc kiểm soát kích thước hạt và độ tinh khiết của vật liệu. Điều này ảnh hưởng đến tính chất vật lý và khả năng ứng dụng của chúng trong công nghệ.

III. Phương pháp nghiên cứu hệ thấp chiều oxit phức hợp hiệu quả

Để nghiên cứu hệ thấp chiều oxit phức hợp, nhiều phương pháp khác nhau đã được áp dụng. Các phương pháp này bao gồm mô phỏng tính toán, phân tích cấu trúc và đo đạc tính chất vật lý. Mỗi phương pháp đều có ưu điểm và nhược điểm riêng, và việc kết hợp chúng có thể mang lại kết quả tốt hơn.

3.1. Mô phỏng tính toán trong nghiên cứu vật liệu

Mô phỏng tính toán là một công cụ mạnh mẽ trong nghiên cứu hệ thấp chiều oxit phức hợp. Các phương pháp như lý thuyết phiếm hàm mật độ (DFT) cho phép nghiên cứu các tính chất điện tử và cấu trúc của vật liệu. Tuy nhiên, việc lựa chọn mô hình phù hợp là rất quan trọng để đạt được kết quả chính xác.

3.2. Phân tích cấu trúc và tính chất vật lý

Phân tích cấu trúc của hệ thấp chiều oxit phức hợp thường được thực hiện bằng các kỹ thuật như nhiễu xạ tia X (XRD) và hiển vi điện tử quét (SEM). Những kỹ thuật này giúp xác định cấu trúc tinh thể và kích thước hạt của vật liệu, từ đó đánh giá các tính chất vật lý của chúng.

IV. Kết quả nghiên cứu và ứng dụng thực tiễn của hệ thấp chiều oxit phức hợp

Nghiên cứu về hệ thấp chiều oxit phức hợp đã mang lại nhiều kết quả đáng khích lệ. Các vật liệu này không chỉ có tính chất vật lý độc đáo mà còn có khả năng ứng dụng cao trong công nghệ. Các nghiên cứu gần đây đã chỉ ra rằng hệ thấp chiều oxit phức hợp có thể được sử dụng trong các thiết bị điện tử tiên tiến và cảm biến nhạy.

4.1. Kết quả nghiên cứu về tính chất vật lý

Các nghiên cứu đã chỉ ra rằng hệ thấp chiều oxit phức hợp có thể thể hiện các tính chất như từ điện trở khổng lồ và tính chất siêu dẫn. Những tính chất này mở ra nhiều cơ hội cho việc phát triển các thiết bị điện tử mới với hiệu suất cao hơn.

4.2. Ứng dụng trong công nghệ hiện đại

Hệ thấp chiều oxit phức hợp đang được nghiên cứu để ứng dụng trong các thiết bị như cảm biến, pin mặt trời và các linh kiện điện tử. Việc phát triển các vật liệu này có thể cải thiện hiệu suất và độ bền của các thiết bị công nghệ cao.

V. Kết luận và triển vọng tương lai của nghiên cứu hệ thấp chiều oxit phức hợp

Nghiên cứu về hệ thấp chiều oxit phức hợp đang trên đà phát triển mạnh mẽ. Những thách thức hiện tại đang được giải quyết thông qua các phương pháp nghiên cứu mới và công nghệ tiên tiến. Tương lai của lĩnh vực này hứa hẹn sẽ mang lại nhiều đột phá trong công nghệ vật liệu.

5.1. Triển vọng nghiên cứu trong tương lai

Với sự phát triển của công nghệ tính toán và các phương pháp tổng hợp mới, nghiên cứu về hệ thấp chiều oxit phức hợp sẽ tiếp tục mở rộng. Các nghiên cứu trong tương lai có thể tập trung vào việc phát triển các vật liệu mới với tính chất vượt trội.

5.2. Tác động đến công nghệ và xã hội

Nghiên cứu về hệ thấp chiều oxit phức hợp không chỉ có ý nghĩa trong lĩnh vực khoa học mà còn có tác động lớn đến công nghệ và xã hội. Việc phát triển các thiết bị mới từ các vật liệu này có thể cải thiện chất lượng cuộc sống và thúc đẩy sự phát triển bền vững.

16/08/2025

Trích đoạn nội dung tài liệu

Chương 1: Tổng quan về oxit phức hợp Chương 2: Phương pháp nghiên cứu Chương 3: Kết quả và thảo luận 6 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com Chƣơng 1 – TỔNG QUAN VỀ OXIT PHỨC HỢP 1. Các đặc điểm chung của oxit phức hợp 1. Đặc điểm cấu trúc Các oxit phức hợp thường có cấu trúc dạng perovskite hoặc các dạng cấu trúc biến thể của của nó. Mạng tinh thể perovskite bao gồm các khối bát diện BO6 chung nhau các nguyên tử oxy ở đỉnh và ở góc tạo nên mạng giả lập phương ba chiều 3D.

Ở tâm mỗi khối giả lập phương là các nguyên tử A (Hình 1. Cấu trúc có tính đối xứng cao nhất trong họ perovskite là cấu trúc lập phương lý tưởng thuộc nhóm không gian Pm3m tương ứng với mạng bát diện không bị méo (Hình 1.1a, phần được chèn bên cạnh). Tuy nhiên, do tính suy biến và giả suy biến của các trạng thái điện tử xảy ra ở các cấu hình có tính đối xứng cao của bát diện BO6, cấu trúc này thực tế chỉ tồn tại ở nhiệt độ cao và có rất ít perovskite duy trì được cấu trúc này ở nhiệt độ phòng. Khi nhiệt độ giảm, sự tách suy biến làm cho các cấu hình có tính đối xứng thấp của BO6 bền vững hơn dẫn đến sự chuyển pha tứ giác, trực thoi, hộp thoi, một nghiêng và ba nghiêng.

Do đó, trong các vật liệu perovskite, các méo mạng liên quan đến BO6 bao gồm: (1) méo mạng Jahn-Teller; (2) méo mạng dạng sắt điện và (3) sự nghiêng của khối bát diện (Hình 1.2) thường xảy ra như một hệ quả tất yếu của tính bất ổn định của các cấu hình có tính đối xứng cao. Ngoài cấu trúc perovskite, các oxit phức hợp còn có thể có cấu trúc dạng biến thể của cấu trúc perovskite. Có hai dạng biến thể thường gặp là perovskite kép và perovskite lớp. * Perovskite kép: Trong cấu trúc perovskite kép, kiến trúc mạng giả lập phương BO6 với các cation A nằm ở tâm các khối giả lập phương được giữ nguyên.

Điều khác biệt duy nhất là có hai loại cation ở vị trí B với trật tự sao cho ô đơn vị được nhân đôi so với cấu trúc perovskite nguyên thuỷ lý tưởng (Hình 1. * Perovskite lớp: bao gồm các lớp perovskite nguyên thể ABO3 hai chiều với một độ dày nhất định được ngăn cách bởi một lớp cấu trúc nhất định. Điểm khác biệt 7 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com giữa các loại perovskite lớp khác nhau nằm ở chỗ: (1) loại cấu trúc phân cách giữa các lớp perovskite và (2) lớp nguyên tử giới hạn của lớp perovskite. Theo đó, có ba loại pha thường gặp tương ứng với cấu trúc này: (a) (b) KLaNb2O7 CsLaNb2O7 Sr2RuO4 Sr3Ru2O7 Bi2O2/Bi(Ti,Nb)2O7 (c) (d) (e) Hình 1.

(a) Mạng tinh thể perovskite đặc trưng bao gồm các khối bát diện BO6 (màu tím) chung nhau các nguyên tử oxy ở đỉnh và ở góc (nguyên tử oxy màu đỏ và nguyên tử vị trí B màu tím) tạo nên mạng giả lập phương 3D. Ở tâm mỗi khối giả lập phương là các nguyên tử A. Ô đơn vị giả lập phương thuộc nhóm không gian Pm3m tương ứng với cấu trúc perovskite lý tưởng được phóng to ở phần bên phải. (b) Ví dụ điển hình của perovskite kép: SrFe0.

- Pha Ruddleson-Popper: Công thức chung là An+1BnO3n+1 hay (AO)2/An-1BnO3n-1 vì pha cấu trúc này được đặc trưng bởi sự xen kẽ giữa các lớp perovkite có độ dày tương ứng với n khối bát diện và hai lớp nguyên tử AO cùng với lớp nguyên tử giới 8 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com hạn của lớp perovskite là BO2. Các ví dụ điển hình của pha cấu trúc này là Sr2RuO4 (n = 1, A = Sr, B = Ru), Sr3Ru2O7 (n = 2, A = Sr, B = Ru) như trên Hình 1. - Pha Aurivillius: Công thức chung là Bi2O2/An-1BnO3n-1 với các lớp perovskite có độ dày tương ứng với n khối bát diện được ngăn cách bởi hai lớp BiO cấu trúc muối ăn theo định hướng [111] và lớp nguyên tử giới hạn lớp perovskite là lớp AO. Ví dụ điển hình của pha cấu trúc này là Bi2O2/Bi(Ti,Nb)2O7 tương ứng với n = 2 (Hình 1.

- Pha Dion-Jacobson: Công thức chung là M+1An-1BnO3n+1 trong đó lớp ngăn cách là một lớp đơn nguyên tử kim loại kiềm. Các ví dụ điển hình được thể hiện trên Hình 1.1e bao gồm KlaNb2O7 và CsLaNb2O7. Cấu trúc lý tưởng Méo Jahn-Teller (a) (b) Hình 1. (a) Méo mạng Jahn-Teller; (b) Méo mạng dạng sắt điện.

Sự tách mức năng lượng dưới ảnh hưởng của méo mạng Jahn-Teller được thể hiện ở phía dưới cấu trúc tương ứng trong hình (a). Cấu trúc hai hố thế cũng được thể hiện ở phía trên cấu hình méo mạng sắt điện trong hình (b) 3. Cấu trúc vùng năng lượng điện tử Trong các oxit phức hợp, do chênh lệch lớn về mặt năng lượng giữa vùng hóa trị của O và kim loại kiềm thổ và đất hiếm, vùng hóa trị và vùng dẫn được tạo nên chủ yếu bởi các mức năng lượng liên quan đến phối trí BOx. Hay nói cách khác, BOx là yếu tố chính quyết định trực tiếp các tính chất điện tử quan trọng của oxit phức hợp.

Mặt khác, trong các hợp chất của kim loại chuyển tiếp, tương tác đẩy Coulomb tại chỗ U trên các orbital d chính là nguồn gốc của trạng thái cách điện. 3 Nguồn: http://mini.edu 9 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com Tương tác này khiến cho vùng d được lấp đầy một phần bị tách thành vùng Hubbard trên và vùng Hubbard dưới. Thêm vào đó, sự cạnh tranh giữa năng lượng chuyển điện tích giữa orbital này và 2p của O pd, sự xen phủ pd tpd, độ rộng vùng p của các anion O2- W và tương tác nhảy trực tiếp giữa các vị trí kim loại chuyển tiếp khác nhau tdd tạo ra giản đồ pha trạng thái cơ bản rất phức tạp cho các oxit phức hợp. Lược đồ về cấu trúc vùng năng lượng của một số trạng thái cơ bản chính trong giản đồ pha ZSA: (a) Khi U <<pd, trạng thái cách điện Mott-Hubbard; (b) Khi U >> pd, pd > c ~ W/2, trạng thái cơ bản là cách điện chuyển điện tích; (c) Khi pd < W/2, tdd => 0, trạng thái kim loại pd; (d) Khi pd < W/2, tdd khác 0, trạng thái cách điện đồng hóa trị.

Các tính toán của Zaanen-Sawatzky-Allen dựa trên mô hình đơn tạp Anderson, trong đó xem xét các thông số U, pd, W và tpd (bỏ qua tương tác trực tiếp giữa các vị trí kim loại chuyển tiếp tdd) đã đưa đến một giản đồ pha (giản đồ pha ZSA) cho thấy sự tồn tại của ba trạng thái cơ bản khác nhau [51]. Khi U << pd, do sự chênh lệch lớn về mặt năng lượng giữa các mức 3d của kim loại chuyển tiếp và 2p của oxy nên trong cấu trúc vùng năng lượng tổng hợp của oxit kim loại chuyển tiếp ta có các vùng 3d và 2p khá tách biệt. Liên kết kim loại – oxy có tính ion mạnh, điện tích ion của các kim loại và oxy khi ấy gần với hóa trị của chúng. Khe năng lượng có bản chất là khe giữa vùng Hubbard trên và Hubbard dưới, U quyết định độ lớn của khe năng lượng.

Lúc này, hệ có trạng thái cơ bản là cách điện Mott- Hubbard (Hình 1. Khi U >> pd, có sự lai hóa p-d đáng kể, bản chất liên kết kim loại – oxy có tính hóa trị phân cực. Nếu pd > c ~ W/2 (W là độ rộng của vùng O 2p), vùng Hubbard dưới bị đẩy xuống thấp hơn vùng 2p của O, khe năng lượng 10 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com có bản chất là khe chuyển điện tích giữa vùng 2p của O và vùng Hubbard trên, hệ có trạng thái cơ bản là cách điện chuyển điện tích (Hình 1. Nếu năng lượng chuyển điện tích giảm đi đủ nhỏ, pd < c, thì vùng Hubbard trên vẫn nằm trong vùng O 2p dẫn đến sự hình thành của trạng thái kim loại (Hình 1.

Tuy nhiên, một hạn chế của mô hình ZSA là bỏ qua tính tuần hoàn tịnh tiến của kim loại và do đó bỏ qua độ rộng vùng d cũng như tương tác trực tiếp giữa các vị trí kim loại tdd do chỉ coi kim loại là một đơn tạp trong mạng anion. Các tính toán khác dựa trên mô hình Hubbard đa vùng cũng đã giúp xây dựng một giản đồ pha tương tự giản đồ pha ZSA với một pha cách điện bổ sung tương ứng với vùng pd < W/2 - cách điện cộng hóa trị (Hình 1. Trong trạng thái này, liên kết B-O có bản chất cộng hóa trị, trạng thái cách điện xảy ra do sự định xứ của các điện tử tại các liên kết cộng hóa trị này. Khe năng lượng là khe giữa các trạng thái liên kết pd và phản liên kết pd.

Chính do sự lại hóa pd mạnh, năng lượng đẩy tại chỗ hiệu dụng lúc này giảm mạnh so với năng lượng đẩy tại chỗ trên orbital d thuần túy. Do đó, các chất cách điện cộng hóa trị thường có khe năng lượng nhỏ. Một đặc tính thú vị của chất cách điện cộng hóa trị được quan sát bằng thực nghiệm là sự phụ thuộc của khe năng lượng và từ tính vào nhiệt độ [124]. Biểu hiện này không thể giải thích bằng lý thuyết cấu trúc vùng năng lượng một điện tử thông thường được.

Sự tách mức năng lượng của các orbital 3d trong một số trường tinh thể phổ biến: (a) trường bát diện, (b) kim tự tháp và (c) vuông. Bên cạnh sự cạnh tranh giữa các thông số nêu trên, sự khác nhau về cấu trúc điện tử giữa các oxit phức hợp còn xuất phát từ sự tách trong trường tinh thể khác nhau của các mức 3d do các cách phối trí BOx khác nhau trong từng loại hợp chất. Trong số các orbital 3d, orbital nào có các thùy hướng thẳng về phía ion O2- hoặc ở 11 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com gần ion O2- sẽ chịu lực đẩy Coulomb mạnh hơn các orbital khác. Hệ quả là chúng sẽ có năng lượng cao hơn các orbital khác.

Theo đó, sự tách mức năng lượng của các orbital 3d trong một số trường tinh thể phổ biến, bao gồm trường bát diện, kim tự tháp và vuông, xảy ra như được minh họa trên Hình 1. Tương tác trao đổi trong oxit phức hợp từ tính 1. Bản chất của tương tác trao đổi, tương tác trao đổi trực tiếp Nhiều vật liệu oxit phức hợp nổi tiếng với giản đồ pha trật tự từ phức tạp. Sự cạnh tranh của các loại tương tác trao đổi khác nhau chính là yếu tố mấu chốt để lý giải tính chất thú vị này.

Bản chất chung của các tương tác trao đổi là thành phần cơ học lượng tử của tương tác tĩnh điện Coulomb giữa các điện tử của hệ [119]. Chúng được đặc trưng bởi tương tác trao đổi J.

Nội dung được bảo vệ bản quyền — Tải xuống đầy đủ