Luận án tiến sĩ mô hình debye tương quan phi điều hòa và các tham số nhiệt động của tinh thể cấu trúc lập phương tâm diện trong xafs

Nghiên cứu mô hình Debye phi điều hòa và tham số nhiệt động của tinh thể lập phương tâm diện trong XAFS, cung cấp cái nhìn sâu sắc về vật liệu.

Trường đại học

Đại học Quốc gia Hà Nội

Người đăng

Ẩn danh

Thể loại

luận án tiến sĩ

2018

123
4
0

Phí lưu trữ

35 Point

Mục lục chi tiết

LỜI CAM ĐOAN

1. CHƯƠNG 1: LÝ THUYẾT XAFS PHI ĐIỀU HÒA VÀ PHÉP KHAI TRIỂN CUMULANT

2. CHƯƠNG 2: MÔ HÌNH DEBYE TƯƠNG QUAN PHI ĐIỀU HÒA

3. CHƯƠNG 3: ÁP DỤNG MÔ HÌNH DEBYE TƯƠNG QUAN PHI ĐIỀU HÒA CHO CÁC TINH THỂ LẬP PHƯƠNG TÂM DIỆN. LẬP TRÌNH TÍNH SỐ VÀ THẢO LUẬN KẾT QUẢ

KẾT LUẬN CHUNG

DANH MỤC CÁC CÔNG TRÌNH KHOA HỌC CỦA TÁC GIẢ LIÊN QUAN ĐẾN LUẬN ÁN

TÀI LIỆU THAM KHẢO

Tóm tắt

I. Tổng quan về mô hình Debye và tham số nhiệt động trong XAFS

Mô hình Debye là một trong những mô hình quan trọng trong vật lý, đặc biệt trong việc nghiên cứu các tham số nhiệt động của vật liệu. Mô hình này giúp hiểu rõ hơn về sự tương tác giữa các nguyên tử trong tinh thể và ảnh hưởng của nhiệt độ đến cấu trúc của chúng. Trong bối cảnh XAFS (X-ray Absorption Fine Structure), mô hình Debye đóng vai trò quan trọng trong việc phân tích và xác định các tham số nhiệt động của vật liệu. Việc áp dụng mô hình này giúp cải thiện độ chính xác trong việc dự đoán các đặc tính vật lý của vật liệu ở các nhiệt độ khác nhau.

1.1. Mô hình Debye và ứng dụng trong nghiên cứu XAFS

Mô hình Debye được phát triển để mô tả các dao động nhiệt của nguyên tử trong tinh thể. Trong nghiên cứu XAFS, mô hình này giúp xác định các tham số nhiệt động như hệ số Debye-Waller, ảnh hưởng của nhiệt độ đến phổ XAFS và các thông tin cấu trúc khác. Việc áp dụng mô hình Debye cho phép các nhà nghiên cứu có cái nhìn sâu sắc hơn về cấu trúc tinh thể và các hiệu ứng nhiệt động phi điều hòa.

1.2. Các tham số nhiệt động quan trọng trong XAFS

Các tham số nhiệt động trong XAFS bao gồm hệ số Debye-Waller, nhiệt độ Debye và các cumulant. Những tham số này không chỉ ảnh hưởng đến phổ XAFS mà còn cung cấp thông tin về cấu trúc và tính chất của vật liệu. Việc hiểu rõ các tham số này là rất quan trọng để giải thích các hiện tượng vật lý xảy ra trong các hệ vật liệu khác nhau.

II. Thách thức trong việc áp dụng mô hình Debye trong XAFS

Mặc dù mô hình Debye đã được áp dụng rộng rãi trong nghiên cứu XAFS, nhưng vẫn tồn tại nhiều thách thức trong việc xác định chính xác các tham số nhiệt động. Một trong những vấn đề lớn nhất là sự ảnh hưởng của các hiệu ứng phi điều hòa, đặc biệt là ở nhiệt độ cao. Những hiệu ứng này có thể dẫn đến sai lệch trong việc phân tích phổ XAFS và làm giảm độ chính xác của các kết quả nghiên cứu.

2.1. Ảnh hưởng của nhiệt độ đến mô hình Debye

Nhiệt độ có ảnh hưởng lớn đến các dao động nhiệt của nguyên tử trong tinh thể. Ở nhiệt độ thấp, các dao động này thường được coi là điều hòa, nhưng khi nhiệt độ tăng, các hiệu ứng phi điều hòa trở nên đáng kể. Điều này có thể dẫn đến việc mô hình Debye không còn chính xác, đặc biệt trong việc dự đoán các tham số nhiệt động.

2.2. Các sai số trong phân tích phổ XAFS

Các sai số trong phân tích phổ XAFS có thể xuất phát từ nhiều nguồn khác nhau, bao gồm cả việc không tính đến các hiệu ứng phi điều hòa. Những sai số này có thể dẫn đến việc xác định sai các tham số nhiệt động và ảnh hưởng đến độ tin cậy của các kết quả nghiên cứu. Do đó, việc phát triển các mô hình mới để cải thiện độ chính xác là rất cần thiết.

III. Phương pháp giải quyết thách thức trong mô hình Debye

Để giải quyết các thách thức trong việc áp dụng mô hình Debye, nhiều phương pháp mới đã được phát triển. Một trong những phương pháp hiệu quả là sử dụng phép gần đúng cumulant để tính toán các tham số nhiệt động. Phương pháp này cho phép tính toán chính xác hơn các hiệu ứng phi điều hòa và cải thiện độ chính xác của các kết quả phân tích phổ XAFS.

3.1. Phép gần đúng cumulant trong phân tích XAFS

Phép gần đúng cumulant là một công cụ mạnh mẽ trong việc phân tích phổ XAFS. Phương pháp này cho phép tính toán các cumulant bậc cao, từ đó cung cấp thông tin chi tiết hơn về các tham số nhiệt động và các hiệu ứng phi điều hòa. Việc áp dụng phép gần đúng này giúp cải thiện độ chính xác trong việc xác định cấu trúc của vật liệu.

3.2. Mô hình Debye Waller cải tiến

Mô hình Debye-Waller cải tiến được phát triển để tính toán chính xác hơn các tham số nhiệt động trong điều kiện phi điều hòa. Mô hình này kết hợp các yếu tố như tần số dao động và các tương tác giữa các nguyên tử, từ đó cung cấp các biểu thức chính xác hơn cho các cumulant và các tham số nhiệt động trong XAFS.

IV. Ứng dụng thực tiễn của mô hình Debye trong nghiên cứu XAFS

Mô hình Debye và các tham số nhiệt động đã được áp dụng rộng rãi trong nhiều lĩnh vực nghiên cứu khác nhau. Từ việc phân tích cấu trúc của các vật liệu mới đến việc nghiên cứu các hiện tượng vật lý phức tạp, mô hình này đã chứng minh được giá trị của nó trong việc cung cấp thông tin chi tiết về các hệ vật liệu.

4.1. Phân tích cấu trúc vật liệu mới

Mô hình Debye đã được sử dụng để phân tích cấu trúc của nhiều vật liệu mới, từ kim loại đến hợp kim và vật liệu vô định hình. Việc áp dụng mô hình này giúp các nhà nghiên cứu hiểu rõ hơn về các đặc tính vật lý của vật liệu và cách chúng ảnh hưởng đến hiệu suất của vật liệu trong các ứng dụng thực tiễn.

4.2. Nghiên cứu các hiện tượng vật lý phức tạp

Mô hình Debye cũng đã được áp dụng trong nghiên cứu các hiện tượng vật lý phức tạp như sự chuyển pha, tính chất điện từ và quang học của vật liệu. Việc sử dụng mô hình này giúp các nhà khoa học có cái nhìn sâu sắc hơn về các cơ chế vật lý cơ bản và cách chúng ảnh hưởng đến các tính chất của vật liệu.

V. Kết luận và triển vọng tương lai của mô hình Debye trong XAFS

Mô hình Debye đã đóng góp quan trọng trong việc nghiên cứu các tham số nhiệt động trong XAFS. Tuy nhiên, vẫn còn nhiều thách thức cần được giải quyết để cải thiện độ chính xác của mô hình. Trong tương lai, việc phát triển các mô hình mới và cải tiến các phương pháp hiện có sẽ giúp nâng cao khả năng phân tích và hiểu biết về các hệ vật liệu phức tạp.

5.1. Hướng phát triển mô hình Debye trong nghiên cứu XAFS

Hướng phát triển mô hình Debye trong nghiên cứu XAFS sẽ tập trung vào việc cải thiện độ chính xác của các tham số nhiệt động và giảm thiểu các sai số trong phân tích phổ. Việc kết hợp các phương pháp mới và cải tiến mô hình hiện có sẽ là chìa khóa để đạt được những tiến bộ trong lĩnh vực này.

5.2. Tương lai của nghiên cứu XAFS và mô hình Debye

Nghiên cứu XAFS và mô hình Debye sẽ tiếp tục phát triển trong tương lai, với nhiều ứng dụng mới và các thách thức cần được giải quyết. Việc áp dụng các công nghệ mới và phương pháp phân tích tiên tiến sẽ giúp mở rộng khả năng nghiên cứu và ứng dụng của mô hình Debye trong các lĩnh vực khác nhau.

16/08/2025

Trích đoạn nội dung tài liệu

CHƯƠNG 1 LÝ THUYẾT XAFS PHI ĐIỀU HÒA VÀ PHÉP KHAI TRIỂN CUMULANT XAFS là viết tắt của từ tiếng Anh: X-ray Absorbtion Fine Structure (Cấu trúc tinh tế của phổ hấp thụ tia X), là một cấu trúc đặc thù quan sát được trong phổ hấp thụ tia X (XAS – X-ray Absorbtion Spectroscopy). Khi chiếu một chùm ánh sáng đi qua một lớp vật chất thì khi ra khỏi lớp, cường độ chùm sáng sẽ giảm đi do bị lớp vật chất hấp thụ. Người ta phát hiện ra nếu chùm sáng tới là photon tia X thì sau cận hấp thụ sẽ xuất hiện phổ cấu trúc tinh tế của tia X hay XAFS. Trong nghiên cứu, người ta còn phân ra các khái niệm như EXAFS (Extended XAFS) khi động năng của quang điện tử E > 50eV, hay XANES (X-ray Absorbtion Near-Edge Structure) và NEXAFS (Near-Edge XAFS) khi động năng của quang điện tử E < 50eV tức là cấu trúc ở gần cận hấp thụ.

Ngoài ra, đối với XAFS từ vùng mặt tinh thể còn tồn tại các khái niệm SXANES (Surface XANES) và SEXAFS (Surface EXAFS). Bằng cách phân tích phổ XAFS, ta có thể thu được thông tin về cấu trúc địa phương và các trạng thái chưa bị chiếm chỗ của vật liệu. Phần cấu trúc tinh tế XAFS của tia X cho thông tin về số nguyên tử trên các quả cầu phối vị và ảnh Fourier của nó cho thông tin về bán kính của các quả cầu này. Vì vậy, nó đã được phát triển mạnh mẽ và trở thành Kỹ thuật XAFS (XAFS Technique).

Để xem xét các hiệu ứng phi điều hòa trong XAFS, người ta đã phát triển phép gần đúng cumulant, tuy nhiên lúc đầu chỉ với mục đích chủ yếu là làm khớp phổ thực nghiệm. Để có mô hình lý thuyết cho việc tính toán phổ XAFS, một loạt các phương pháp, mô hình đã ra đời. 7 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com Trong chương này, chúng tôi sẽ giới thiệu một số khái niệm chung về phổ XAFS, phép khai triển gần đúng cumulant và một số phương pháp tính cumulant hiện đang được sử dụng cùng với ưu thế và hạn chế của chúng. PHỔ XAFS VÀ CÁC THAM SỐ VẬT LÝ CƠ BẢN CỦA XAFS 1.

Tia X và bức xạ Synchrotron Năm 1898, Rơnghen phát hiện ra tia X. Ngay sau đó, người ta đã nhận thấy tầm quan trọng của nó trong việc nghiên cứu cấu trúc vật rắn. Tia X và bức xạ Synchrontron đóng vai trò là nguồn photon trong các tương tác với vật rắn. Tia X được tạo ra bằng cách tăng tốc đột ngột các điện tử chuyển động nhanh trong vật thử.

Các điện tử sinh ra từ một sợi Wolfram đã được đốt nóng trong ống tia X (X-ray tube). Sau đó, chúng được tăng tốc bằng điện thế V (ở Catốt) và được bắn vào một vật thử (đóng vai trò là Anốt) được đặt trong chân không để sinh ra tia X. Phổ bức xạ hãm [5] Thực ra, phần lớn các điện tử qua va chạm nhiều lần rồi truyền năng lượng của chúng cho vật thử và cho ta phổ bức xạ hãm (bremsstrahlung) hay bức xạ trắng (white radiation), đó là phổ liên tục. Khi V tăng thì λ min giảm và cường độ toàn phần của phổ bức xạ sẽ tăng.

8 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com Sự phát sinh tia X này có quan hệ với sự chuyển dịch giữa các vùng năng lượng. Khi một điện tử bị đẩy khỏi mức sâu của nguyên tử trong vật rắn thì một điện tử của một mức khác có thể từ vùng dẫn chuyển xuống lấp vào lỗ trống trong vùng hoá trị và phát ra tia X. Người ta có thể tạo ra bức xạ này bằng cách sử dụng một điện thế V để tăng tốc các điện tử trong ống tia X. Khi điện thế này đạt giá trị tới hạn (tùy thuộc vào vật liệu được sử dụng) thì các điện tử từ bên ngoài vào được tăng tốc nên sẽ có đủ năng lượng làm bật các điện tử từ trong nguyên tử và tạo ra các lỗ trống.

Phổ bức xạ đặc trưng [5] Khi đó, các tia X được phát ra là các vạch rõ nét, gián đoạn và là các đường đặc trưng. Cường độ của nó lớn hơn cường độ của các bức xạ hãm cỡ 103 lần. Cường độ này phụ thuộc vào năng lượng của hai mức nguyên tử tham gia vào chuyển dịch. Các bức xạ này là đơn sắc và có bước sóng giảm khi số nguyên tử Z của vật mẫu tăng.

Như vậy, các ống tia X có thể sinh ra các phổ bức xạ hãm liên tục cũng như các phổ đặc trưng gián đoạn. Các phổ tia X đặc trưng được dùng rộng rãi trong các nghiên cứu nhiễu xạ tia X, còn các phổ tia X liên tục được dùng trong nghiên cứu XAFS. Hiện nay, người ta đã phát triển được nhiều nguồn photon để tạo ra bức xạ có cường độ lớn hơn trước đây tới 103 lần. 9 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.

Mô hình các bức xạ điện tử [5] Bức xạ Synchrotron: Ngày nay, người ta đã tạo ra được các bức xạ Synchrotron bao gồm từ vùng hồng ngoại với năng lượng photon từ vài meV ứng với bước sóng cỡ 106Å đến các bức xạ tia X ở vùng cứng và bức xạ Gamma với năng lượng photon trên 100keV ứng với bước sóng cỡ 10 -3Å. Bức xạ Synchrotron đạt được bằng cách sử dụng các đường vòng tích lũy (storage rings) và sẽ phát ra khi các hạt tích điện như điện tử hay positron chuyển động với vận tốc gần bằng tốc độ ánh sáng theo các vòng tích luỹ được đặt trong từ trường. Người ta có thể sử dụng các bức xạ Synchrotron với năng lượng từ vài meV đến keV để kích thích các phonon cũng như các điện tử trong quá trình thực hiện việc nghiên cứu các tính chất nhiệt động của vật rắn. Bức xạ Synchrotron có một số đặc tính như sau [54, 74]: - Cường độ lớn với vùng năng lượng rộng và liên tục.

- Cường độ và vị trí nguồn có sự ổn định cao. - Bức xạ có tính chuẩn trực (collimation) lớn. - Bức xạ có phân cực phẳng và môi trường sạch. - Cấu trúc xung thời gian được tính chuẩn xác theo micro giây.

- Kích thước nguồn nhỏ và được xác định qua kích thước của dòng điện tử. 10 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com Khi chiếu một chùm photon tia X vào vật rắn thì sẽ xẩy ra hai quá trình là tán xạ và hấp thụ. Sự tán xạ là do photon tia X bị phản xạ trở lại sau khi va chạm với điện tử lõi hoặc nguyên tử bao gồm tán xạ đàn hồi (tán xạ Rayleigh có va chạm hoàn toàn đàn hồi với điện tử và bước sóng tia X không thay đổi) và tán xạ không đàn hồi (tán xạ Compton có va chạm với các điện tử hoá trị và bước sóng tia X thay đổi). Sự hấp thụ liên quan đến hiệu ứng quang điện là do các điện tử lõi hấp thụ photon tia X và chuyển lên mức cao hơn hoặc bắn ra ngoài nguyên tử.

Nếu quang điện tử bắn ra ngoài nguyên tử thì ta có phổ quang điện tử PES (Photo - Electron - Spectrocopy), còn nếu quang điện tử ở lại trong vật rắn sau khi tán xạ với các nguyên tử lân cận rồi trở lại giao thoa với sóng của quang điện tử được phát ra từ nguyên hấp thụ thì ta thu được phần cấu trúc tinh tế của phổ hấp thụ tia X hay XAFS (X - ray Absorption Fine Structure). Phổ XAFS với các cận hấp thụ Khi chiếu một chùm bức xạ có cường độ I0 đi qua một lớp vật rắn có bề dày x thì nó sẽ bị hấp thụ với hệ số . Do đó, cường độ của nó khi ra khỏi lớp này sẽ bị giảm đi đáng kể. Sự hấp thụ bức xạ điện từ [5] Cường độ của chùm bức xạ lúc này là I và được xác định bằng định luật Bouguer như sau: 11 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.1) x Người ta phát hiện ra rằng, nếu chùm bức xạ đến là tia X thì sau cận hấp thụ với năng lượng photon ed  ed sẽ xuất hiện phổ cấu trúc tinh tế XAFS.

Khi đó, ngoài hệ số hấp thụ của một nguyên tử biệt lập 0 thì còn có phần cấu trúc tinh tế là đóng góp của các nguyên tử lân cận (  ). Cho nên, hệ số hấp thụ toàn phần được tính theo công thức sau [5, 12, 52, 68]: ()  0 () 1  ().2) ta suy ra phần cấu trúc tinh tế hay phổ XAFS là: ()  0 () ()  .3)  0 () Phần cấu trúc tinh tế (  ) đóng góp vào hệ số hấp thụ toàn phần trong (1.2) là do có sự tương tác giữa nguyên tử hấp thụ và các nguyên tử lân cận. Hệ số hấp thụ tia X có phần cấu trúc tinh tế  [5] Để xác định phần cấu trúc tinh tế  thì ta cần phải xác định hệ số hấp thụ  của vật rắn khi tương tác với sóng điện từ. 12 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com XAFS là kết quả của quá trình hấp thụ trong đó do tác dụng của photon tia X, điện tử chuyển tử trạng thái i có năng lượng i tới trạng thái cuốif có năng lượng f như mô tả trên Hình 1.

Sơ đồ chuyển mức năng lượng và hình thành các cận hấp thụ [5] Toán tử Hamilton khi có trường điện từ với thế véctơ A e e2 2 Hint    A.4) 2m 2m còn hệ số hấp thụ được xác định theo quy tắc vàng Fermi (Fermi Gold Rule), dựa trên phép gần đúng một electron (One – electron approximation) và có dạng truyền thống như sau [12, 22, 52, 53].5) Trong đó p là toán tử xung lượng, A là thế vectơ đặc trưng cho sóng điện từ, các hàm sóng i và f tương ứng là hàm riêng của toán tử Hamiltonian hiệu dụng H và H’ ở trạng thái đầu và trạng thái cuối với các mức năng lượng  i và  f. Trong gần đúng lưỡng cực, biểu thức (1.6) i,f Khi đó, do tích chất đối xứng của hàm sóng mà các yếu tố của ma trận dịch chuyển đối với các số lượng tử của trạng thái đầu (l i, mi) và trạng thái cuối (lf, mf) sẽ tuân theo qui tắc lọc lựa là: 13 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com lf  li  1; mf  mi ,mi  1.7) Từ đây, ta xác định được sự phụ thuộc của các số lượng tử trong trạng cuối |f vào trạng thái đầu |i mà thu được các cận hấp thụ khác nhau. Đối với cận hấp thụ K thì |i là trạng thái 1s, cho nên theo (1.7) trạng thái cuối |f là trạng thái p.

Nội dung được bảo vệ bản quyền — Tải xuống đầy đủ