Luận văn thạc sĩ điều khiển tính chất điện tử và quang học của các cấu trúc vật liệu 2d ứng dụng trong các bộ truyền động và thiết bị quang học

Luận văn: Điều khiển tính chất điện tử quang học vật liệu 2D cho bộ truyền động, thiết bị quang học. Nghiên cứu chuyên sâu, ứng dụng tiềm năng.

• Tác giả: Nguyễn Thúy Dung
• Người hướng dẫn: TS. Vương Văn Thanh
• Trường học: Trường Đại học Bách Khoa Hà Nội
• Chuyên ngành: Kỹ thuật cơ điện tử
• Đề tài: Điều khiển tính chất điện tử và quang học của các cấu trúc vật liệu 2D ứng dụng trong các bộ truyền động và thiết bị quang học
• Loại tài liệu: Luận văn thạc sĩ
• Năm xuất bản: 2021
• Địa điểm: Hà Nội

Mục lục chi tiết

• Lời cam đoan
• Lời cảm ơn
• 1. Giới thiệu
• 1.1. Tính cấp thiết của đề tài
• 1.2. Đối tượng nghiên cứu
• 1.3. Những đóng góp mới của luận văn
• 1.4. Cấu trúc của luận văn
• 2. Cơ sở lý thuyết
• 2.1. Hàm sóng và phương trình Schrodinger
• 2.2. Phương trình Schrodinger
• 2.3. Giải phương trình Schrodinger
• 2.4. Lý thuyết phiến hàm mật độ
• 2.4.1. Giả thiết
• 2.4.2. Khái niệm mật độ trạng thái của electron
• 2.4.3. Tính chất của n(r)
• 2.4.4. Mô hình Thomas - Fermi
• 2.4.5. Phương trình Kohn-Sham
• 2.4.6. Các bước tính toán nguyên lý đầu ab initio trong khoa học vật liệu
• 3. Điều khiển tính chất điện tử và quang học của vật liệu MoX2
• 3.1. Mô hình và phương pháp mô phỏng
• 3.2. Tính chất cơ học của MoX2
• 3.3. Tính chất điện tử của vật liệu TMDs MoX2
• 3.4. Tính chất quang học của vật liệu MoX2
• 3.5. Kết luận chương 3
• 4. Điều khiển tính chất điện tử và quang học của vật liệu Janus SnSeTe
• 4.1. Mô hình và phương pháp mô phỏng
• 4.2. Cấu trúc và độ ổn định động học của vật liệu Janus SnSTe và SnSeTe
• 4.3. Tính chất cơ học của SnSTe và SnSeTe
• 4.4. Tính chất điện tử của SnSTe và SnSeTe
• 4.5. Tính chất quang học của SnSTe và SnSeTe
• 4.6. Kết luận

Tóm tắt

I. Tổng Quan Luận Văn Vật Liệu 2D Điện Tử Quang Học

Luận văn này tập trung nghiên cứu điều khiển tính chất điện tử và quang học của cấu trúc vật liệu 2D. Mục tiêu là ứng dụng chúng trong các bộ truyền động và thiết bị quang học. Vật liệu 2D như graphene, TMD (Transition Metal Dichalcogenides) và các biến thể của chúng đang thu hút sự chú ý lớn. Lý do là tính chất độc đáo và tiềm năng ứng dụng rộng rãi. Chúng có thể thay đổi tính chất điện, quang học, cơ học dưới tác động của các yếu tố bên ngoài như điện trường, ứng suất cơ học, hoặc doping hóa học. Luận văn sử dụng phương pháp mô phỏng vật liệu và tính toán vật liệu dựa trên DFT (Density Functional Theory) để nghiên cứu. Nghiên cứu này cung cấp thông tin chi tiết về cách điều khiển tính chất vật liệu này. Từ đó mở ra khả năng thiết kế các thiết bị điện tử và quang học hiệu năng cao. Luận văn đi sâu vào phân tích tính chất điện tử, tính chất quang học của vật liệu MoX2 (MoS2, MoSe2, MoTe2) và vật liệu Janus SnSTe, SnSeTe. Các kết quả nghiên cứu cho thấy tiềm năng ứng dụng to lớn của các vật liệu nano 2D này. Kỹ thuật vật liệu phát triển, các ứng dụng mới sẽ xuất hiện, góp phần vào sự tiến bộ của khoa học và công nghệ. Những phát hiện này có thể đóng góp vào việc phát triển các sensor quang học, bộ điều biến quang học và thiết bị lưu trữ năng lượng hiệu quả hơn.

1.1. Giới Thiệu Chung Về Vật Liệu 2D và Ứng Dụng Tiềm Năng

Vật liệu 2D là vật liệu có cấu trúc chỉ dày một vài lớp nguyên tử. Điều này mang lại những tính chất khác biệt so với vật liệu khối. Graphene, một lớp đơn nguyên tử carbon, là ví dụ điển hình. Các vật liệu TMD cũng thuộc loại này. Tính chất đặc biệt của chúng đến từ hiệu ứng lượng tử và tương tác mạnh giữa các điện tử. Tiềm năng ứng dụng của chúng rất lớn. Chúng có thể được sử dụng trong transistor, sensor, pin mặt trời, và nhiều lĩnh vực khác.

1.2. Mục Tiêu và Phạm Vi Nghiên Cứu của Luận Văn

Luận văn tập trung vào việc điều khiển tính chất điện tử và quang học của vật liệu 2D. Phương pháp nghiên cứu chủ yếu là mô phỏng vật liệu sử dụng DFT. Hai loại vật liệu chính được nghiên cứu là MoX2 và Janus SnSTe, SnSeTe. Mục tiêu là hiểu rõ ảnh hưởng của các yếu tố bên ngoài đến tính chất của chúng. Từ đó mở ra khả năng ứng dụng trong bộ truyền động và thiết bị quang học.

II. Cơ Sở Lý Thuyết DFT và Tính Chất Điện Quang Vật Liệu

Để hiểu và dự đoán tính chất điện tử và quang học của vật liệu 2D, cần nắm vững cơ sở lý thuyết. Lý thuyết phiếm hàm mật độ (DFT) là công cụ mạnh mẽ. Nó cho phép tính toán các tính chất của vật liệu dựa trên mật độ điện tử. Phương trình Kohn-Sham là nền tảng của DFT. Nó cho phép thay thế bài toán nhiều hạt tương tác phức tạp bằng bài toán một hạt hiệu dụng. Ngoài DFT, cần hiểu rõ về cấu trúc vùng năng lượng, mật độ trạng thái, và các khái niệm liên quan đến tính chất điện môi, tính chất dẫn điện, tính chất hấp thụ ánh sáng, và tính chất phát quang. Luận văn sử dụng các kết quả từ DFT để phân tích và giải thích các tính chất của vật liệu 2D.

2.1. Tổng Quan về Lý Thuyết Phiếm Hàm Mật Độ DFT

DFT là một phương pháp tính toán vật liệu lượng tử cơ học. Nó được sử dụng rộng rãi để tính toán cấu trúc điện tử của các hệ vật chất. DFT dựa trên hai định lý Hohenberg-Kohn. Định lý thứ nhất khẳng định mật độ điện tử xác định duy nhất tất cả các tính chất của hệ. Định lý thứ hai cung cấp một nguyên lý biến phân để tìm mật độ điện tử ground state.

2.2. Cấu Trúc Vùng Năng Lượng và Mật Độ Trạng Thái DOS

Cấu trúc vùng năng lượng mô tả sự phụ thuộc của năng lượng điện tử vào động lượng. Nó cho biết các điện tử được phép tồn tại ở những mức năng lượng nào. Mật độ trạng thái (DOS) cho biết số lượng trạng thái điện tử có sẵn tại một mức năng lượng nhất định. DOS và cấu trúc vùng năng lượng là quan trọng. Chúng giúp hiểu các tính chất điện tử của vật liệu, chẳng hạn như độ dẫn điện và tính bán dẫn.

2.3. Tính Chất Quang Học Hấp Thụ Ánh Sáng và Phát Quang

Tính chất quang học của vật liệu mô tả cách vật liệu tương tác với ánh sáng. Hấp thụ ánh sáng xảy ra khi điện tử chuyển từ một trạng thái năng lượng thấp lên trạng thái năng lượng cao hơn bằng cách hấp thụ photon. Phát quang là quá trình ngược lại. Khi điện tử chuyển từ trạng thái năng lượng cao xuống trạng thái năng lượng thấp hơn và phát ra photon.

III. Điều Khiển Tính Chất Vật Liệu MoX2 Phương Pháp và Kết Quả

Nghiên cứu về vật liệu TMDs MoX2 (MoS2, MoSe2, MoTe2) đóng vai trò quan trọng. Nó tìm hiểu cách thay đổi tính chất điện tử và tính chất quang học của chúng. Phương pháp chính là mô phỏng vật liệu. Phương pháp này dựa trên DFT. Các yếu tố bên ngoài như ứng suất cơ học được áp dụng. Ảnh hưởng của ứng suất đến cấu trúc vùng năng lượng và tính chất quang học được phân tích. Kết quả cho thấy ứng suất có thể thay đổi band gap của vật liệu. Ứng suất cũng có thể ảnh hưởng đến hệ số hấp thụ ánh sáng. Nghiên cứu cung cấp cái nhìn sâu sắc về tiềm năng ứng dụng vật liệu 2D này trong các thiết bị điện tử và quang học.

3.1. Mô Hình và Phương Pháp Mô Phỏng Vật Liệu MoX2

Nghiên cứu sử dụng DFT để mô phỏng vật liệu. Các thông số tính toán được lựa chọn cẩn thận. Chúng đảm bảo độ chính xác của kết quả. Cấu trúc nguyên tử của MoX2 được tối ưu hóa trước. Sau đó, ứng suất được áp dụng. Các tính toán sau đó xác định cấu trúc vùng năng lượng và tính chất quang học.

3.2. Ảnh Hưởng của Ứng Suất Đến Tính Chất Điện Tử Của MoX2

Ứng suất có thể thay đổi cấu trúc vùng năng lượng của MoX2. Nó có thể làm thay đổi độ rộng của band gap. Trong một số trường hợp, ứng suất có thể chuyển đổi vật liệu từ bán dẫn gián tiếp thành bán dẫn trực tiếp. Điều này quan trọng đối với các ứng dụng quang điện tử.

3.3. Tác Động của Biến Dạng Lên Đặc Tính Quang Học của MoX2

Nghiên cứu tính chất quang học của vật liệu 2D rất quan trọng để ứng dụng chúng trong các thiết bị quang điện tử. Hệ số hấp thụ ánh sáng của MoX2 thay đổi dưới tác dụng của ứng suất. Điều này có thể được sử dụng để thiết kế các bộ điều biến quang học và sensor quang học.

IV. Vật Liệu Janus SnSTe SnSeTe Điều Khiển Tính Chất Điện Quang

Vật liệu Janus SnSTe và SnSeTe là một loại vật liệu 2D mới nổi. Chúng có cấu trúc bất đối xứng. Điều này tạo ra các tính chất độc đáo. Luận văn nghiên cứu cách điều khiển tính chất điện tử và quang học của chúng. Phương pháp chính là mô phỏng vật liệu dựa trên DFT. Ứng suất cơ học được sử dụng để thay đổi các tính chất. Kết quả cho thấy ứng suất có ảnh hưởng đáng kể đến band gap, hệ số hấp thụ ánh sáng, và phổ tổn hao năng lượng điện tử. Nghiên cứu mở ra tiềm năng ứng dụng của vật liệu Janus trong các thiết bị điện tử và quang học thế hệ mới.

4.1. Cấu Trúc và Độ Ổn Định Động Học Của Vật Liệu Janus

Vật liệu Janus có cấu trúc khác biệt so với vật liệu TMD truyền thống. Một mặt của lớp đơn nguyên tử có một loại nguyên tố, trong khi mặt kia có một loại nguyên tố khác. Điều này tạo ra moment lưỡng cực điện và các tính chất thú vị khác. Tính ổn định của cấu trúc được kiểm tra bằng cách tính toán phonon.

4.2. Ảnh Hưởng của Biến Dạng Đến Tính Chất Điện Tử Của Janus

Ứng suất có thể thay đổi cấu trúc vùng năng lượng của vật liệu Janus. Điều này có thể làm thay đổi độ rộng của band gap. Trong một số trường hợp, ứng suất có thể tạo ra các trạng thái bề mặt dẫn điện.

4.3. Khả Năng Điều Chỉnh Đặc Tính Quang Học của SnSTe SnSeTe

Nghiên cứu tính chất quang học của vật liệu Janus cho thấy tiềm năng ứng dụng to lớn của chúng trong các thiết bị quang điện tử. Hệ số hấp thụ ánh sáng của SnSTe và SnSeTe thay đổi dưới tác dụng của ứng suất. Điều này có thể được sử dụng để thiết kế các bộ điều biến quang học và sensor quang học.

V. Ứng Dụng Tiềm Năng Vật Liệu 2D Trong Truyền Động Quang Học

Vật liệu 2D hứa hẹn nhiều ứng dụng trong các bộ truyền động và thiết bị quang học. Khả năng điều khiển tính chất điện tử và quang học mở ra cơ hội thiết kế các thiết bị hiệu năng cao. Trong lĩnh vực truyền động, vật liệu 2D có thể được sử dụng trong các bộ truyền động nano. Trong lĩnh vực quang học, chúng có thể được sử dụng trong sensor quang học, bộ điều biến quang học, bộ khuếch đại quang học và thiết bị lưu trữ năng lượng. Nghiên cứu và phát triển ứng dụng vật liệu 2D vẫn đang tiếp tục. Tuy nhiên, tiềm năng của chúng là rất lớn. Kỹ thuật vật liệu tiên tiến sẽ đóng vai trò quan trọng trong việc khai thác tối đa tiềm năng này.

5.1. Ứng Dụng Vật Liệu 2D Trong Bộ Truyền Động Nano

Bộ truyền động nano là các thiết bị nhỏ. Chúng có thể chuyển đổi năng lượng điện thành chuyển động cơ học. Vật liệu 2D có thể được sử dụng làm vật liệu hoạt động trong các bộ truyền động nano. Ví dụ, graphene có thể được sử dụng trong các bộ truyền động tĩnh điện.

5.2. Ứng Dụng Vật Liệu 2D Trong Cảm Biến Sensor Quang Học

Sensor quang học phát hiện ánh sáng. Chúng có thể được sử dụng trong nhiều ứng dụng khác nhau. Vật liệu 2D có thể được sử dụng làm vật liệu hấp thụ ánh sáng trong các sensor quang học. Khả năng điều khiển tính chất hấp thụ ánh sáng của vật liệu 2D rất quan trọng.

5.3. Tiềm Năng Phát Triển Các Bộ Điều Biến và Khuếch Đại Quang Học

Bộ điều biến quang học kiểm soát cường độ ánh sáng. Bộ khuếch đại quang học tăng cường độ ánh sáng. Vật liệu 2D có thể được sử dụng trong các thiết bị này. Khả năng điều khiển tính chất quang học của chúng làm cho chúng trở nên hấp dẫn.

VI. Kết Luận Hướng Phát Triển Vật Liệu 2D Tương Lai

Luận văn đã nghiên cứu thành công điều khiển tính chất điện tử và quang học của cấu trúc vật liệu 2D. Phương pháp mô phỏng vật liệu dựa trên DFT được sử dụng hiệu quả. Nghiên cứu cho thấy tiềm năng ứng dụng to lớn của vật liệu 2D trong bộ truyền động và thiết bị quang học. Tuy nhiên, vẫn còn nhiều thách thức cần vượt qua. Nghiên cứu trong tương lai nên tập trung vào việc phát triển các phương pháp điều khiển tính chất vật liệu hiệu quả hơn. Ngoài ra, cần nghiên cứu sâu hơn về tính chất cơ học và tính chất nhiệt của vật liệu 2D. Cuối cùng, cần phát triển các quy trình sản xuất vật liệu 2D quy mô lớn và chi phí thấp. Vật liệu 2D hứa hẹn sẽ đóng vai trò quan trọng trong công nghệ tương lai.

6.1. Tóm Tắt Các Kết Quả Nghiên Cứu Chính Của Luận Văn

Luận văn đã thành công trong việc mô phỏng và phân tích tính chất điện tử và quang học của MoX2 và vật liệu Janus. Các kết quả cho thấy ứng suất có thể được sử dụng để điều khiển các tính chất này. Nghiên cứu đã mở ra các khả năng mới cho ứng dụng vật liệu 2D.

6.2. Thách Thức và Cơ Hội Trong Nghiên Cứu Vật Liệu 2D

Mặc dù có tiềm năng lớn, nghiên cứu vật liệu 2D vẫn còn nhiều thách thức. Việc sản xuất vật liệu chất lượng cao với chi phí thấp là một thách thức. Việc tích hợp vật liệu 2D vào các thiết bị cũng là một thách thức. Tuy nhiên, những thách thức này cũng tạo ra các cơ hội lớn cho nghiên cứu và phát triển.

6.3. Hướng Nghiên Cứu Tương Lai Về Vật Liệu 2D và Ứng Dụng

Nghiên cứu tương lai nên tập trung vào việc phát triển các vật liệu 2D mới với các tính chất được điều chỉnh. Cần nghiên cứu về tính chất cơ học và tính chất nhiệt của chúng. Cần phát triển các phương pháp điều khiển tính chất vật liệu tiên tiến hơn. Cần phát triển các ứng dụng thực tế của vật liệu 2D.

Trích đoạn nội dung tài liệu

TRUONG DAI HOC BACH KHOA HA NOI LUAN VAN THAC Si Điều khiển tinh chất điện tử và quang học của các cấu trúc vật liệu 2D ứng dụng trong các bộ truyền dộng và thiết bị quang hoc NGUYEN THUY DUNG Ngành: Kỹ thuật cơ điện tử ảng viên hướng dẫn: T8. Vương Văn Thanh Viện Cơ khí TIẢ NỘI, 04/2021 CỘNG HÒA XÃ HỘI CHỦ NGHĨA VIỆT NAM Độc lập— Tự do — Hạnh phúc BẢN XÁC NHẬN CHỈNH SỬA LUẬN VĂN THẠC SĨ à tên tác giả luận văn: Nguyễn Thúy I3ung, luận văn: Điều khiển tính chất diện tử và quang học của các cấu trúc vật liêu 2D ứng dựng trong các bệ truyền động và thiết bị quang học Chuyên ngành: kỹ thuật cơ điện ur (KH) Mã số SV: CB190055 Tác giả, Người hướng dẫn khoa học và Hội đồng chấm luận văn xác nhận tác giả đã sửa chữa, bỗ sung luận văn theo biên bản hợp IIội đồng ngày 15/04/2021 với các nội dung sau: - Chỉnh sửa lại bố cục luận văn. - Phần lý thuyết chương 2 rút ngắn lại, các lý thuyết thực sự liên quan với chương 3, 4 được đưa vào - Phân tích thêm một số nội dưng chương 3, 4 - Rã soát lại các trích dẫn có liên quan - Chỉnh sửa một số lỗi chỉnh tá, chuyển ngữ từ tiếng Anh sang tiếng Việt Ngày 20 thủng Q4 năm 2021 Giáo viên hướng dẫn 'Tác giả luận văn ‘YS. Vuong Van ‘Thanh Nguyễn hủy I3ung CHỦ TỊCH HỘI ĐÔNG SPH.BMII Ban hành lần 1 ngày 11/11/2014 Diều khiển tinh chất điện tử và quang học của các cầu trúc vật liệu 2D ứng dụng trong các bộ truyền động và thiết bị quang học.

(Tuning Electronic and Optical Properties of Two Dimensional Materials used in actuators and Optical devices.) Giảng viêu hướng dẫu: TS, VƯƠNG VĂN THANH Học viên: Nguyễn Thùy Dung Ngày 7 tháng ñ năm 2091 DANH SACH HINH VE a6 He sé hap um duh samy cia wit ligu TMDs MoX, dun lép doc Uheo (a) trong mặt phẳng œ„/(2) và (b]} ngoài mặt phẳng œ¡ (ø} như một hàm của nấng lượng ánh sáng tại một vài giá trị của biến dạng kéo hai trục (z¿¡z — 0. Các dường néL đứt tiểu thị phạm vì của ánh sáng có thể nàn thấy trang khoảng năng lượng từ lô! eV đến 8. 41 (8) Mô lũnh nguyên Lữ vật liệu Janus SuSTe và SaSeTe. (b) Vùng BriMouia với cân điểm đối xứng cao (TK, Whe eee 42 Đao động mạng của vật liệu đơn lớp Janus Sn$Te và SnSeTe cầu trúc IT ở trạng thái căn bằng.

4a Đường cong quan hệ ng suất - biến đang của Janus (a) SnSTe và (b) SnSeTe, 4.4 Điều khiển cñn trúc vùng năng lượng của vật liện lanns SnSTe (a) và 8nSeTe (b) thong qua biến dạng kéo hai trục. Mức năng lượng Iermi được thiết lập đã Giá trị banduap cửa vật liệu Jauus (a) SuSTe và (b) 8uSeTe như một hàm của hiển dang kéo hai true. Mức năng lượng Tarmi được thiết lập về 0. 46 Hệ số hấp thụ ánh sáng của Janus (a) Sn§'ie và (b) SnSe le ở một vài giá trị của biến đạng hai trục trong theo mật phẳng a, (wu).

Các đường gạch ngang hiểu thị phạm vi của ảnh sảng e6 rhê nhữn thấy từ 1. 53 Phể tổn hao năng lượng điện tử Liw) cia vat liéu Janus (a) SnS'le va (b) SnSefFe ở một vài giá trị biến dạng hai trục trong mặt phẳng.3 Tỉnh chất điệ tử của vật lệ Vùng năng lượng trong chất bán dẫn. Năng lượng vùng cắm (band gap). 30 Vặt liệu cách điện và vặt liệu bán đẫu.

31 23A Vậ liện hán kim loại (Graphene). co 34 24 Tính chất quang học cứa vật liên hai chiền. 36 Diều khiển tinh chất điện tử và quang học của vậ MoX; a7 3.1 Mô lãnh và phương phấp mồ phòng. Tinh chfr em hon cia MoXg 0 eee 29 3.

‘Linh chdt din te cia vat lign TMDs MoXg 2.4 'Lính chất quang học của vật liệu Ms MoÄ; .5 Kết luận chương 3 Điều khiển tính chất điện Lử và quang học của vật va SnSeTe 45 4.1 Mã hình và phương pháp mô phông.2 Cấu trúc và độ én dịnh động học của vật liệu Janus ŠnŸ{© và ŠnSele. 47 43 Tỉnh chất cơ học của 8uSTe và 8uSeTe.4 Tỉnh chất điện tử của SnSTp và đnSaTn .4 'Lĩnh chất quang học của SnS1e và 8nSele. ee 54 Kết luận 5B “ DANH SACH HINH VE a6 He sé hap um duh samy cia wit ligu TMDs MoX, dun lép doc Uheo (a) trong mặt phẳng œ„/(2) và (b]} ngoài mặt phẳng œ¡ (ø} như một hàm của nấng lượng ánh sáng tại một vài giá trị của biến dạng kéo hai trục (z¿¡z — 0. Các dường néL đứt tiểu thị phạm vì của ánh sáng có thể nàn thấy trang khoảng năng lượng từ lô! eV đến 8.

41 (8) Mô lũnh nguyên Lữ vật liệu Janus SuSTe và SaSeTe. (b) Vùng BriMouia với cân điểm đối xứng cao (TK, Whe eee 42 Đao động mạng của vật liệu đơn lớp Janus Sn$Te và SnSeTe cầu trúc IT ở trạng thái căn bằng. 4a Đường cong quan hệ ng suất - biến đang của Janus (a) SnSTe và (b) SnSeTe, 4.4 Điều khiển cñn trúc vùng năng lượng của vật liện lanns SnSTe (a) và 8nSeTe (b) thong qua biến dạng kéo hai trục. Mức năng lượng Iermi được thiết lập đã Giá trị banduap cửa vật liệu Jauus (a) SuSTe và (b) 8uSeTe như một hàm của hiển dang kéo hai true.

Mức năng lượng Tarmi được thiết lập về 0. 46 Hệ số hấp thụ ánh sáng của Janus (a) Sn§'ie và (b) SnSe le ở một vài giá trị của biến đạng hai trục trong theo mật phẳng a, (wu). Các đường gạch ngang hiểu thị phạm vi của ảnh sảng e6 rhê nhữn thấy từ 1. 53 Phể tổn hao năng lượng điện tử Liw) cia vat liéu Janus (a) SnS'le va (b) SnSefFe ở một vài giá trị biến dạng hai trục trong mặt phẳng.

94 Danh sách bảng al Hany 38 mang ø (Ä), hằng số đàn hồi (N/an), mô đua đàn hồi ¥ (N/a), hệ số paái xông 1, độ bền lý rưởng ø¿¿z và biến dạng lý nưởng s¿¿„ của vật liện NT MDS MoXạ. Q Q Q SH HH HH Al ' thông số mang a(A), chiêu cao h, hằng số đàn hồi C,¡ (\/m), mô đưn đàn hồi Y (N/m), hé sé poất xõng #, ứng suất cz) (N/m) vi ogy (suy) (N/m), độ bền lý tưởng øy, và biếu đạng lý tưởng cụạ của Janus TMDs SuSTe và <<. [{(đ{( 42 Độ bền và biến dạng lý tưởng của vật liệu đơn lớp đanus 'UMIDs SnŠle và Muc luc Lời cam đoan Lời cắm du 1 Giới thiệu "mm. ằ ằẰằẰằe ÊhnhẽNK Hai.2 Dili twang nghifn crm.

Những đóng góp mới của luận van.4 Cấu trúc cũn luận VĂN. Q Q Q H k h h hh h kg 1I 2 Cơ sỡ lý thuyết 12 21 Hàu sống và phương tình Sehrodinger.2 Phuong trình §chrodinger. và co cu 2.3 Giải phương trình Sehrodinger. ee Lý thuyết phiến hàm mật độ.1 Gib thifm ee 2.2 Khái niệm mật độ trạng thái của eleeton .3 Tinh chit cia nit).4 Ma hinh Thomas - Ea.5 Phương trình Kohn- Sham 2.6 Các bước tính toán nguyên lý đầu ab initio trong khoa học vật liệu Lời cảm ơn Fm xin hay #6 Jong biér on va tran thành gửi lời cảm ơn sân sắc đến người Thầy đáng kính 'TS.

Vương Văn Thanh dã tận tình giảng dạy, hướng dẫn, kiên nhẫn uắn nắn và giúp đỡ em, trau cho em những kinh nghiệm, lời khuyên bồ ích cà trong học tập lẫu trong cuộu sống, trong suốt thời gian em là bạc viêu cao học của Trường Đại học Bách Khoa Hà Nội. Em xin trăn thành cảm ơn Thầy PGS. Đỗ Văn Trường đã trao đổi và góp ý các nội dưng cũng như việc chỉnh sửa nội dung cửa luận văn. Bm efing xin tran thanh cam an anh Lê Xuân Hách đã thẳng thắn gốp ý, trao đổi những kinh nghiệm thực tế vô cùng quý giá để em có thể hoàn thiện tắt nhất phần luận văn thạc sĩ này.

Cuối cùng, en xin cấu: du gìa đình đã luôn động, viêu và ủng hộ ent trong suốt quả Hình. ay Lời cảm ơn Fm xin hay #6 Jong biér on va tran thành gửi lời cảm ơn sân sắc đến người Thầy đáng kính 'TS. Vương Văn Thanh dã tận tình giảng dạy, hướng dẫn, kiên nhẫn uắn nắn và giúp đỡ em, trau cho em những kinh nghiệm, lời khuyên bồ ích cà trong học tập lẫu trong cuộu sống, trong suốt thời gian em là bạc viêu cao học của Trường Đại học Bách Khoa Hà Nội. Em xin trăn thành cảm ơn Thầy PGS.

Đỗ Văn Trường đã trao đổi và góp ý các nội dưng cũng như việc chỉnh sửa nội dung cửa luận văn. Bm efing xin tran thanh cam an anh Lê Xuân Hách đã thẳng thắn gốp ý, trao đổi những kinh nghiệm thực tế vô cùng quý giá để em có thể hoàn thiện tắt nhất phần luận văn thạc sĩ này. Cuối cùng, en xin cấu: du gìa đình đã luôn động, viêu và ủng hộ ent trong suốt quả Hình. ay Lời cam đoan Tai, Nguyễn Thũy Dung, cam kết rằng công trình nghiân cứu, các kến qnả, kết luận dược trình bày trong luận văn này là của cá nhãn tôi, dưới sự hướng dẫn của T8.

Các thống da than: khẩo được bất nguồn tứ aghiêu cứu kháe, tôi cuất kết đã trích đẫu đầy đủ vào trong luận văn. DANH SACH HINH VE a6 He sé hap um duh samy cia wit ligu TMDs MoX, dun lép doc Uheo (a) trong mặt phẳng œ„/(2) và (b]} ngoài mặt phẳng œ¡ (ø} như một hàm của nấng lượng ánh sáng tại một vài giá trị của biến dạng kéo hai trục (z¿¡z — 0. Các dường néL đứt tiểu thị phạm vì của ánh sáng có thể nàn thấy trang khoảng năng lượng từ lô! eV đến 8. 41 (8) Mô lũnh nguyên Lữ vật liệu Janus SuSTe và SaSeTe.

(b) Vùng BriMouia với cân điểm đối xứng cao (TK, Whe eee 42 Đao động mạng của vật liệu đơn lớp Janus Sn$Te và SnSeTe cầu trúc IT ở trạng thái căn bằng. 4a Đường cong quan hệ ng suất - biến đang của Janus (a) SnSTe và (b) SnSeTe, 4.4 Điều khiển cñn trúc vùng năng lượng của vật liện lanns SnSTe (a) và 8nSeTe (b) thong qua biến dạng kéo hai trục. Mức năng lượng Iermi được thiết lập đã Giá trị banduap cửa vật liệu Jauus (a) SuSTe và (b) 8uSeTe như một hàm của hiển dang kéo hai true. Mức năng lượng Tarmi được thiết lập về 0.

46 Hệ số hấp thụ ánh sáng của Janus (a) Sn§'ie và (b) SnSe le ở một vài giá trị của biến đạng hai trục trong theo mật phẳng a, (wu). Các đường gạch ngang hiểu thị phạm vi của ảnh sảng e6 rhê nhữn thấy từ 1. 53 Phể tổn hao năng lượng điện tử Liw) cia vat liéu Janus (a) SnS'le va (b) SnSefFe ở một vài giá trị biến dạng hai trục trong mặt phẳng.