Bối cảnh và vấn đề nghiên cứu
Kỹ thuật kiểm tra không phá hủy (Non-Destructive Testing - NDT) là một trong những ứng dụng quan trọng của kỹ thuật hạt nhân trong công nghiệp, y học và nông nghiệp với các phương pháp tiêu biểu như siêu âm, chụp ảnh phóng xạ, thẩm thấu lỏng, dòng điện xoáy, gamma tán xạ và gamma truyền qua. Trong đó, phương pháp gamma truyền qua có ưu thế nổi bật nhờ nguyên lý lý thuyết tường minh, mô hình thực nghiệm đơn giản và độ tin cậy cao, thường được ứng dụng để xác định bề dày vật liệu, khảo sát đóng cặn đường ống, thăm dò mực chất lỏng, cũng như xác định vị trí cốt thép trong bê tông.
Cùng với sự mở rộng của các ứng dụng công nghệ hạt nhân, nhu cầu che chắn bức xạ an toàn ngày càng trở nên cấp thiết. Bên cạnh các vật liệu đơn chất truyền thống như chì, nhôm, đồng, xu hướng nghiên cứu hiện nay tập trung vào các vật liệu hợp chất và hỗn hợp (như polymer chịu nhiệt, thủy tinh biến tính, xi măng chuyên dụng) nhờ ưu điểm nhẹ, độ bền cao, dễ định hình, chi phí hợp lý và thân thiện với môi trường. Tuy nhiên, việc xác định các đặc trưng suy giảm bức xạ của hợp chất và hỗn hợp phức tạp hơn nhiều so với đơn chất.
Khóa luận tốt nghiệp của tác giả Nguyễn Thị Kim Anh (ngành Sư phạm Vật lý, Trường Đại học Sư phạm TP. Hồ Chí Minh, thực hiện dưới sự hướng dẫn của TS. Hoàng Đức Tâm vào tháng 5/2018) tập trung giải quyết các nhiệm vụ nghiên cứu cụ thể:
- Xác định ba tham số suy giảm bức xạ chính gồm hệ số suy giảm khối ($\mu_m$), nguyên tử số hiệu dụng ($Z_{eff}$) và mật độ electron hiệu dụng ($N_{eff}$) của các vật liệu hợp chất, hỗn hợp bằng phương pháp mô phỏng Monte Carlo thông qua chương trình MCNP5 kết hợp kỹ thuật xử lý phổ cải tiến trên phần mềm Colegram.
- Đánh giá độ chính xác và độ tin cậy của mô hình mô phỏng bằng cách so sánh số liệu thu được với cơ sở dữ liệu chuẩn NIST (XCOM) và kết quả thực nghiệm từ các công trình nghiên cứu đã công bố thông qua độ lệch tương đối $RD (%)$.
- Khảo sát dạng hàm giải tích phù hợp để mô tả quy luật phụ thuộc của hệ số suy giảm khối theo năng lượng bức xạ gamma, tạo cơ sở cho việc nội suy tham số ở các mức năng lượng bất kỳ.
Đối tượng và phạm vi nghiên cứu:
- Đối tượng nghiên cứu: 3 nhóm vật liệu tiềm năng dùng trong che chắn bức xạ gồm xi măng Portland, nhựa chịu nhiệt (Kapton, PMMA) và 6 hệ thủy tinh borate biến tính bismuth ($x\text{Bi}_2\text{O}_3\text{-(80-}x)\text{B}_2\text{O}_3\text{-5TeO}_2\text{-15SiO}_2$ với $x = 50, 55, 60, 65, 70, 75$).
- Phạm vi năng lượng: Dải năng lượng từ 100 keV đến 2000 keV (tương ứng với 14 mức năng lượng đặc trưng phát ra từ các đồng vị phóng xạ chuẩn: $^{57}\text{Co}$, $^{141}\text{Ce}$, $^{203}\text{Hg}$, $^{51}\text{Cr}$, $^{120}\text{Sn}$, $^{22}\text{Na}$, $^{137}\text{Cs}$, $^{54}\text{Mn}$, $^{65}\text{Zn}$, $^{60}\text{Co}$, $^{152}\text{Eu}$, $^{88}\text{Y}$).
- Không gian thực hiện: Bộ môn Vật lý Hạt nhân, Khoa Vật lý, Trường Đại học Sư phạm TP. Hồ Chí Minh.
Cơ sở lý thuyết và phương pháp
Khóa luận xây dựng hệ thống cơ sở lý thuyết dựa trên tương tác của photon gamma với vật chất và mô hình toán học tính toán các tham số che chắn:
-
Lý thuyết tương tác photon - vật chất: Ba cơ chế tương tác cơ bản quyết định sự suy giảm của chùm photon gồm:
- Hiệu ứng quang điện: Photon truyền toàn bộ năng lượng cho electron liên kết; tiết diện tương tác $\sigma_{qđ} \approx Z^5$, chiếm ưu thế ở vùng năng lượng thấp ($< 1\text{ MeV}$) và vật liệu có nguyên tử số $Z$ cao.
- Tán xạ Compton (tán xạ không kết hợp): Photon tương tác với electron tự do hoặc liên kết yếu, tán xạ một phần năng lượng; tiết diện $\sigma_c \approx Z$, chiếm ưu thế ở vùng năng lượng trung bình (vài MeV).
- Hiệu ứng tạo cặp: Photon tương tác trong trường Coulomb của hạt nhân tạo thành cặp electron - positron ($E_\gamma \ge 1022\text{ keV}$); tiết diện $\sigma_{tc} \approx Z^2$, chiếm ưu thế ở vùng năng lượng cao ($> 10\text{ MeV}$).
-
Công thức xác định các tham số suy giảm:
- Hệ số suy giảm khối ($\mu_m$):
$$\mu_m = -\frac{1}{\rho x} \ln\left(\frac{N}{N_0}\right)$$
Trong đó $N_0, N$ lần lượt là số đếm ghi nhận tại đỉnh hấp thụ toàn phần khi không có và có mẫu vật liệu dày $x$, khối lượng riêng $\rho$.
- Tiết diện tương tác phân tử hiệu dụng ($\sigma_a$):
$$\sigma_a = \frac{1}{N_A} \frac{\mu_m}{\sum_i \frac{w_i}{A_i}}$$
Với $N_A$ là số Avogadro, $w_i$ và $A_i$ lần lượt là phần trăm khối lượng và số khối của nguyên tố thứ $i$.
- Tiết diện electron hiệu dụng ($\sigma_{el}$):
$$\sigma_{el} = \frac{1}{N_A} \sum_i \frac{f_i A_i}{Z_i} \left(\frac{\mu}{\rho}\right)_i$$
Với $f_i, Z_i$ là tỷ lệ số nguyên tử và điện tích hạt nhân của nguyên tố thứ $i$.
- Nguyên tử số hiệu dụng ($Z_{eff}$) và mật độ electron hiệu dụng ($N_{eff}$):
$$Z_{eff} = \frac{\sigma_a}{\sigma_{el}}$$
$$N_{eff} = \frac{\mu_m}{\sigma_{el}} \quad (\text{electron/g})$$
-
Phương pháp mô phỏng Monte Carlo và chương trình MCNP5:
- Sử dụng phiên bản MCNP5 (viết trên nền Fortran 90, hỗ trợ OpenMP/MPI) để mô phỏng sự vận chuyển của photon trong không gian 3 chiều.
- Khai báo cấu hình hình học qua surface cards (mặt phẳng, mặt trụ, mặt cầu) và cell cards.
- Khai báo vật liệu qua thẻ Material card ($M_n$) với thư viện dữ liệu tiết diện tương tác hạt nhân chuẩn.
- Định nghĩa nguồn phát qua thẻ SDEF (năng lượng, vị trí, hướng phát chùm tia).
- Ghi nhận phổ độ cao xung trong thể tích đầu dò nhấp nháy bằng Tally F8 (pulse height tally).
-
Kỹ thuật xử lý phổ cải tiến:
- Sử dụng phần mềm Colegram để phân tích phổ gamma truyền qua thu được từ mô phỏng.
- Khớp đỉnh hấp thụ năng lượng toàn phần bằng hàm Gauss và phông nền tán xạ Compton thứ cấp bằng hàm đa thức để trừ phông chính xác, từ đó xác định diện tích đỉnh thực tế.
-
Nguồn dữ liệu đối chứng:
- Cơ sở dữ liệu tiết diện tương tác chuẩn XCOM của Viện Tiêu chuẩn và Công nghệ Quốc gia Hoa Kỳ (NIST).
- Dữ liệu thực nghiệm đã công bố của Majunatha và cộng sự (2015/2016) đối với Kapton, PMMA; Issa và cộng sự (2017) đối với thủy tinh borate; và các công trình đo đạc xi măng Portland.
Nội dung chính theo từng chương
Chương 1. Tổng quan về tương tác của bức xạ gamma với vật chất
Chương 1 hệ thống hóa cơ chế vật lý của ba quá trình tương tác chính giữa photon gamma và môi trường:
- Phân tích chi tiết động học hiệu ứng quang điện theo hệ thức $K_e = h\nu - A$, cơ chế phát tia X đặc trưng khi electron lớp ngoài nhảy vào lấp chỗ trống quỹ đạo lớp K, cùng quy luật phụ thuộc tiết diện vào $Z^5$.
- Trình bày tán xạ Compton dựa trên định luật bảo toàn năng lượng và động lượng, công thức dịch chuyển bước sóng Compton, phương trình xác định năng lượng photon tán xạ $E'\gamma = E\gamma / [1 + \frac{E_\gamma}{m_0 c^2}(1 - \cos\theta_c)]$, và sự phụ thuộc tiết diện vào bậc nhất của $Z$.
- Trình bày điều kiện năng lượng ngưỡng của hiệu ứng tạo cặp trong trường hạt nhân ($E_\gamma \ge 1,022\text{ MeV}$), cơ chế biến mất của photon để sinh cặp electron - positron, và sự phụ thuộc tiết diện vào $Z^2$.
Chương 2. Phương pháp mô phỏng Monte Carlo và chương trình MCNP5
Chương 2 trình bày cơ sở thuật toán ngẫu nhiên thống kê và cấu trúc vận hành của phần mềm MCNP5:
- Lược sử hình thành phương pháp Monte Carlo từ các công trình của Metropolis, von Neumann, Ulam tại Phòng thí nghiệm Los Alamos (1946) trên máy tính ENIAC.
- Cấu trúc mã nguồn MCNP5 với khoảng 45.000 dòng lệnh Fortran và 1.000 dòng lệnh C, giải quyết bài toán vận chuyển hạt liên tục theo năng lượng và thời gian trong không gian 3 chiều.
- Cú pháp và cách sử dụng các thẻ lệnh cơ bản: định nghĩa mặt (surface cards như P, PX, PY, PZ, SO, S, C/Z, CZ...), định nghĩa ô mạng (cell cards), thẻ vật liệu (Mn ZAID fraction), biến đổi tọa độ (TRn, TRCL).
- Khai báo nguồn tổng quát (SDEF) với các tham số năng lượng (ERG), vị trí (POS), hướng bay (DIR, VEC), loại hạt (PAR = 2 cho photon).
- Nguyên lý vận hành của Tally F8 ghi nhận độ cao xung trong cell đầu dò, phân chia bin năng lượng để loại bỏ các biến cố không tương tự và hạt không truyền năng lượng.
Chương 3. Mô hình mô phỏng Monte Carlo và cơ sở lý thuyết tính toán các tham số suy giảm
Chương 3 thiết lập chi tiết cấu hình hình học không gian 3 chiều của hệ đo gamma truyền qua trong MCNP5 mô phỏng theo hệ đo thực tế tại Phòng thí nghiệm Vật lý hạt nhân - Trường Đại học Sư phạm TP. Hồ Chí Minh:
- Cấu hình nguồn: Nguồn điểm dạng hình trụ đường kính 5 mm, cao 3,18 mm đặt trong khối chì bảo vệ dày 5,6 cm, chuẩn trực bằng ống chì đường kính 0,7 cm. Nguồn phát 14 mức năng lượng đơn sắc (122, 145, 279, 320, 391, 511, 662, 835, 1115, 1173, 1274, 1332, 1408, 1836 keV) với số lịch sử hạt mô phỏng đạt $10^9$ hạt.
- Cấu hình mẫu vật liệu: Dạng tấm vuông kích thước $10 \times 10\text{ cm}$, dày 0,5 cm, đặt đồng trục cách tâm nguồn 5,04 cm. Thành phần nguyên tố và khối lượng riêng được khai báo chính xác cho:
- Xi măng Portland: $\rho = 2,067\text{ g/cm}^3$ (thành phần chính gồm CaO 55,21%, SiO2 23,02%, Al2O3 5,99%, Fe2O3 4,66%, SO3 3,85%...).
- Nhựa Kapton ($\text{C}{22}\text{H}{10}\text{N}_2\text{O}_4$, $\rho = 1,42\text{ g/cm}^3$) và PMMA ($\text{C}_5\text{O}_2\text{H}_8$, $\rho = 1,19\text{ g/cm}^3$).
- 6 mẫu thủy tinh borate $x\text{Bi}_2\text{O}_3\text{-(80-}x)\text{B}_2\text{O}_3\text{-5TeO}_2\text{-15SiO}_2$ với $x$ từ 50 đến 75, khối lượng riêng tăng dần từ $4,98\text{ g/cm}^3$ đến $5,77\text{ g/cm}^3$.
- Cấu hình đầu dò: Đầu dò nhấp nháy NaI(Tl) hình trụ kích thước $76\text{ mm} \times 76\text{ mm}$ của hãng Amptek, vỏ nhôm Al2O3 dày 0,2 - 0,3 mm, đặt trong ống chuẩn trực chì đường kính 9,5 cm, cách mẫu vật liệu 5,65 cm (khoảng cách nguồn - đầu dò là 15,73 cm).
- Quy trình xử lý phổ: Tách diện tích đỉnh hấp thụ toàn phần bằng kỹ thuật Colegram (kết hợp Gauss và đa thức nền), xác định số đếm $N$ và $N_0$ để tính $\mu_m, Z_{eff}, N_{eff}$.
Chương 4. Kết quả và thảo luận
Chương 4 trình bày toàn bộ số liệu tính toán từ mô phỏng MCNP5, phân tích quy luật biến thiên của các tham số theo năng lượng và so sánh định lượng với dữ liệu chuẩn:
- Hệ số suy giảm khối $\mu_m$ giảm mạnh ở vùng năng lượng thấp ($100 - 400\text{ keV}$) do hiệu ứng quang điện chi phối, sau đó giảm chậm dần ở vùng năng lượng cao do tán xạ Compton chiếm ưu thế.
- Thủy tinh borate có tỷ lệ $\text{Bi}_2\text{O}3$ càng cao ($x = 75%$) cho giá trị $\mu_m$ và $Z{eff}$ lớn nhất trong các mẫu khảo sát nhờ sự có mặt của nguyên tố nặng Bismuth ($Z = 83$).
- Độ lệch tương đối $RD (%)$ của $\mu_m$ giữa mô phỏng và NIST đối với toàn bộ các mẫu ở tất cả các mức năng lượng đều $< 5%$.
- So sánh với thực nghiệm đã công bố: Thủy tinh borate có $RD < 5,5%$; nhựa Kapton và PMMA có $RD$ dao động từ $0,06%$ đến $8,09%$ (đều nằm trong giới hạn cho phép $< 10%$).
- Tỉ số $Z_{eff\text{ (mô phỏng)}} / Z_{eff\text{ (NIST)}}$ và $Z_{eff\text{ (mô phỏng)}} / Z_{eff\text{ (thực nghiệm)}}$ đều tiệm cận giá trị 1.
- Thiết lập hàm làm khớp phi tuyến mô tả quy luật phụ thuộc của $\mu_m$ theo năng lượng $E$ với hệ số tương quan $R^2$ cao, cho phép nội suy giá trị $\mu_m$ chính xác so với NIST.
Kết quả và đóng góp
1. Bảng số liệu tổng hợp tham số suy giảm tiêu biểu
Bảng dưới đây trích xuất số liệu hệ số suy giảm khối $\mu_m$ ($\text{cm}^2/\text{g}$) và nguyên tử số hiệu dụng $Z_{eff}$ từ mô phỏng MCNP5 tại một số mức năng lượng điển hình:
| Năng lượng (keV) / Đồng vị |
Xi măng Portland $\mu_m$ |
Kapton $\mu_m$ |
PMMA $\mu_m$ |
Thủy tinh Borate ($x=50$) $\mu_m$ |
Thủy tinh Borate ($x=75$) $\mu_m$ |
$Z_{eff}$ Xi măng |
$Z_{eff}$ Kapton |
$Z_{eff}$ PMMA |
$Z_{eff}$ TT Borate ($x=75$) |
| 122 ($^{57}\text{Co}$) |
0,164 |
0,140 |
0,150 |
1,569 |
2,307 |
15,030 |
4,802 |
3,540 |
18,011 |
| 320 ($^{51}\text{Cr}$) |
0,101 |
0,107 |
0,115 |
0,207 |
0,262 |
14,902 |
4,987 |
3,693 |
18,408 |
| 662 ($^{137}\text{Cs}$) |
0,076 |
0,081 |
0,082 |
0,091 |
0,098 |
15,206 |
5,071 |
3,544 |
19,281 |
| 1173 ($^{60}\text{Co}$) |
0,061 |
0,060 |
0,065 |
0,060 |
0,061 |
16,055 |
4,934 |
3,691 |
19,416 |
| 1332 ($^{60}\text{Co}$) |
0,055 |
0,057 |
0,060 |
0,054 |
0,055 |
15,303 |
4,986 |
3,645 |
19,268 |
| 1836 ($^{88}\text{Y}$) |
0,048 |
0,046 |
0,051 |
0,047 |
0,047 |
15,790 |
4,797 |
3,643 |
19,183 |
2. Đánh giá sai số tương đối (RD)
- So với cơ sở dữ liệu NIST: Độ lệch tương đối của $\mu_m$ trên tất cả 14 mức năng lượng dao động từ $0,05%$ đến $4,77%$ (đều $< 5%$).
- So với dữ liệu thực nghiệm: Thủy tinh borate đạt độ lệch $0,06% - 5,49%$; nhựa PMMA đạt $0,06% - 7,20%$; nhựa Kapton đạt $0,15% - 8,09%$.
3. Đóng góp khoa học và thực tiễn
- Chứng minh phương pháp mô phỏng Monte Carlo bằng MCNP5 kết hợp kỹ thuật xử lý phổ cải tiến Colegram hoàn toàn có khả năng thay thế hoặc dự đoán trước các kết quả thực nghiệm truyền qua gamma phức tạp, giúp tiết kiệm thời gian, kinh phí và giảm thiểu rủi ro phơi xạ.
- Cung cấp bộ dữ liệu chi tiết về ba tham số $\mu_m, Z_{eff}, N_{eff}$ của các vật liệu che chắn tiềm năng (xi măng Portland, thủy tinh borate biến tính Bismuth, nhựa PMMA và Kapton) trong dải năng lượng rộng $100 - 2000\text{ keV}$.
- Xây dựng thành công phương trình làm khớp biểu diễn sự phụ thuộc của $\mu_m$ theo năng lượng bức xạ, cho phép các nghiên cứu tiếp theo nội suy trực tiếp tham số che chắn ở các mức năng lượng mong muốn.
Hạn chế và hướng nghiên cứu tiếp
- Hạn chế: Nghiên cứu chỉ giới hạn khảo sát trong dải năng lượng photon từ 100 keV đến 2000 keV; chưa khảo sát vùng năng lượng siêu cao ($> 10\text{ MeV}$) nơi hiệu ứng tạo cặp chiếm ưu thế tuyệt đối. Ngoài ra, số lượng cấu hình vật liệu mới chỉ dừng ở 3 nhóm mẫu cơ bản.
- Hướng phát triển:
- Mở rộng dải năng lượng khảo sát cho photon gamma và mở rộng mô phỏng đối với các loại bức xạ khác (như neutron).
- Khảo sát thêm các hệ vật liệu polymer composite pha tạp hạt nano kim loại nặng hoặc các loại bê tông đặc biệt dùng trong lò phản ứng hạt nhân.
- Tối ưu hóa cấu hình hình học và vật liệu che chắn trực tiếp trên mô hình mô phỏng trước khi chế tạo thực nghiệm.
Giá trị tham khảo
Tài liệu là nguồn tham khảo chuyên môn hữu ích cho:
- Sinh viên, học viên ngành Sư phạm Vật lý, Vật lý hạt nhân và Kỹ thuật hạt nhân: Cung cấp phương pháp luận chuẩn mực về mô phỏng vận chuyển bức xạ bằng phần mềm MCNP5, cách khai báo thẻ nguồn tổng quát, thẻ vật liệu hợp chất và tally độ cao xung F8.
- Nhà nghiên cứu an toàn bức xạ và khoa học vật liệu: Tham khảo trực tiếp quy trình xử lý tách phông phổ Colegram, các công thức giải tích tính toán $Z_{eff}, N_{eff}$ cho vật liệu hỗn hợp/hợp chất và cơ sở dữ liệu tham số che chắn của hệ thủy tinh borate, xi măng Portland và polymer.
Câu hỏi thường gặp
1. Khóa luận sử dụng phần mềm nào để mô phỏng và xử lý phổ gamma?
Tác giả sử dụng chương trình mô phỏng Monte Carlo MCNP5 (Monte Carlo N-Particle phiên bản 5) để mô phỏng tương tác và vận chuyển photon trong hệ đo hình học 3D, kết hợp phần mềm Colegram áp dụng kỹ thuật xử lý phổ cải tiến (khớp đỉnh phổ bằng hàm Gauss và phông tán xạ Compton bằng hàm đa thức) để tách diện tích đỉnh hấp thụ toàn phần.
2. Những nguồn phóng xạ và mức năng lượng nào được khảo sát trong nghiên cứu?
Nghiên cứu khảo sát 14 mức năng lượng trong dải $100 - 2000\text{ keV}$ từ các nguồn phóng xạ chuẩn: $^{57}\text{Co}$ (122 keV), $^{141}\text{Ce}$ (145 keV), $^{203}\text{Hg}$ (279 keV), $^{51}\text{Cr}$ (320 keV), $^{120}\text{Sn}$ (391 keV), $^{22}\text{Na}$ (511 keV, 1274 keV), $^{137}\text{Cs}$ (662 keV), $^{54}\text{Mn}$ (835 keV), $^{65}\text{Zn}$ (1115 keV), $^{60}\text{Co}$ (1173 keV, 1332 keV), $^{152}\text{Eu}$ (1408 keV) và $^{88}\text{Y}$ (1836 keV).
3. Cấu hình hình học hệ đo trong MCNP5 được thiết lập với kích thước ra sao?
Hệ đo gồm nguồn điểm hình trụ ($\phi 5\text{ mm}$, cao 3,18 mm) đặt trong khối chì dày 5,6 cm với ống chuẩn trực nguồn $\phi 0,7\text{ cm}$; tấm vật liệu dày 0,5 cm ($10 \times 10\text{ cm}$) đặt cách nguồn 5,04 cm; đầu dò nhấp nháy NaI(Tl) kích thước $76\text{ mm} \times 76\text{ mm}$ đặt trong ống chuẩn trực chì $\phi 9,5\text{ cm}$, cách tấm vật liệu 5,65 cm. Tổng khoảng cách nguồn - đầu dò là 15,73 cm và số lịch sử hạt mô phỏng là $10^9$ hạt.
4. Độ chính xác của kết quả mô phỏng so với dữ liệu chuẩn NIST và thực nghiệm đạt mức nào?
Độ lệch tương đối $RD (%)$ của hệ số suy giảm khối $\mu_m$ giữa mô phỏng MCNP5 và cơ sở dữ liệu NIST đều nhỏ hơn 5% trên toàn bộ các mức năng lượng và vật liệu. Khi so sánh với thực nghiệm, độ lệch của thủy tinh borate nhỏ hơn 5,5%, của nhựa Kapton và PMMA nhỏ hơn 8,1% (toàn bộ đều nằm dưới ngưỡng sai số cho phép 10%).
Kết luận
Khóa luận tốt nghiệp của tác giả Nguyễn Thị Kim Anh đã ứng dụng thành công chương trình mô phỏng MCNP5 và kỹ thuật xử lý phổ Colegram để xác định hệ số suy giảm khối $\mu_m$, nguyên tử số hiệu dụng $Z_{eff}$ và mật độ electron hiệu dụng $N_{eff}$ của xi măng Portland, nhựa chịu nhiệt và thủy tinh borate trong dải năng lượng $100 - 2000\text{ keV}$. Toàn bộ kết quả mô phỏng đều có độ lệch tương đối dưới 5% so với cơ sở dữ liệu NIST và dưới 8,1% so với dữ liệu thực nghiệm đã công bố. Đề tài khẳng định độ tin cậy cao của phương pháp mô phỏng Monte Carlo trong việc thay thế hoặc định hướng cho các nghiên cứu thực nghiệm khảo sát vật liệu che chắn bức xạ hạt nhân.
