Luận án tiến sĩ nghiên cứu một số cơ chế tán xạ ảnh hưởng đến thời gian sống vận chuyển và thời gian sống lượng tử trong các hệ hai chiều

Luận án tiến sĩ nghiên cứu cơ chế tán xạ ảnh hưởng đến thời gian sống vận chuyển và lượng tử trong hệ hai chiều, cung cấp cái nhìn sâu sắc về vật lý.

Trường đại học

Đại học Quốc gia Hà Nội

Chuyên ngành

Vật lý

Người đăng

Ẩn danh

Thể loại

Luận án tiến sĩ

2010

148
1
0

Phí lưu trữ

35 Point

Mục lục chi tiết

Lời cam đoan

Lời cảm ơn

Mục lục

Danh mục các ký hiệu và chữ viết tắt

Danh mục các hình vẽ, đồ thị

MỞ ĐẦU

1. CHƯƠNG 1: CÁC CƠ CHẾ TÁN XẠ CƠ BẢN ẢNH HƯỞNG ĐẾN THỜI GIAN HỒI PHỤC CỦA HẠT TẢI

1.1. Các khái niệm ban đầu

1.2. Các công thức tính thời gian hồi phục

1.3. Lý thuyết vận chuyển tuyến tính. Hiệu ứng chắn. Độ nhám bề mặt (SR)

1.4. Thế biến dạng khớp sai (DP). Không trật tự hợp bán dẫn (AD). Tạp chất bị ion hóa (RI)

2. CHƯƠNG 2: HIỆN TƯỢNG VẬN CHUYỂN CỦA HẠT TẢI TRONG GIẾNG LƯỢNG TỬ PHA TẠP MỘT PHÍA

2.1. Giếng lượng tử vuông góc

2.2. Mô hình vùng phẳng

2.3. Mô hình giếng lượng tử pha tạp một phía. Hiệu ứng uốn cong vùng. Hàm sóng biến phân và Thế Hartree cho trường hợp pha tạp một phía. Các cơ chế tán xạ cơ bản trong giếng lượng tử pha tạp một phía

2.4. Ảnh hưởng của hiệu ứng uốn cong vùng lên độ linh động của hạt tải trong giếng lượng tử pha tạp một phía

2.5. Kết quả tính toán thời gian sống và độ linh động của hạt tải trong mô hình pha tạp một phía

3. CHƯƠNG 3: HIỆN TƯỢNG VẬN CHUYỂN CỦA HẠT TẢI TRONG GIẾNG LƯỢNG TỬ PHA TẠP ĐỐI XỨNG HAI PHÍA

3.1. Mô hình giếng lượng tử pha tạp đối xứng hai phía. Hàm sóng biến phân và Thế Hartree cho trường hợp pha tạp đối xứng

3.2. Thời gian sống vận chuyển của hạt tải ở nhiệt độ thấp. Các cơ chế tán xạ cơ bản trong giếng lượng tử pha tạp đối xứng hai phía. Ảnh hưởng của hiệu ứng uốn cong vùng từ sự pha tạp chọn lọc hai phía lên tính chất điện trong giếng lượng tử

3.3. Sự phân bố hạt tải trong giếng lượng tử pha tạp đối xứng hai phía. Thừa số dạng chắn. Khả năng nâng cao độ linh động của hạt tải bằng pha tạp đối xứng. Độ linh động phụ thuộc vào bề rộng giếng lượng tử. Độ linh động phụ thuộc vào nồng độ hạt tải. Độ linh động phụ thuộc vào độ dài tương quan

4. CHƯƠNG 4: XÁC ĐỊNH ĐỘC LẬP CÁC THAM SỐ BỀ MẶT Λ VÀ ∆

4.1. Vai trò của Λ và ∆ trong lý thuyết và thực nghiệm. Những khó khăn của các lý thuyết có trước về việc xác định Λ và ∆ một cách độc lập. Thời gian hồi phục của hạt tải phụ thuộc vào độ dài tương quan dưới ảnh hưởng của các cơ chế tán xạ. Phương pháp xác định độc lập Λ và ∆

KẾT LUẬN

DANH MỤC CÁC CÔNG TRÌNH KHOA HỌC

TÀI LIỆU THAM KHẢO

PHỤ LỤC

Tóm tắt

I. Tổng Quan Cơ chế Tán Xạ và Thời Gian Sống Trong 2D 55 ký tự

Trong hệ hai chiều, tán xạ ánh sáng đóng vai trò then chốt trong việc xác định thời gian sống photon trong cấu trúc hai chiều. Các điện tử bị giam hãm trong một giếng thế hẹp có ứng xử khác biệt so với khí cổ điển. Chuyển động bị lượng tử hóa theo phương z, dẫn đến chuyển động tự do trong mặt phẳng (x, y). Phổ năng lượng trở nên gián đoạn, một đặc trưng chung của hạt dẫn trong các cấu trúc thấp chiều. Công trình của Esaki và Tsu (1970) về giếng lượng tử đã mở ra hướng nghiên cứu mới về tính chất của hệ điện tử hai chiều. Nâng cao độ linh động của hạt tải trở thành mục tiêu hàng đầu trong việc phát triển linh kiện điện tử nhỏ hơn, tiêu thụ ít năng lượng hơn và chuyển mạch nhanh hơn. Độ linh động tỉ lệ thuận với thời gian sống vận chuyển, do đó, kéo dài thời gian sống là một giải pháp quan trọng. Nghiên cứu hiệu ứng tán xạ lên thời gian tồn tại photon là thiết yếu để cải thiện hiệu suất của các thiết bị này. Các nhà khoa học đang nỗ lực nghiên cứu các phương pháp đo thời gian sống photon trong hệ hai chiều để hiểu rõ hơn về các hiện tượng này. Thời gian sống vận chuyển τt là thời gian chuyển động tự do trung bình của hạt tải khi có tán xạ, trong khi thời gian sống lượng tử τq là thời gian trung bình hạt tồn tại trên một trạng thái lượng tử. "Trong nhiều bài toán của hiện tượng vận chuyển, vấn đề trung tâm chuyển sang các bài toán nghiên cứu thời gian sống và kết luận về hai đại lượng trên trong nhiều trường hợp là đồng nhất." Hai tham số này rất quan trọng để đặc trưng hiệu suất của cấu trúc bán dẫn có độ linh động cao.

1.1. Bản Chất Vật Lý của Hệ Hai Chiều Lượng Tử

Hệ hai chiều lượng tử (Quasi-two dimensional system) là hệ trong đó chuyển động của các hạt bị giới hạn trong một mặt phẳng. Trong hệ này, các quy luật lượng tử chi phối hành vi của các hạt, đặc biệt là phổ năng lượng bị lượng tử hóa. Điều này dẫn đến nhiều hiện tượng thú vị và ứng dụng tiềm năng trong công nghệ. Nghiên cứu hệ hai chiều lượng tử không chỉ giúp hiểu sâu hơn về các hiện tượng vật lý cơ bản mà còn mở ra cánh cửa cho việc phát triển các linh kiện điện tử và quang tử tiên tiến hơn. Theo Schrieffer [75] nhận định các điện tử bị giam hãm trong một giếng thế hẹp sẽ có ứng xử không giống như khí cổ điển.

1.2. Ý Nghĩa của Thời Gian Sống Kích Thích trong Nghiên Cứu

Thời gian sống (vận chuyển và lượng tử) là đại lượng vừa mang đến thông tin quan trọng về hệ lượng tử vừa có tính quyết định cho việc ứng dụng các hệ đó trong các thiết bị lượng tử. Việc kéo dài thời gian sống lượng tử là then chốt để lưu trữ và truyền thông tin bằng các hiện tượng lượng tử. Các nhà vật lý đã sử dụng từ trường cực mạnh để nâng thời gian sống lượng tử, giúp xây dựng máy tính lượng tử tiến gần hơn đến hiện thực. Do đó, nghiên cứu thời gian sống kích thích trong hệ hai chiều không chỉ có giá trị khoa học mà còn mang lại tiềm năng ứng dụng to lớn.

II. Thách Thức Ảnh Hưởng của Khuyết Tật đến Tán Xạ 58 ký tự

Việc nâng cao độ linh động của hạt tải trong vật liệu là một thách thức lớn. Các cơ chế tán xạ electron trong hệ hai chiều gây bất lợi cho độ linh động. Cần xác định các cơ chế tán xạ chủ đạo bằng cách nghiên cứu thời gian sống vận chuyển và lượng tử. Một trong những cách hiệu quả là nghiên cứu tỉ số của chúng (Dingle ratio). Ảnh hưởng của cơ chế giam hãm cũng cần được xem xét. Các nghiên cứu gần đây chỉ ra sự không chính xác của việc xác định cơ chế tán xạ chỉ dựa trên tỉ số Dingle. Cần có phương pháp xác định độc lập các tham số bề mặt Λ và ∆. Các tham số bề mặt này (độ nhám bề mặt và thế biến dạng) đặc trưng cho chất lượng của bề mặt vật liệu và ảnh hưởng lớn đến thời gian hồi phục của hạt tải. Việc xác định độc lập Λ và ∆ là một nhiệm vụ khó khăn nhưng quan trọng để tối ưu hóa vật liệu hai chiều và tán xạ ánh sáng. Cho đến nay, đã có rất nhiều các đề xuất khác nhau nhằm nâng cao độ linh động của hệ điện tử (lỗ trống) bị giam hãm trong giếng lượng tử được đưa ra.

2.1. Tán Xạ Rayleigh và Mie trong Vật Liệu 2D So Sánh

Hai cơ chế tán xạ quan trọng trong vật liệu hai chiều là tán xạ Rayleigh và tán xạ Mie. Tán xạ Rayleigh xảy ra khi kích thước của các hạt tán xạ nhỏ hơn nhiều so với bước sóng ánh sáng, trong khi tán xạ Mie xảy ra khi kích thước của chúng tương đương hoặc lớn hơn. Sự khác biệt này dẫn đến các đặc điểm tán xạ khác nhau, ảnh hưởng đến quang phổ tán xạứng dụng của tán xạ ánh sáng trong hệ hai chiều.

2.2. Vai Trò của Độ Nhám Bề Mặt và Tạp Chất

Độ nhám bề mặt và tạp chất là hai yếu tố quan trọng ảnh hưởng đến tán xạ ánh sáng trong hệ hai chiều. Độ nhám bề mặt tạo ra các điểm tán xạ ngẫu nhiên, làm giảm thời gian sống photon. Tạp chất, đặc biệt là tạp chất bị ion hóa, cũng gây ra tán xạ điện tích, ảnh hưởng đến độ linh động của hạt tải. Theo [14], một trong các cách hiệu quả nhất để xác định các cơ chế tán xạ chủ đạo là nghiên cứu thời gian sống vận chuyển và lượng tử cũng như là tỉ số của chúng (Dingle ratio).

III. Giải Pháp Mô Hình Hóa và Đo Thời Gian Sống Photon 58 ký tự

Để hiểu rõ hơn về ảnh hưởng của tán xạ, cần phát triển các mô hình hóa tán xạ trong hệ hai chiều. Các mô hình này giúp dự đoán và tối ưu hóa tính chất của vật liệu. Phân bố hạt tải trong giếng lượng tử pha tạp đối xứng hai phía cũng quan trọng. Việc tính toán và mô phỏng sự phân bố này giúp tìm ra biện pháp nâng cao độ linh động. Cần có các phương pháp đo thời gian sống photon trong hệ hai chiều chính xác. Các phương pháp này cung cấp dữ liệu thực nghiệm để kiểm chứng các mô hình lý thuyết. Việc kết hợp mô hình hóa và thực nghiệm là cần thiết để giải quyết các vấn đề còn tồn tại. "Trong nghiên cứu lý thuyết hiện đại, sự xuất hiện của các phương pháp cũng như công cụ tính toán hiện đại cho phép nghiên cứu định lượng các mô hình gần với thực tế hơn song không vì thế mà các phương pháp của vật lý lý thuyết mất đi vai trò đã có."

3.1. Cơ Chế Tán Xạ Raman và Ứng Dụng Phân Tích Vật Liệu

Tán xạ Raman là một kỹ thuật quang phổ được sử dụng rộng rãi để phân tích vật liệu. Trong hệ hai chiều, tán xạ Raman cung cấp thông tin về cấu trúc, tính chất rung động và tương tác electron-phonon. Phân tích quang phổ tán xạ Raman có thể giúp xác định các khuyết tật, ứng suất và các yếu tố khác ảnh hưởng đến thời gian sống photon.

3.2. Mô Hình Hóa Tán Xạ Bằng Phương Pháp Monte Carlo

Phương pháp Monte Carlo là một công cụ mạnh mẽ để mô hình hóa tán xạ trong hệ hai chiều. Phương pháp này cho phép mô phỏng quá trình tán xạ của nhiều hạt, tính đến các yếu tố như độ nhám bề mặt, tạp chất và tương tác giữa các hạt. Kết quả mô phỏng có thể được sử dụng để dự đoán thời gian sống photon và tối ưu hóa tính chất của vật liệu.

IV. Ứng Dụng Tối Ưu Độ Linh Động Bằng Pha Tạp Đối Xứng 58 ký tự

Một phương pháp hiệu quả để nâng cao độ linh động là sử dụng pha tạp đối xứng trong giếng lượng tử. Pha tạp đối xứng làm giảm sự bất đối xứng của hàm bao, từ đó giảm tán xạ trên độ nhám bề mặt và thế biến dạng. Nghiên cứu cho thấy pha tạp một phía dẫn đến sự biến đổi bất đối xứng hàm bao, làm tăng tán xạ. Việc giảm sự bất đối xứng này có thể tăng độ linh động. Sử dụng hiệu ứng uốn cong vùng năng lượng gây bởi pha tạp đối xứng hoặc trường ngoài. Khả năng nâng cao độ linh động của hạt tải bằng pha tạp đối xứng đã được chứng minh trong thực nghiệm. Điều này mở ra hướng mới cho việc phát triển các linh kiện bán dẫn có hiệu suất cao. Mô hình uốn cong vùng năng lượng do pha tạp điều biến đối xứng nhằm tìm ra cơ chế có thể nâng cao độ linh động của các hạt tải trong giếng lượng tử.

4.1. Ảnh Hưởng của Pha Tạp Điều Biến Lên Vận Chuyển

Pha tạp điều biến là một kỹ thuật pha tạp trong đó tạp chất được đưa vào một lớp riêng biệt, cách ly với lớp chứa các hạt tải. Điều này giúp giảm tán xạ ion hóa và tăng độ linh động. Nghiên cứu về ảnh hưởng của pha tạp điều biến lên vận chuyển trong hệ hai chiều đã mang lại nhiều kết quả quan trọng và ứng dụng trong các linh kiện bán dẫn.

4.2. Thừa Số Dạng Chắn và Khả Năng Nâng Cao Độ Linh Động

Thừa số dạng chắn là một tham số quan trọng trong lý thuyết về độ linh động của hạt tải trong hệ hai chiều. Thừa số này mô tả hiệu ứng chắn của các điện tử khác lên trường điện từ do tạp chất gây ra. Việc tăng thừa số dạng chắn có thể làm giảm tán xạ và nâng cao độ linh động. Pha tạp đối xứng có thể giúp tăng thừa số dạng chắn và cải thiện tính chất vận chuyển.

V. Nghiên Cứu Xác Định Độc Lập Các Tham Số Bề Mặt Λ và 59 ký tự

Việc xác định độc lập các tham số bề mặt Λ và ∆ là rất quan trọng để hiểu và kiểm soát tán xạ. Các lý thuyết trước đây gặp khó khăn trong việc xác định các tham số này một cách độc lập. Cần phát triển các phương pháp mới để giải quyết vấn đề này. Thời gian hồi phục của hạt tải phụ thuộc vào độ dài tương quan dưới ảnh hưởng của các cơ chế tán xạ. Nghiên cứu tỉ số của các thời gian sống có thể giúp xác định các tham số đặc trưng cho phẩm chất của bề mặt vật liệu. Từ tỉ số của các thời gian sống, xác định các tham số đặc trưng cho phẩm chất của bề mặt vật liệu đó là các tham số ∆ và Λ. "Vai trò của Λ và ∆ trong lý thuyết và thực nghiệm. Những khó khăn của các lý thuyết có trước về việc xác định Λ và ∆ một cách độc lập."

5.1. Vai Trò của Λ và Trong Lý Thuyết và Thực Nghiệm

Λ (độ dài tương quan) và ∆ (độ lớn của độ nhám bề mặt) là hai tham số quan trọng đặc trưng cho độ nhám bề mặt của vật liệu. Λ mô tả khoảng cách trung bình giữa các điểm nhấp nhô trên bề mặt, trong khi ∆ mô tả độ cao trung bình của các điểm nhấp nhô. Hai tham số này ảnh hưởng lớn đến tán xạ và độ linh động của hạt tải.

5.2. Phương Pháp Xác Định Độc Lập Λ và Hướng Tiếp Cận

Việc xác định độc lập Λ và ∆ là một thách thức lớn. Một phương pháp tiềm năng là sử dụng các phép đo thời gian sống vận chuyển và lượng tử ở các nhiệt độ khác nhau. Bằng cách phân tích sự phụ thuộc của các thời gian sống vào nhiệt độ, có thể tách biệt ảnh hưởng của Λ và ∆. Một phương pháp khác là sử dụng kính hiển vi lực nguyên tử (AFM) để đo trực tiếp độ nhám bề mặt.

VI. Kết Luận Tương Lai của Nghiên Cứu Vật Liệu Hai Chiều 54 ký tự

Nghiên cứu về cơ chế tán xạ và thời gian sống trong hệ hai chiều tiếp tục là một lĩnh vực quan trọng. Các kết quả nghiên cứu sẽ góp phần vào việc phát triển các linh kiện điện tử và quang tử tiên tiến hơn. Cần tiếp tục nghiên cứu các vật liệu mới và các phương pháp tối ưu hóa để đạt được hiệu suất cao hơn. Pha tạp hai phía một giếng lượng tử sẽ làm tăng độ linh động của hạt tải so với pha tạp một phía của giếng trong cùng điều kiện [4]. Giải quyết vấn đề này đồng nghĩa với việc đề xuất một phương pháp làm tăng độ linh động của vật liệu. Hiểu sâu hơn bản chất các hiện tượng được thực nghiệm phát hiện nhưng đến nay vẫn chưa có giải thích lý thuyết.

6.1. Tiềm Năng Ứng Dụng của Tán Xạ Ánh Sáng Nâng Cao

Tán xạ ánh sáng có nhiều ứng dụng tiềm năng trong công nghệ. Ví dụ, tán xạ Raman nâng cao bề mặt (SERS) có thể được sử dụng để phát hiện các phân tử sinh học với độ nhạy cao. Tán xạ ánh sáng cũng có thể được sử dụng để tạo ra các thiết bị quang học và cảm biến mới.

6.2. Hướng Nghiên Cứu Mới Về Thời Gian Sống Lượng Tử

Nghiên cứu về thời gian sống lượng tử đang mở ra những hướng mới trong vật lý và công nghệ lượng tử. Việc kéo dài thời gian sống lượng tử là then chốt để phát triển máy tính lượng tử, truyền thông lượng tử và các ứng dụng khác. Các nhà khoa học đang nỗ lực tìm kiếm các vật liệu và phương pháp mới để tăng thời gian sống lượng tử.

16/08/2025

Trích đoạn nội dung tài liệu

Chương 1. CÁC CƠ CHẾ TÁN XẠ CƠ BẢN ẢNH HƯỞNG ĐẾN THỜI GIAN HỒI PHỤC CỦA HẠT TẢI 1. Các khái niệm ban đầu Thời gian sống vận chuyển và lượng tử là các tham số vận chuyển quan trọng được sử dụng để đánh giá đặc trưng vận chuyển trong các cấu trúc bán dẫn và điện môi, là cơ sở của các linh kiện vi điện tử và quang điện tử. Những thực nghiệm về tính chất vận chuyển của khí điện tử hai chiều đã cho thấy sự khác biệt rõ rệt giữa hai loại thời gian sống hay còn gọi là thời gian hồi phục này [14].

Thời gian sống vận chuyển Thời gian sống vận chuyển τt (hay thời gian sống cổ điển, thời gian hồi phục động lượng, thời gian tán xạ vận chuyển) được định nghĩa là khoảng thời gian trung bình giữa hai lần tán xạ liên tiếp khi hạt tải di chuyển định hướng dưới tác dụng của điện trường. Thời gian sống vận chuyển xác định từ độ linh động Hall [46] 19 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com Định nghĩa. Thời gian sống lượng tử Thời gian sống lượng tử τq (hay còn gọi là thời gian sống đơn hạt), được định nghĩa là thời gian tồn tại một trạng thái xung lượng bền của hạt tải (điện tử, lỗ trống). Thời gian sống lượng tử liên quan đến sự mở rộng mức Landau trong từ trường [13] và nó được rút ra từ hiệu ứng Shubnikov-de Haas [33], [51].

Các công thức tính thời gian hồi phục a. Thời gian sống vận chuyển Ta biết rằng, thời gian sống vận chuyển liên hệ với độ dẫn điện và độ linh động theo mô hình Drude có dạng: ne2 τt σ = enµ = , (1.1) m∗ τt được xác định từ độ linh động Hall. Độ linh động này được xác định từ phép đo Hall trong vùng từ trường yếu RH µH = , (1.2) ρxx với µH -là độ linh động Hall, RH - là hệ số Hall và ρxx - điện trở suất trong trường hợp từ trường bằng 0. Trong hiệu ứng Hall ρxx không phụ thuộc vào từ trường B; đo được ρxx ta sẽ suy ra được độ linh động µH , từ đó xác định được τt.

Tại nhiệt độ thấp gần nhiệt độ 0 tuyệt đối, các trạng thái điện tử dưới mức Fermi bị lấp đầy, chỉ có những điện tử nằm lân cận mức Fermi mới tham gia vào quá trình tán xạ. Đối với những điện tử đó, ta có thể coi xung lượng có giá trị xung lượng Fermi, k = kF , và q được định nghĩa là xung lượng truyền bởi tán xạ trong mặt đẳng năng Fermi, có liên hệ 20 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com được xác định bởi.3) 2 Nghịch đảo thời gian sống vận chuyển được tính theo công thức sau [39], [71]: Zπ 1 = P (θ)(1 − cosθ)dθ, (1.5) ~ chính là xác suất tán xạ trong một đơn vị thời gian giữa hai trạng thái k và k 0 với góc tán xạ θ. Thực hiện phép biến đổi tích phân θ → q và tính đến hiệu ứng chắn: U (~q) U (~q) → U SCR (~q) = U ef f (~q) = , (1.7) τ (2π)2 ~EF 0 0 (4kF − q 2 )1/2 ε2 (q) trong đó, năng lượng Fermi ~2 kF2 EF = , (1.8) 2m∗ vector sóng Fermi p kF = 2πps , (1.i là trung bình theo trường ngẫu nhiên U (~q) mô tả bởi các D E 2 ˆ |U (~q)| gọi là hàm tự tượng quan trong không nguồn tán xạ. Với thời gian sống vận chuyển thì góc tán xạ θ là quan trọng.

Trong đó, 1 − cosθ [18] là trọng số tích phân thể hiện sự đóng góp của 21 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com tán xạ theo các phương tán xạ khác nhau là không bình đẳng. Cụ thể: khi θ = 0 (tán xạ về phía trước) thì 1 − cosθ → 0 đóng góp không đáng kể vào tán xạ; khi θ → π (tán xạ về phía sau) thì thì 1 − cosθ → 1 đóng góp rất lớn vào tán xạ. Như vậy, hệ số 1 − cosθ chỉ rõ tán xạ về phía sau đóng vai trò quan trọng. Thời gian sống lượng tử Thời gian sống lượng tử là một đặc trưng lượng tử, không có khái niệm tương tự trong vật lý cổ điển.

Đây chính là khoảng thời gian trung bình E ~ mà một hạt tải còn tồn tại trạng thái riêng k của nó trước khi nó bị tán xạ chuyển thành trạng thái khác. Trường hợp không có nguồn tán xạ: Hệ hạt tải nằm trong không gian đồng nhất, có thể tịnh tiến đối xứng, đồng thời mômen xung E ~ lượng k được xác định bởi một giá trị nhất định của số lượng tử mômen E xung lượng. Lúc này, trạng thái ~k có năng lượng xác định (gọi là trạng thái dừng hoặc trạng thái bền của hạt tải). Xác suất phân bố và giá trị trung bình của các đại lượng vật lý là một hằng số.

Ta nói trạng thái E ~k có thời gian sống vô hạn. Trường hợp có nguồn tán xạ: Trong trường hợp có nguồn tán xạ: Tính đồng nhất trong không gian bị phá vỡ do các nguồn tán xạ là nguồn không trật tự. Vì thế phép tịnh tiến trong không gian bị phá vỡ, E E ~ ~ dẫn tới k không còn là một lượng tử số và trạng thái k không có năng lượng xác định, hạt tải sẽ nhận một phổ năng lượng. Nếu nguồn tán xạ là yếu : thì sự phá vỡ tính đối xứng là nhỏ, phổ năng lượng có giá trị hữu hạn nào đó ∆E.

Theo nguyên lý bất định Heizenberg có tồn tại mối liên hệ giữa ∆E và ∆t ( ∆E.∆t ≈ ~), với 22 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com E ~ ∆t = τq như là thời gian sống của trạng thái k , được gọi là thời gian sống lượng tử hay chính là khoảng thời gian mà hàm sóng ψ 6= 0. Như vậy, một miền nào đó mà hàm sóng của hạt tải ψ 6= 0 có nghĩa là trong miền đó có tồn tại của trạng thái của hạt. Từ công thức chuyển phổ Fourier ta tìm được mối liên hệ giữa ψ(E) và ψ(t) như sau: Z+∞ i 1 t ψ(t) = dE e ~ ψ(E).10) 2π −∞ trong đó ∆E là độ tản mạn của năng lượng khi ta đo, ∆t là khoảng (E) (t) 0 0 ∆E E ∆t t Hình 1. Mối liên hệ giữa ψ(E) và ψ(t) thời gian mà hàm sóng khác 0.

Khi có thêm sự hiện diện của từ trường ngoài B theo phương z, vuông góc với mặt phẳng chứa khí điện tử hai chiều, năng lượng của hệ sẽ tách ra thành các mức Landau gián đoạn:   1 En = ~ωc n + (1.12) m∗ 23 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com là tần số cyclotron. Chúng ta chỉ chú ý đến dao động Shubnikov-de Haas trong vùng từ trường trung bình. Lúc này hiệu ứng Hall lượng tử xảy ra yếu và ρxx có dao động nhưng không triệt tiêu. Trong cơ chế này, từ trường gây ra dao động yếu cho mật độ trạng thái.

Hệ quả là mật độ trạng thái ở mức Fermi cũng như đặc tính chắn của khí electron bị dao động khi mật độ electron hay từ trường bị điều chỉnh. Điều này phản ánh sự dao động của trở dọc. Nó cũng liên hệ với lý thuyết tán xạ và được thảo luận trong [2]. Trong vùng từ trường trung bình ta sẽ xác định được thời gian sống lượng tử và khối lượng hiệu dụng qua hiệu ứng Shubnikov-de Haas (SdH).

Ando đã đưa ra biểu thức giải tích cho thành phần điện trở suất ρxx như là hàm của từ trường B như sau:     nπ~ ∗ −π/(ωc τq ) ρxx (B) = ρxx (0) 1 − 4cos χ(m , T )e , (1.14) sinh (x) ~ωc Ta nhận thấy khối lượng hiệu dụng và thời gian tán xạ lượng tử có thể suy ra từ việc phân tích sự thay đổi của dao động Shubnikov-de Haas theo nhiệt độ. Chọn một nhiệt độ nào đó mà hiệu ứng Shubnikov- de Haas có xảy ra cộng hưởng, ta sẽ xác định được khối lượng hiệu dụng. Một khi biết được khối lượng hiệu dụng ta sẽ xác định được thời gian sống lượng tử τq. Thời gian sống lượng tử τq có thể liên hệ với dao động Shubnikov-de Haas qua phương trình cổ điển sau [21]:     ∆ρxx x −π 2πEF =2 exp cos −π , (1.15) 2 ρ0 sinh (x) ωc τq ~ωc 24 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com với ε là năng lượng Fermi có dạng (1.8), τq là thời gian sống lượng tử.15) cho thấy τq được xác định qua dao động Shubnikov-de Haas và τq có mặt do tán xạ.

Từ công thức tính xác suất tán xạ trong một đơn vị thời gian giữa hai trạng thái k và k 0 với góc tán xạ θ ta thu được công thức sau: Zπ 1 = P (θ)dθ, (1.16) τq 0 Thực hiện phép đổi biến tích phân θ → q ta thu được: D E 2 1 1 Z 2kF 2kF2 |U (~q)| = dq p 2 .17) τq 2π~EF 0 4kF − q 2 ε2 (q) Trong thời gian sống lượng tử tất cả các quá trình tán xạ về phía trước và sau là bình đẳng như nhau. Quy tắc Matthiessen. Hạt tải hai chiều chịu tác động của nhiều nguồn tán xạ như: tạp chất bị ion hóa (Ionized impurities - II), không trật tự hợp kim bán dẫn (Alloy disorder - AD), thế biến dạng khớp sai (DP), độ nhám bề mặt (SR), tán xạ phonon âm (AD). khi đó thế tán xạ tổng cộng có dạng: U (~q) = Utot (~q) = UII (~q) + UAD (~q) + UDP (~q) + USR (~q) + UAP (~q).18) Giả sử rằng, các cơ chế tán xạ là độc lập nhau, hàm tự tương quan tổng cộng có dạng: D E D E D E D E D E 2 2 2 2 2 |U (~q)| = |UII (~q)| + |UAD (~q)| + |UDP (~q)| + |UAP (~q)| D E 2 + |USR (~q)| + h|UII (~q)UAD (~q)|i + h|UII (~q)UDP (~q)|i + .19) 25 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com Với các nguồn tán xạ là độc lập thống kê với nhau, các thế tán xạ ngẫu nhiên, nên trung bình theo thăng giáng là bằng không h|UII (~q)|i = h|UAD (~q)|i = h|UDP (~q)|i = h|USR (~q)|i = 0, (1.20) Mặt khác do các nguồn tán xạ là độc lập thống kê với nhau nên: h|UII (~q)UAD (~q)|i = h|UII (~q)|i h|UAD (~q)|i = 0, (1.22) Nếu các nguồn tán xạ là độc lập thống kê thì thời gian hồi phục tổng cộng được xác định bằng qui tắc Matthiessen: 1 X1 = .23) τtot τi τi là thời gian hồi phục ứng với mỗi cơ chế tán xạ được xác định như trên.24) τt τtII τtAD τtDP τtSR τtAP 1 1 1 1 1 1 tot = II + AD + DP + SR + AP + .

Nội dung được bảo vệ bản quyền — Tải xuống đầy đủ