Chương 1. TỔNG QUAN LÝ THUYẾT 1. VẬT LIỆU XÚC TÁC QUANG 1. Khái niệm xúc tác quang và cơ chế phản ứng Xúc tác quang là khái niệm dùng để nói đến những phản ứng diễn ra dưới sự tác dụng đồng thời của chất xúc tác và năng lượng ánh sáng.
Nói cách khác, ánh sáng chính là tác nhân kích hoạt chất xúc tác, giúp phản ứng diễn ra. Khi có sự kích thích của ánh sáng, trong vật liệu bán dẫn sẽ sinh ra cặp điện tử - lỗ trống quang sinh và có sự trao đổi electron giữa các chất hấp phụ thông qua cầu nối là chất bán dẫn. Theo lí thuyết vùng năng lượng, cấu trúc điện tử của kim loại gồm có 3 vùng chính, đó là, vùng hóa trị (Valance band-VB) có năng lượng thấp nhất gồm những obitan phân tử liên kết đã đầy electron và vùng dẫn (Conduction band-CB) có mức năng lượng cao nhất gồm những obitan phân tử phản liên kết còn trống electron. Hai vùng này được ngăn cách nhau bởi một hố năng lượng được gọi là vùng cấm (Forbidden band).
Khoảng cách giữa hai vùng nói trên được gọi là độ rộng vùng cấm hay năng lượng vùng cấm Eg (Band gap energy). Sự khác nhau về vị trí và năng lượng vùng cấm dẫn đến việc tạo ra các chất dẫn điện, cách điện và bán dẫn. Vật liệu bán dẫn là vật liệu có tính chất trung gian giữa vật liệu dẫn điện và vật liệu cách điện, khi có một kích thích đủ lớn (lớn hơn năng lượng vùng cấm Eg), các electron trong vùng hóa trị của vật liệu bán dẫn có thể nhảy lên vùng dẫn, trở thành chất dẫn điện có điều kiện. Tóm lại, những chất có Eg lớn hơn 6,2 eV là chất cách điện ngược lại những chất có Eg thấp hơn 6,2 eV là chất bán dẫn [40].
Những chất bán dẫn có Eg thấp hơn 6,2 eV đều có thể làm chất xúc tác quang (photocatalysts) vì khi được kích thích bởi các photon ánh sáng có năng lượng lớn hơn năng lượng vùng cấm Eg, các electron hóa trị của chất 6 bán dẫn sẽ nhảy lên vùng dẫn. Kết quả là trên vùng dẫn sẽ có các electron mang điện tích âm, được gọi là electron quang sinh (photogenerated electron e-CB) và sẽ để lại trên vùng hóa trị các lỗ trống mang điện tích dương, được gọi là lỗ trống quang sinh (photogenerated hole h+VB). Chính các electron quang sinh và lỗ trống quang sinh là nguyên nhân dẫn đến các quá trình hóa học xảy ra bao gồm quá trình oxi hóa đối với h+VB và quá trình khử đối với e-CB. Các electron quang sinh và lỗ trống quang sinh có khả năng phản ứng cao hơn so với các tác nhân oxi hóa - khử đã biết trong hóa học.
Cấu trúc các vùng năng lượng của kim loại, chất bán dẫn và chất cách điện Sau khi hấp phụ năng lượng của các photon (Ehν > Eg) thì electron hóa trị của các chất bán dẫn sẽ chuyển đến vùng dẫn (CB) tạo ra một lỗ trống khuyết điện tử (mang điện tích dương) ở vùng hóa trị. SC (chất bán dẫn) + hν → e-CB + h+VB (1.1) Sau khi di chuyển đến bề mặt hạt xúc tác thì tại vùng hóa trị, các lỗ trống quang sinh sẽ tương tác với OH- phân ly ra từ nước, còn các electron quang sinh sẽ tác dụng với O2 sinh các gốc tự do .OH trên bề mặt chất bán dẫn. Cơ chế phản ứng xảy ra như sau [19]: h +VB + H 2O HO• + H + (1.4) - H 2O2 + eCB HO HO- (1.5) h +VB + HO- HO• (1.6) Gốc HO• là một tác nhân oxi hóa rất mạnh (chỉ sau F-), bản chất không chọn lọc cho phép nó oxi hóa được hầu hết các hợp chất hữu cơ bao gồm cả thuốc nhuộm có cấu trúc phức tạp và ổn định. • Các tiểu phân trung gian, các gốc tự do và lỗ trống tạo ra như HO• , O2 , H2O2, O2 trong quá trình quang hóa đều đóng vai trò quan trọng trong cơ chế xúc tác quang phân hủy các hợp chất hữu cơ, tách nước khi tiếp xúc.
Quá trình phân hủy một số hợp chất hữu cơ gây ô nhiễm trên hệ xúc tác quang như sau: RH + HO• R • + H 2O (1.7) R • O2 H 2O + CO 2 + axit vô cơ (1.8) Sự tái kết hợp của e- và h+ Hình 1. Quá trình oxi hóa hợp chất hữu cơ trên vật liệu xúc tác quang [19] Do tính linh động cao nên các lỗ trống chuyển động tự do trong vùng hóa trị, tạo điều kiện cho các electron khác có thể nhảy vào lấp đầy lỗ trống để bão hòa điện tích, đồng thời để lại những lỗ trống mới ngay tại vị trí mà nó 8 vừa đi khỏi. Bên cạnh đó, những electron quang sinh trên vùng dẫn cũng có thể tái kết hợp với các lỗ trống quang sinh trên vùng hóa trị, dẫn đến việc giải phóng năng lượng dưới dạng nhiệt hoặc photon. Ngoài ra, các cặp electron – lỗ trống trong quá trình di chuyển ra bề mặt hạt xúc tác có thể bị bắt giữ tại những chỗ sai khuyết trên bề mặt vật liệu hay trong chất bán dẫn.
Các quá trình này được gọi là quá trình khử hoạt tính, chúng làm giảm đáng kể hiệu suất xúc tác quang của vật liệu bán dẫn. Tiềm năng ứng dụng của vật liệu xúc tác quang Hiện nay, thực trạng sử dụng nguồn tài nguyên nước chưa hiệu quả dẫn đến nguồn nước trên Trái đất liên tục bị suy giảm và ô nhiễm. Mặc dù phương pháp hóa sinh đã được ứng dụng trong các nhà máy để xử lý nước thải. Tuy nhiên, chúng đều không phân hủy được hoàn toàn các chất hữu cơ độc hại như thuốc nhuộm, thuốc kháng sinh, thuốc trừ sâu,… có trong nước ô nhiễm trước khi đưa trở lại môi trường.
Nhận thức được vấn đề bức thiết này, việc tìm ra các hướng đi mới trong công nghệ để xử lý nước hiệu quả và sử dụng tài nguyên nước bền vững đang là ưu tiên hàng đầu của chính phủ các nước. Phương pháp oxi hóa nâng cao sử dụng vật liệu xúc tác quang trong giải quyết vấn đề ô nhiễm môi trường đã và đang là hướng đi triển vọng của ngành khoa học công nghệ vật liệu mới. Ưu điểm nổi bật của phương pháp này là hiệu quả xử lý cao, khả năng khoáng hóa hoàn toàn các chất hữu cơ độc hại thành các chất vô cơ ít độc hại hơn, sử dụng nguồn năng lượng sạch là ánh sáng mặt trời và oxi không khí để xúc tác phản ứng, chất xúc tác được thu hồi dễ dàng mà không làm giảm hiệu quả của hoạt động xúc tác. Do có nhiều tiềm năng thực tiễn nên trên thế giới cũng như ở Việt Nam, vật liệu quang xúc tác đang ngày càng được nghiên cứu và ứng dụng rộng rãi.
Nhiều chất bán dẫn có hoạt tính xúc tác quang đã được nghiên cứu như: TiO2, ZnO, MoS2, WO3, ZnS, SnO2, CuOx,… 9 Trong các vật liệu xúc tác trên, TiO2 đang được quan tâm nghiên cứu nhất do có hoạt tính quang hóa, độ bền cao, thân thiện với môi trường và hiệu quả kinh tế. Trong hai thập kỷ gần đây, quá trình quang xúc tác bán dẫn trên TiO2 được xem như là một giải pháp kỹ thuật hiệu quả thay thế các phương pháp truyền thống để xử lý các chất hữu cơ độc hại. Tuy vậy, do năng lượng vùng cấm của TiO2 khá rộng (3,2 eV) nên chỉ nhạy đối với kích thích của các bức xạ tử ngoại (chỉ chiếm 3-5% lượng bức xạ mặt trời) dẫn đến hạn chế phần nào hiệu quả xúc tác của vật liệu [26]. Gần đây, một vật liệu gốc sulfide cũng rất được chú ý hiện nay là CdS, do có năng lượng vùng cấm nhỏ, có khả năng hấp thụ mạnh ánh sáng vùng khả kiến nên CdS rất có tiềm năng trong lĩnh vực xúc tác.
Tuy nhiên do tốc độ tái tổ hợp của cặp electron - lỗ trống quang sinh cao nên hiệu quả xúc tác quang của nó cũng giảm đáng kể [42]. Như đã phân tích ở trên, các chất bán dẫn tinh khiết mặc dù thể hiện hoạt tính quang xúc tác nhưng cũng tồn tại những nhược điểm làm giảm khả năng ứng dụng vào thực tiễn của những vật liệu này. Từ đây, vấn đề được đặt ra để nâng cao hoạt tính xúc tác của các chất bán dẫn thì một là tăng khả năng hoạt động ở vùng ánh sáng nhìn thấy bằng cách giảm năng lượng vùng cấm của vật liệu, hai là tăng tốc độ di chuyển của các electron và lỗ trống để hạn chế sự tái tổ hợp của chúng đồng thời tăng hiệu suất lượng tử của phản ứng quang hóa. Để giải quyết vấn đề này, một trong các xu hướng đang được các nhà khoa học quan tâm hiện nay đó là biến tính vật liệu, tức là ghép hai hay nhiều vật liệu với nhau để tạo dạng composite giúp cải thiện các nhược điểm của những vật liệu ban đầu.
Một số các công trình nghiên cứu đi theo hướng này như: tổng hợp nanocomposite Ag2MoO4-Ag3PO4 [5], g-C3N4-TaON [49], Bi2MoO6/TiO2 [53],. được đánh giá có hiệu suất quang xúc tác vượt trội hơn hẳn các hợp 10 phần tinh khiết do khả năng hấp thụ vùng ánh sáng khả kiến được mở rộng, hiệu quả phân tách cặp e-/h+ cao cả trên bề mặt và trong lòng chất bán dẫn. Mặc dù những nghiên cứu về vật liệu xúc tác đã thu được nhiều kết quả khả quan về mặt khoa học. Tuy nhiên để có thể đưa những ứng dụng này ra thị trường thì đòi hỏi công nghệ chế tạo phải ổn định, công suất cao và chất lượng sản phẩm đầu ra ở quy mô sản xuất công nghiệp phải được kiểm soát.
GIỚI THIỆU VỀ GRAPHITIC CARBON NITRIDE (g-C3N4) 1. Đặc điểm cấu tạo Cấu hình dạng graphit (g-C3N4) là một trong những dạng thù hình bền vững nhất ở điều kiện thường của carbon nitride. g-C3N4 bao gồm các khối xếp chồng lên nhau tạo thành các mặt graphit. Trong cấu trúc lục giác g-C3N4, Teter và Hemley đã mô tả những mặt graphit này như cấu tạo lục giác của những vòng triazine (C3N3), chúng liên kết với nhau thông qua cầu N (Hình 1.
Trong cấu trúc này, trong khi C chỉ hiện diện kiểu lai hóa sp2 thì N thể hiện lai hóa sp2 và sp3 ở bên trong và giữa các vòng tương ứng [39]. Mặt phẳng graphit cấu tạo từ các vòng triazine của g-C3N4 [44] Alves và cộng sự cũng đã đề xuất các liên kết (C3N3) khác vào trong mặt phẳng dựa trên hình ảnh kính hiển vi điện tử truyền qua của g-C3N4 tổng hợp dưới áp suất cao.