Mở đầu hương 1. Tổng quan lý thuyết hương 2. Thực nghiệm hương 3. Kết quả và thảo luận Kết luận và kiến nghị 5 Ch ơng TỔN QUAN LÝ T U ẾT 1.
Lý thuyết vùng năng l ợng của chất rắn Như đã biết, điện tử tồn tại trong nguyên tử trên những mức năng lượng gián đoạn (các trạng thái dừng). Nhưng trong chất rắn, khi mà các nguyên tử kết hợp lại với nhau thành các khối thì các mức năng lượng này bị phủ lên nhau. Các vùng năng lượng được chia thành 3 vùng chính: Hình 1. Sơ đồ các vùng năng l ợng của chất rắn Vùng gồm những obital phân tử liên kết được xếp đủ electron, được gọi là vùng hóa trị (Valance band – VB) và một vùng gồm những obital phân tử liên kết còn trống electron, được gọi là vùng dẫn (Conduction Band – CB).
Hai vùng này được chia cách nhau bởi một hố năng lượng được gọi là vùng cấm, đặc trưng bởi năng lượng vùng cấm Eg ( andgap Energy), chính là độ chênh lệch giữa hai vùng nói trên [10, 11]. Với kim loại, các điện tử chỉ cần năng lượng kích hoạt nhỏ đã có thể chuyển từ vùng hóa trị sang vùng dẫn do hai vùng này có mức năng lượng chồng lên nhau. Còn với phi kim và các chất cách điện, năng lượng của vùng cấm lại rất lớn, do đó điện tử cần năng lượng lớn hơn nhiều để vượt qua. Vật liệu bán dẫn là vật liệu có tính chất trung gian giữa vật liệu dẫn điện và cách điện [12], vì vậy chỉ cần có một kích thích của ánh sáng đủ lớn (lớn hơn năng lượng vùng cấm Eg), hoặc năng lượng nhiệt phù hợp, các electron trong vùng hóa trị của vật liệu bán dẫn có thể vượt qua 6 vùng cấm nhảy lên vùng dẫn, trở thành chất dẫn điện có điều kiện.
Lúc này sẽ tạo ra cặp electron quang sinh (e-CB) – lỗ trống quang sinh (h+VB) và có sự trao đổi electron giữa các chất bị hấp phụ, thông qua cầu nối là chất bán dẫn. Nói chung, những chất bán dẫn có Eg thấp hơn 3,5 eV đều có thể làm chất xúc tác quang vì khi được kích thích bởi các photon ánh sáng có năng lượng lớn hơn năng lượng vùng cấm Eg, các electron hóa trị của chất bán dẫn sẽ nhảy lên vùng dẫn. Kết quả là trên vùng dẫn sẽ có các electron mang điện tích âm, được gọi là electron quang sinh và trên vùng hóa trị sẽ có các lỗ trống mang điện tích dương, được gọi là lỗ trống quang sinh. Chính các electron quang sinh và lỗ trống quang sinh là nguyên nhân dẫn đến các quá trình hóa học xảy ra bao gồm quá trình oxi hóa đối với lỗ trống quang sinh và quá trình khử đối với electron quang sinh.
Các lỗ trống và electron quang sinh có khả năng phản ứng cao hơn so với các tác nhân oxi hóa – khử đã biết trong hóa học [13, 14]. Lý thuyết xúc tác quang xảy ra trên vật liệu bán d n 1. Khái niệm xúc tác quang Thuật ngữ xúc tác quang được dành cho các phản ứng được tiến hành khi có mặt đồng thời các chất bán dẫn và ánh sáng. Theo đó, UPA định nghĩa xúc tác quang là “sự thay đổi tốc độ phản ứng hay lượng chất ban đầu do hoạt động của các bức xạ cực tím, khả kiến và hồng ngoại trong sự có mặt của một chất – gọi là chất xúc tác quang – đã hấp thụ năng lượng từ nguồn bức xạ”, và quá trình này “chỉ bao gồm sự chuyển khối hóa học của các chất tham gia phản ứng”.
Phản ứng đảm bảo các yêu cầu trên gọi là phản ứng xúc tác quang. Khác với các chất xúc tác thông thường được hoạt hóa bằng nhiệt, chất xúc tác quang được hoạt hóa bằng các photon ánh sáng có năng lượng thích hợp. Xử lý nước thải chứa các chất hữu cơ ô nhiễm bằng phương pháp quang xúc tác được biết là công nghệ thân thiện với môi trường và có tiềm năng ứng dụng trong thực tiễn [12]. Cơ chế xúc tác quang Quang xúc tác là phản ứng sử dụng nguồn năng lượng từ các bức xạ điện từ 7 của photon để hoạt hóa phản ứng.
Phương trình Plank biểu diễn mối quan hệ giữa tần số, ν của bức xạ điện từ và năng lượng (E) tương ứng của nó, như sau: E = hν (h: hằng số Plank) (1.1) ể kích thích electron từ vùng hóa trị lên vùng dẫn, năng lượng của bức xạ điện từ cần phải lớn hơn năng lượng vùng cấm của chất bán dẫn. Mỗi một photon có một năng lượng (hay bước sóng riêng) kích thích để nâng một electron từ vùng hóa trị lên vùng dẫn tạo thành electron vùng dẫn ở trạng thái kích thích (e-CB) và một lỗ trống mang điện tích dương trên vùng hóa trị (h+VB). Các hợp phần mang điện quang sinh này (e-CB vàh+VB) hoạt động theo những hướng rất đa dạng tùy thuộc vào cấu trúc điện tử và môi trường hoạt động của bán dẫn. Sau khi được hình thành, các tiểu phân mang điện quang sinh có hai khả năng tiếp tục hoạt động.
Thứ nhất, các tiểu phân này di chuyển đến các vị trí bẫy nằm trên bề mặt vật liệu để tiến hành các tương tác với các hợp phần hấp phụ cho hoặc nhận electron. Thứ hai, các tiểu phân mang điện quang sinh có thể tái kết hợp do gặp nhau trong quá trình dịch chuyển. Quá trình tái kết hợp làm ngăn cản hoạt động quang oxi hóa khử và dẫn đến làm giảm hoạt tính xúc tác quang của vật liệu [15, 16]. Mô phỏng quá trình xúc tác quang ưới tác dụng của ánh sáng, cơ chế xúc tác quang trên chất bán dẫn gồm các quá trình: Chất bán dẫn (C) + hν → e-CB(C) + h+VB(C) (1.2) Các electron và lỗ trống chuyển đến bề mặt và tương tác với một số 8 chất bị hấp phụ trên bề mặt như nước và oxy tạo ra những gốc tự do trên bề mặt chất bán dẫn [17], [18].
ơ chế phản ứng xảy ra như sau: hVB H 2O HO H (1.7) H2O2 phản ứng tạo ra HO H 2O2 h 2HO (1.8) H 2O2 eCB HO HO (1.10) Ion OH- sinh ra có thể tác dụng với lỗ trống quang sinh để tạo thêm gốc HO hVB HO HO (1.11) HO oxi hóa các chất hữu cơ: HO• + hất hữu cơ → O2 + H2O +.12) Như đã biết, các electron quang sinh có tính khử rất mạnh còn các lỗ trống quang sinh có tính oxi hóa rất mạnh. Chúng sẽ tham gia phản ứng với các chất hấp phụ tại bề mặt chất xúc tác như H2O, ion OH-, các hợp chất hữu cơ hoặc oxi hòa tan để sinh ra gốc tự do HO , tác nhân chính của các quá trình oxi hóa khử nâng cao. Tác nhân oxi hoá HO mạnh gấp 2 lần so với clo, và còn mạnh hơn cả O3 là tác nhân oxy hóa rất mạnh thường hay gặp. ó thể so sánh giá trị thế khử chuẩn của HO với một số tác nhân oxi hóa mạnh khác ở Bảng 1.
9 Bảng Thế h chuẩn của một số tác nhân oxi hoá mạnh Tác nhân Thế h chuẩn V Cl2 1,36 HO 2,80 O 2,42 O3 2,08 H2 O2 1,78 Dữ liệu ở Bảng 1.1 cho thấy, gốc HO có khả năng oxi hóa hoàn toàn các chất hữu cơ bền vững, ngoài ra nó còn ưu việt hơn do tốc độ phản ứng của nó có thể nhanh hơn O3 nhiều lần. Nhìn chung, các thành phần hữu cơ bị oxi hóa theo cơ chế: RH HO R H 2O R O2 H 2O CO2 acid vô cơ ối với hợp chất chứa nitơ dạng azo, phản ứng oxi hóa quang phân hủy xảy ra theo cơ chế sau: R N N R ' HO R N N R ' OH R N N R ' H R N N R ' H R N N R N 2 R HO phân hủy Như vậy, sản phẩm của quá trình phân hủy chất hữu cơ gây ô nhiễm trên hệ xúc tác quang là khí CO2, H2O và các chất vô cơ. Các lỗ trống mang điện tích dương tự do chuyển động trong vùng hóa trị do các electron khác có thể nhảy vào lỗ trống để bão hòa điện tích, đồng thời tạo ra một lỗ trống mới ngay tại vị trí mà nó vừa đi khỏi. Các electron quang sinh trên 10 vùng dẫn cũng có xu hướng tái tổ hợp với các lỗ trống quang sinh trên vùng hóa trị, kèm theo việc giải phóng năng lượng dưới dạng nhiệt hoặc ánh sáng.
Quá trình này làm giảm đáng kể hiệu quả xúc tác quang của vật liệu, nên việc kéo dài thời gian sống của electron và lỗ trống cũng làm tăng hiệu suất xúc tác quang. o đó, việc pha tạp hoặc ghép các cặp chất với nhau một cách hợp lí là xu hướng mà các nhà khoa học hiện nay quan tâm và nghiên cứu [19]. Gi i thiệu chung về graphitic carbon nitride g-C3N4 1. Đặc điểm cấu tạo Dạng graphitic carbon nitride g-C3N4 đang trở nên ngày càng quan trọng do những dự đoán lý thuyết về tính chất khác thường và các ứng dụng đầy hứa hẹn khác nhau, từ xúc tác quang, chất xúc tác dị thể, đến các chất nền.
Gần đây một loạt các cấu trúc nano và vật liệu g-C3N4 mao quản nano đã được phát triển cho một loạt các ứng dụng mới. Ở nhiệt độ thường, g-C3N4 được coi là dạng thù hình ổn định nhất, đã có một số lượng lớn các báo cáo tiếp cận sự tổng hợp và biến tính khác nhau về vật liệu này. Trong nghiên cứu về g-C3N4 được công bố bởi Thomas và cộng sự [20], các nhà khoa học này đã phân tích và giải thích được cấu trúc tinh thể của các chất trung gian 2, 5, 8-triamino-tri-s-triazin, melem có công thức C6N10H6 (Hình 1. Triazin (a) và mô hình kết nối trên nền tảng tri-s-triazin (b) của những dạng thù hình g-C3N4 11 Trong công bố này, Thomas và cộng sự đã làm sáng tỏ cấu trúc polymer melon, cung cấp thêm bằng chứng rằng dạng polymer này có độ trật tự tinh thể cao.
ây được xem là mô hình gần như lý tưởng về cấu trúc của polymer melon. Triazin và tri-s-triazin đã được xem như đơn vị kiến trúc để tạo nên các dạng thù hình tiềm năng khác nhau của g-C3N4. Sự ổn định cấu trúc của g-C3N4 là do môi trường điện tử khác nhau của nguyên tử N và kích thước của các lỗ trống của g- C3N4.