Chương 1: Trình bày tổng quan về tính chất xúc tác quang của vật liệu TiO2 tinh khiết và vật liệu TiO2 biến tính. Chương 2: Trình bày phương pháp tổng hợp mẫu và các phương pháp khảo sát mẫu. Chương 3: Trình bày và phân t ch các kết quả thu được. Vật liệu quang xúc tác bán dẫn Vật liệu bán dẫn có cấu trúc nano với những t nh chất hóa lý và tính chất quang vượt trội đang được ứng dụng trong nhiều lĩnh vực khác nhau.
Các chất bán dẫn thường có t nh chất xúc tác quang do có cấu trúc vùng năng lượng đặc biệt, bao gồm vùng hóa trị điền đầy hoàn toàn và vùng dẫn trống hoàn toàn ngăn cách nhau bởi một vùng cấm bề rộng cỡ vài electron vôn (eV). Điều kiện để một chất bán dẫn có hiệu suất xúc tác quang cao là thế ôxy hóa – khử cho quá trình ôxy hóa nước và quá trình khử hyđrô phải nằm trong vùng cấm của chất bán dẫn. Nói cách khác, mức năng lượng của đỉnh vùng hóa trị phải dương hơn thế ôxy hóa nước và mức năng lượng của đáy vùng dẫn phải âm hơn thế khử của hyđrô (Hình 1. Thế ôxy hóa – khử và vị trí đáy vùng dẫn v đỉnh vùng hóa trị của một số chất bán dẫn Kể từ khi Fujishima và Honda phát hiện TiO2 có khả năng tách nước tạo kh H2 dưới tác dụng của ánh sáng k ch th ch vào năm 1972 [2], t nh chất quang xúc tác của TiO2 đã thu hút đáng kể sự chú ý do chúng có khả năng ứng dụng trong nhiều lĩnh vực, đặc biệt là trong xử lý môi trường và chuyển 5 đổi năng lượng.
TiO2 được ứng dụng rộng rãi nhờ những đặc điểm nổi bật như giá thành rẻ, không độc, không tan trong nước, có độ bền hóa học cao và đặc biệt là có vị tr đỉnh vùng hóa trị và đáy vùng dẫn th ch hợp cho các phản ứng ôxy hóa – khử (Hình 1. Tuy nhiên, do có vùng cấm khá rộng (~3,2 eV đối với pha anatase và ~3,0 eV đối với pha rutile), TiO2 chỉ thể hiện t nh chất xúc tác quang dưới tác dụng của ánh sáng k ch th ch trong vùng tử ngoại. Trong khi đó, ánh sáng mặt trời có thông lượng cao nhất trong vùng nhìn thấy (~43%) và hồng ngoại (~52%) và chỉ có một phần nhỏ (~5%) trong vùng tử ngoại. Do đó, TiO2 có hiệu suất sử dụng ánh sáng mặt trời thấp.
Do đó, việc thiết kế, tổng hợp và điều chỉnh t nh chất hóa lý và t nh chất quang nhằm tăng hiệu suất sử dụng ánh sáng mặt trời của TiO2 có ý nghĩa thực tiễn lớn. Ch nh vì vậy, trong các ứng dụng quang xúc tác, TiO2 thường được biến t nh bằng cách pha tạp các iôn kim loại hoặc phi kim, kết cặp với một chất bán dẫn có vùng cấm hẹp hoặc lắng đọng các hạt nano kim loại quý trên bề mặt của TiO2. Các quá trình này có thể làm thay đổi cấu trúc vùng năng lượng hoặc làm thay đổi trạng thái bề mặt của TiO2, làm tăng hiệu suất lượng tử của các phản ứng xúc tác quang. Biến tính vật liệu TiO2 bằng các chất bán dẫn Sự kết cặp TiO2 với một chất bán dẫn khác tạo ra cấu trúc dị thể bán dẫn – bán dẫn tài vùng tiếp xúc giữa hai vật liệu.
Sự khác nhau về cấu trúc vùng năng lượng (đỉnh vùng hóa trị và đáy vùng dẫn) tạo điều kiên thuận lợi cho sự dịch điện t ch từ chất bán dẫn này sang chất bán dẫn khác, qua đó làm tăng thời gian sống của các hạt mang điện (điện tử và lỗ trống) và tăng hiệu suất xúc tác [3,4]. V dụ như, sự kết cặp TiO2 với SnO2 có khả năng làm tăng sự phân tách điện t ch quang hóa và hiệu suất xúc tác quang [5,6]. Đây là hai chất bán dẫn loại n có bề rộng vùng cấm lớn hơn 3,0 eV và chỉ hấp thụ photon ánh sáng trong vùng tử ngoại. Đáy vùng dẫn của TiO2 và SnO2 lần lượt nằm ở các mức thế –0,34 V và +0,07 V, trong khi đỉnh vùng hóa trị của SnO2 (+3,67 6 V) nằm ở vị tr dương có thế dương hơn đỉnh vùng hóa trị của TiO2 (+2,87 V) (Hình 1.
Dưới tác dụng của ánh sáng k ch th ch UV, các điện tử dịch chuyển từ TiO2 sang SnO2 và các lỗ trống dịch chuyển theo chiều ngược lại (Hình 1. Sự dịch chuyển này làm tăng mật độ lỗ trống trong vùng hóa trị của TiO2. Các lỗ trống này có khả tham gia vào các phản ứng ôxy hóa các hợp chất hữu cơ. Trong khi đó, các điện tử trên vùng dẫn SnO2 có thể bị hấp thụ bởi các phân tử ôxy, gây ra phản ứng khử ôxy [5,6].
Các quá trình này làm tăng cường hiệu suất xúc tác quang của vật liệu. Sự dịch chuyển điện tử và lỗ trống tại vùng tiếp giáp giữa SnO2 và TiO2 Cấu trúc vùng năng lượng của các vật liệu kết cặp đóng vai trò quyết định đến hiệu suất xúc tác của hệ vật liệu. Mặc dù có bề rộng vùng cấm tương đương với SnO2 nhưng khi ZnO kết cặp với TiO2 thì hiệu suất xúc tác quang tăng không đáng kể [7]. Điều này được giải th ch bởi sự chênh lệch nhỏ của vị tr đáy vùng dẫn và đỉnh vùng hóa trị giữa hai vật liệu này (Hình 1.
Thêm vào đó, cả TiO2 và ZnO đều bị k ch th ch bởi bức xạ UV và hình thành các cặp điện tử - lỗ trống bên cả hai vật liệu. Điều này làm giảm sự chênh lệch 7 mật độ các hạt tải điện giữa hai bên và hạn chế sự dịch chuyển của chúng tại vùng tiếp xúc [7]. Ngược lại, sự kết cặp của ZnO với P25 TiO2 (vật liệu bao gồm hai pha rutile và anatase) cho thấy sự tăng cường đáng kể hoạt t nh xúc tác quang dưới tác dụng của ánh sáng k ch th ch tử ngoại [8]. Trong hệ vật liệu này, đỉnh vùng hóa trị của ZnO nằm cao hơn so với đỉnh vùng hóa trị TiO2 pha anatase và đáy vùng hóa trị của TiO2 pha rutile nằm dưới đáy vùng dẫn của pha anatase.
Dưới tác dụng của ánh sáng k ch th ch tử ngoại, các lỗ trống được sinh ra có thể dịch chuyển từ TiO2 anatase sang ZnO và các điện tử có thể dịch chuyển từ TiO2 anatase sang TiO2 rutile. Sự dịch chuyển điện tích này làm giảm sự tái hợp của các cặp điện tử - lỗ trống, qua đó làm tăng hiệu suất xúc tác quang của vật liệu. Tuy nhiên, ở nồng độ pha tạp ZnO lớn, các hạt ZnO đóng vai trò là các tâm tái hợp, làm giảm hiệu suất xúc tác của vật liệu [8]. Sự dịch chuyển của điện tử và lỗ trống trong hệ vật liệu ZnO/P25 TiO2 [8] 8 Sự kết cặp giữa TiO2 và các chất bán dẫn có bề rộng vùng cấm hẹp có vị tr các mức năng lượng th ch hợp như CdS (Eg ~ 2,4 eV), Cu2O (Eg ~ 2,2 eV), Fe2O3 (Eg ~ 2,1 eV) có khả năng tăng cường đáng kể hiệu suất xúc tác quang của vật liệu, đặc biệt là trong vùng ánh sáng nhìn thấy.
Việc sử dụng một chất bán dẫn vùng cấm hẹp làm tăng cường hoạt t nh xúc tác quang một chất bán dẫn vùng cấm rộng có ý nghĩa quan trọng trong việc nâng cao hiệu suất sử dụng ánh sáng mặt trời. Tuy nhiên, hiệu suất chỉ đạt được sự tăng cường đáng kể đối với những chất bán dẫn có khả năng hấp thụ mạnh ánh sáng mặt trời trong vùng nhìn thấy và có vị tr đáy vùng dẫn th ch hợp cho sự dịch chuyển điện t ch tại vùng tiếp xúc giữa hai vật liệu. Cụ thể, để tăng cường sự dịch chuyển điện tử từ TiO2, chất bán dẫn kết cặp cần có đáy vùng dẫn thấp hơn đáy vùng dẫn của TiO2. Ngược lại, một chất bán dẫn có đáy vùng dẫn cao hơn được sử dụng khi cần tăng mật độ điện tử bên trong TiO2.
Wu và các cộng sự đã quan sát thấy sự dịch chuyển điện tử từ CdS sang TiO2 dưới tác dụng của ánh sáng k ch th ch trong vùng nhìn thấy (Hình 1. Các điện tử này sau đó bị hấp thụ bởi các phân tử ôxy, hình thành các gốc siêu ôx t (superoxide) O2 có hoạt t nh ôxy hóa mạnh có khả năng tham gia vào các phản ứng phân hủy các hợp chất hữu cơ. Sự dịch chuyển điện tích giữa TiO2 v CdS dƣới tác dụng của ánh sáng kích thích trong vùng nhìn thấy [9] 9 1. Biến tính vật liệu TiO2 bằng Fe2O3 Với bề rộng vùng cấm cỡ khoảng 2,1 eV và với vị tr các mức năng lượng của đáy vùng dẫn và đỉnh vùng hóa trị th hợp (Hình 1.1), Fe2O3 được xem là một vật liệu kết cặp lý tưởng nhằm tăng cường hoạt t nh xúc tác quang của TiO2 [10].
Do có đáy vùng dẫn thấp hợp TiO2, khi được k ch th bởi ánh sáng tử ngoại, các điện tử được sinh ra trên vùng dẫn của TiO2 có khả năng dịch chuyển sang Fe2O3 (Hình 1. Quá trình dịch chuyển này làm tăng thời gian sống của lỗ trống trên vùng hóa trị của TiO2. Các lỗ trống khuếch tán đến bề mặt của vật liệu và tham gia vào quá trình ôxy hóa nước tạo thành các gốc hydroxyl tự do (OH*) có hoạt t nh ôxy hóa mạnh, có khả năng phân hủy các hợp chất hữu cơ. Cơ chế dịch chuyển điện tử giữa TiO2 và Fe2O3 [10] Nhiều nghiên cứu cho thấy sự kết cặp giữa TiO2 và Fe2O3 làm tăng cường đáng kể hoạt t nh xúc tác quang của TiO2 trong sự phân hủy của các hợp chất hữu cơ.
Nasirian và cộng sự nghiên cứu sự phân hủy của các phân tử 10 hữu cơ methyl cam (methyl orange) và Congo đỏ (Congo red) sử dụng các chất xúc tác TiO2, Fe2O3 và TiO2/Fe2O3 [11]. Kết quả cho thấy, hệ vật liệu TiO2/Fe2O3 có hoạt t nh cao hơn so với các vật liệu đơn chất tương ứng. Kết quả cũng cho thấy nồng độ của Fe2O3 có ảnh hưởng mạnh đến hoạt t nh xúc tác của vật liệu. Ở nồng độ thấp, Fe 2O3 (0,5% tỉ lệ khối lượng) làm tăng mạnh hoạt t nh xúc tác của TiO 2.
Tuy nhiên, hoạt t nh xúc tác giảm dần khi tăng nồng độ Fe2O3. Ở các nồng độ cao (10 – 30%), Fe2O3 làm giảm mạnh hoạt t nh xúc tác của TiO 2. Các kết quả của Nasirian cũng cho thấy sự phụ thuộc mạnh của hoạt t nh xúc tác vào độ tinh thể của vật liệu. Do đó, bằng cách xử lý mẫu ở các nhiệt độ khác nhau, hoạt t nh xúc tác có thể được thay đổi.