MỞ ĐẦU Trong những oxit kim loại bán dẫn (TiO2, CeO, SnO2, Ga2O3 và ZnO ) thì ZnO cấu trúc nano được nhiều nhà nghiên cứu quan tâm trong lĩnh vực: quang điện tử, điện cực trong suốt, các diodes phát sáng, laser diodes, cảm biến hóa học [1], quang xúc tác[2, 3], siêu tụ[4], kháng khuẩn[5]. Vật liệu ZnO là bán dẫn loại n, có độ rộng vùng cấm lớn 3.37 eV ở nhiệt độ phòng và 3.44 eV ở nhiệt độ thấp. Do đó, vật liệu ZnO được sử dụng chế tạo vật liệu quang điện tử trong vùng ánh sáng xanh dương tới vùng tử ngoại (UV). Vật liệu ZnO có năng lượng liên kết exciton lớn 60meV còn GaN là khoảng 25 meV.
Chính vì có năng lượng liên kết exciton lớn, nên khả năng phát xạ exciton của ZnO được duy trì ở nhiệt độ phòng và cao hơn so với GaN. Tuy nhiên do sự tái hợp nhanh của cặp điện tử lỗ trống trong ZnO, nên bị giới hạn đáng kể các ứng dụng dựa trên nền vật liệu ZnO. Có rất nhiều nghiên cứu khác nhau nhằm cải thiện khả năng ứng dụng của ZnO, bằng cách giảm kích thước của vật liệu ZnO từ micro xuống nano với các cấu trúc như: nanorod, nanotubes, nanosheet, quantum dot (QDs) đã làm tăng tính chất vật lý, hóa học, sinh học của vật liệu nano bán dẫn, pha tạp KL như : Sb , Pt [6-8], Ga [9], Ag [10, 11], Au[12] ., cacbon và các dạng khác nhau của carbon ( graphite, graphene, graphene oxide, ống cacbon). Trong số các dạng khác nhau của carbon, graphene là một lớp đơn của graphite, được nhiều nhà khoa học chú ý đến.
Vì graphene có những tính chất điện, quang, cơ, tuyệt vời cùng với độ dẫn nhiệt cao 5000Wm-1K-1, độ linh động của hạt tải 200.000 cm2V-1s-1, độ bền cơ cao 125Gpa, diện tích bề mặt lớn 2630 m2g-1[13- 16]. Khi bị oxi hóa thì graphene được gọi là graphene oxide (GO), GO thể hiện trạng thái quang phát quang (PL) ổn định ở vị trí 390nm và 440nm [17]. Hợp chất hình thành giữa ZnO và graphene hay graphene oxide là một sự mới lạ trong ứng dụng, bởi cải thiện tính chất của vật liệu chủ ZnO. Nhiều nghiên cứu tổng hợp hạt nano composite ZnO/GO, ZnO/rGO, ZnO/graphene với các phương pháp tổng hợp khác nhau.
Majid Azarang và các Luận Văn Thạc Sĩ 2 GVHD: TS.Trần Văn Khải đồng nghiệp tổng hợp nanocomposite ZnO/rGO bằng phương pháp solgel cho ứng dụng quang điện [18]. Raji Atchudan và các đồng nghiệp đã khảo sát khả năng quang xúc tác của hạt nano ZnO bám trên màng graphene oxide bằng phương pháp solvethermal [19]. Ramakrishnan và các đồng nghiệp đã tổng hợp hạt nano ZnO bám lên tấm graphene, bằng phương pháp khử hóa học của GO khi có mặt của kẽm acetate [13]. Các lớp Graphene oxide và rGO được lắng đọng trên đế ITO bằng phương pháp lắng đọng electrophoretic, sau đó màng ZnO lắng đọng lên các lớp GO và RGO bằng phương pháp phún xạ magnetron do Jijun Ding và các đồng nghiệp thực hiện [17].
Tổng hợp nanocomposite ZnO:GO bằng quá trình hóa ướt với sự trợ giúp của bức xạ microwave đã được nhóm Kashinath Lellala của trung tâm công nghệ và khoa học vật liệu, trường đại học Mysore sử dụng [20]. Nanocomposite ZnO:GO, ZnO:graphene hoặc ZnO:rGO được tổng hợp bằng phương pháp thủy nhiệt được nhiều nhà nghiên cứu sử dụng [14, 15, 21, 22]. Do phương pháp thủy nhiệt là phương pháp phổ biến được sử dụng để tổng hợp hạt nano vô cơ có độ kết tinh cao và phương pháp này cho phép hình thành hạt nano trên tấm graphene mà không cần ủ nhiệt và nung kết tinh [15]. Do đó đề tài “Nghiên cứu cấu trúc và tính chất quang của hạt nanocomposites ZnO:GO đƣợc tổng hợp bằng phƣơng pháp thủy nhiệt” được lựa chọn thực hiện.
Mục tiêu chính của luận văn này được đặt ra như sau: Tổng hợp hạt nano ZnO bằng phương pháp thủy nhiệt Đánh giá ảnh hưởng của hàm lượng graphene oxide đến sự hình thành phát triển cấu trúc và tính chất quang của hạt nanocomposites ZnO:GO. Đánh giá ảnh hưởng của thời gian thủy nhiệt ở nhiệt độ 1200C đến sự hình thành phát triển cấu trúc và tính chất quang của hạt nanocomposite ZnO:GO. Đánh giá ảnh hưởng của nhiệt độ thủy nhiệt trong 10 giờ đến sự hình thành phát triển cấu trúc và tính chất quang của hạt nanocomposite ZnO:GO. Luận Văn Thạc Sĩ 3 GVHD: TS.Trần Văn Khải Kết quả nghiên cứu của đề tài đã đạt được như sau: Tổng hợp thành công hạt nano ZnO bằng phương pháp thủy nhiệt Đánh giá được sự có mặt của graphene oxide đã làm giảm kích thước hạt ZnO trong quá trình thủy nhiệt và làm tăng khả năng hấp thụ của hạt ZnO và giảm sai hỏng có trong mẫu.
Tổng hợp thành công vật liệu ZnO:GO bằng phương pháp thủy nhiệt ở nhiệt độ 1200 trong 10 giờ có độ hấp thụ tốt nhất và ít sai hỏng nhất. Luận Văn Thạc Sĩ 4 GVHD: TS.Trần Văn Khải CHƢƠNG 1: TỔNG QUAN 1. Vật liệu ZnO. Cấu trúc mạng tinh thể của vật liệu ZnO.
ZnO là một hợp chất bán dẫn thuộc nhóm II-VI, do đó liên kết hóa học của ZnO là hỗn hợp của liên kết cộng hóa trị và liên kết ion. Cấu trúc tinh thể ZnO được chia thành 3 dạng: wurtzite (B4), zinc blende (B3), và rocksalt (B1). Phổ biến nhất là cấu trúc Hexagonal wurtzite. Ngoài cấu trúc wurtzite thì ZnO còn được biết đến với tinh thể có cấu trúc cubic zincblende và cấu trúc rocksalt (NaCl).
Cấu trúc ZnO zincblende thì chỉ ổn định khi phát triển trên cấu trúc lập phương, trong khi cấu trúc rocksalt thì ở áp suất cao khoảng 10GPa và không thể ổn định [23]. Cấu trúc hexagonal wurtzite Ở môi trường áp suất và nhiệt độ thường thì ZnO kết tinh theo cấu trúc wurtzite (B4) được thể hiện trong hình 1. Cấu trúc này có dạng mạng lục giác, thuộc nhóm không gian P63mc theo kí hiệu của Hermann–Mauguin và theo kí hiệu Schoenflies thì thuộc nhóm và được mô tả bởi sự lồng ghép của hai mạng lục giác: một mạng chứa cation Zn2+ và một mạng chứa anion O 2- tịnh tiến theo trục z một đoạn bằng 3c/8. Trong một ô cơ sở chứa hai nguyên tử O và hai nguyên tử Zn, trong đó Zn ở vị trí (0,0,u) và (1/3, 2/3, ½ + u ), O nằm tại vị trí (0,0,0) và (1/3, 2/3, 1/2 ).
Mỗi ion âm Oxy bị bao quanh bởi bốn ion dương Zinc ở bốn góc của tứ diện, và ngược lại mỗi ion dương Zinc bị bao quanh bởi bốn ion âm Oxy.Trong đó, khoảng cách từ Zinc đến một nguyên tử Oxy một khoảng bằng u.c và đến ba 1 1 nguyên tử còn lại với khoảng cách ( a 2 c 2 (u ) 2 ) với a và c là hằng số mạng 3 2 được xác định a=3.2069Å tương ứng với thể tích ô cơ sở là V= 47.623Å3, và thông số u là độ dài liên kết song song với trục c. Trong cấu trúc hexagonal wurtzite thì mật độ nguyên tử là 5. Luận Văn Thạc Sĩ 5 GVHD: TS.Trần Văn Khải Trong cấu trúc wurtzite, thì tỉ số c/a và tham số u có mối tương quan là uc/a = (3/8)1/2, trong đó c/a = (8/3)1/2 và u = 3/8. Mô hình cấu trúc wurtzite của ZnO [24].
Cấu trúc cubic zinc blende Cấu trúc zinc blende chỉ kết tinh trên đế lập phương. Đối xứng của cấu trúc zinc blende thuộc nhóm đối xứng F ̅ 3m theo Hermann–Mauguin và theo Schoenflies và hình thành bởi hai mạng lập phương tâm mặt dịch chuyển đối với nhau theo phương đường chéo chính một đoạn bằng a√ /4 (với a = 4.58 Å) được thể hiện trong hình 1. Mô hình cấu trúc Zinc blende. Luận Văn Thạc Sĩ 6 GVHD: TS.Trần Văn Khải Trong cấu trúc này, mỗi ô cơ sở có 4 phân tử ZnO, mỗi nguyên tử bất kì được bao bọc bởi 4 nguyên tử khác loại: mỗi nguyên tử Zn được bao bọc bởi 4 nguyên tử O nằm ở 4 đỉnh của một tứ diện trên khoảng cách a√ / 2 với a là hằng số mạng.
Trong một ô cơ sở chứa bốn nguyên tử Zn và bốn nguyên tử O có tọa độ như sau: 4O: (0, 0, 0); (0, 1/2, 1/2); (1/2, 0, 1/2); (1/2, 1/2, 0) 4Zn: (1/4, 1/4, 1/4); (1/4, 3/4, 3/4); (3/4. 1/4, 3/4); (3/4, 3/4, 1/4) Cấu trúc cubic rocksalt Giống như các loại bán dẫn thuộc nhóm II-VI, thì bán dẫn ZnO với cấu trúc wurtzite có thể biến thành cấu trúc rocksalt khi áp suất bên ngoài cao khoảng 10 GPa. Cấu trúc cubic rocksalt thuộc nhóm đối xứng Fm3m theo Hermann-Mauguin và theo Schoenflies được thể hiện trong hình 1. Mô hình cấu trúc cubic rocksalt.
Trong cấu trúc này mỗi ô cơ sở có 4 phân tử ZnO mỗi nguyên tử Zinc liên kết với 4 nguyên tử Oxy lân cận gần nhất nằm trên 4 đỉnh của một tứ diện đều. Vì Luận Văn Thạc Sĩ 7 GVHD: TS.Trần Văn Khải vậy, có thể xem cấu trúc cubic rocksalt gồm 12 phân mạng lập phương tâm mặt của Zinc và Oxy lồng vào nhau ở khoảng cách 1/2 cạnh hình lập phương. Hằng số mạng của cấu trúc này là a= b = c = 4. Cấu trúc này được mô tả theo mạng Bravais là lập phương tâm mặt F.
Các ion Zinc và Oxy được sắp xếp trong không gian như hình 1.3 với tọa độ như sau: Zn (0,0,0) và O (1/2,0,0) hoặc Zn( 0,0,0) và O (1/2,1/2,1/2) 1. Cấu trúc vùng năng lượng của ZnO. ZnO có độ rộng vùng cấm thẳng (cực tiểu tuyệt đối của vùng dẫn và cực đại của vùng hóa trị xảy ra tại điểm với k = 0). Cấu trúc vùng năng lượng của tinh thể Wurtzite thể hiện tính đối xứng cao trong vùng Brillouin dạng lục lăng tám mặt.
Trên biểu đồ mô tả cấu trúc vùng năng lượng E(k) của ZnO trong hình 1.4 ta thấy vùng lục giác Brillouin có tính đối xứng đường khá cao, khoảng cách giữa hai dấu gạch ngang trong hình thể hiện độ rộng vùng cấm có giá trị khoảng 3. Vùng hóa trị có thể được xác định trong khoảng -5 eV đến 0 eV, vùng này tương ứng với obital 2p của oxi đóng góp vào cấu trúc của vùng năng lượng, tận cùng vùng hóa trị khoảng 20 eV (không chỉ ra ở đây) được giới hạn bởi obital 2s của oxi, vùng này không đóng góp mật độ electron dẫn trong vùng dẫn [25]. Cấu trúc vùng năng lƣợng của ZnO wurtzite [26]. Luận Văn Thạc Sĩ 8 GVHD: TS.Trần Văn Khải Độ rộng vùng cấm phụ thuộc vào nhiệt độ: Eg (T) = Eg (T = 0) (1.1) Từ độ rộng vùng cấm ta có thể tính được bước sóng mà vật liệu hấp thụ từ phổ truyền qua theo phương trình.
Từ đó, ta có thể suy ra bước sóng mà vật liệu nằm trong khoảng 370 nm đến 380 nm.