Chương 1 trình bày một số vấn đề về pha tạp và đặc trưng quang phổ của NC bán dẫn II-VI pha tạp kim loại chuyển tiếp, làm cơ sở để đề xuất ý tưởng nghiên cứu. VẤN ĐỀ PHA TẠP KIM LOẠI CHUYỂN TIẾP Vấn đề nổi bật nhất là khó khăn để đạt được mức độ pha tạp lớn trong các NC bán dẫn nền. Như đã biết, hiệu suất lượng tử cao nhất của phát xạ Mn đạt được đối với một ion Mn2+ cô lập trong NC nền, nên sự tăng hơn nữa nồng độ Mn sẽ làm giảm hiệu suất lượng tử đối với phát xạ tạp Mn2+ do tương tác Mn-Mn [1]. Do đó, sự pha tạp kim loại chuyển tiếp phải được thực hiện trong một giới hạn nhất định.
Tuy nhiên, sự pha tạp là quá trình thống kê, sẽ có một số NC nền không pha tạp được, trong khi một số NC khác lại chứa nhiều hơn một ion Mn2+, làm giảm hiệu suất lượng tử của phát xạ Mn. Vì vậy, cần phải khảo sát hiệu suất lượng tử chung của hệ pha tạp như một hàm số của nồng độ Mn trung bình để đạt được hiệu suất cực đại. Trong thực tế, hầu hết các phương pháp chế tạo chỉ đạt được mức độ pha tạp kim loại chuyển thấp (hàm lượng Mn chỉ khoảng 1 % - 2 % hoặc thấp hơn). Khó khăn này có thể liên quan đến kích thước nano của vật liệu nền vì các vật liệu khối tương ứng như ZnS và CdS khối có thể được pha tạp dễ dàng đến các nồng độ tạp chất lớn (~ 10%) [2].
Nguồn gốc của sự khác nhau này hiện vẫn chưa rõ ràng. Một vài công bố cho rằng trạng thái tạp chất trong NC nền là trạng thái giả bền và Mn có hệ số khuếch tán khá lớn tại các nhiệt độ tổng hợp, do đó dễ dàng bị đẩy ra bề mặt để các NC pha Mn có cấu hình với năng lượng thấp nhất [3]. Tuy nhiên, các công bố khác [1,4] lại khẳng định rằng tạp Mn khá ổn định trong NC nền, thậm 6 chí tại nhiệt độ khá cao, và do đó tính giả ổn định của các NC pha tạp chưa hẳn là nguyên nhân duy nhất của nồng độ tạp chất thấp trong các NC bán dẫn. Trái ngược với một số công bố trước đây, Erwin và các cộng sự [5] đã chỉ ra rằng hệ số khuếch tán của Mn trong các vật liệu bán dẫn nền là nhỏ, và do đó sự pha tạp không thể đạt được bằng cách khuếch tán các ion Mn 2+ vào NC.
Cũng theo Erwin, sự pha tạp các NC bán dẫn xảy ra trước hết bằng cách hấp phụ các ion Mn2+ trên bề mặt của các NC, sau đó chúng bị “vùi lấp” bởi sự phát triển tiếp theo của NC. Vì vậy, mức độ pha tạp sẽ phụ thuộc vào khả năng hấp phụ các ion Mn2+ trên các mặt tinh thể nào đó trong quá trình chế tạo các NC. Các tính toán cơ học lượng tử đã chỉ ra rằng sự hấp phụ các ion Mn2+ xảy ra thuận lợi trên các mặt tinh thể {011} của cấu trúc zinc blende (Zb), trong khi pha wurtzite (Wz) không có bất kỳ mặt tinh thể thích hợp nào cho sự hấp phụ ion kim loại chuyển tiếp. Dường như điều này được khẳng định bởi số lượng công bố rất ít về sự pha tạp các NC bán dẫn có cấu trúc Wz so với một số lượng lớn công bố về pha tạp các NC bán dẫn có cấu trúc Zb.
Gần đây, Nag và các cộng sự [1] đã cho rằng vấn đề mấu chốt là sự khác nhau về kích thước của ion kim loại chuyển tiếp và các ion mạng nền. Kích thước của ion Mn2+ (0,85 Å) là khác đáng kể so với các kích thước của Cd 2+ (0,97 Å) và Zn2+ (0,74 Å) [6]. Vì vậy, sự pha tạp thay thế của ion Mn2+ vào vị trí của ion Zn2+ hoặc ion Cd2+ trong mạng nền sẽ gây ra ứng suất cục bộ. Thêm vào đó, vì kích thước của ion Mn2+ nhỏ hơn kích thước của ion Cd2+ nhưng lớn hơn kích thước của ion Zn2+, nên dung dịch rắn ZnxCd1-xS có thể cho phép pha một lượng lớn tạp Mn.1 chỉ ra rằng lượng ion Mn2+ trong vật liệu nền ZnxCd1-xS là hàm số của độ hợp thức x [1], đạt giá trị cực đại (gần 8 %) tại giá trị x bằng khoảng 0,5.
Cho đến nay, đây là lượng tạp Mn lớn nhất được đưa thành công vào các NC bán dẫn II-VI. Kết quả nhận được phản ánh khó khăn gặp phải khi pha tạp Mn vào các NC bán dẫn chính là ứng suất kèm theo sự pha tạp [1,7]. Đáng chú ý là vật liệu nền ZnxCd1-xS có cấu trúc Wz [1]. Vì vậy, ngược lại với sự giải thích trong [5], kết quả nhận được còn cho thấy sự hấp phụ của ion Mn2+ trên các mặt tinh thể {011} của cấu trúc Zb không phải là yếu tố quyết định của việc pha tạp.
Sự phụ thuộc của hàm lượng tạp Mn trong NC ZnxCd1-xS vào thành phần x [1]. Như đã được trình bày ở trên, sự pha tạp Mn được thực hiện bằng cách đưa ion Mn2+ vào dung dịch phản ứng ở giai đoạn thích hợp trong quá trình chế tạo cấu trúc nano nền. Nói chung, quá trình pha tạp các NC bán dẫn có thể được mô tả qua một số bước như sau: (i) sự khuếch tán của các chất phản ứng trong dung dịch tới các mầm tinh thể; (ii) sự hấp phụ của các chất phản ứng trên các bề mặt tinh thể; (iii) sự sắp xếp nguyên tử tại các bề mặt; (iv) sự khuếch tán của các chất phản ứng khác nhau về phía tâm của NC, hoặc ngược lại từ tâm của NC ra phía ngoài; và (v) sự tiếp tục phát triển kích thước của NC thông qua quá trình Ostwald theo cơ chế khuếch tán [8] hoặc các cơ chế phức tạp hơn [9,10]. Với một quá trình gồm nhiều bước như vậy sẽ rất khó nhận được sự pha tạp hoàn toàn đồng đều đối với các NC.
Sự phân bố bất đồng nhất của tạp chất trong các NC bán dẫn nền đã được khảo sát khá chi tiết trong [11] và đã rút ra rằng tại một phân bố kích thước nào đó của các NC nền thì các NC có kích thước lớn hơn chứa nhiều ion Mn2+ hơn. Bên cạnh đó, một ion tạp chất có thể thay thế cho ion mạng nền tại các vị trí không tương đương nhau về mặt không gian, như ở gần tâm, hay rất gần, hoặc thậm chí là tại bề mặt của NC. Thêm vào đó, ion tạp chất có thể nằm tại vị trí nút mạng tinh thể hoặc tại vị trí giữa các nút mạng của NC nền và do đó nó sẽ có cấu hình phối vị là tetrahedral hoặc octahedral. Vì các tính chất của hệ pha tạp sẽ phụ thuộc vào vị trí của ion tạp chất trong mạng nền nên việc biết 8 chính xác vị trí của chúng là rất quan trọng.
Vấn đề này có thể được giải quyết nhờ quang phổ cộng hưởng thuận từ điện tử (EPR), hay gọi theo cách khác là quang phổ cộng hưởng spin điện tử (ESR). Bằng phương pháp đưa tất cả các tiền chất vào trong bình phản ứng ở nhiệt độ phòng sau đó đốt nóng lên 220 oC, Zhong và các cộng sự [12] đã chế tạo được các NC ZnxCd1-xS:Cu với hiệu suất lượng tử quang huỳnh quang đạt 6 %. Để tăng hiệu suất lượng tử hơn nữa, các tác giả đã bơm thêm tiền chất Zn vào bình phản ứng để tạo cấu trúc lõi/vỏ Cu:ZnxCd1-xS/ZnS. Các mẫu NC tổng hợp được có bước sóng phát xạ thay đổi từ 440 nm đến 710 nm khi thay đổi tỷ lệ Zn/Cd, và đạt hiệu suất lượng tử quang huỳnh quang cao nhất là 65 % (Hình 1.
Với phương pháp chế tạo khác là đưa dung dịch tiền chất Cd và Cu vào bình phản ứng sau khi đã tạo thành NC ZnSe (bởi vì năng lượng liên kết của Cd - Se (310 kJ/mol) lớn hơn nhiều so với năng lượng liên kết của Zn - Se (136 kJ/mol)) (xem Hình 1.3), Pradhan và các cộng sự đã tổng hợp được NC ZnxCd1- xSe:Cu có bước sóng phát xạ thay đổi từ 500 nm đến 750 nm với hiệu suất lượng tử quang huỳnh quang đạt 22 %. Mô tả quá trình pha tạp Cu vào NC ZnxCd1-xSe [13]. ĐẶC TRƯNG QUANG PHỔ CỦA NANO TINH THỂ BÁN DẪN II-VI PHA TẠP KIM LOẠI CHUYỂN TIẾP 1. Năng lượng vùng cấm của nano tinh thể bán dẫn hợp kim Bên cạnh việc thay đổi kích thước, việc chế tạo các NC bán dẫn hợp kim AxB1-xC là giải pháp khác để thay đổi năng lượng vùng cấm, và thông qua đó để thay đổi các tính chất của các NC mà không cần thay đổi kích thước của chúng.
Ảnh hưởng của hàm lượng thành phần lên tính chất quang của các NC hợp kim được thể hiện trong mô hình Vegard với sự thay đổi của hằng số mạng tinh thể và năng lượng vùng cấm theo hàm lượng thành phần x. Định luật Vegard chỉ ra rằng trong khi hằng số mạng tinh thể phụ thuộc tuyến tính thì năng lượng vùng cấm lại phụ thuộc phi tuyến vào hàm lượng x. Sự phụ thuộc phi tuyến của năng lượng vùng cấm vào hàm lượng thành phần là do các nguyên nhân như: (i) sự thay đổi hằng số mạng tinh thể làm thay đổi cấu trúc vùng năng lượng; (ii) độ âm điện khác nhau của các ion trong hợp kim làm thay đổi phân bố điện tích; và (iii) độ dài liên kết giữa anion-cation và góc liên kết bị thay đổi khi hàm lượng các thành phần thay đổi. Độ rộng vùng cấm của bán dẫn khối Zn1-xCdxS được mô tả bởi biểu thức [14,15]: xEgCdS 1 x EgZnS bx 1 x Zn1 x Cd x S Eg .1) Zn1 x Cd x S E E CdS E ZnS trong đó , g .bulk tương ứng là độ rộng vùng cấm của vật liệu khối g .bulk Zn1-xCdxS, CdS và ZnS; x là hàm lượng Cd; và b là hệ số uốn cong vùng năng lượng [16] (b = 0,61 đối với vật liệu Zn1-xCdxS [14,15]).
10 Khi tính đến hiệu ứng giam giữ lượng tử thì độ rộng vùng cấm của NC Zn1-xCdxS được xác định bởi biểu thức sau: Eg Zn1 x Cd x S r, x xE r 1 x E r bx 1 x CdS g ZnS g (1.2) với r là bán kính NC và được tính theo công thức gần đúng khối lượng hiệu dụng [17,18]: h2 2 1 1 1,8e2 Eg [r ] Egbulk 2r 2 me* mh* 4 0 r (1.