Luận văn thạc sĩ: Nghiên cứu tính chất điện tử của vật liệu rắn TiO2 sử dụng phương pháp phiếm hàm mật độ

2011

83
0
0

Phí lưu trữ

30.000 VNĐ

Mục lục chi tiết

MỞ ĐẦU

1. CHƯƠNG 1: VẬT LIỆU OXIT TiO2, PIN MẶT TRỜI SỬ DỤNG TiO2

1.1. Các tính chất lý- hoá

1.1.1. Tính chất hoá học

1.1.2. Tính chất vật lý

1.2. Các pha kết tinh của TiO2

1.3. Đặc tính và ứng dụng của TiO2

1.4. Ứng dụng của vật liệu TiO2

1.5. Pin mặt trời

1.5.1. Pin mặt trời tiếp xúc p-n

1.5.2. Giải thích cơ bản

1.5.3. Sự phát sinh ra các hạt tải tích điện

1.5.4. Sự phân tách hạt tải tích điện

1.5.5. Kết nối với tải ngoài

1.5.6. Mạch điện tương đương của một pin mặt trời

1.5.7. Phương trình đặc trưng

1.5.8. Thế hở mạch và dòng ngắn mạch

1.5.9. Ảnh hưởng của kích thước vật lý

1.5.10. Nhiệt độ của pin

1.5.11. Pin mặt trời sử dụng chất nhạy màu

1.5.12. Pin mặt trời chấm lượng tử

1.5.13. TiO2 pha tạp ứng dụng trong pin mặt trời

2. CHƯƠNG 2: TỔNG QUAN VỀ LÝ THUYẾT PHIẾM HÀM MẬT ĐỘ

2.1. Vài nét về cơ sở của cơ học lượng tử

2.2. Phương trình Schrödinger

2.3. Nguyên lý biến phân cho trạng thái cơ bản

2.4. Phương pháp phiếm hàm mật độ

2.5. Mật độ điện tử

2.6. Mô hình Thomas-Fermi

2.7. Lý thuyết Hohenberg-Kohn

2.8. Phương trình Kohn-Sham

2.9. Phiếm hàm tương quan trao đổi

2.10. Phiếm hàm gần đúng mật độ địa phương (LDA - Local Density Approximation)

2.11. Gần đúng mật độ spin địa phương (LSDA)

2.12. Gần đúng gradient suy rộng (GGA)

3. CHƯƠNG 3: TÍNH CHẤT ĐIỆN TỬ CỦA TiO2, TiO2 PHA TẠP NHÔM (Al), TiO2 PHA TẠP NHÔM (Al) CÓ NÚT KHUYẾT OXY

3.1. Kết quả tính toán đối với tinh thể TiO2 pha anatase (cấu trúc 2 × 2 × 1)

3.2. Tinh thể TiO2 pha anatase cấu trúc (2 × 2 × 1) doped Al (Ti15/16Al1/16O32)

3.3. Tinh thể TiO2 pha anatase cấu trúc 2 × 2 × 1 pha Al khuyết O1 tại vị trí (0)

3.4. Tinh thể TiO2 pha anatase cấu trúc 2 × 2 × 1 pha Al khuyết O2 tại vị trí (0)

3.5. Tinh thể TiO2 pha anatase cấu trúc 2 × 2 × 1 doped Al khuyết O3 tại vị trí (0.75)

TÀI LIỆU THAM KHẢO

Luận văn thạc sĩ hus nghiên cứu một số tính chất điện tử của vật liệu rắn sử dụng phương pháp phiếm hàm mật độ

Bạn đang xem trước tài liệu:

Luận văn thạc sĩ hus nghiên cứu một số tính chất điện tử của vật liệu rắn sử dụng phương pháp phiếm hàm mật độ

Tài liệu "Nghiên cứu tính chất điện tử của vật liệu rắn TiO2 bằng phương pháp phiếm hàm mật độ" cung cấp cái nhìn sâu sắc về các đặc tính điện tử của TiO2, một vật liệu quan trọng trong nhiều ứng dụng công nghệ hiện đại. Nghiên cứu này sử dụng phương pháp phiếm hàm mật độ (DFT) để phân tích cấu trúc điện tử và các tính chất liên quan, từ đó giúp người đọc hiểu rõ hơn về cách mà TiO2 có thể được tối ưu hóa cho các ứng dụng như xúc tác quang và năng lượng tái tạo.

Để mở rộng kiến thức của bạn về lĩnh vực này, bạn có thể tham khảo thêm tài liệu Nghiên cứu tính chất điện tử của một số hợp chất sử dụng phương pháp phiếm hàm mật độ, nơi bạn sẽ tìm thấy những phân tích tương tự về các hợp chất khác. Ngoài ra, tài liệu Nghiên cứu tính chất điện tử của oxit TiO2 sử dụng phương pháp DFT cũng sẽ cung cấp thêm thông tin chi tiết về TiO2, giúp bạn có cái nhìn toàn diện hơn về vật liệu này. Cuối cùng, tài liệu Nghiên cứu khả năng quang xúc tác của vật liệu màng TiO2 pha tạp sẽ giúp bạn khám phá ứng dụng thực tiễn của TiO2 trong lĩnh vực xúc tác quang.

Những tài liệu này không chỉ mở rộng kiến thức của bạn về TiO2 mà còn giúp bạn nắm bắt được các xu hướng nghiên cứu mới nhất trong lĩnh vực vật liệu và công nghệ.