Nghiên cứu tính chất điện tử của oxit TiO2 sử dụng phương pháp phiếm hàm mật độ DFT

Chuyên ngành

Vật lý chất rắn

Người đăng

Ẩn danh

2013

77
0
0

Phí lưu trữ

30.000 VNĐ

Mục lục chi tiết

LỜI CẢM ƠN

MỞ ĐẦU

1. CHƯƠNG 1: TỔNG QUAN VỀ PIN MẶT TRỜI DSSC VÀ VẬT LIỆU TIO2

1.1. Pin mặt trời sử dụng chất nhạy màu DSSC

1.2. Cấu tạo của pin mặt trời DSSC

1.3. Nguyên tắc hoạt động của pin mặt trời sử dụng chất nhạy màu

1.4. Các thông số cơ bản của pin mặt trời DSSC

1.5. Các hướng nghiên cứu và phát triển hiện nay về pin mặt trời sử dụng chất nhạy màu DSSC

1.6. Tổng quan về vật liệu TiO2

1.7. Cấu trúc và tính chất vật lý của TiO2

1.8. Các tính chất quang của vật liệu TiO2

1.9. Vật liệu TiO2 ứng dụng trong pin mặt trời DSSC

2. CHƯƠNG 2: GIỚI THIỆU VỀ CÁC PHƢƠNG PHÁP TÍNH TOÁN CẤU TRÚC ĐIỆN TỬ VÀ PHƢƠNG PHÁP LÝ THUYẾT PHIẾM HÀM MẬT ĐỘ

2.1. Giới thiệu về các phương pháp lý thuyết cấu trúc điện tử

2.2. Giới thiệu về phương pháp trường tự hợp SCF Hartree-Fock và các phương pháp Post-SCF

2.3. Phương pháp phiếm hàm mật độ DFT

2.4. Phương pháp gần đúng Thomas-Fermi

2.5. Các định lý Hohengerg-Kohn

2.6. Các thách thức trong định lý Hohengerg-Kohn

2.7. Phương pháp Kohn-Sham

2.8. Phiếm hàm gần đúng mật độ địa phương (LDA - Local Density Approximation)

2.9. Phương pháp gần đúng gradient suy rộng (GGA)

2.10. Lý thuyết phiếm hàm mật độ trong Dmol3

2.11. Chiến lược vòng lặp tự hợp

2.12. Mô hình lý thuyết phiếm hàm mật độ trong Dmol3

3. CHƯƠNG 3: KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN

3.1. Các mô hình và thông số tính toán

3.2. TiO2 anatase không pha tạp

3.3. TiO2 anatase pha tạp

3.4. Ảnh hưởng gián tiếp của các tạp chất tới hoạt động quang điện của pin mặt trời DSSC với điện cực TiO2 pha tạp

3.5. Ảnh hưởng gián tiếp của các tạp kim loại đến hoạt động quang điện của pin mặt trời DSSC với điện cực TiO2 pha tạp

3.6. Sự cạnh tranh và kết hợp giữa các hiệu ứng liên quan đến việc thay đổi cấu trúc điện tử và thay đổi các khuyết tật bề mặt đến điện cực TiO2 pha tạp

TÀI LIỆU THAM KHẢO

Luận văn thạc sĩ hus nghiên cứu tính chất điên tử của oxit tio 2 sử dụng phương pháp phiếm hàm mật độ dft

Bạn đang xem trước tài liệu:

Luận văn thạc sĩ hus nghiên cứu tính chất điên tử của oxit tio 2 sử dụng phương pháp phiếm hàm mật độ dft

Tài liệu "Nghiên cứu tính chất điện tử của oxit TiO2 bằng phương pháp DFT" cung cấp cái nhìn sâu sắc về các đặc tính điện tử của oxit TiO2, một vật liệu quan trọng trong nhiều ứng dụng công nghệ hiện đại, đặc biệt là trong lĩnh vực năng lượng và quang học. Nghiên cứu này sử dụng phương pháp lý thuyết DFT (Density Functional Theory) để phân tích cấu trúc điện tử và các tính chất liên quan, từ đó giúp người đọc hiểu rõ hơn về cách mà TiO2 có thể được tối ưu hóa cho các ứng dụng cụ thể.

Để mở rộng kiến thức của bạn về các ứng dụng và nghiên cứu liên quan đến TiO2 và vật liệu nano, bạn có thể tham khảo các tài liệu như Luận văn thạc sĩ hus chế tạo và nghiên cứu một số tính chất vật lý của tio2fe3, nơi nghiên cứu về các tính chất vật lý của TiO2 pha tạp, hoặc Luận văn thạc sĩ hus nghiên cứu khả năng quang xúc tác của vật liệu màng tio2 pha tạp, tài liệu này sẽ giúp bạn hiểu thêm về khả năng quang xúc tác của TiO2. Ngoài ra, bạn cũng có thể tìm hiểu thêm về Luận văn thạc sĩ hus nghiên cứu một số tính chất điện tử của vật liệu rắn sử dụng phương pháp phiếm hàm mật độ, để có cái nhìn tổng quát hơn về các phương pháp nghiên cứu tính chất điện tử của vật liệu.

Những tài liệu này không chỉ giúp bạn mở rộng kiến thức mà còn cung cấp những góc nhìn đa dạng về các ứng dụng của TiO2 trong công nghệ hiện đại.