Tổng quan nghiên cứu

Trong hơn 30 năm phát triển của công nghệ vi cơ điện tử (MEMS), thị trường cảm biến quán tính toàn cầu đã tăng trưởng vượt bậc, trong đó con quay hồi chuyển vi cơ (MEMS Gyroscope) chiếm hơn 60% tỷ trọng ứng dụng dẫn đường, định vị và cân bằng động. Tuy nhiên, các cấu trúc Gyroscope vi cơ truyền thống vẫn đối mặt với thách thức lớn về sự xuất hiện của các mode dao động đồng pha ký sinh không mong muốn. Những dao động này làm suy giảm tỷ lệ tín hiệu trên nhiễu (SNR) từ 25% đến 40%, gây mất ổn định tín hiệu ngõ ra khi làm việc trong môi trường rung lắc.

Luận văn thạc sĩ kỹ thuật của tác giả Đặng Văn Hiếu tập trung nghiên cứu thiết kế, mô phỏng cơ học và khảo sát hoạt động của cảm biến đo vận tốc góc vi cơ kiểu âm thoa (Tuning Fork Gyroscope) hoạt động dựa trên hiệu ứng Coriolis. Mục tiêu trọng tâm của đề tài là xây dựng mô hình con quay hai bậc tự do với cấu trúc dầm treo đàn hồi cải tiến và hệ thống tụ điện vi sai kiểu răng lược, nhằm triệt tiêu hoàn toàn các mode đồng pha ký sinh và nâng cao độ nhạy của linh kiện.

Phạm vi nghiên cứu được triển khai thực hiện tại Khoa Kỹ thuật Điện tử – Viễn thông thuộc Trường Đại học Công nghệ – Đại học Quốc gia Hà Nội vào năm 2013, phối hợp cùng nhóm nghiên cứu MEMS tại Viện ITIMS thuộc Đại học Bách Khoa Hà Nội. Kết quả nghiên cứu đã tính toán và tối ưu hóa thành công cấu trúc cảm biến có kích thước bao ngoài 4500 µm x 4350 µm, chiều dày 30 µm với 1584 răng lược dẫn động và 480 răng lược cảm ứng, mở ra giải pháp tự chủ thiết kế vi cơ điện tử chất lượng cao với chi phí gia công hợp lý tại Việt Nam.

Cơ sở lý thuyết và phương pháp nghiên cứu

Khung lý thuyết áp dụng

Nghiên cứu được xây dựng trên nền tảng vững chắc của ba khung lý thuyết nòng cốt:

Thứ nhất, lý thuyết hiệu ứng Coriolis trong hệ quy chiếu phi quán tính. Khi một khối gia trọng có khối lượng m chuyển động với vận tốc v trong hệ quy chiếu quay với vận tốc góc Omega, một lực quán tính Coriolis xuất hiện theo phương vuông góc, xác định bởi biểu thức toán học Fc = 2m(v x Omega). Lực này kích hoạt dao động cảm ứng thứ cấp, tạo cơ sở chuyển đổi đại lượng cơ học sang tín hiệu điện.

Thứ hai, mô hình động lực học của hệ dao động cơ học 2 bậc tự do (2-DOF). Hệ thống được mô hình hóa qua hệ phương trình vi phân liên kết giữa mode kích thích (driving mode) theo trục X và mode cảm ứng (sensing mode) theo trục Y. Điều kiện cộng hưởng tối ưu đạt được khi độ cứng tương đương kx và ky được cân bằng xấp xỉ nhau, đưa tần số dao động riêng của hai mode về trạng thái trùng khớp nhằm tối đa hóa biên độ đáp ứng.

Thứ ba, lý thuyết cản trở dao động (damping) và tụ điện biến thiên vi sai kiểu răng lược (comb drive). Nghiên cứu phân tích hiện tượng ma sát màng khí nhớt giữa khối gia trọng và đế Silic, xác định hệ số phẩm chất Q là đại lượng quyết định khả năng khuếch đại biên độ dao động tĩnh lên gấp nhiều lần. Nguyên lý biến thiên diện tích tiếp xúc của các phiến răng lược với hằng số điện môi không khí 8.854 x 10^-12 F/m cho phép đo lường chính xác các dịch chuyển ở mức nano-mét thông qua điện dung vi sai.

Phương pháp nghiên cứu

Nguồn dữ liệu của đề tài được thu thập từ các thông số cơ lý chuẩn của vật liệu Silic đơn tinh thể (mô-đun đàn hồi Young E = 169 GPa, khối lượng riêng 2330 kg/m3), kết hợp các tiêu chuẩn đóng vỏ chân cắm THD và chân dán SMD từ các báo cáo chuyên ngành quốc tế.

Về cỡ mẫu và phương pháp chọn mẫu, nghiên cứu đã chọn mẫu khảo sát gồm 4 mô hình hình học vi cơ khác nhau đại diện cho các phương án liên kết dầm (dầm thẳng, dầm gập đơn, dầm gập kép và dầm elip), cùng bộ 12 kịch bản kích thích tần số từ 1 kHz đến 20 kHz với các biên độ điện áp từ 0.5 V đến 2.0 V. Phương pháp chọn mẫu có chủ đích này cho phép đánh giá toàn diện hành vi dao động của cấu trúc từ trạng thái tĩnh đến ngưỡng quá tải cơ học.

Phương pháp phân tích chủ đạo là sự kết hợp giữa giải tích giải thuật ma trận chuyển động và mô phỏng phần tử hữu hạn (FEM) trên phần mềm chuyên dụng ANSYS. Lý do lựa chọn ANSYS là khả năng trích xuất chính xác các mode dao động riêng (modal analysis), phân tích biến dạng xoắn ngoài mặt phẳng (out-of-plane) và dự báo ứng suất tập trung tại các góc ngàm với độ tin cậy trên 95% trước khi bước vào công đoạn chế tạo mặt nạ quang khắc. Toàn bộ quá trình tính toán giải tích và mô phỏng số được tiến hành trong thời gian 12 tháng từ tháng 4 năm 2012 đến tháng 4 năm 2013.

Kết quả nghiên cứu và thảo luận

Những phát hiện chính

Quá trình mô phỏng và khảo sát hoạt động của con quay vi cơ kiểu Tuning Fork đã mang lại ba phát hiện kỹ thuật quan trọng:

Một là, xác lập thông số kích thích tối ưu tại tần số cộng hưởng 10 kHz. Khi đưa điện áp dẫn động dạng điều hòa ở tần số 10 kHz với biên độ 1.5 V, cảm biến đạt mức đáp ứng điều chế tuyến tính cao nhất. Biên độ dịch chuyển cảm ứng thu được có tỷ lệ tín hiệu trên nhiễu cao hơn 35% so với mức kích áp 0.5 V, và không xuất hiện hiện tượng méo phi tuyến như ở mức kích áp 2.0 V.

Hai là, triệt tiêu triệt để các mode dao động đồng pha ký sinh. Cấu trúc Mô hình 4 tích hợp hệ thống dầm gập kép (folded beam) chiều dài 500 µm kết hợp dầm chống xoắn liên kết elip đã cô lập hoàn hảo hai trục chuyển động X và Y. Cấu trúc này giúp giảm thiểu hơn 80% biên độ dao động đồng pha không mong muốn, ngăn chặn hiệu quả hiện tượng trôi điểm không (Zero Rate Output drift).

Ba là, tối ưu hóa hệ thống răng lược vi sai với quy mô lớn. Thiết kế hoàn chỉnh gồm 1584 răng lược dẫn động (khe hở 2.5 µm, chiều dài 30 µm) và 480 răng lược cảm ứng (khe hở 2.5 µm, diện tích đan xen 90 µm) đã tạo ra độ biến thiên điện dung cực đại, giúp nâng cao độ nhạy cảm ứng lên gấp 2.1 lần so với các cấu hình cảm biến một khối gia trọng đơn lẻ.

Thảo luận kết quả

Nguyên nhân chính giúp Mô hình 4 đạt được hiệu năng vượt trội là nhờ cơ chế dao động ngược pha 180 độ của hai khối gia trọng trong cấu trúc âm thoa. Khi hệ thống chịu tác động của gia tốc tịnh tiến từ môi trường bên ngoài, hai khối gia trọng dịch chuyển cùng chiều và tự triệt tiêu lẫn nhau tại mạch vi phân ngõ ra. Ngược lại, khi có vận tốc góc quay tác động, lực Coriolis làm hai khối dịch chuyển ngược chiều nhau, khiến tín hiệu điện dung vi sai tăng gấp đôi.

So với cấu trúc con quay vi cơ mâm tròn của Đại học Michigan (độ phân giải 0.5 độ/s ở dải thông 25 Hz) hay con quay Drapper cổ điển, thiết kế dầm gập kép của luận văn hạn chế tối đa sự ảnh hưởng của dãn nở nhiệt không đồng đều giữa các lớp màng vật liệu. Cấu trúc này giữ cho hệ số phẩm chất Q duy trì ở mức cao mà không đòi hỏi môi trường chân không quá khắt khe.

Các kết quả khảo sát được thể hiện rõ nét qua biểu đồ đáp ứng tần số biên độ (Bode plot) và phổ phân tích giải điều chế đồng bộ. Đồ thị cho thấy đỉnh cộng hưởng của mode dẫn động và mode cảm ứng có sự trùng khít chặt chẽ tại lân cận tần số 10 kHz với sai lệch dải thông dưới 1.5%. Bảng tổng hợp các thông số hình học dầm trung tâm dài 2000 µm, rộng 100 µm và dầm cảm ứng dài 230 µm chứng minh khả năng chịu uốn dọc trục Z tuyệt vời, hoàn toàn loại bỏ nguy cơ dính bám bản cực tĩnh điện trong quá trình vận hành liên tục.

Đề xuất và khuyến nghị

Dựa trên các kết quả mô phỏng và tính toán lý thuyết, luận văn đưa ra bốn đề xuất hành động cụ thể nhằm hoàn thiện công nghệ chế tạo cảm biến vi cơ:

Thứ nhất, tối ưu hóa quy trình vi chế tạo khối khô DRIE. Nhóm nghiên cứu công nghệ vi cơ tại Viện ITIMS cần triển khai kỹ thuật ăn mòn ion hoạt hóa sâu (quy trình Bosch) trên đế Silic để kiểm soát sai số kích thước khe hở răng lược 2.5 µm trong phạm vi dưới 3%, hoàn thành thử nghiệm trong thời gian 6 tháng tới.

Thứ hai, thiết kế chế tạo mạch tích hợp chuyên dụng ASIC on-chip. Các kỹ sư thiết kế vi mạch cần phát triển khối tiền khuếch đại vi sai kết hợp bộ lọc thông dải BPF và mạch giải điều chế đồng bộ tích hợp trực tiếp trên cùng chip cảm biến, hướng tới mục tiêu giảm điện áp trôi ZRO xuống dưới 5 mV trong lộ trình 9 tháng.

Thứ ba, nâng cấp công nghệ đóng vỏ chân không SMD. Doanh nghiệp sản xuất linh kiện điện tử phối hợp cùng các phòng thí nghiệm quốc gia áp dụng kỹ thuật hàn kín nắp chân không ở áp suất dưới 1 mTorr, nhằm nâng hệ số phẩm chất Q của cảm biến vượt ngưỡng 50.000 trong vòng 12 tháng.

Thứ tư, xây dựng thuật toán bù trôi nhiệt độ thông minh. Các chuyên gia phần mềm điều khiển cần lập trình thuật toán bù phi tuyến tự động cho cảm biến trong dải nhiệt độ công nghiệp từ -40 độ C đến 85 độ C, đảm bảo độ trôi hệ số tỷ lệ không vượt quá 0.1%/năm, sẵn sàng ứng dụng cho các thiết bị thương mại.

Đối tượng nên tham khảo luận văn

Nội dung và kết quả nghiên cứu của luận văn mang lại giá trị ứng dụng thiết thực cho bốn nhóm đối tượng chính:

Nhóm sinh viên và học viên cao học chuyên ngành Điện tử, Viễn thông, Cơ điện tử và Vật lý kỹ thuật: Luận văn là tài liệu tham khảo mẫu mực về quy trình phân tích động lực học 2 bậc tự do, phương pháp thiết kế tụ điện vi sai và kỹ thuật mô phỏng phần tử hữu hạn FEM trên phần mềm ANSYS.

Nhóm kỹ sư thiết kế phần cứng và phát triển cảm biến MEMS: Khai thác trực tiếp các bộ thông số kích thước chi tiết (chiều dài dầm 538 µm, khe hở 2.5 µm, số lượng răng lược) để ứng dụng vào việc thiết kế module con quay hồi chuyển phục vụ hệ thống cân bằng điện tử ESP trên ô tô.

Nhóm nghiên cứu công nghệ hàng không vũ trụ và thiết bị bay không người lái (UAV): Sử dụng cấu trúc cảm biến âm thoa kháng nhiễu đồng pha để chế tạo hệ thống dẫn đường quán tính (IMU), đảm bảo khả năng tự định hướng chính xác trong các khu vực mất tín hiệu định vị vệ tinh GPS.

Nhóm doanh nghiệp sản xuất thiết bị điện tử tiêu dùng và robot công nghiệp: Tham khảo giải pháp thiết kế mạch giải điều chế đồng bộ và phương án đóng vỏ linh kiện chân dán SMD để tối ưu hóa quy trình sản xuất thương mại với giá thành cạnh tranh.

Câu hỏi thường gặp

Tại sao cấu trúc Tuning Fork lại vượt trội hơn con quay một khối gia trọng đơn lẻ?

Cấu trúc Tuning Fork gồm hai khối gia trọng dao động ngược pha 180 độ, giúp tự động triệt tiêu hoàn toàn gia tốc chuyển động tịnh tiến và các rung động nhiễu từ môi trường ngoài. Cơ chế chuyển động vi sai này giúp tín hiệu điện dung cảm ứng lối ra tăng lên gấp đôi, nâng cao độ nhạy cảm biến hơn 100% so với cấu trúc khối đơn truyền thống.

Vì sao cần thiết kế tần số mode dẫn động và mode cảm ứng trùng nhau?

Khi tần số dao động riêng của mode dẫn động và mode cảm ứng được thiết kế trùng nhau ở mức 10 kHz, hệ thống đạt trạng thái cộng hưởng cơ học hoàn toàn. Sự cộng hưởng này khuếch đại biên độ dao động cảm ứng theo hệ số phẩm chất Q, giúp tối đa hóa độ nhạy điện dung và dễ dàng thu nhận các tín hiệu vận tốc góc cực nhỏ.

Hiện tượng cản trở dao động do không khí ảnh hưởng thế nào đến cảm biến?

Lực ma sát màng khí nhớt giữa khối gia trọng và bề mặt đế làm suy giảm mạnh hệ số phẩm chất Q. Trong điều kiện áp suất khí quyển thông thường, biên độ dịch chuyển tĩnh chỉ đạt vài trăm nano-mét, đòi hỏi phải tăng điện áp dẫn động lên 5 V đến 10 V hoặc phải đóng gói linh kiện trong môi trường chân không cao.

Cấu trúc dầm gập kép giải quyết vấn đề kỹ thuật nào trong vi cơ điện tử?

Dầm gập kép với các thanh dầm chữ U đối xứng dài 500 µm giúp khắc phục hoàn toàn tính phi tuyến và hiện tượng ứng suất nhiệt tích tụ. Thiết kế này vừa duy trì độ đàn hồi chuẩn xác trên mặt phẳng dao động, vừa tạo ra độ cứng lớn theo trục thẳng đứng Z, ngăn chặn tình trạng võng dầm và biến dạng xoắn ngoài mặt phẳng.

Mạch xử lý tín hiệu trong luận văn đảm nhiệm những chức năng gì?

Tín hiệu ngõ ra từ các phiến tụ cảm ứng là tín hiệu điều chế biên độ của vận tốc góc trên sóng mang 10 kHz. Mạch xử lý tín hiệu thực hiện chức năng khuếch đại vi sai điện dung, lọc bỏ tạp âm thông qua bộ lọc thông dải BPF và giải điều chế đồng bộ để khôi phục chính xác tín hiệu vận tốc góc nguyên bản.

Kết luận

  • Luận văn đã thiết kế thành công cấu trúc cảm biến con quay vi cơ kiểu Tuning Fork 2 bậc tự do với kích thước vi chế tạo chuẩn xác 4500 µm x 4350 µm và chiều dày 30 µm.
  • Đề xuất mô hình dầm gập kép kết hợp dầm chống xoắn dạng elip giúp triệt tiêu hoàn toàn các mode dao động đồng pha ký sinh, nâng cao độ ổn định tín hiệu ngõ ra.
  • Xác định điểm làm việc tối ưu của linh kiện tại tần số dẫn động 10 kHz với biên độ kích thích 1.5 V, mang lại đáp ứng điều chế tuyến tính rõ nét.
  • Xây dựng hoàn chỉnh sơ đồ nguyên lý mạch khuếch đại vi sai, lọc thông dải và giải điều chế đồng bộ tín hiệu điện dung cho cảm biến.
  • Thiết lập quy trình mô phỏng số học chuẩn xác trên phần mềm ANSYS, tạo nền tảng vững chắc cho việc kiểm thử và chế tạo mẫu vi cơ thực tế.

Trong giai đoạn 12 đến 18 tháng tới, hướng phát triển trọng tâm là tiến hành chế tạo thực nghiệm trên phiến Silic tại phòng sạch vi cơ và đóng gói chân không bảo vệ linh kiện. Quý độc giả, kỹ sư và các nhóm nghiên cứu quan tâm hãy tiếp tục khai thác các phương trình toán học và bảng thông số vi cơ chi tiết trong luận văn để ứng dụng vào các dự án phát triển cảm biến quán tính chuyên sâu.