Nghiên Cứu Quy Trình Mạ Không Điện Cực Ứng Dụng Chế Tạo Ăng-Ten Cho Thẻ RFID

Luận văn thạc sĩ nghiên cứu quy trình mạ không điện cực, ứng dụng chế tạo ăng ten cho thẻ RFID trong lĩnh vực vật liệu và linh kiện nano.

• Tác giả: Trần An Định
• Người hướng dẫn: PGS.TS Đặng Mậu Chiến
• Trường học: Đại học Quốc gia Hà Nội
• Chuyên ngành: Vật liệu và Linh kiện Nano
• Đề tài: Nghiên Cứu Quy Trình Mạ Không Điện Cực Ứng Dụng Chế Tạo Ăng-Ten Cho Thẻ RFID
• Loại tài liệu: luận văn thạc sĩ
• Năm xuất bản: 2014
• Địa điểm: Thành phố Hồ Chí Minh

Tóm tắt

I. Tổng Quan Nghiên Cứu Mạ Không Điện Cực Cho Ăng Ten RFID

Nghiên cứu về mạ không điện cực cho ăng-ten RFID đang thu hút sự quan tâm lớn. Công nghệ này hứa hẹn giảm chi phí và đơn giản hóa quy trình sản xuất. Trong khi công nghệ quang khắc và phún xạ đã được sử dụng, mạ không điện cực mang đến giải pháp phủ lớp kim loại dày hơn một cách hiệu quả. Luận văn của Trần An Định năm 2014 đã đi sâu vào quy trình này, mở ra hướng tiếp cận mới trong chế tạo ăng-ten RFID. Vấn đề đặt ra là làm sao ổn định dung dịch mạ, kiểm soát phản ứng phụ và duy trì chất lượng lớp mạ. Nghiên cứu này tập trung vào việc giải quyết các thách thức đó, hướng đến ứng dụng thực tế trong sản xuất hàng loạt thẻ RFID.

1.1. Lịch Sử Phát Triển Phương Pháp Mạ Điện Hóa Học

Phương pháp mạ điện hóa học (hay mạ không điện cực) có lịch sử phát triển lâu dài. Từ năm 1946, Brenner và Briddle đã giới thiệu phương pháp này. Kỹ thuật phủ màng bằng mạ điện hóa học là kỹ thuật đơn giản dựa trên nguyên tắc chất khử tự xúc tác tác động lên ion kim loại, biến nó thành nguyên tử kim loại. Niken, đồng và bạc là những kim loại được sử dụng nhiều. Các nhà khoa học đã tìm ra nhiều hệ dung dịch mạ điện hóa học hiệu quả và ứng dụng trong các ngành công nghệ quan trọng như điện tử viễn thông, sản xuất bo mạch. Hiện có hai hướng nghiên cứu chính: sử dụng formaldehyde làm chất khử (tốc độ mạ cao nhưng độc hại) và sử dụng các chất khử hữu cơ khác ít độc hại hơn. Nghiên cứu của Trần An Định đã đóng góp vào việc phát triển hệ dung dịch mạ đồng không điện cực hiệu quả và ít độc hại.

1.2. Nguyên Lý Cơ Bản Mạ Không Điện Cực Và Phân Loại

Quá trình kết tủa kim loại hoặc hợp kim lên bề mặt vật rắn nhờ phản ứng hóa học mà không cần dòng điện ngoài gọi là mạ hóa học hay mạ không điện cực. Có ba loại chính: mạ tiếp xúc, nội điện phân và tự xúc tác. Mạ tiếp xúc và nội điện phân tạo lớp mạ mỏng, xốp, độ bám kém. Mạ tự xúc tác dựa vào phản ứng oxi hóa khử, trong đó chất khử là hóa chất trong dung dịch mạ và kim loại kết tủa có tác dụng xúc tác. Nghiên cứu này tập trung vào mạ hóa học tự xúc tác, cho lớp mạ dày hơn và có nhiều ứng dụng tiềm năng trong chế tạo ăng-ten RFID.

II. Thách Thức và Vấn Đề Trong Quy Trình Mạ Ăng Ten RFID

Mặc dù mạ không điện cực mang lại nhiều ưu điểm, vẫn còn nhiều thách thức cần giải quyết. Việc ổn định dung dịch mạ, kiểm soát phản ứng phụ (như giải phóng khí hydro), duy trì nồng độ ion kim loại, và đảm bảo độ bám dính của lớp mạ là những vấn đề quan trọng. Cần có nghiên cứu chuyên sâu để hoàn thiện hệ dung dịch cũng như quy trình mạ. Các yếu tố như chất ổn định, tỷ lệ ion Cu2+/Ni2+, và kiểm soát các phản ứng phụ đều ảnh hưởng đến chất lượng lớp mạ và hiệu suất ăng-ten RFID.

2.1. Ảnh Hưởng Của Các Phản Ứng Phụ Đến Chất Lượng Lớp Mạ

Các phản ứng phụ trong quá trình mạ không điện cực có thể ảnh hưởng xấu đến bề mặt lớp mạ. Ví dụ, phản ứng giải phóng khí hydro có thể gây ra sự tích tụ hydro trên bề mặt cần mạ, dẫn đến lớp mạ xốp và không đồng đều. Cần có biện pháp kiểm soát phản ứng này để đảm bảo chất lượng lớp mạ. Việc kiểm soát phản ứng phụ là yếu tố then chốt để tạo ra ăng-ten RFID có độ dẫn điện cao và hiệu suất tốt.

2.2. Duy Trì Ổn Định Dung Dịch Mạ và Kiểm Soát Nồng Độ Ion

Việc duy trì ổn định dung dịch mạ là một thách thức lớn trong mạ không điện cực. Ion kim loại trong bể mạ sẽ cạn dần theo thời gian do thiếu sự bổ sung. Ngoài ra, cần kiểm soát tỷ lệ ion Cu2+/Ni2+ và các thành phần khác trong dung dịch để đảm bảo tốc độ mạ ổn định và chất lượng lớp mạ đồng đều. Sự ổn định của dung dịch mạ trực tiếp ảnh hưởng đến độ bền và độ bám dính của lớp mạ, từ đó ảnh hưởng đến hiệu suất của ăng-ten RFID.

III. Phương Pháp Tối Ưu Quy Trình Mạ Đồng Không Điện Cực RFID

Nghiên cứu tập trung vào tối ưu hóa quy trình mạ đồng không điện cực để chế tạo ăng-ten RFID. Các yếu tố ảnh hưởng đến tốc độ mạ và chất lượng lớp mạ được xem xét kỹ lưỡng. Các thí nghiệm được thực hiện để đánh giá ảnh hưởng của độ pH, nhiệt độ, và nồng độ các chất thành phần đến quá trình mạ. Kết quả cho thấy việc kiểm soát chặt chẽ các yếu tố này là rất quan trọng để đạt được lớp mạ đồng đều, độ dẫn điện cao, và độ bám dính tốt. Vật liệu mạ và dung dịch mạ cũng là những yếu tố quan trọng cần được lựa chọn và điều chỉnh phù hợp.

3.1. Ảnh Hưởng Của Độ pH Và Nhiệt Độ Đến Tốc Độ Mạ Đồng

Độ pH và nhiệt độ có ảnh hưởng đáng kể đến tốc độ mạ đồng trong mạ không điện cực. Nghiên cứu đã khảo sát ảnh hưởng của các điều kiện môi trường này đến tốc độ mạ. Kết quả cho thấy, khi pH tăng, tốc độ mạ tăng. Khi nhiệt độ vượt quá ngưỡng nhất định, tốc độ mạ tăng vọt. Tuy nhiên, nhiệt độ quá cao có thể làm dung dịch phản ứng không bền vững. Do đó, việc kiểm soát chặt chẽ độ pH và nhiệt độ là rất quan trọng để đảm bảo tốc độ mạ ổn định và chất lượng lớp mạ tốt. Bảng số liệu khảo sát tốc độ mạ theo sự biến thiên pH và nhiệt độ đã được đưa ra để chứng minh điều này.

3.2. Tối Ưu Nồng Độ Các Chất Thành Phần Trong Dung Dịch Mạ

Nồng độ các chất thành phần trong dung dịch mạ cũng ảnh hưởng lớn đến tốc độ và chất lượng mạ đồng không điện cực. Nghiên cứu đã khảo sát ảnh hưởng của nồng độ PEG, Nickel, Na2H2PO2, EDTA, Na3C6H5O7, và H3BO3 đến tốc độ mạ. Việc tối ưu hóa nồng độ các chất này giúp cải thiện độ dẫn điện, độ bám dính, và độ bền của lớp mạ. Các chất tạo phức như EDTA đóng vai trò quan trọng trong việc giữ ion kim loại trong dung dịch, nhưng cần kiểm soát nồng độ chặt chẽ để tránh làm giảm tốc độ mạ.

IV. Nghiên Cứu Vật Liệu Mạ Nickel và Phân Tích XRD lớp mạ RFID

Nghiên cứu tập trung vào vật liệu mạ niken và phân tích XRD lớp mạ ăng-ten RFID. Phổ XRD của niken trên mẫu mạ được phân tích để xác định cấu trúc tinh thể và thành phần pha của lớp mạ. Kết quả XRD cung cấp thông tin quan trọng về chất lượng và độ tinh khiết của lớp mạ. Niken có thể được sử dụng làm lớp lót hoặc lớp phủ bề mặt để cải thiện độ bền và khả năng chống ăn mòn của ăng-ten RFID.

4.1. Nghiên Cứu Phổ XRD Của Nickel Trên Mẫu Mạ RFID

Giản đồ nhiễu xạ XRD của Niken được thu thập và phân tích để xác định cấu trúc tinh thể của lớp mạ. Các peak nhiễu xạ được xác định và so sánh với dữ liệu tham khảo để xác định các pha tinh thể có mặt trong lớp mạ. Thông tin về kích thước hạt tinh thể, ứng suất dư và sự định hướng ưu tiên của các tinh thể cũng có thể được thu thập từ phân tích XRD. Thông tin này rất hữu ích để đánh giá chất lượng và hiệu suất của lớp mạ. Phân tích XRD đóng vai trò quan trọng trong việc kiểm soát chất lượng của lớp mạ Nikel.

4.2. Biến Thiên Tốc Độ Mạ Theo Thời Gian và Độ Bền Lớp Mạ

Nghiên cứu cũng khảo sát sự biến thiên của tốc độ mạ theo thời gian. Kết quả cho thấy, tốc độ mạ có thể giảm dần theo thời gian do sự cạn kiệt của ion kim loại trong dung dịch mạ. Việc bổ sung ion kim loại định kỳ có thể giúp duy trì tốc độ mạ ổn định. Độ bền của lớp mạ cũng là một yếu tố quan trọng cần xem xét. Các thử nghiệm về độ bám dính, khả năng chống ăn mòn và độ cứng của lớp mạ đã được thực hiện để đánh giá độ bền của lớp mạ.

V. Ứng Dụng Thực Tiễn Nghiên Cứu Mạ Ăng Ten RFID Không Điện Cực

Nghiên cứu này có nhiều ứng dụng thực tiễn trong chế tạo ăng-ten RFID và các thiết bị điện tử khác. Quy trình mạ không điện cực được tối ưu hóa có thể được sử dụng để sản xuất hàng loạt ăng-ten RFID với chi phí thấp và hiệu suất cao. Lớp mạ đồng đều, độ dẫn điện cao và độ bám dính tốt giúp cải thiện hiệu suất và độ tin cậy của ăng-ten RFID. Công nghệ này cũng có thể được ứng dụng trong các lĩnh vực khác như sản xuất bo mạch in, linh kiện điện tử, và cảm biến.

5.1. Chế Tạo Ăng Ten RFID Giá Rẻ Và Hiệu Suất Cao

Quy trình mạ không điện cực được tối ưu hóa giúp chế tạo ăng-ten RFID với chi phí thấp hơn so với các phương pháp truyền thống. Việc không cần dòng điện ngoài giúp đơn giản hóa quy trình sản xuất và giảm chi phí đầu tư. Lớp mạ đồng đều và độ dẫn điện cao giúp cải thiện hiệu suất của ăng-ten RFID, cho phép đọc và ghi dữ liệu từ xa một cách tin cậy.

5.2. Tiềm Năng Ứng Dụng Rộng Rãi Trong Công Nghiệp Điện Tử

Ngoài chế tạo ăng-ten RFID, quy trình mạ không điện cực còn có tiềm năng ứng dụng rộng rãi trong công nghiệp điện tử. Công nghệ này có thể được sử dụng để sản xuất bo mạch in, linh kiện điện tử, cảm biến và các thiết bị điện tử khác. Lớp mạ kim loại trên nhựa, gốm hoặc vật liệu composite giúp cải thiện độ dẫn điện, độ bền, và khả năng chống ăn mòn của các thiết bị này.

VI. Kết Luận Và Hướng Phát Triển Mạ Không Điện Cực RFID

Nghiên cứu đã thành công trong việc tối ưu hóa quy trình mạ không điện cực để chế tạo ăng-ten RFID. Các yếu tố ảnh hưởng đến tốc độ mạ và chất lượng lớp mạ đã được xác định và kiểm soát chặt chẽ. Hướng phát triển tiếp theo là nghiên cứu các vật liệu mạ mới, cải thiện độ bền và khả năng chống ăn mòn của lớp mạ, và phát triển các quy trình mạ thân thiện với môi trường. Nghiên cứu và phát triển liên tục là chìa khóa để khai thác tối đa tiềm năng của mạ không điện cực trong công nghệ RFID và các lĩnh vực khác.

6.1. Nghiên Cứu Vật Liệu Mạ Mới và Quy Trình Mạ Bền Vững

Hướng phát triển quan trọng là nghiên cứu các vật liệu mạ mới, như mạ nano, để cải thiện độ dẫn điện, độ bền, và khả năng chống ăn mòn của lớp mạ. Phát triển các quy trình mạ thân thiện với môi trường, sử dụng các chất khử và chất ổn định ít độc hại hơn, cũng là một ưu tiên hàng đầu. Sự phát triển của các quy trình mạ lớp mỏng cũng là hướng đi tiềm năng.

6.2. Đánh Giá Tính Khả Thi Kinh Tế và Triển Vọng Thương Mại Hóa

Để thương mại hóa công nghệ mạ không điện cực cho ăng-ten RFID, cần đánh giá tính khả thi kinh tế của quy trình mạ. Chi phí vật liệu mạ, năng lượng, và nhân công cần được xem xét kỹ lưỡng. So sánh chi phí với các phương pháp chế tạo ăng-ten khác để xác định lợi thế cạnh tranh. Đánh giá tiềm năng thị trường và xây dựng kế hoạch kinh doanh cụ thể để đưa công nghệ này vào thực tế.

Trích đoạn nội dung tài liệu

Chương 1: TỔNG QUAN 1. Tình hình nghiên cứu phương pháp mạ hóa học trong và ngoài nước Phương pháp mạ hóa học (mạ không điện cực) đã được nghiên cứu từ rất lâu và đã được rất nhiều nghiên cứu cải tiến. Từ năm 1946, phương pháp này được giới thiệu lần đầu tiên bởi Brenner and Briddle, và từ đó nó trở thành một trong những đề tài được nghiên cứu ổn định trong một thời gian dài. Kỹ thuật phủ màng bằng phương pháp mạ hóa học là một kỹ thuật đơn giản dựa trên nguyên tắc một chất khử tự xúc tác tác động lên ion kim loại, biến nó thành nguyên tử kim loại và bám lên bề mặt đã được kích hoạt.

Nickel, đồng và bạc là những kim loại được sử dụng nhiều trong phương pháp này, các bài báo công bố những tính chất vật lý và cơ tính tuyệt vời. Cho đến nay, các nhà khoa học trên thế giới đã tìm ra rất nhiều hệ dung dịch mạ hóa học hiệu quả và ứng dụng nhiều vào rất nhiều ngành công nghệ quan trọng, đặc biệt nó tỏ ra khá hiệu quả trong những ngành công nghệ cao như điện tử viễn thông, sản xuất bo mạch, không gian,….đòi hỏi độ chính xác cao. Hiện nay, có hai xu hướng nghiên cứu hệ dung dịch mạ: -Hướng thứ nhất, nghiên cứu hệ dung dịch sử dụng formaldehyde làm chất khử, hệ này cho tốc độ mạ cao tuy nhiên formaldehyde là một chất độc và bên cạnh đó các chất phụ gia kèm theo cho hệ này cũng là chất độc dễ bay hơi, đây là một nhược điểm. -Hướng thứ hai, nghiên cứu hệ dung dịch không sử dụng formaldehyde mà sử dụng các chất khử hữu cơ khác ít độc hại hơn.

Ở Việt Nam, mạ hóa học vẫn là một ngành còn mới mẻ, hiện nay vẫn chưa có một công ty nào sản xuất màng phủ bằng phương pháp hóa học. Các trung tâm, viện nghiên cứu ít quan tâm đến mạ hóa học do nhiều nguyên nhân khác nhau. Tài liệu và những hiểu biết lý thuyết về phương pháp này vẫn còn rất hạn chế. Đặc biệt các nghiên cứu tìm cách ứng dụng phương pháp mạ đồng hóa học vào các lĩnh vực chế tạo linh kiện điện tử hầu như bỏ ngõ.

Do đó ngành mạ hóa học ở Việt nam vẫn đang còn ở dạng tiềm năng.nano TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail. Lý thuyết mạ không điện cực 1.1 Khái niệm chung Quá trình kết tủa kim loại hay hợp kim lên bề mặt vật rắn nhờ phản ứng hóa học mà không cần đến dòng điện ngoài gọi là mạ hóa học hay còn gọi là mạ không điện cực. [1,2] Mạ hóa học có thể chia làm ba loại khác nhau:  Mạ tiếp xúc: Đặc điểm: Nhúng vật cần mạ là kim loại M1 vào dung dịch của một muối Mn+ thì xảy ra phản ứng đẩy : Mn+ + M1 = M + M1n+ Như vậy, M sẽ kết tủa thành lớp mạ hóa học lên M1, đồng thời một phần bề mặt của kim loại M1 bị tan vào dung dịch. Động lực của phản ứng này là hiệu số điện thế của hai kim loại này.

Quá trình mạ chậm dần và ngừng hẳn khi bề mặt kim loại M 1 bị che lấp và phủ kín bởi kim loại M, khiến cho kim loại nền không tan được nữa. Cách này cho lớp mạ < 10µm, xốp và có độ bám kém.  Nội điện phân: Đặc điểm: Nhúng kim loại cần mạ vào dung dịch muối của ion kim loại Mn+ sẽ không xảy ra hiện tượng kết tủa như trên với <. Muốn có lớp mạ M trên M1 phải nhúng thêm thanh kim loại M vào dung dịch và nối ngắn mạch với M1.

Khi đó thanh kim loại M tan ra và kết tủa trên nền M1: Anot trên thanh M: M – ne = Mn+ Catot trên nền M1 : Mn+ + ne = M Động lực thúc đẩy quá trình này là hiệu số điện thế giữa hai kim loại và kim loại âm hơn phải có cơ hội tan ra được. Khi bề mặt nền bị phủ kín cũng là lúc quá trình mạ kết thúc. Lớp mạ mỏng (< 10µm), xốp và mỏng.  Tự xúc tác: Đặc điểm: Quá trình mạ này dựa vào phản ứng oxi hóa khử, trong đó chất khử R là một hóa chất nằm trong thành phần của dung dịch mạ và kim loại kết tủa M phải có tác dụng xúc tác cho phản ứng ấy.

Động lực của quá trình này là khả năng tự xúc tác của kim loại M đối với phản ứng oxi hóa khử: R – ne = O. Cách này cho lớp mạ dày từ 1 – 100 µm.nano TIEU LUAN MOI download : [e-mail] 4 Luận văn này sẽ tập trung nghiên cứu quá trình mạ hóa học tự xúc tác. Còn mạ tiếp xúc hay mạ nội điện phân là công nghệ thu được lớp mạ nhờ phản ứng trao đổi. Đặc điểm của lớp mạ này là công nghệ đơn giản, lớp mạ mỏng, chỉ dùng cho trường hợp không cần độ dày lớp mạ hoặc lớp mạ lót trước khi mạ.

Mạ hóa học theo kiểu tự xúc tác thì có những đặc điểm và yêu cầu sau: - Điện thế bị oxi hóa chất khử trong dung dịch cần nhỏ hơn điện thế bị khử ion kim loại, làm cho kim loại có thể kết tủa trên nền. - Phản ứng chỉ được tiến hành trên bề mặt chi tiết do tác dụng xúc tác, trong dung dịch phản ứng không được sinh ra để tránh sự phân hủy tự nhiên của dung dịch. - Điều chỉnh nhiệt độ, pH dung dịch có thể khống chế tốc độ khử kim loại, tức là điều chỉnh tốc độ mạ. - Kim loại bị khử tách ra, có tác dụng xúc tác, như vậy lớp mạ mới tăng độ dày.

- Chất sinh ra trong phản ứng không cản trở quá trình mạ, tức là dung dịch có tuổi thọ sử dụng phù hợp.2 Cơ chế phản ứng mạ không điện cực Thuyết hỗn hợp: Khi quá trình mạ không điện cực (mạ hóa học) xảy ra, ion phức kim loại MLmn+ sẽ bị khử thành nguyên tử kim loại M, đồng thời chất khử R bị oxi hóa thành dạng O n+. Các phản ứng này có bản chất giống như phản ứng điện hóa. Nó gồm các phản ứng catot và anot riêng biệt xảy xa đồng thời trên bề mặt nền: Phản ứng catot: MLmn+ + ne = M + mL (1.1) Phản ứng anot: On+ - ne = On+ (1.2) Phản ứng tổng: MLmn+ + R = M + mL + On+ (1.3) Hai phản ứng (1.2) xác lập nên thế hóa học, gọi là điện thế hỗn hợp.1 thể hiện khái niệm thế hỗn hợp dùng cho mô tả nguyên tắc phản ứng mạ hóa học.nano TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail. Đồ thị điện cực thế hỗn hợp ( Trong đó i: dòng điện thực,ia: dòng anot, ic: dòng catot, ipl: dòng điện mạ hóa học tại thế hỗn hợp Epl ) Theo cách hiểu này thì phản ứng tổng hợp được xem là một tổ hợp đơn giản của hai phản ứng riêng phần được xác định một cách độc lập.

Thực ra quá trình mạ hóa học xảy ra phức tạp hơn nhiều so với cơ chế đã trình bày ở trên do các phản ứng riêng phần không xảy ra một cách độc lập mà còn tương tác và phụ thuộc vào nhau, ngoài ra còn có các phản ứng phụ xảy ra đồng thời. Do đó, các đường riêng phần sẽ biến dạng và trở nên phức tạp hơn nhiều so với đường ghép đơn giản từ hai phản ứng độc lập như hình 1. Mặc dù vẫn còn những hạn chế trên, thuyết thế hỗn hợp vẫn là công cụ rất tốt để nghiên cứu quá trình mạ hóa học. Cơ chế tổng quát Nhìn chung, quá trình mạ hóa học xảy ra rất phức tạp, đa dạng vì nó còn phụ thuộc vào nhiều đặc điểm của từng hệ mạ và từng loại chất khử khác nhau.

Tuy nhiên, chúng vẫn có một số đặc điểm chung là: - Quá trình mạ hóa học luôn kèm theo hiện tượng thoát khí H2. - Các kim loại có khả năng mạ hóa học đều có khả năng xúc tác quá trình nhận – tách H2. - Các chất như thiourea (TU) hay mercaptobenzotiazol (MBT),… có khả năng làm ổn định dung dịch mạ hóa học - Các sản phẩm kết tủa hóa học thường được kích hoạt khi tăng pH (LUAN.nano TIEU LUAN MOI download : [e-mail] 6 Từ các đặc điểm này, người ta xây dựng thành một cơ chế tổng quát chung cho mọi quá trình mạ hóa học như sau [10]: Quá trình anot: Tách hydro: RH  R + H (1.4) Oxi hóa : R + OH  ROH + e (1.7) Quá trình catot: Kết tủa kim loại : Mn+ + ne  M (1.9) Trong đó: RH là chất khử, chúng hấp phụ lên bề mặt của kim loại mạ, phân ly thành gốc R và nguyên tử hydro theo phản ứng (1.4), e là điện tử cần thiết cho quá trình khử ion kim loại thành nguyên tử kim loại, được R cung cấp ở (1.7), H 2 – khí hydro thoát ra do các nguyên tử hydro hấp phụ kết hợp lại ở (1.6) và do phản ứng (1. Sản phẩm của chất khử sau phản ứng (như P từ hypophosphite, B từ dimetylamin boran …) tham gia vào thành phần lớp mạ.3 Tốc độ quá trình mạ không điện cực Tốc độ của phản ứng mạ không điện cực (mạ hóa học), ví dụ trong một trường hợp cụ thể mạ đồng hóa học (1.10) có thể được viết như sau: Cu2+ + 2 H2PO2¯ + 2OH¯  Cu + 2H2PO3¯ + H2 (1.10) Tốc độ V của phản ứng này sẽ là: V = k[Cu2+]a.1) Trong đó: k là hằng số tốc độ, L là ligan tạo phức với ion kim loại, a,b,c,d là bậc phản ứng, E là năng lượng hoạt hóa, T là nhiệt độ tuyệt đối (K) Biến đổi hàm mũ (P1.1) thành hàm bậc nhất: logV = logK + alog[Cu2+] + blog[OH¯] + clog[HCHO] + dlog[L] – E/2,3T (P1.2) có thể bằng thực nghiệm xác định các thông số động học sau : - a, b, c, d từ độ nghiêng đường “ logV – nồng độ từng chất phản ứng” - E từ độ nghiêng đường “logV – 1/T” (LUAN.nano TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.4 Các yếu tố ảnh hưởng đến tốc độ phản ứng mạ  Nhiệt độ: Nhiêt độ có ảnh hưởng mạnh đến tốc độ phản ứng mạ hóa học, một ví dụ rõ nhất là trong trường hợp mạ nickel hóa học trong dung dịch acid.

Khi nhiệt độ chưa vượt quá 700C quá trình kết tủa nickel chưa xảy ra, nhưng khi nhiệt độ vượt quá 700C lập tức tốc độ mạ tăng vọt và đạt giá trị 20µm tại 920C, còn trên 920C dung dịch phản ứng không bền vững nữa, lúc ấy kim loại kết tủa cả lên đồ gá, thậm chí trong toàn khối dung dịch.