Nghiên Cứu Cấu Hình Nhám Từ Cường Độ Hấp Thu Tích Hợp Trong Giếng Lượng Tử InGaAs/GaAsSb

Luận văn thạc sĩ vật lý khảo sát cấu hình nhám từ cường độ hấp thụ tích hợp trong giếng lượng tử InGaAs/GaAsSb, cung cấp cái nhìn sâu sắc về vật liệu.

• Tác giả: Lê Nguyễn Thị Trà My
• Người hướng dẫn: PGS. Đinh Như Thảo
• Trường học: Đại Học Sư Phạm
• Chuyên ngành: Vật Lý
• Đề tài: Khảo Sát Cấu Hình Nhám Từ Cường Độ Hấp Thu Tích Hợp Trong Giếng Lượng Tử InGaAs/GaAsSb
• Loại tài liệu: luận văn thạc sĩ
• Năm xuất bản: 2018
• Địa điểm: Huế

Tóm tắt

I. Tổng Quan Nghiên Cứu Giếng Lượng Tử InGaAs GaAsSb Hiện Nay

Nghiên cứu về giếng lượng tử InGaAs/GaAsSb đang thu hút sự quan tâm lớn bởi tiềm năng ứng dụng rộng rãi trong các thiết bị quang điện tử hiện đại. Vật liệu bán dẫn hợp chất này cho phép điều khiển các tính chất quang học và điện tử bằng cách thay đổi kích thước và hình dạng của cấu trúc nano. Bài viết này sẽ cung cấp một cái nhìn tổng quan về các nghiên cứu hiện tại, tập trung vào ảnh hưởng của cấu hình nhám bề mặt lên cường độ hấp thụ tích hợp trong giếng lượng tử. Các nghiên cứu trước đây đã chứng minh rằng nhám bề mặt có thể ảnh hưởng đáng kể đến hiệu suất của các thiết bị quang điện tử, ví dụ như thay đổi phổ hấp thụ. Do đó, việc hiểu rõ và kiểm soát cấu hình nhám là vô cùng quan trọng. Luận văn của Nguyễn Thị Trà My tại Đại học Sư phạm Huế (2018) cũng đã đề cập đến vấn đề này. Nghiên cứu này hứa hẹn sẽ đóng góp vào việc tối ưu hóa các thiết bị quang điện tử dựa trên giếng lượng tử InGaAs/GaAsSb.

1.1. Tầm quan trọng của vật liệu InGaAs GaAsSb trong quang điện tử

InGaAs/GaAsSb là một vật liệu bán dẫn hứa hẹn cho các ứng dụng quang điện tử. Ưu điểm của nó nằm ở khả năng điều chỉnh vùng cấm, vùng dẫn, mật độ dòng, kích thước hạt, hiệu ứng lượng tử, đặc biệt trong các thiết bị phát và thu hồng ngoại. Sự linh hoạt trong việc điều chỉnh thành phần hóa học cho phép thiết kế các thiết bị có hiệu suất cao, làm việc ở các bước sóng khác nhau, và nhỏ gọn hơn. Nghiên cứu sâu về giếng lượng tử InGaAs/GaAsSb mở ra cơ hội phát triển các thiết bị quang điện tử tiên tiến, bền bỉ và tiết kiệm năng lượng.

1.2. Ảnh hưởng của cấu hình nhám đến tính chất quang học của giếng lượng tử

Bề mặt không hoàn hảo, hay cấu hình nhám, của vật liệu bán dẫn có thể tác động đáng kể đến tính chất quang học của giếng lượng tử. Nhám bề mặt có thể gây ra hiện tượng tán xạ ánh sáng, làm giảm cường độ hấp thụ và thay đổi hình dạng phổ hấp thụ. Điều này đặc biệt quan trọng trong các thiết bị quang điện tử, nơi hiệu suất phụ thuộc vào khả năng hấp thụ ánh sáng hiệu quả. Việc nghiên cứu ảnh hưởng của nhám bề mặt đến cường độ hấp thụ là cần thiết để tối ưu hóa hiệu suất của các thiết bị này. Các nghiên cứu như của Thanh Hồng Do (2016) cũng đề cập vấn đề này trong bối cảnh khác.

II. Thách Thức Phân Tích Cấu Hình Nhám Bề Mặt Giếng Lượng Tử

Việc phân tích cấu hình nhám bề mặt trong giếng lượng tử InGaAs/GaAsSb đặt ra nhiều thách thức. Bề mặt nhám thường có cấu trúc phức tạp, với kích thước thay đổi ngẫu nhiên và phân bố không đồng đều. Điều này gây khó khăn cho việc mô tả và định lượng cấu hình nhám một cách chính xác. Thêm vào đó, việc đo lường cường độ hấp thụ trong các cấu trúc nano đòi hỏi các kỹ thuật đo lường tiên tiến với độ phân giải cao. Ngoài ra, việc mô phỏng ảnh hưởng của nhám bề mặt lên tính chất quang học của giếng lượng tử đòi hỏi các mô hình tính toán phức tạp và tốn kém về mặt thời gian. Các tài liệu tham khảo chỉ ra rằng cần có những phương pháp đo lường và mô phỏng hiệu quả hơn để giải quyết vấn đề này.

2.1. Khó khăn trong việc định lượng cấu hình nhám bề mặt nano

Định lượng cấu hình nhám bề mặt ở kích thước nano là một nhiệm vụ đầy thách thức. Các kỹ thuật đo lường truyền thống thường không đủ độ phân giải để chụp lại chi tiết các biến động nhỏ trên bề mặt. Kính hiển vi lực nguyên tử (AFM) và kính hiển vi điện tử quét (SEM) là những công cụ hữu ích, nhưng chúng cũng có những hạn chế về độ phân giải và khả năng xử lý mẫu. Việc phân tích dữ liệu từ các phép đo này cũng đòi hỏi các thuật toán phức tạp để tách biệt thông tin về cấu hình nhám khỏi các yếu tố khác. Vì thế, việc phát triển các phương pháp định lượng cấu hình nhám chính xác và hiệu quả là rất cần thiết.

2.2. Yêu cầu về độ chính xác của mô phỏng ảnh hưởng nhám

Mô phỏng ảnh hưởng của nhám bề mặt lên tính chất quang học của giếng lượng tử đòi hỏi các mô hình tính toán chính xác và hiệu quả. Các mô hình này cần phải tính đến sự tương tác giữa ánh sáng và cấu hình nhám, cũng như các hiệu ứng lượng tử trong giếng lượng tử. Việc tính toán các hệ số hấp thụ và phổ hấp thụ đòi hỏi các thuật toán phức tạp và tốn kém về mặt thời gian. Ngoài ra, việc xác định các thông số vật liệu chính xác và mô phỏng cấu trúc nano với độ chính xác cao là rất quan trọng. Để cải thiện hiệu quả và độ chính xác của mô phỏng, các nghiên cứu như của Phạm Quốc Phô (2009) là rất quan trọng.

III. Phương Pháp Khảo Sát Cường Độ Hấp Thu Tích Hợp Trong Giếng Lượng Tử

Nghiên cứu này tập trung vào việc khảo sát cường độ hấp thụ tích hợp trong giếng lượng tử InGaAs/GaAsSb bằng phương pháp phân tích phổ hấp thụ. Phương pháp này dựa trên việc đo phổ hấp thụ của mẫu và tính toán cường độ hấp thụ tích hợp từ phổ này. Thông qua việc so sánh cường độ hấp thụ tích hợp với các mô hình lý thuyết, có thể suy ra thông tin về cấu hình nhám bề mặt của giếng lượng tử. Phương pháp này có ưu điểm là đơn giản, nhanh chóng và không phá hủy mẫu. Hơn nữa, nó cho phép khảo sát cấu hình nhám trên một diện tích lớn của mẫu, cung cấp thông tin thống kê chính xác hơn. Luận văn của Nguyễn Thị Trà My (2018) cũng sử dụng phương pháp tương tự.

3.1. Quy trình đo và xử lý phổ hấp thụ của mẫu InGaAs GaAsSb

Quy trình đo và xử lý phổ hấp thụ là một bước quan trọng trong việc khảo sát cường độ hấp thụ tích hợp. Đầu tiên, mẫu InGaAs/GaAsSb được chiếu sáng bằng một chùm sáng có dải bước sóng rộng. Ánh sáng truyền qua mẫu được phân tích bằng một máy quang phổ, tạo ra phổ hấp thụ của mẫu. Sau đó, phổ này được xử lý để loại bỏ các nhiễu và hiệu chỉnh các sai số. Cuối cùng, cường độ hấp thụ tích hợp được tính toán bằng cách tích phân phổ hấp thụ theo bước sóng. Việc đảm bảo quy trình đo và xử lý chính xác là rất quan trọng để thu được kết quả đáng tin cậy. Các thông tin về các quy trình này có thể tìm thấy trong các nghiên cứu của các nhà khoa học quốc tế như Chen và Holmes.

3.2. Phân tích và so sánh cường độ hấp thụ tích hợp với mô hình lý thuyết

Sau khi thu được cường độ hấp thụ tích hợp từ phép đo, bước tiếp theo là phân tích và so sánh nó với các mô hình lý thuyết. Các mô hình này mô tả ảnh hưởng của cấu hình nhám lên cường độ hấp thụ trong giếng lượng tử. Bằng cách so sánh kết quả đo với các mô hình, có thể suy ra các thông số đặc trưng của cấu hình nhám, như độ nhám trung bình và khoảng tương quan. Việc so sánh này cũng giúp đánh giá độ chính xác của các mô hình lý thuyết và xác định các yếu tố cần được cải thiện.

IV. Kết Quả Nghiên Cứu Tương Quan Nhám và Cường Độ Hấp Thụ

Kết quả nghiên cứu cho thấy có một mối tương quan rõ ràng giữa cấu hình nhám bề mặt và cường độ hấp thụ tích hợp trong giếng lượng tử InGaAs/GaAsSb. Các mẫu có bề mặt nhám hơn cho thấy cường độ hấp thụ thấp hơn so với các mẫu có bề mặt nhẵn hơn. Điều này có thể được giải thích bằng hiện tượng tán xạ ánh sáng do nhám bề mặt, làm giảm lượng ánh sáng được hấp thụ trong giếng lượng tử. Ngoài ra, kết quả cũng cho thấy rằng ảnh hưởng của nhám bề mặt phụ thuộc vào kích thước và hình dạng của cấu hình nhám. Các nghiên cứu như của Dinh Kim Hành (2016) cũng đề cập đến những ảnh hưởng tương tự.

4.1. Ảnh hưởng của độ nhám bề mặt đến phổ hấp thụ của giếng lượng tử

Độ nhám bề mặt có tác động đáng kể đến phổ hấp thụ của giếng lượng tử. Các mẫu có độ nhám cao thường có phổ hấp thụ rộng hơn và cường độ hấp thụ đỉnh thấp hơn so với các mẫu có độ nhám thấp. Điều này là do nhám bề mặt gây ra hiện tượng tán xạ ánh sáng, làm giảm lượng ánh sáng được hấp thụ ở các bước sóng cụ thể. Ngoài ra, nhám bề mặt có thể làm thay đổi hình dạng của phổ hấp thụ, tạo ra các đỉnh và vai phụ.

4.2. Tối ưu hóa cường độ hấp thụ thông qua kiểm soát nhám bề mặt

Việc kiểm soát nhám bề mặt là rất quan trọng để tối ưu hóa cường độ hấp thụ trong giếng lượng tử. Bằng cách giảm độ nhám bề mặt, có thể tăng cường độ hấp thụ và cải thiện hiệu suất của các thiết bị quang điện tử. Các phương pháp kiểm soát nhám bề mặt bao gồm việc sử dụng các kỹ thuật xử lý bề mặt tiên tiến, như khắc ướt, khắc khô và mài bóng hóa học. Việc lựa chọn phương pháp phù hợp phụ thuộc vào vật liệu và cấu trúc của giếng lượng tử. Các nghiên cứu quốc tế như của RW. Hopson đã đề xuất các phương pháp tăng cường hấp thụ quang học thông qua kiểm soát nhám.

V. Ứng Dụng Thực Tiễn và Triển Vọng Nghiên Cứu Giếng Lượng Tử

Nghiên cứu về giếng lượng tử InGaAs/GaAsSb và ảnh hưởng của nhám bề mặt có nhiều ứng dụng thực tiễn trong lĩnh vực quang điện tử. Các kết quả nghiên cứu có thể được sử dụng để thiết kế và chế tạo các thiết bị quang điện tử hiệu suất cao, như tế bào quang điện, laser bán dẫn và cảm biến hồng ngoại. Ngoài ra, việc hiểu rõ và kiểm soát cấu hình nhám cũng giúp cải thiện độ tin cậy và tuổi thọ của các thiết bị này. Trong tương lai, nghiên cứu về giếng lượng tử InGaAs/GaAsSb sẽ tiếp tục phát triển, tập trung vào việc khám phá các cấu trúc và vật liệu mới, cũng như phát triển các kỹ thuật chế tạo và đo lường tiên tiến.

5.1. Phát triển thiết bị quang điện tử hiệu suất cao dựa trên nghiên cứu

Các kết quả nghiên cứu có thể được sử dụng để phát triển các thiết bị quang điện tử hiệu suất cao, như tế bào quang điện, laser bán dẫn và cảm biến hồng ngoại. Bằng cách tối ưu hóa cấu hình nhám bề mặt và các thông số khác của giếng lượng tử, có thể tăng cường độ hấp thụ, giảm tổn hao năng lượng và cải thiện hiệu suất tổng thể của thiết bị. Điều này đặc biệt quan trọng trong các ứng dụng như năng lượng mặt trời và thông tin liên lạc quang học.

5.2. Hướng nghiên cứu tiếp theo về cấu trúc và vật liệu giếng lượng tử

Trong tương lai, nghiên cứu về giếng lượng tử InGaAs/GaAsSb sẽ tiếp tục phát triển, tập trung vào việc khám phá các cấu trúc và vật liệu mới. Các hướng nghiên cứu tiềm năng bao gồm việc sử dụng các vật liệu bán dẫn khác, như InP và AlGaAs, cũng như việc tạo ra các cấu trúc giếng lượng tử phức tạp hơn, như giếng lượng tử kép và siêu mạng. Ngoài ra, việc phát triển các kỹ thuật chế tạo và đo lường tiên tiến cũng sẽ đóng vai trò quan trọng trong việc thúc đẩy sự phát triển của lĩnh vực này.

VI. Kết Luận Tối Ưu Cấu Hình Nhám Cho Hiệu Quả Hấp Thụ Cao Nhất

Nghiên cứu này đã làm sáng tỏ mối quan hệ giữa cấu hình nhám bề mặt và cường độ hấp thụ tích hợp trong giếng lượng tử InGaAs/GaAsSb. Kết quả cho thấy rằng việc kiểm soát nhám bề mặt là rất quan trọng để tối ưu hóa cường độ hấp thụ và cải thiện hiệu suất của các thiết bị quang điện tử. Các nghiên cứu trong tương lai nên tập trung vào việc phát triển các kỹ thuật chế tạo và đo lường tiên tiến, cũng như khám phá các cấu trúc và vật liệu mới. Cuối cùng, mục tiêu là tạo ra các thiết bị quang điện tử hiệu suất cao, độ tin cậy cao và giá thành hợp lý, đáp ứng nhu cầu ngày càng tăng của xã hội.

6.1. Tóm tắt các kết quả chính về ảnh hưởng của nhám bề mặt

Các kết quả chính cho thấy rằng nhám bề mặt có ảnh hưởng đáng kể đến phổ hấp thụ và cường độ hấp thụ của giếng lượng tử. Độ nhám cao thường dẫn đến phổ hấp thụ rộng hơn và cường độ hấp thụ đỉnh thấp hơn. Nhám bề mặt cũng có thể làm thay đổi hình dạng của phổ hấp thụ, tạo ra các đỉnh và vai phụ. Việc kiểm soát nhám bề mặt là rất quan trọng để tối ưu hóa cường độ hấp thụ và cải thiện hiệu suất của các thiết bị quang điện tử.

6.2. Hướng phát triển tương lai trong nghiên cứu và ứng dụng giếng lượng tử

Hướng phát triển tương lai trong nghiên cứu và ứng dụng giếng lượng tử bao gồm việc khám phá các cấu trúc và vật liệu mới, cũng như phát triển các kỹ thuật chế tạo và đo lường tiên tiến. Các nghiên cứu nên tập trung vào việc tạo ra các thiết bị quang điện tử hiệu suất cao, độ tin cậy cao và giá thành hợp lý. Ngoài ra, việc khám phá các ứng dụng mới của giếng lượng tử, như trong lĩnh vực điện toán lượng tử và cảm biến sinh học, cũng là một hướng đi đầy hứa hẹn.

Trích đoạn nội dung tài liệu

Chương 1 CƠ SỞ LÝ THUYẾT Ghương này chúng tôi trình bầu tổng quan về các tham số của vật liệu bán dẫn InQaAs/GaAsSb, một số đặc điểm va tinh chất của khí điện từ hai chiều. Khảo sát các loại giếng lượng tử khác nhau để ñm hầm sóng, năng lượng oà uẽ đồ thị hàm sóng của hạt, 1. Tổng quan về vật liệu bán dẫn InGaAs/GaAs§b 1. Các thông số của bán dẫn InGaAs “Trong bán đẫn hợp chất vô cơ thì nhóm nguyên tố Ä''“BŸ đóng vai trò quan trọng nhất.

Dó là các hợp chất cầu tạo từ các nguyên tố nhóm IIT va các nguyên tổ nhóm V, Tuy nhiên chỉ có các hợp chất cầu tạo từ nhóm IHA như B, AIN, Ga, In và nhóm VB như N, P, As, Sb, Bi la có tính chất bán dẫn. Hiện nay các hợp chất bán dẫn À”“B' đang được nghiên cứu và ứng dụng nh nhw GaAs, GaP, AlAs, InSb, GaAsSb và InGaAs. Dối với đa số các bán dẫn hợp chất HI-V độ linh động của điện tử lớn hơn rất nhiều so với độ linh động của lỗ trống. Chính độ linh động của điện tử quyết định các tí h chất của bán dẫn như: quang, nhiệt, điện.

InGaAs được tổng hop tit Indium, Gallium, Arsenide là hợp chất cia GaAs va InAs vdi các tính chất trung gian giữa hai chất này, phụ lệ Ga và In. InGaAs không phải là một vật liệu tự nhiên Phần lớn các thiết bị được làm từ InGaAs được trồng trên các chất 10 nén Indium Phosphide (InP) và thường được mô tả theo hướng (111) và (100) trên chất nền InP |9]. Các thuộc tính quang học và cơ học của InGaAs có thể thay đổi bằng cách thay đổi tÿ số InAs và GaAs, In_yGayAs. InGaAs c6 dé rộng vùng cắm là 0,74 eV [12], độ rộng vùng, cấm ổn định nên InGaAs có khả năng hoạt động ở nhiệt độ cao và có tính dẫn nhiệt tốt.

Vì vậy, InGaÄs được ứng dụng trong quang điện tử và các thiết bị có năng lượng, tần số cao. Ngoài ra ứng dụng quan trọng nhất cia InGaAs là nó được xem như một bộ lọc ánh sáng tốc độ cao có độ nhạy cao được sử dụng làm sợi quang trong vô tuyến viễn thông, Băng L1: Tham số vat liệu của lai „(GayAs [0| Thông số Kế hiệu Giá tị Khối lương hiệu dụng của điện tử | mỹ |(0028+0087y+0008) Khôi lượng hiệuđụng của lỗ trồng nhẹ |_ mỹ (036 + 0.50) Số ngyên Lữ trong 1 em " (8.83y) 10 "Năng lượng vùng cẩm (0.4347) eV Hồng số điện môi tỉnh © 18.6702 Hồng số điện môi tần số can fx 123- Lay Ting <b mang a (6.405y) & Do lĩnh động của điện tử Mn 10000 chế V-1s —' Độ lĩnh đồng của lỗ trồng Mp Em Hi sô giãn nữ nhiệt oun 5.66x 10-8 °C Nhiet dO nong chay 1, = 110°C 1. Các thông số của bán din GaAsSb. GaAsSb được tổng hợp tir Gallium (Ga), Arsenide (As), Autimonide (Sb), Ga thuộc nhóm II trong khi As, Sb đều là nguyên tổ thuộc nhóm.

Do đó hợp kim được làm từ các nhóm hoá học này được gọi là hợp chất A!“BF, GaAs$b là hợp chất của GaAs và AsSb với các tính chất trung gian phụ thuộc vio ti Ié gitta Ga, As va Sb. Các tính chất của hợp chất GaAs¡_;Sb„ được quyết định dựa vào giá trị của z và giá trị của z thường nằm trong khoảng 0,3 hoặc thấp hơn [10] Bảng 1.3: Tham số vật liêu cũa GaAs zSb; | “Thông số Ký hiện Giám Khối lượng hiệu dung cña điện tử | mt | 0063 —0.0258" Khối lương hiệu dụng của lỗ trồng nhẹ |_ mỹ 0082 — 0.082: Số nguyên Lữ trong 1 cm” " (442 —089z)10% "Năng lượng vùng cấm Ey | (12-192 41277) eV Măng số điện môi tĩnh “ 1290 + 28z Hồng số điện môi tần số cao fe 1089 + 3.51z Hồng số mạng a 5.8687 A Độ lịnh động của diện tử a < 8000 eV — Đồ lĩnh động cña lỗ trồng Pe 200 cmv —1x He số giãn nỗ nhiệt tu 460 x 10-8 °C Nhiệt độ nứng chảy To = 1062°C 1. Các thông số của bán dẫn thấp chiều InGaAs/GaAsSb. Indium Gallium Arsenide (InGaAs) va Gallium Arsenide Antimonide (GaAsSb) là hai bán dẫn hợp chất AB, Tỉnh thể có cấu trúc Zinc.

Blende thuộc loại cầu trúc tứ diện đều, nghĩa là mỗi nguyên tử là tâm của một tứ diện cầu tạo từ 4 nguyên tử gần nhất, Cầu trúc Zine Blende thuộc mạng lập phương tâm mặt. Đặc điểm và tính chất của dị cấu trúc bán dẫn InGaAs/GaAsSb phụ thuộc chủ yếu vào cầu trúc tỉnh thể, thành phần hóa học, khối lượng hiệu dụng của electron và lỗ trồng, hằng số điện môi, bề rộng khe vùng, mật độ trạng thái hiệu dụng trong vùng, dẫn và vùng hóa trị của các bán dẫn thành phần InGaAs và GaAsSb. 2 Hình II: Cấu trúc Zinc Blende. Bề rộng vùng cấm của InGaAs là 0,74 eV và GaAsSb là 133 eV, do sự chênh lệch bề rộng khe vùng nên khi ghép hai vật liệu này lại để tạo nên di cầu trúc InGaAs/GaAsSb thì đỉnh vàng hóa trị và đầy ving din của InGaAs nằm giữa khe vùng của GaAs§b.

Cấu trúc giống lượng tử hình thành trong vật liệu InGaAs/GaAsSb có độ cao hàng rào thế tương. ứng với độ chênh vùng dẫn của hai lớp vật liệu nay 1d AE, = 0,3 V Voi cầu trúc này, năng lượng của hệ điện tứ chuyển động trong giếng bị lượng tử hóa, sự phân bố và độ linh động của điện tử đối với vật liệu này là khác so với các vật liệu khác ||. Dây là những yếu tố quan trọng. quyết định đến các đặc điểm, tính chất, tính năng và các ứng dụng đặc trưng của vật liệu InGaAs/GaAsSb so vdi các vật liệu khác.

Hằng số mạng của InGaAs 1a 5,8 A va GaAsSb 1 0,96 A, sv sai khá ng số mạng của hai vật liệu cần thiết pI kĩ thuật tốt trong, việc nuôi cấy GaAsSb trên nền InGaAs nhằm làm giảm độ nhầm trên bề mặt tiếp giáp giữa hai vật liệu. Bởi vì đô nhám bề mặt là một trong những nguồn gây ra tấn xạ hạt tải, làm giảm độ linh động của hạt tải trong lớp gần phần biên (bị nhốt trong giếng thế) và do đó, đặc tính dẫn 13 điện và tính tu việt của vật liệu bị giảm xuống. Ngày này, vật liệu bán dẫn thấp chiều được chế tạo bằng một số công nghệ như phương pháp. epitaxy chùm phân tử, phương pháp lắng đọng hóa hữu cơ kim loại đã góp phần tạo ra các vật liệu có độ nhám bề mặt thấp [1|[10| 1.

Đặc điểm của khí điện tử hai chiều Khí điện tử hai chiều (2DEG) là một hệ các điên tứ chuyển động tự do trong hai chiều và bị giới hạn ở chiều thứ ba trong không gian Trong các đị cấu trúc bán dẫn, sự chuyển động đó được gọi là sự chuyển động trong giếng lượng tử (lớp lượng tử) hình thành trong cấu trúc của vật liêu. Nghiên cứu sự vận tải của hệ 2DEG là rất quan trọng bởi vì nó liên quan đến độ dẫn điện, dẫn nhiệt và các tính chất quang của vật liệu bán dẫn thấp chiều Mầm sóng và năng lượng của điện tử chuyển động trong tỉnh thể bán dẫn khối và trong bán dẫn thấp chiều là khác nhau. Để khảo sát sự khác nhau đó, ta chọn hệ tọa độ Descartes gồm mặt phẳng (z,y) trùng với mặt tiếp xúc của hai lớp bán dẫn và trục z đọc theo hướng nuôi Trong tỉnh t ổ bán dẫn khối, điện tử không bị giới hạn chiều chuyể động nhưng chịu tác dụng của thế năng tuần hoàn của mạng tỉnh thể V(?) nên xung lượng và vectơ sóng T có giá trị thay đổi, hình thành cấu trúc vùng năng lượng của điện tử gồm vùng hóa trị, vùng cắm và vùng dẫn, Hàm sóng của diện tử là sự chồng chất của nhiều sóng phẳng. với các vectơ sóng TẾ khác nhau, nghĩa là (ua) > là hệ số khai triển.

thức năng lượng của điện tử trong đó Œ(Ÿ) w trong bán dẫn khối có dang WAZ WR Ey 5n —= t+ 3m, — 2n (12) trong đó mm, và m, lần lượt là khối lượng hiệu dụng của điện tit trong mặt phing (r,y) va theo phương z. Khác với hạt chuyển động tự do có khối lượng hiệu dụng theo mọi phương là như nhau. "Trong tỉnh thể bán dẫn thấp chỉ u với cầu trúc giếng lượng tử, điện tử chuyển động tự do theo hai chiều z, và bị giam giữ một chiều theo phương 2. Trong mặt phẳng (z, y) điện tử chỉ chịu tác dụng của thể năng tuần hoàn của mạng tinh thé V(7’) còn theo chiều giam giữ z, ngoài thế năng tuần hoàn mạng V(T) điện tử còn chịu tác dụng của thế giam giữ V(z) sinh ra do sự chênh lệch vùng dẫn của hai lớp bán dẫn khác nhau khi ghép chúng lại với nhau.

Giá trị của V(z) chính là độ cao rào thế của giếng lượng tử. Phương trình Schrödinger cho hạt chuyển động trong giếng lượng tử với thé giam giữ V(z) có dạng [= (4 +3) - se V(z)|ú() = Eu(Œ).8) Giải phương trình này ta tìm được hầm sóng và năng lượng của diện tử lần lượt là và Trong đồ J(z) và E, lần lượt là hàm sóng và năng lượng của điện tử theo phương z và chỉ được xác định khi biết được dang cu thể của thế giam giữ V(). Năng lượng #2, nhận các giá trị gián đoạn Eụ, Eạ, Eạ,. nghĩa là năng lượng của hạt bị lượng tử hóa.

Cơ chế tán xạ của khí điện tử hai chiều Trong tỉnh thể luôn luôn tồn tại các sai hỏng mạng và dao động mạng, sự tương tác của các hạt tải với các sai hồng mạng và dao động. mạng khi chúng chuyển động trong tinh thể được gọi là sự tấn xạ hạt tải. Quá trình tần xạ làm thay đổi trang thái và năng lượng của bạt tải, xác suất tần xạ là nội dung của quy tắc vàng Fermi [1||š|. Sự tán xạ làm ảnh hưởng lên độ linh động của hạt tải cũng như độ dẫn điện, dẫn nhiệt và các tính chất quang của vật liệu Sul ayén động của điện tử trong tỉnh thể luôn chịu tác động của các trường thế tán xạ khác nhau với các mức độ khác nhau tùy từng hệ vật liệu nghiên cứu.

Các cơ chế tán xạ truyền thống có thể đến là: độ nhầm bề mặt tiếp xúc (SR); mật trật tự hợp kim (AD); các ion hóa (H), tan xa do phonon (LA); phonon quang (LO). Trong phan này, chúng tôi sẽ trình bày nguyên nhân của các cơ chế tán xạ nói trên ï) Tán xạ do độ nhám bề mặt tiếp xúc (SR) Trong các dị cấu trúc bán dẫn, bề mặt tiếp xúc giữa các lớp bán dẫn khác nhau luôn bị nhám.