MỞ ĐẦU 16 NỘI DUNG. MỘT SỐ KIẾN THỨC CƠ SỞ. Giếng lượng tử thế vuông góc sâu vô hạn. Hàm sóng và phổ năng lượng của electron trong giếng lượng tử thế vuông góc sâu vô hạn khi không có từ trường.
Hàm sóng và phổ năng lượng của electron trong giếng lượng tử thế vuông góc sâu vô hạn khi có từ trường. Giếng lượng tử thế parabol. Hàm sóng và phổ năng lượng của electron trong giếng lượng tử thế parabol khi không có từ trường 26 1. Hàm sóng và phổ năng lượng của electron trong giếng lượng tử thế parabol khi có từ trường.
Tương tác electron-phonon quang khối trong giếng lượng tử dưới tác dụng của trường ngoài. Đối với giếng lượng tử thế vuông góc sâu vô hạn. Đối với giếng lượng tử thế parabol. Tương tác electron-phonon quang giam giữ trong giếng lượng tử dưới tác dụng của trường ngoài.
Đối với giếng lượng tử thế vuông góc sâu vô hạn. Đối với giếng lượng tử thế parabol. Phương pháp chiếu toán tử. Biểu thức của tenxơ độ dẫn khi không có từ trường.
Biểu thức của độ dẫn tuyến tính. Biểu thức của hàm suy giảm tuyến tính. Biểu thức tốc độ hồi phục tuyến tính. Biểu thức của độ dẫn phi tuyến.
Biểu thức của các hàm suy giảm phi tuyến. Biểu thức tốc độ hồi phục phi tuyến. Biểu thức của tenxơ độ dẫn khi có từ trường. Biểu thức của tenxơ độ dẫn.
Biểu thức của hàm suy giảm. Biểu thức tốc độ hồi phục. Độ rộng của vạch phổ hấp thụ. ẢNH HƯỞNG CỦA SỰ GIAM GIỮ PHONON LÊN HIỆU ỨNG CỘNG HƯỞNG ELECTRON - PHONON TRONG GIẾNG LƯỢNG TỬ.
Giếng lượng tử thế vuông góc sâu vô hạn. Công suất hấp thụ tuyến tính. Độ rộng vạch phổ của đỉnh dò tìm cộng hưởng electron-phonon tuyến tính. Công suất hấp thụ phi tuyến.
Độ rộng vạch phổ của đỉnh dò tìm cộng hưởng electron-phonon thành phần phi tuyến. Giếng lượng tử thế parabol. Công suất hấp thụ tuyến tính. Độ rộng vạch phổ của đỉnh dò tìm cộng hưởng electron-phonon tuyến tính.
Công suất hấp thụ phi tuyến. Độ rộng vạch phổ của đỉnh dò tìm cộng hưởng electron-phonon thành phần phi tuyến. Kết luận chương 2. ẢNH HƯỞNG CỦA SỰ GIAM GIỮ PHONON LÊN HIỆU ỨNG CỘNG HƯỞNG TỪ-PHONON TRONG GIẾNG LƯỢNG TỬ.
Giếng lượng tử thế vuông góc sâu vô hạn. Biểu thức của công suất hấp thụ. Độ rộng vạch phổ của đỉnh dò tìm cộng hưởng từ-phonon. Giếng lượng tử thế parabol.
Biểu thức của công suất hấp thụ. Độ rộng vạch phổ của đỉnh dò tìm cộng hưởng từ-phonon. Kết luận chương 3. ẢNH HƯỞNG CỦA SỰ GIAM GIỮ PHONON LÊN HIỆU ỨNG CỘNG HƯỞNG CYCLOTRON TRONG GIẾNG LƯỢNG TỬ.
Độ rộng vạch phổ của đỉnh cộng hưởng cyclotron trong giếng lượng tử thế vuông góc sâu vô hạn. Độ rộng vạch phổ của đỉnh cộng hưởng cyclotron trong giếng lượng tử thế parabol. Kết luận chương 4. 145 TÀI LIỆU THAM KHẢO .1 4 DANH MỤC CÁC TỪ VIẾT TẮT Viết tắt Tiếng Anh Tiếng Việt SQW Square quantum well Giếng lượng tử thế vuông góc PQW Parabolic quantum well Giếng lượng tử thế parabol EPR Electron-phonon resonance Cộng hưởng electron-phonon MPR Magneto-phonon resonance Cộng hưởng từ-phonon CR Cyclotron resonance Cộng hưởng cyclotron ODEPR Optically detected Cộng hưởng electron-phonon electron-phonon resonance dò tìm bằng quang học ODMPR Optically detected Cộng hưởng từ-phonon magneto-phonon resonance dò tìm bằng quang học LW linewidth Độ rộng vạch phổ ODEPRLW ODEPR linewidth Độ rộng vạch phổ của đỉnh ODEPR ODMPRLW ODMPR linewidth Độ rộng vạch phổ của đỉnh ODMPR CRLW CR linewidth Độ rộng vạch phổ của đỉnh CR 5 DANH MỤC MỘT SỐ KÍ HIỆU Kí hiệu Đại lượng tương ứng Lz Bề rộng của giếng lượng tử theo phương z V0 Thể tích của hệ m0 Khối lượng tĩnh của electron m∗ Khối lượng hiệu dụng của electron ϵ0 Hằng số điện môi χ0 Hằng số điện môi tĩnh χ∞ Hằng số điện môi cao tần n Chỉ số lượng tử của electron m Chỉ số lượng tử của phonon giam giữ N Chỉ số mức Landau ωc Tần số cyclotron ac Bán kính cyclotron B Từ trường E0 Biên độ điện trường ~ω Năng lượng photon tới ~ωLO Năng lượng phonon quang dọc m,q⊥ ~ωLO Năng lượng phonon quang dọc giam giữ B0 (ω) Phần ảo của hàm suy giảm tuyến tính P0 (ω) Công suất hấp thụ tuyến tính P1 (ω) Thành phần công suất hấp thụ phi tuyến B1,2 (2ω) Phần ảo của hàm suy giảm phi tính PN Ln (ω) Công suất hấp thụ phi tuyến ODEP RLWSQW LW của đỉnh ODEPR tuyến tính trong SQW 6 Kí hiệu Đại lượng tương ứng ODEP RLWP QW LW của đỉnh ODEPR tuyến tính trong PQW ODEP RLW1SQW LW của đỉnh ODEPR thành phần phi tuyến trong SQW ODEP RLW1P QW LW của đỉnh ODEPR thành phần phi tuyến trong PQW ODM P RLWSQW LW của đỉnh ODMPR trong SQW ODM P RLWP QW LW của đỉnh ODMPR trong PQW CRLWSQW LW của đỉnh CR trong SQW CRLWP QW LW của đỉnh CR trong PQW Bulk Kí hiệu cho phonon khối Confine (Conf.) Kí hiệu cho phonon giam giữ 7 DANH SÁCH BẢNG 2.1 Sự phụ thuộc của ODEPRLWSQW vào T .2 Sự phụ thuộc của ODEPRLWSQW vào Lz .3 Sự phụ thuộc của ODEPRLWSQW 1 vào Lz .4 Sự phụ thuộc của ODEPRLWP QW vào T .5 Sự phụ thuộc của ODEPRLWP QW vào ωz .6 Sự phụ thuộc của ODEPRLWP1 QW vào ωz .1 Sự phụ thuộc của ODMPRLWSQW vào T .2 Sự phụ thuộc của ODMPRLWSQW vào Lz .3 Sự phụ thuộc của ODMPRLWP QW vào T .4 Sự phụ thuộc của ODMPRLWP QW vào ωz .1 Sự phụ thuộc của CRLWSQW vào T .2 Sự phụ thuộc của CRLWSQW vào Lz .3 Sự phụ thuộc của CRLWSQW vào B.4 Sự phụ thuộc của CRLWP QW vào T .5 Sự phụ thuộc của CRLWP QW vào ωz .6 Sự phụ thuộc của CRLWP QW vào B.
142 8 DANH SÁCH HÌNH VẼ 1.1 Sơ đồ chuyển mức của electron giữa trạng thái trung gian η và các trạng thái cơ bản α và β.2 Cách xác định độ rộng vạch phổ từ sự phụ thuộc của công suất hấp thụ vào năng lượng photon.1 a) Sự phụ thuộc của công suất hấp thụ tuyến tính PSQW (~ω) vào năng lượng photon ~ω trong SQW đối với mô hình phonon khối (đường nét liền) và phonon giam giữ (đường gạch gạch) tại T = 300 K, Lz = 12 nm. b) Sự phụ thuộc ODEP R của công suất hấp thụ tuyến tính PSQW (~ω) vào năng lượng photon ~ω trong SQW tại đỉnh ODEPR (đỉnh 4 của hình 2.2 a) Sự phụ thuộc của công suất hấp thụ tuyến tính PSQW (~ω) vào năng lượng photon ~ω trong SQW tại đỉnh ODEPR đối với mô hình phonon khối và phonon giam giữ tại các giá trị khác nhau của T : T = 200 K (đường nét liền), T = 250 K (đường gạch gạch) và T = 300 K (đường chấm chấm). b) Sự phụ thuộc của độ rộng vạch phổ của đỉnh ODEPR vào T : mô hình phonon khối (đường nét liền) và phonon giam giữ (đường gạch gạch). Ở đây, Lz = 12 nm.3 a) Sự phụ thuộc của công suất hấp thụ tuyến tính PSQW (~ω) vào năng lượng photon ~ω trong SQW tại đỉnh ODEPR đối với mô hình phonon khối và phonon giam giữ tại các giá trị khác nhau của Lz : Lz = 12 nm (đường nét liền), Lz = 13 nm (đường gạch gạch) và Lz = 14 nm (đường 9 chấm chấm).
b) Sự phụ thuộc của độ rộng vạch phỏ của đỉnh ODEPR vào Lz : mô hình phonon khối (đường nét liền) và phonon giam giữ (đường gạch gạch).4 a) Sự phụ thuộc của công suất hấp thụ phi tuyến PSQW (~ω) vào năng lượng photon ~ω trong SQW đối với mô hình phonon khối (đường nét liền) và phonon giam giữ (đường gạch gạch) tại T = 300 K, Lz = 12 nm. b) Sự phụ thuộc của thành phần công suất hấp thụ phi tuyến P1ODEP R−SQW (~ω) vào năng lượng photon ~ω trong SQW tại đỉnh ODEPR phi tuyến (đỉnh 2d của hình 2.5 Sự phụ thuộc của độ rộng vạch phổ của đỉnh ODEPR thành phần phi tuyến vào Lz : mô hình phonon khối (đường nét liền) và phonon giam giữ (đường gạch gạch).6 a) Sự phụ thuộc của công suất hấp thụ tuyến tính PP QW (~ω) vào năng lượng photon ~ω trong PQW đối với mô hình phonon khối (đường nét liền) và phonon giam giữ (đường gạch gạch) tại T = 300 K, ωz = 0. b) Sự phụ thuộc của công suất hấp thụ tuyến tính PPODEP QW R (~ω) vào năng lượng photon ~ω trong PQW tại đỉnh ODEPR (đỉnh 3 của hình 2.7 a) Sự phụ thuộc của công suất hấp thụ tuyến tính PPODEP QW R (~ω) vào năng lượng photon ~ω trong PQW tại đỉnh ODEPR đối với mô hình phonon khối và phonon giam giữ tại các giá trị khác nhau của T : T = 200 K (đường nét liền), T = 250 K (đường gạch gạch) và T = 300 K (đường chấm 10 chấm). b) Sự phụ thuộc của độ rộng vạch phổ của đỉnh ODEPR vào T : mô hình phonon khối (đường nét liền) và phonon giam giữ (đường gạch gạch).8 a) Sự phụ thuộc của công suất hấp thụ tuyến tính PPODEP QW R (~ω) vào năng lượng photon ~ω trong PQW tại đỉnh ODEPR đối với mô hình phonon khối và phonon giam giữ tại các giá trị khác nhau của ωz : ωz = 0.
b) Sự phụ thuộc của độ rộng vạch phổ của đỉnh ODEPR vào ωz : mô hình phonon khối (đường nét liền) và phonon giam giữ (đường gạch gạch).9 a) Sự phụ thuộc của công suất hấp thụ phi tuyến PPNQW ln (~ω) vào năng lượng photon ~ω trong PQW đối với mô hình phonon khối (đường nét liền) và phonon giam giữ (đường gạch gạch) tại T = 300 K, ωz = 0. b) Sự phụ thuộc của thành phần công suất hấp thụ phi tuyến P1ODEP R−P QW (~ω) vào năng lượng photon ~ω trong PQW tại đỉnh ODEPR phi tuyến (đỉnh 2c của hình 2.10 Sự phụ thuộc của độ rộng vạch phổ của đỉnh ODEPR thành phần phi tuyến vào ωz : mô hình phonon khối (đường nét liền) và phonon giam giữ (đường gạch gạch).1 a) Sự phụ thuộc của công suất hấp thụ PSQW (~ω) vào năng lượng photon ~ω trong SQW đối với mô hình phonon khối (đường nét liền) và phonon giam giữ (đường gạch gạch) tại T = 300 K, Lz = 12 nm, B = 20. b) Sự 11 ODM P R phụ thuộc của công suất hấp thụ PSQW (~ω) vào năng lượng photon ~ω trong SQW tại đỉnh ODMPR (đỉnh 4 của hình 3.