Luận văn thạc sĩ vnu uet tính toán mô phỏng các thông số trường quang tại vùng hội tụ của vật kính có khẩu độ số cao sử dụng trong hệ khắc laser trực tiếp ứng dụng cho chế tạo cấu trúc vật liệu nano

Luận văn thạc sĩ VNU UET nghiên cứu mô phỏng trường quang tại vùng hội tụ vật kính khẩu độ số cao cho hệ khắc laser chế tạo vật liệu nano.

Người đăng

Ẩn danh

Thể loại

Luận văn thạc sĩ

2019

86
3
0

Phí lưu trữ

30 Point

Mục lục chi tiết

LỜI CAM ĐOAN

LỜI CẢM ƠN

1. CHƯƠNG 1: CƠ SỞ LÝ THUYẾT

1.1. Nhiễu xạ ánh sáng

1.2. Nhiễu xạ ánh sáng của sóng cầu

1.3. Nhiễu xạ ánh sáng của sóng phẳng

1.4. Giới thiệu công nghệ khắc laser trực tiếp

1.5. Công nghệ khắc laser trực tiếp

1.6. Vật liệu cảm quang truyền thống (polymer) cho công nghệ khắc laser trực tiếp

1.7. Phương pháp chế tạo cấu trúc bằng khắc laser hấp thụ đa photon

1.8. Phương pháp chế tạo cấu trúc bằng khắc laser hấp thụ một photon

1.9. Các ứng dụng điển hình của cấu trúc chế tạo bằng phương pháp khắc laser trực tiếp

2. CHƯƠNG II: NGHIÊN CỨU CƠ BẢN VỀ PHÂN BỐ ÁNH SÁNG TRONG VÙNG HỘI TỤ CỦA MỘT VẬT KÍNH CÓ KHẨU ĐỘ SỐ CAO

2.1. Sự nhiễu xạ ánh sáng trong một hệ thống vật kính

2.2. Tiêu chuẩn Rayleigh

2.3. Phân bố ánh sáng trong vùng hội tụ của một vật kính có khẩu độ số cao

2.4. Sự dịch chuyển tiêu cự của chùm tia hội tụ khi đặt trong môi trường chiết suất

2.5. Phương pháp tính toán số và mô phỏng dựa trên công cụ matlab

2.6. Nghiên cứu cơ bản về phân bố EM trong môi trường hấp thụ

2.7. Sự hội tụ của sóng điện từ trong môi trường hấp thụ

2.8. Khai triển tích phân Debye – Wolf

2.9. Khai triển tích phân Debye- Wolf mở rộng

3. CHƯƠNG III: KẾT QUẢ MÔ PHỎNG VỀ PHÂN BỐ TRƯỜNG QUANG TRONG VÙNG HỘI TỤ CỦA VẬT KÍNH CÓ KHẨU ĐỘ SỐ CAO

3.1. Phân bố ánh sáng trong vùng hội tụ theo khẩu độ số khác nhau

3.2. Hình dạng và kích thước của chùm tia đầu vào tại vùng hội tụ

3.3. Ảnh hưởng của chùm tia đầu vào về hình dạng và kích thước của vùng hội tụ

3.4. Nghiên cứu ảnh hưởng phân bố phân cực của chùm ánh sáng tới trong vùng hội tụ mạnh của vật kính có khẩu độ số cao

3.5. Phân bố ánh sáng tại vùng hội tụ của một chùm phân cực thẳng theo trục x

3.6. Phân bố ánh sáng tại vùng hội tụ của một chùm phân cực tròn

3.7. Phân bố ánh sáng tại vùng hội tụ của một chùm phân cực hướng tâm

3.8. Phân bố ánh sáng tại vùng hội tụ của một chùm phân cực phương vị

3.9. Phân bố ánh sáng trong vùng hội tụ theo các môi trường chiết suất khác nhau

3.10. Phân bố ánh sáng tại vùng hội tụ trong cùng một môi trường chiết suất

3.11. Phân bố ánh sáng tại vùng hội tụ trong môi trường chiết suất khác nhau

3.12. Phân bố ánh sáng tại vùng hội tụ của một vật kính có khẩu độ số cao theo các vị trí bề mặt khác nhau

3.13. So sánh đối chứng kết quả mô phỏng với thực nghiệm

3.14. Quan sát đối chiếu thực nghiệm và mô phỏng sự vùng hội tụ của một vật kính có khẩu độ số cao theo khẩu độ số khác nhau

3.15. Ảnh hưởng của phân cực chùm tuyến tính và tròn tới sự phân bố cường độ trong khu vực trọng tâm

TÀI LIỆU THAM KHẢO

Tóm tắt

I. Tổng Quan Về Mô Phỏng Thông Số Trường Quang Trong Hệ Khắc Laser

Mô phỏng thông số trường quang trong hệ khắc laser với vật kính khẩu độ cao là một lĩnh vực nghiên cứu quan trọng trong công nghệ nano. Công nghệ này cho phép tạo ra các cấu trúc vật liệu ở cấp độ nano thông qua việc sử dụng ánh sáng laser. Việc hiểu rõ về các thông số trường quang sẽ giúp tối ưu hóa quá trình khắc laser, từ đó nâng cao chất lượng và độ chính xác của các sản phẩm nano.

1.1. Khái Niệm Về Mô Phỏng Quang Học

Mô phỏng quang học là quá trình sử dụng các mô hình toán học để dự đoán hành vi của ánh sáng trong các hệ thống quang học. Điều này bao gồm việc phân tích sự nhiễu xạ, phản xạ và khúc xạ của ánh sáng khi đi qua các vật liệu khác nhau.

1.2. Vai Trò Của Vật Kính Khẩu Độ Cao

Vật kính khẩu độ cao đóng vai trò quan trọng trong việc hội tụ ánh sáng laser xuống kích thước nhỏ. Điều này giúp tăng cường độ phân giải và khả năng tạo ra các cấu trúc nano phức tạp.

II. Thách Thức Trong Mô Phỏng Thông Số Trường Quang

Mặc dù có nhiều tiến bộ trong công nghệ mô phỏng, vẫn tồn tại nhiều thách thức trong việc mô phỏng thông số trường quang. Các yếu tố như chiết suất môi trường, khẩu độ số và sự phân cực của chùm tia tới đều ảnh hưởng đến kết quả mô phỏng.

2.1. Ảnh Hưởng Của Chiết Suất Môi Trường

Chiết suất môi trường là một yếu tố quan trọng ảnh hưởng đến sự phân bố cường độ ánh sáng trong vùng hội tụ. Việc thay đổi chiết suất có thể dẫn đến sự thay đổi đáng kể trong kết quả mô phỏng.

2.2. Khẩu Độ Số Và Tác Động Đến Kết Quả

Khẩu độ số của vật kính ảnh hưởng trực tiếp đến khả năng hội tụ ánh sáng. Một khẩu độ số cao sẽ cho phép hội tụ ánh sáng tốt hơn, từ đó tạo ra các vùng hội tụ nhỏ hơn và chính xác hơn.

III. Phương Pháp Tính Toán Và Mô Phỏng Thông Số Trường Quang

Phương pháp tính toán và mô phỏng thông số trường quang thường sử dụng lý thuyết Debye và các công cụ phần mềm như MATLAB. Những phương pháp này cho phép mô phỏng chính xác sự phân bố điện từ trong vùng hội tụ.

3.1. Lý Thuyết Debye Trong Mô Phỏng

Lý thuyết Debye cung cấp một cơ sở lý thuyết vững chắc để mô phỏng sự hội tụ của sóng điện từ. Nó cho phép tính toán chính xác các thông số trường quang trong các hệ thống phức tạp.

3.2. Sử Dụng MATLAB Để Mô Phỏng

MATLAB là một công cụ mạnh mẽ cho việc mô phỏng các thông số trường quang. Nó cho phép thực hiện các phép tính phức tạp và trực quan hóa kết quả một cách dễ dàng.

IV. Kết Quả Nghiên Cứu Về Phân Bố Trường Quang

Kết quả nghiên cứu cho thấy rằng việc mô phỏng thông số trường quang có thể giúp tối ưu hóa quá trình khắc laser. Các thông số như khẩu độ số, chiết suất môi trường và phân cực đều có ảnh hưởng lớn đến kết quả cuối cùng.

4.1. Phân Tích Kết Quả Mô Phỏng

Kết quả mô phỏng cho thấy sự phân bố cường độ ánh sáng trong vùng hội tụ phụ thuộc vào nhiều yếu tố. Việc phân tích các kết quả này giúp hiểu rõ hơn về hành vi của ánh sáng trong các hệ thống quang học.

4.2. So Sánh Kết Quả Thực Nghiệm

So sánh giữa kết quả mô phỏng và thực nghiệm cho thấy sự phù hợp cao, từ đó khẳng định tính chính xác của các phương pháp mô phỏng đã sử dụng.

V. Kết Luận Và Tương Lai Của Mô Phỏng Thông Số Trường Quang

Mô phỏng thông số trường quang trong hệ khắc laser với vật kính khẩu độ cao là một lĩnh vực đầy tiềm năng. Tương lai của nghiên cứu này hứa hẹn sẽ mang lại nhiều ứng dụng mới trong công nghệ nano.

5.1. Tiềm Năng Ứng Dụng Trong Công Nghệ Nano

Các kết quả nghiên cứu có thể được áp dụng trong nhiều lĩnh vực khác nhau, từ y học đến điện tử học, mở ra nhiều cơ hội mới cho công nghệ nano.

5.2. Hướng Nghiên Cứu Tương Lai

Hướng nghiên cứu tương lai có thể tập trung vào việc cải thiện độ chính xác của mô phỏng và phát triển các phương pháp mới để tối ưu hóa quá trình khắc laser.

22/07/2025
Luận văn thạc sĩ vnu uet tính toán mô phỏng các thông số trường quang tại vùng hội tụ của vật kính có khẩu độ số cao sử dụng trong hệ khắc laser trực tiếp ứng dụng cho chế tạo cấu trúc vật liệu nano

Trích đoạn nội dung tài liệu

CHƯƠNG I: CƠ SỞ LÝ THUYẾT. Nhiễu xạ ánh sáng. Nhiễu xạ ánh sáng của sóng cầu. a)Hiện tượng nhiễu xạ ánh sáng.

Ánh sáng từ nguồn S truyền qua một lỗ tròn nhỏ trên màn P. Sau P đặt màn quan sát E, trên màn E ta nhận được hình tròn sáng đường kính B’D’ đồng dạng với lỗ tròn BD. Theo định luật truyền thẳng của ánh sáng, nếu thu nhỏ lỗ tròn P thì hình tròn sáng trên màn E nhỏ lại. Thực nghiệm chứng tỏ rằng khi thu nhỏ lỗ tròn đến một mức Hình 1.

Hiện tượng nhiễu xạ nào đó thì trên màn E xuất hiện những vân tròn ánh sáng. sáng tối xen kẽ nhau. Trong vùng tối hình học (ngoài B’D’) ta cũng nhận được vân sáng và trong vùng sáng hình học (vùng B’D’) cũng có vân tối. Tại C có thể nhận được điểm tối hay sáng phụ thuộc vào kích thước của lỗ tròn và khoảng cách từ màn E đến màn P.

Như vậy ánh sáng khi đi qua lỗ tròn đã bị lệch khỏi phương truyền thẳng. Định nghĩa: Hiện tượng tia sáng bị lệch khỏi phương truyền thẳng khi đi gần các chướng ngại vật có kích thước nhỏ được gọi là hiện tượng nhiễu xạ ánh sáng. Chướng ngại vật có thể là mép biên hay vật cản hoặc một lỗ tròn có kích thước cùng cỡ bước sóng của ánh sáng chiếu tới. Hiện tượng nhiễu xạ ánh sáng có thể giải thích dựa vào nguyên lí Huygens-Fresnel.

Nguyên lí đó được phát biểu như sau. Nguyên lí Huygens – Fresnel: - Mỗi điểm trong không gian được sóng ánh sáng từ nguồn thực gửi đến đều trở thành nguồn sáng thứ cấp phát sóng ánh sáng về phía trước. - Biên độ và pha của nguồn thứ cấp là biên độ và pha do nguồn thực gây ra tại vị trí của nguồn thứ cấp. Theo nguyên lí Huygens–Fresnel, khi ánh sáng chiếu đến lỗ tròn, các điểm trên lỗ tròn đều trở thành nguồn thứ cấp phát sóng cầu thứ cấp.

Bao hình của các mặt sóng cầu thứ cấp là mặt sóng. Ở mép của lỗ tròn mặt sóng bị uốn cong và tia sóng luôn 8 LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.com vuông góc với mặt sóng, do đó ở mép biên các tia sóng bị đổi phương so với phương của sóng tới (Hình 1. Giải thích định tính hiện tượng nhiễu xạ. Mỗi nguồn sáng thứ cấp trên mặt lỗ tròn BD có biên độ và pha dao động đúng bằng biên độ và pha dao động do nguồn sáng S gây ra tại điểm đó.

Dao động sáng tại mỗi điểm trên màn ảnh E sẽ bằng tổng các dao động sáng do những nguồn sáng thứ cấp trên lỗ tròn BD gây ra tại điểm đó. Từ biểu thức của hàm sóng, dựa vào nguyên lí Huygens-Fresnel người ta có thể tìm được biểu thức định lượng của dao động sáng tại một điểm M trên màn hình E, nhưng việc tính toán khá phức tạp vì phải tính tích phân. Fresnel đã đưa ra một phương pháp tính đơn giản gọi là phương pháp đới cầu Fresnel. b) Phương pháp đới cầu Fresnel.

Phương pháp đới cầu Fresnel. Xét nguồn sáng điểm O phát ánh sáng đơn sắc và điểm được chiếu sáng M. Lấy O làm tâm dựng mặt cầu Σ bao quanh S, bán kính R < OM. Lấy M 𝜆 𝜆 làm tâm vẽ các mặt cầu Σ0,Σ1,Σ2.có bán kính lần lượt là b, b+ , b + 2.

, trong đó 2 2 λ là bước sóng do nguồn S phát ra.chia mặt cầu Σ thành các đới gọi là đới cầu Fresnel. Với cách dựng như vậy, người ta chứng minh được rằng diện tích các đới cầu bằng nhau và bằng: 9 LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.1) R+b Bán kính rk của đới cầu thứ kbằng: Rbλ rk = √ √kvới k = 1, 2, 3.2) R+B Theo nguyên lí Huygens, mỗi đới cầu trở thành nguồn sáng thứ cấp phát ánh sáng tới điểm M. Gọi ak là biên độ dao động sáng do đới cầu thứ k gây ra tại M. Khi k tăng, các đới cầu càng xa điểm M và góc nghiêng θ tăng (Hình 1.3), do đó ak giảm: a1 > a2> a3.

Khi k khá lớn thì ak ≈ 0. Vì khoảng cách từ đới cầu đến điểm M và góc nghiêng θ tăng rất chậm nên ak giảm chậm, ta có thể coi ak do đới cầu thứ k gây ra là trung bình cộng của ak-1 và ak+1: 1 ak = (ak−1 + ak+1 ) (1.3) 2 Khoảng cách của hai đới cầu kế tiếp tới điểm M khác nhau λ /2. Các đới cầu đều nằm trên mặt sóng Σ, nghĩa là pha dao động của tất cả các điểm trên mọi đới cầu đều như nhau. Kết quả, hiệu pha của hai dao động sáng do hai đới cầu kế tiếp gây ra tại M là: 2π 2π λ ∆φ = (L1 − L2 ) = .4) λ λ 2 Như vậy hai dao động sáng đó ngược pha nhau nên chúng sẽ khử lẫn nhau.

Vì M ở khá xa mặt Σ, ta coi các dao động sáng do các đới cầu gây ra tại M cùng phương, do đó dao động sáng tổng hợp do các đới gây ra tại M sẽ là: a = a1 - a2 + a3 - a4 +.5) Sau đây chúng tôi sẽ sử dụng phương pháp đới cầu Fresnel để khảo sát hiện tượng nhiễu xạ của ánh sáng qua lỗ tròn, đĩa tròn và qua khe hẹp. c) Nhiễu xạ qua lỗ tròn. Xét nguồn sáng điểm S, phát ánh sáng đơn sắc qua lỗ tròn AB trên màn chắn P đến điểm M, S và M nằm trên trục của lỗ tròn. Lấy S làm tâm dựng mặt cầu Σ tựa vào lỗ tròn AB.

Lấy M làm tâm vẽ các đới cầu Fresnel trên mặt Σ. Giả sử lỗ chứa n đới cầu. Biên độ dao động sáng tổng hợp tại M là: a = a1 - a 2 +a3 - a 4 +. ± a n 10 LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.

Nhiễu xạ qua lỗ tròn. Ta có ta có thể viết: an a a1 a3 a3 a5 2 a = + ( − a 2 + ) + ( − a 4 + ) + ⋯ + {a an 2 2 2 2 2 n−1 − an ≈ − 2 2 Vì các biểu thức trong dấu ngoặc bằng không, nên: a a a= 1± n (1.6) 2 2 Lấy dấu + nếu đới n là lẻ và dấu - nếu đới n là chẵn. Ta xét các trường hợp sau: * Khi không có màn chắn P hoặc kích thước lỗ tròn rất lớn: n →∞, an ≈0 nên cường độ sáng tại M: a2 I0 = a2 = 1 (1.7) 4 * Nếu lỗ chứa số lẻđới cầu 𝑎1 𝑎𝑛 𝑎= + 2 2 𝑎 𝑎 2 I = ( 1 + 𝑛) (1.8) 2 2 I > I0, điểm M sáng hơn khi không có màn P. Đặc biệt nếu lỗ chứa một đới cầu a a a = 1 + 2 = a1 và I = a21 = 4I0 (1.9) 2 2 Cường độ sáng gấp 4 lần so với khi không có lỗ tròn, như vậy điểm M rất sáng.

* Nếu lỗ chứa số chẵn đới cầu a a I= 1− n (1.11) 2 2 11 LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.com 𝑎1 I < I0, điểm M tối hơn khi không có lỗ tròn. Nếu lỗ tròn chứa hai đới cầu thì 𝑎 = − 2 𝑎2 , do đó I = 0, điểm M tối nhất. 2 Tóm lại điểm M có thể sáng hơn hoặc tối hơn so với khi không có lỗ tròn tùy theo kích thước của lỗ và vị trí của màn quan sát. d) Nhiễu xạ qua một đĩa tròn.

Nhiễu xạ qua một đĩa tròn. Giữa nguồn sáng S và điểm M có một đĩa tròn chắn sáng bán kính ro. Giả sửđĩa che khuất m đới cầu Fresnel đầu tiên. Biên độ dao động tại M là: a = am+1 − am+2 + am+3 − ⋯ am+1 am+1 am+3 a= +( − am+2 + )+⋯ 2 2 2 Vì các biểu thức ở trong ngoặc có thể coi bằng không, do đó: a a = m+1 (1.12) 2 Nếu đĩa chỉ che ít đới cầu thì am+1 không khác a1 là mấy, do đó cường độ sáng tại M cũng giống như trường hợp không có chướng ngại vật giữa S và M.

Trong trường hợp đĩa che nhiều đới cầu thì am+1 ≈ 0 do đó cường độ sáng tại M bằng không. Nhiễu xạ ánh sáng của sóng phẳng. a) Nhiễu xạ của sóng phẳng qua một khe hẹp. Để tạo ra chùm sáng song song, người ta đặt nguồn sáng S tại tiêu điểm của thấu kính hội tụ Lo.

Chiếu chùm sáng đơn sắc song song bước sóng λ vào khe hẹp có bề rộng b (Hình 1. Sau khi đi qua khe hẹp, tia sáng sẽ bị nhiễu xạ theo nhiều phương. Tách các tia nhiễu xạ theo một phương φ nào đó chúng sẽ gặp nhau ở vô cùng. Muốn quan sát ảnh nhiễu xạ chúng tôi sử dụng thấu kính hội tụ L, chùm tia nhiễu xạ sẽ hội tụ tại điểm M trên mặt phẳng tiêu của thấu kính hội tụ L.

Với các giá trị φ khác nhau chùm nhiễu xạ sẽ hội tụ tại các điểm khác nhau. Tùy theo giá trị của φ 12 LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.com điểm M có thể sáng hoặc tối. Những điểm sáng tối này nằm dọc trên đường thẳng vuông góc với chiều dài khe hẹp và được gọi là các cực đại và cực tiểu nhiễu xạ. Nhiễu xạ qua một khe hẹp.

Vì ánh sáng gửi đến khe là sóng phẳng nên mặt phẳng khe là mặt sóng, các sóng thứ cấp trên mặt phẳng khe dao động cùng pha. Xét các tia nhiễu xạ theo phương φ =0, chúng hội tụ tại điểm F. Mặt phẳng khe và mặt quan sát là hai mặt trực giao do đó theo định lí Malus, các tia sáng gửi từ mặt phẳng khe tới điểm F có quang lộ bằng nhau và dao động cùng pha nên chúng tăng cường nhau. Điểm F rất sáng và được gọi là cực đại giữa.

Xét trường hợp φ ≠ 0. Áp dụng ý tưởng của phương pháp đới cầu Fresnel ta vẽ các mặt phẳng Σ0, Σ1, Σ2. vuông góc với chùm tia nhiễu xạ và cách đều nhau một khoảng λ/2, chúng sẽ chia mặt khe thành các dải sáng nằm song song với bề rộng của λ khe hẹp. Bề rộng của mỗi dải là ℓ = và số dải trên khe sẽ là: 2 sin φ b 2b sin φ N= = (1.13) ℓ λ Theo nguyên lí Huygens, những dải này là nguồn sáng thứ cấp dao động cùng pha (vì nằm trên cùng một mặt sóng) và phát ánh sáng đến điểm M.

Vì quang lộ của hai tia sáng từ hai dải kế tiếp đến điểm M khác nhau λ/2 nên dao động sáng do hai dải kế tiếp gửi tới M ngược pha nhau và chúng sẽ khử nhau.

Nội dung được bảo vệ bản quyền — Tải xuống đầy đủ