I. Giới thiệu về Luận Văn Thạc Sĩ Vật Lý Kỹ Thuật
Luận văn thạc sĩ này tập trung vào nghiên cứu thiết bị y tế và tính toán liều xạ trong xạ trị áp sát liều cao để điều trị ung thư. Đề tài được thực hiện bởi Huỳnh Ngọc Liêm tại Trường Đại học Bách Khoa, ĐHQG TP.HCM, dưới sự hướng dẫn của TS. Lý Anh Tú. Luận văn nhằm mục đích tìm hiểu sâu về kỹ thuật y sinh và vật lý ứng dụng trong lĩnh vực xạ trị, đặc biệt là phương pháp trị áp sát sử dụng thiết bị hiện đại như MicroSelectronV3.
1.1. Mục tiêu nghiên cứu
Mục tiêu chính của luận văn là nghiên cứu thiết bị xạ trị áp sát liều cao và phương pháp tính toán liều lượng bức xạ. Đề tài hướng đến việc xây dựng quy trình điều trị ung thư hiệu quả, an toàn, và tối ưu hóa liều xạ. Ngoài ra, luận văn cũng mong muốn trở thành tài liệu tham khảo cho các nhà nghiên cứu và chuyên gia trong lĩnh vực vật lý hạt nhân và kỹ thuật bức xạ.
II. Tổng quan về Xạ Trị Áp Sát
Xạ trị áp sát là phương pháp điều trị ung thư bằng cách đặt nguồn phóng xạ gần khối u. Phương pháp này được phân loại theo thời gian cấy ghép (tạm thời hoặc vĩnh viễn) và cách đưa nguồn vào cơ thể. Xạ trị áp sát hiện đại sử dụng thiết bị y tế tiên tiến như MicroSelectronV3, cho phép điều khiển nguồn phóng xạ từ xa và tối ưu hóa liều lượng bức xạ.
2.1. Lịch sử phát triển
Xạ trị áp sát bắt đầu từ những năm 1900 với việc sử dụng Radium. Theo thời gian, các nguồn phóng xạ nhân tạo như 192Ir được phát triển, cùng với thiết bị điều khiển từ xa, giúp giảm thiểu phơi nhiễm phóng xạ cho nhân viên y tế. Những tiến bộ trong kỹ thuật y sinh và vật lý ứng dụng đã làm cho xạ trị áp sát trở nên chính xác và an toàn hơn.
2.2. Phân loại kỹ thuật
Xạ trị áp sát được phân loại theo thời gian cấy ghép (tạm thời hoặc vĩnh viễn) và cách đưa nguồn vào cơ thể. Kỹ thuật này có thể được sử dụng độc lập hoặc kết hợp với xạ trị ngoài để tăng hiệu quả điều trị. Các nguồn phóng xạ như 192Ir và 137Cs thường được sử dụng trong xạ trị áp sát liều cao.
III. Nghiên Cứu Thiết Bị Xạ Trị Áp Sát
Luận văn tập trung nghiên cứu thiết bị xạ trị áp sát liều cao MicroSelectronV3, bao gồm cấu tạo, nguyên lý hoạt động, và các bộ phận chính như đơn vị nạp nguồn, trạm điều khiển, và hệ thống lập kế hoạch điều trị. Thiết bị này cho phép điều khiển nguồn phóng xạ từ xa, giúp tối ưu hóa liều lượng bức xạ và đảm bảo an toàn cho bệnh nhân.
3.1. Cấu tạo và nguyên lý hoạt động
MicroSelectronV3 bao gồm các bộ phận chính như đơn vị nạp nguồn, trạm điều khiển, và hệ thống lập kế hoạch điều trị. Thiết bị sử dụng nguồn phóng xạ 192Ir với hoạt độ cao, được điều khiển bằng máy tính để phân phối liều xạ chính xác theo kế hoạch điều trị.
3.2. Quy trình điều trị
Quy trình điều trị bao gồm các bước: chuẩn bị bệnh nhân, đặt dụng cụ áp sát, lập kế hoạch điều trị, và thực hiện xạ trị. Hệ thống lập kế hoạch điều trị (TPS) đóng vai trò quan trọng trong việc tính toán và phân phối liều xạ chính xác.
IV. Phương Pháp Tính Toán Liều Xạ
Luận văn trình bày phương pháp tính toán liều xạ dựa trên mô hình TG-43 do AAPM công bố. Phương pháp này bao gồm việc tính toán liều lượng bức xạ dựa trên các yếu tố như kích thước nguồn, suất liều, và hình học của nguồn. Tối ưu hóa liều xạ là yếu tố quan trọng để đảm bảo hiệu quả điều trị và giảm thiểu tác dụng phụ.
4.1. Cơ sở lý thuyết
Phương pháp TG-43 dựa trên việc tính toán liều lượng bức xạ từ nguồn điểm lý tưởng và điều chỉnh cho nguồn thực tế. Các yếu tố như tự hấp thụ và suy giảm bức xạ được tính toán để đảm bảo độ chính xác.
4.2. Ứng dụng thực tế
Phương pháp này được áp dụng trong xạ trị áp sát liều cao để tính toán liều lượng bức xạ cho từng vị trí trong khối u. Kết quả tính toán được sử dụng để lập kế hoạch điều trị và tối ưu hóa liều xạ.
V. Kết Luận và Đánh Giá
Luận văn đã đạt được mục tiêu nghiên cứu về thiết bị xạ trị áp sát liều cao và phương pháp tính toán liều xạ. Các kết quả nghiên cứu có giá trị thực tiễn cao, giúp cải thiện hiệu quả điều trị ung thư và đảm bảo an toàn cho bệnh nhân. Luận văn cũng là tài liệu tham khảo hữu ích cho các nhà nghiên cứu và chuyên gia trong lĩnh vực vật lý kỹ thuật và kỹ thuật y sinh.
