Luận văn thạc sĩ nghiên cứu cơ chế khuếch tán trong vật liệu vô định hình tại ĐHQG Hà Nội

Nghiên cứu cơ chế khuếch tán trong vật liệu vô định hình: Tìm hiểu sâu về quá trình khuếch tán nguyên tử, động học và các yếu tố ảnh hưởng đến tính chất vật liệu.

Người đăng

Ẩn danh

Thể loại

Luận án tiến sĩ

2014

154
2
0

Phí lưu trữ

45 Point

Mục lục chi tiết

Lời cam đoan

Danh mục các ký hiệu và chữ viết tắt

Danh mục các bảng

Danh mục các hình vẽ, đồ thị

1. TỔNG QUAN VỀ KHUẾCH TÁN TRONG CÁC HỆ MẤT TRẬT TỰ VÀ TÍNH CHẤT ĐỘNG HỌC TRONG CHẤT LỚNG CẤU TRÚC MẠNG

1.1. Khuếch tán trong hệ mất trật tự

1.2. Các mô hình khuếch tán trong hệ mất trật tự

1.3. Mô phỏng khuếch tán trong lưới mất trật tự

1.4. Các hệ chất lỏng cấu trúc mạng

1.5. Động học trong chất lỏng cấu trúc mạng

1.6. Hiện tượng không đồng nhất động học

1.7. Tính đa thù hình

1.8. Khuếch tán dị thường

1.9. Hiệu ứng tương quan

2. MÔ PHỎNG KHUẾCH TÁN TRÊN LƯỚI MẤT TRẬT TỰ

2.1. Phương pháp Monte Carlo động

2.2. Thuật toán Monte Carlo động

2.3. Mô phỏng khuếch tán trên lưới mất trật tự

2.4. Khuếch tán trên lưới mất trật tự

2.5. Khuếch tán một hạt

2.6. Khuếch tán nhiều hạt

3. MÔ PHỎNG KHUẾCH TÁN TRONG SiO2 LỚNG

3.1. Phương pháp động lực học phân tử và xây dựng mô hình SiO2 lỏng

3.2. Thuật toán động lực học phân tử

3.3. Xây dựng mô hình SiO2 lỏng

3.4. Khảo sát mô hình SiO2 lỏng ở nhiệt độ và áp suất khác nhau

3.5. Mô hình SiO2 lỏng ở nhiệt độ khác nhau

3.6. Mô hình SiO2 lỏng ở các áp suất khác nhau

4. HIỆU ỨNG TƯƠNG QUAN ĐỐI VỚI ĐỘNG HỌC TRONG SiO2 LỚNG

4.1. Động học theo cơ chế chuyển đổi các đơn vị cấu trúc

4.2. Cơ chế chuyển đổi các đơn vị cấu trúc

4.3. Biểu thức tính hệ số khuếch tán

4.4. Các hiện tượng động học

4.5. Hiện tượng không đồng nhất động học

4.6. Khuếch tán dị thường trong SiO2 lỏng

4.7. Tính đa thù hình

DANH MỤC CÔNG TRÌNH

TÀI LIỆU THAM KHẢO

Tóm tắt

I. Tổng quan về Luận văn Thạc sĩ và Khuếch tán trong Vật liệu vô định hình

Luận văn thạc sĩ tập trung nghiên cứu cơ chế khuếch tán trong vật liệu vô định hình, một lĩnh vực quan trọng trong khoa học vật liệu. Các vật liệu vô định hình không có cấu trúc tinh thể trật tự xa, điều này dẫn đến những đặc tính khuếch tán khác biệt so với vật liệu tinh thể. Nghiên cứu này có ý nghĩa lớn trong việc hiểu rõ động học khuếch tán ở cấp độ nguyên tử, từ đó mở ra khả năng ứng dụng trong nhiều lĩnh vực công nghệ. Các phương pháp nghiên cứu khuếch tán như mô phỏng Monte Carlo động và động lực học phân tử (ĐLHPT) được sử dụng để phân tích chi tiết các cơ chế khuếch tán và ảnh hưởng của các yếu tố như nhiệt độ, áp suất lên quá trình này. Luận văn cũng xem xét đến hiệu ứng tương quan, một yếu tố quan trọng ảnh hưởng đến tốc độ và hướng của khuếch tán trong vật liệu vô định hình. Hiểu biết sâu sắc về cơ chế khuếch tán này có thể giúp tối ưu hóa quá trình sản xuất và cải thiện hiệu suất của các thiết bị điện tử, quang học, và cơ khí sử dụng vật liệu vô định hình. Ngoài ra, nghiên cứu này cũng góp phần vào việc phát triển các vật liệu mới với những đặc tính khuếch tán được điều chỉnh theo yêu cầu. Các khái niệm như năng lượng hoạt hóa khuếch tán, hệ số khuếch tán, và các loại khuếch tán dị thể đóng vai trò then chốt trong phân tích và mô tả cơ chế khuếch tán. Việc ứng dụng các mô hình lý thuyết và phương pháp mô phỏng cho phép nghiên cứu chi tiết các yếu tố ảnh hưởng đến khuếch tán, từ đó đưa ra những kết luận có giá trị về động học khuếch tán trong vật liệu vô định hình. Kết quả nghiên cứu này có thể được sử dụng để phát triển các ứng dụng thực tiễn, đồng thời mở ra hướng nghiên cứu mới trong lĩnh vực khoa học vật liệu. Luận án cũng đề cập đến các công cụ phân tích như phân tích XRDphân tích TEM, rất quan trọng trong việc xác định cấu trúc và tính chất của vật liệu vô định hình. Vật liệu Amorphous như kính và hợp kim vô định hình cũng được nghiên cứu để hiểu rõ hơn về cơ chế khuếch tán trong các cấu trúc này.

1.1. Tầm quan trọng của việc nghiên cứu Khuếch tán

Nghiên cứu khuếch tán có vai trò quan trọng trong việc hiểu rõ tính chất và ứng dụng của vật liệu vô định hình. Quá trình khuếch tán ảnh hưởng trực tiếp đến độ bền, tính dẫn điện, tính quang học và nhiều đặc tính khác của vật liệu. Việc kiểm soát và điều chỉnh cơ chế khuếch tán có thể giúp cải thiện hiệu suất và tuổi thọ của các thiết bị sử dụng vật liệu vô định hình, như pin mặt trời, cảm biến, và linh kiện điện tử. Nghiên cứu khuếch tán cũng đóng vai trò quan trọng trong việc phát triển các vật liệu mới với những đặc tính khuếch tán được điều chỉnh theo yêu cầu. Đặc biệt, việc tìm hiểu động học khuếch tán ở cấp độ nguyên tử giúp tối ưu hóa quá trình sản xuất và chế tạo vật liệu vô định hình với chất lượng cao và chi phí thấp. Sự hiểu biết về năng lượng hoạt hóa khuếch tán giúp dự đoán tốc độ khuếch tán và lựa chọn vật liệu phù hợp cho các ứng dụng cụ thể. Khuếch tán bề mặt cũng là một khía cạnh quan trọng cần được nghiên cứu để cải thiện tính chất của vật liệu vô định hình.

1.2. Các Vật liệu vô định hình phổ biến Kính và Hợp kim VĐH

Vật liệu vô định hình bao gồm nhiều loại vật liệu khác nhau, trong đó kínhhợp kim vô định hình là hai loại phổ biến nhất. Kính được sử dụng rộng rãi trong xây dựng, quang học, và điện tử, nhờ vào tính trong suốt, độ bền hóa học, và khả năng cách điện tốt. Hợp kim vô định hình có độ bền cao, tính đàn hồi tốt, và khả năng chống ăn mòn vượt trội, nên được ứng dụng trong các thiết bị y tế, linh kiện điện tử, và vật liệu cấu trúc. Nghiên cứu cơ chế khuếch tán trong kínhhợp kim vô định hình giúp tối ưu hóa quá trình sản xuất và cải thiện các đặc tính của vật liệu, từ đó mở rộng phạm vi ứng dụng của chúng. Ví dụ, việc kiểm soát khuếch tán dị thể trong hợp kim vô định hình có thể cải thiện tính chất cơ học và từ tính của vật liệu. Các polyme vô định hình cũng là một lĩnh vực quan trọng, với ứng dụng trong bao bì, y tế, và nhiều ngành công nghiệp khác. Hiểu rõ động học khuếch tán trong các polyme vô định hình giúp cải thiện độ bền và khả năng chịu nhiệt của chúng.

II. Vấn đề và Thách thức trong nghiên cứu Cơ chế khuếch tán Vật liệu vô định hình

Nghiên cứu cơ chế khuếch tán trong vật liệu vô định hình đối mặt với nhiều vấn đề và thách thức. Thứ nhất, cấu trúc không trật tự của vật liệu vô định hình gây khó khăn trong việc xác định các vị trí và đường đi khuếch tán. Thứ hai, các phương pháp thực nghiệm thường chỉ cung cấp thông tin vĩ mô về hệ số khuếch tán, mà không thể hiện chi tiết động học khuếch tán ở cấp độ nguyên tử. Thứ ba, các mô hình lý thuyết đơn giản thường không thể mô tả đầy đủ các tương tác phức tạp giữa các nguyên tử trong vật liệu vô định hình. Để giải quyết những thách thức này, cần phải kết hợp các phương pháp mô phỏng tiên tiến, như ĐLHPT và Monte Carlo, với các kỹ thuật thực nghiệm hiện đại, như nhiễu xạ tia X và kính hiển vi điện tử truyền qua (TEM). Việc phát triển các mô hình lý thuyết chính xác hơn, có khả năng mô tả các tương tác đa nguyên tử và hiệu ứng tương quan, cũng là một hướng đi quan trọng. Ngoài ra, việc nghiên cứu khuếch tán dị thểkhuếch tán bề mặt đòi hỏi các kỹ thuật phân tích đặc biệt, có độ nhạy cao với các thay đổi cấu trúc và thành phần ở quy mô nano. Sự phức tạp của cơ chế khuếch tán trong vật liệu vô định hình cũng đòi hỏi sự hợp tác chặt chẽ giữa các nhà khoa học vật liệu, vật lý, hóa học, và kỹ thuật.

2.1. Khó khăn trong xác định cấu trúc của Vật liệu VĐH

Cấu trúc không trật tự của vật liệu vô định hình gây khó khăn trong việc xác định vị trí và đường đi khuếch tán. Các phương pháp nhiễu xạ chỉ cung cấp thông tin trung bình về cấu trúc, mà không thể hiện chi tiết sự sắp xếp của các nguyên tử ở cấp độ địa phương. Điều này làm cho việc xác định các vị trí ưu tiên cho khuếch tánnăng lượng hoạt hóa khuếch tán trở nên khó khăn hơn. Việc sử dụng các kỹ thuật mô phỏng như ĐLHPT và Monte Carlo có thể giúp giải quyết vấn đề này, bằng cách tạo ra các mô hình cấu trúc chi tiết và mô phỏng quá trình khuếch tán ở cấp độ nguyên tử. Các kỹ thuật phân tích như phân tích XRDphân tích TEM có thể cung cấp thêm thông tin về cấu trúc địa phương và các khuyết tật trong vật liệu vô định hình.

2.2. Hạn chế của phương pháp thực nghiệm trong nghiên cứu Khuếch tán

Các phương pháp thực nghiệm thường chỉ cung cấp thông tin vĩ mô về hệ số khuếch tán, mà không thể hiện chi tiết động học khuếch tán ở cấp độ nguyên tử. Các kỹ thuật đo hệ số khuếch tán thường đòi hỏi thời gian dài và điều kiện thí nghiệm khắc nghiệt, điều này có thể ảnh hưởng đến cấu trúc và tính chất của vật liệu vô định hình. Việc sử dụng các phương pháp mô phỏng có thể giúp bổ sung thông tin chi tiết về cơ chế khuếch tán, bằng cách mô phỏng quá trình này ở cấp độ nguyên tử và phân tích các yếu tố ảnh hưởng đến tốc độ và hướng khuếch tán. Các kỹ thuật thực nghiệm như phân tích TEM có thể cung cấp hình ảnh trực tiếp về quá trình khuếch tán ở quy mô nano, giúp xác nhận và bổ sung thông tin từ các mô phỏng.

III. Mô phỏng Khuếch tán Phương pháp tiếp cận chính trong Luận văn Thạc sĩ

Luận văn thạc sĩ sử dụng phương pháp mô phỏng khuếch tán làm phương pháp tiếp cận chính để nghiên cứu cơ chế khuếch tán trong vật liệu vô định hình. Các phương pháp mô phỏng, như ĐLHPT và Monte Carlo, cho phép tạo ra các mô hình cấu trúc chi tiết và mô phỏng quá trình khuếch tán ở cấp độ nguyên tử. Phương pháp ĐLHPT sử dụng các phương trình Newton để mô tả chuyển động của các nguyên tử, dựa trên các thế tương tác đã biết. Phương pháp Monte Carlo sử dụng các thuật toán ngẫu nhiên để mô phỏng quá trình khuếch tán, dựa trên các xác suất chuyển động được xác định. Kết hợp cả hai phương pháp này có thể cung cấp một cái nhìn toàn diện về cơ chế khuếch tán trong vật liệu vô định hình, từ đó đưa ra những kết luận có giá trị về động học khuếch tán và các yếu tố ảnh hưởng đến quá trình này. Các mô hình khuếch tán như Fick's laws of diffusion và các kỹ thuật mô phỏng như molecular dynamics simulationMonte Carlo simulation được sử dụng để mô tả và phân tích quá trình khuếch tán.

3.1. Ứng dụng Động lực học phân tử ĐLHPT trong mô phỏng

Phương pháp ĐLHPT được sử dụng để mô phỏng chuyển động của các nguyên tử trong vật liệu vô định hình, dựa trên các thế tương tác đã biết. Phương pháp này cho phép tính toán các quỹ đạo của các nguyên tử theo thời gian, từ đó xác định hệ số khuếch tán và các đặc tính khác của khuếch tán. Việc lựa chọn thế tương tác phù hợp là rất quan trọng để đảm bảo độ chính xác của các kết quả mô phỏng. Các kết quả mô phỏng ĐLHPT có thể được so sánh với các kết quả thực nghiệm để kiểm tra tính đúng đắn của các mô hình và thế tương tác. Phương pháp này giúp hiểu rõ cơ chế khuếch tán ở cấp độ nguyên tử và tác động của nhiệt độ và áp suất.

3.2. Sử dụng Monte Carlo Simulation để nghiên cứu Khuếch tán

Phương pháp Monte Carlo sử dụng các thuật toán ngẫu nhiên để mô phỏng quá trình khuếch tán, dựa trên các xác suất chuyển động được xác định. Phương pháp này cho phép mô phỏng các quá trình khuếch tán phức tạp, như khuếch tán dị thểkhuếch tán bề mặt, mà không cần phải tính toán quỹ đạo của từng nguyên tử. Phương pháp Monte Carlo đặc biệt hữu ích khi nghiên cứu khuếch tán trong các hệ có nhiều thành phần và tương tác phức tạp. Các kết quả mô phỏng Monte Carlo có thể cung cấp thông tin về hệ số khuếch tán, năng lượng hoạt hóa, và các yếu tố ảnh hưởng đến quá trình khuếch tán. Phương pháp này giúp hiểu rõ tác động của cấu trúc vật liệu lên quá trình khuếch tán.

IV. Phân tích Cơ chế Khuếch tán trong SiO2 lỏng Nghiên cứu điển hình của Luận văn

Luận văn thạc sĩ tập trung vào phân tích cơ chế khuếch tán trong SiO2 lỏng làm một nghiên cứu điển hình về vật liệu vô định hình. SiO2 lỏng là một oxit thủy tinh quan trọng, được sử dụng rộng rãi trong nhiều ứng dụng công nghệ. Nghiên cứu khuếch tán trong SiO2 lỏng giúp hiểu rõ quá trình tạo thành và tính chất của thủy tinh, cũng như các ứng dụng của nó trong điện tử, quang học, và cơ khí. Các phương pháp mô phỏng, như ĐLHPT và Monte Carlo, được sử dụng để phân tích chi tiết cơ chế khuếch tán của các nguyên tử Si và O trong SiO2 lỏng, cũng như ảnh hưởng của nhiệt độ, áp suất, và thành phần hóa học lên quá trình này. Các nghiên cứu về diffusion mechanisms in glasses được áp dụng để hiểu rõ hơn về khuếch tán trong SiO2 lỏng. Sự hiểu biết về cơ chế khuếch tán trong SiO2 lỏng có thể giúp tối ưu hóa quá trình sản xuất thủy tinh và cải thiện các đặc tính của vật liệu.

4.1. Tầm quan trọng của SiO2 lỏng trong khoa học và công nghệ

SiO2 lỏng là một oxit thủy tinh quan trọng, được sử dụng rộng rãi trong nhiều ứng dụng công nghệ. Nó là thành phần chính của nhiều loại thủy tinh thương mại, và được sử dụng trong sản xuất sợi quang, linh kiện điện tử, và vật liệu chịu nhiệt. Nghiên cứu cấu trúccơ chế khuếch tán trong SiO2 lỏng giúp hiểu rõ quá trình tạo thành và tính chất của thủy tinh, cũng như các ứng dụng của nó trong các lĩnh vực khác nhau. Hiểu rõ động học khuếch tán trong SiO2 lỏng giúp cải thiện các quy trình sản xuất và chế tạo. Đặc biệt, các ứng dụng vật liệu vô định hình từ SiO2 lỏng mở ra nhiều tiềm năng trong công nghệ.

4.2. Mô phỏng và phân tích cơ chế khuếch tán của Si và O

Các phương pháp mô phỏng, như ĐLHPT và Monte Carlo, được sử dụng để phân tích chi tiết cơ chế khuếch tán của các nguyên tử Si và O trong SiO2 lỏng. Các kết quả mô phỏng cho thấy cơ chế khuếch tán của Si và O khác nhau, do sự khác biệt về kích thước và điện tích của các nguyên tử. Nguyên tử Si thường khuếch tán thông qua việc phá vỡ và tái tạo các liên kết Si-O, trong khi nguyên tử O khuếch tán thông qua việc nhảy giữa các vị trí trống trong mạng lưới SiO2. Việc phân tích năng lượng hoạt hóa khuếch tánhệ số khuếch tán của Si và O giúp hiểu rõ các yếu tố ảnh hưởng đến quá trình khuếch tán trong SiO2 lỏng. Self-diffusion, interstitial diffusion, và vacancy diffusion cũng là các khía cạnh quan trọng trong việc nghiên cứu cơ chế khuếch tán của Si và O trong SiO2 lỏng.

V. Kết quả và Ứng dụng Luận văn Thạc sĩ về Vật liệu vô định hình

Luận văn thạc sĩ đã đạt được những kết quả quan trọng trong việc nghiên cứu cơ chế khuếch tán trong vật liệu vô định hình. Các kết quả mô phỏng đã cung cấp thông tin chi tiết về động học khuếch tán ở cấp độ nguyên tử, cũng như ảnh hưởng của các yếu tố như nhiệt độ, áp suất, và thành phần hóa học lên quá trình này. Các kết quả này có thể được sử dụng để tối ưu hóa quá trình sản xuất và cải thiện hiệu suất của các thiết bị sử dụng vật liệu vô định hình, như pin mặt trời, cảm biến, và linh kiện điện tử. Nghiên cứu này cũng góp phần vào việc phát triển các vật liệu mới với những đặc tính khuếch tán được điều chỉnh theo yêu cầu. Các nghiên cứu về diffusion mechanisms in amorphous alloys cung cấp thông tin về việc kiểm soát khuếch tán trong các hệ phức tạp. Việc áp dụng các mô hình diffusion mechanisms in glasses cũng giúp hiểu rõ hơn về hành vi của vật liệu vô định hình.

5.1. Tiềm năng ứng dụng của Vật liệu Vô định hình trong công nghệ

Vật liệu vô định hình có tiềm năng ứng dụng rất lớn trong nhiều lĩnh vực công nghệ, nhờ vào những đặc tính độc đáo của chúng. Hợp kim vô định hình có độ bền cao, tính đàn hồi tốt, và khả năng chống ăn mòn vượt trội, nên được ứng dụng trong các thiết bị y tế, linh kiện điện tử, và vật liệu cấu trúc. Thủy tinh vô định hình có tính trong suốt, độ bền hóa học, và khả năng cách điện tốt, nên được sử dụng trong xây dựng, quang học, và điện tử. Nghiên cứu cơ chế khuếch tán trong vật liệu vô định hình giúp tối ưu hóa quá trình sản xuất và cải thiện các đặc tính của vật liệu, từ đó mở rộng phạm vi ứng dụng của chúng trong các lĩnh vực khác nhau. Ứng dụng vật liệu vô định hình có thể mang lại nhiều đột phá trong công nghệ.

5.2. Hướng phát triển tiếp theo trong nghiên cứu Khuếch tán

Nghiên cứu cơ chế khuếch tán trong vật liệu vô định hình vẫn còn nhiều hướng phát triển tiếp theo. Cần phải phát triển các mô hình lý thuyết chính xác hơn, có khả năng mô tả các tương tác đa nguyên tử và hiệu ứng tương quan. Việc sử dụng các kỹ thuật mô phỏng tiên tiến hơn, như các phương pháp tính toán lượng tử, có thể cung cấp thông tin chi tiết hơn về động học khuếch tán ở cấp độ điện tử. Ngoài ra, cần phải kết hợp các phương pháp mô phỏng với các kỹ thuật thực nghiệm hiện đại, như nhiễu xạ tia X và kính hiển vi điện tử truyền qua, để xác nhận và bổ sung thông tin từ các mô phỏng. Các nghiên cứu về grain boundary diffusion và các loại khuếch tán khác cũng là một hướng đi quan trọng trong nghiên cứu cơ chế khuếch tán.

VI. Kết luận Luận văn Thạc sĩ và Tương lai của Nghiên cứu Vật liệu VĐH

Luận văn thạc sĩ đã đóng góp vào sự hiểu biết về cơ chế khuếch tán trong vật liệu vô định hình. Các kết quả mô phỏng đã cung cấp thông tin chi tiết về động học khuếch tán ở cấp độ nguyên tử, cũng như ảnh hưởng của các yếu tố khác nhau lên quá trình này. Nghiên cứu này mở ra nhiều hướng phát triển tiếp theo trong việc nghiên cứu và ứng dụng vật liệu vô định hình. Hiểu rõ cơ chế khuếch tán giúp kiểm soát và điều chỉnh tính chất vật liệu. Nghiên cứu cũng mở ra tiềm năng lớn cho phát triển và ứng dụng các vật liệu vô định hình mới.

6.1. Tổng kết những đóng góp chính của Luận văn

Luận văn đã làm rõ cơ chế khuếch tán trong vật liệu vô định hình thông qua mô phỏng. Các kết quả nghiên cứu làm tăng hiểu biết về vật liệu và ứng dụng tiềm năng của chúng. Đặc biệt, luận văn cung cấp thông tin chi tiết về động học khuếch tán và các yếu tố quan trọng ảnh hưởng tới quá trình này, góp phần vào phát triển các vật liệu tiên tiến.

6.2. Hướng nghiên cứu tiếp theo và tiềm năng trong tương lai

Nghiên cứu về vật liệu vô định hình còn nhiều tiềm năng phát triển. Các hướng nghiên cứu bao gồm phát triển mô hình lý thuyết chính xác hơn, sử dụng các phương pháp tính toán lượng tử, và kết hợp mô phỏng với thực nghiệm. Việc nghiên cứu sâu hơn về cơ chế khuếch tán trong các vật liệu này có thể mang lại nhiều đột phá trong khoa học vật liệu và công nghệ.

16/08/2025

Trích đoạn nội dung tài liệu

Chương 1. TỔNG QUAN VỀ KHUẾCH TÁN TRONG CÁC HỆ MẤT TRẬT TỰ VÀ TÍNH CHẤT ĐỘNG HỌC TRONG CHẤT LỎNG CẤU TRÚC MẠNG Hiện nay, sự phát triển của công nghệ thông tin đã thúc đẩy mô phỏng trở thành công cụ hữu hiệu trong các vấn đề nghiên cứu thuộc cả lĩnh vực đời sống và khoa học. Trong đó, đối với khoa học vật liệu nói riêng, nhờ phương pháp mô phỏng nên các nghiên cứu cấu trúc vi mô, tính chất đặc trưng của các loại vật liệu trở nên dễ dàng thực hiện. Các kết quả mô phỏng thu được sẽ góp phần dự báo tính chất, hỗ trợ cho quá trình sản xuất, chế tạo vật liệu mới.

Trong nghiên cứu về cơ chế khuếch tán, sử dụng phương pháp mô phỏng rộng rãi đã góp phần nâng cao, cải thiện đáng kể những hiểu biết về bản chất cũng như cơ chế khuếch tán xảy ra trong các hệ mất trật tự. Cụ thể, những năm gần đây một loạt các công trình mô phỏng khuếch tán hệ mất trật tự đã được công bố [65,15,72,77,75]. Tuy nhiên, còn nhiều khía cạnh nghiên cứu chưa được tường minh như: cơ chế khuếch tán, cách thức xảy ra khuếch tán và các nhân tố chi phối quá trình khuếch tán…, vì vậy đòi hỏi cần có nghiên cứu tiếp theo. Để có được một hiểu biết cụ thể tổng quát về các nội dung sẽ nghiên cứu, phần tổng quan này chúng tôi sẽ trình bày những hiểu biết về hệ mất trật tự, khuếch tán trong hệ mất trật tự và khuếch tán trong hệ thực cụ thể là chất lỏng có cấu trúc mạng SiO2.

Các tính chất động học và ảnh hưởng của hiệu ứng tương quan đến quá trình khuếch tán cũng được trình bày chi tiết. Khuếch tán trong hệ mất trật tự Cấu trúc tinh thể là cấu trúc có tính trật tự xa, có nghĩa là tính chất sắp xếp tuần hoàn có mặt ở trong độ dài rất lớn so với hằng số mạng tinh thể. Cấu trúc vô định hình (VĐH) là cấu trúc mất trật tự, nhưng về mặt thực chất, nó vẫn mang tính trật tự nhưng trong phạm vi rất hẹp, gọi là trật tự gần. 13 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.

Các mô hình khuếch tán trong hệ mất trật tự. Dựa trên mỗi tính chất vật lý cần nghiên cứu sẽ có một mô hình mất trật tự tương ứng được thiết lập. Do đó đã có nhiều mô hình mất trật tự được đưa ra. Cụ thể: mô hình lưới có tần suất chuyển tiếp mất trật tự [41] (các mô hình lý tưởng), các mô hình lưới trật tự với tần suất chuyển tiếp đồng đều [70].

Hay mô hình mất trật tự mới như: mô hình thấm dùng để mô tả quá trình thấm qua môi trường xốp hoặc màng mỏng của chất lỏng; mô hình mô tả theo cấu trúc “fractal” [22], hay mô hình Sinai có độ dịch chuyển trung bình tỷ lệ với thời gian theo quy luật dị thường (tỷ lệ với hàm logarit bình phương của thời gian). Tuy nhiên, trong lý thuyết khi khảo sát sự chuyển động của các hạt trong lưới mất trật tự, ngưởi ta thường dùng lưới mất trật tự có sự mất trật tự được gán vào tần suất chuyển dịch giữa các vị trí (hay nói cách khác là lưới này có xác suất chuyển dịch giữa các vị trí là khác nhau, nguyên nhân là do sự mất trật tự của lưới gây nên). Do đó, các mô hình mất trật tự khi xây dựng thường chỉ xét sự mất trật tự năng lượng, mà không xét đến sự mất trật tự về mặt hình học. Đây là một cách tiếp cận nhằm đơn giản hóa quá trình khảo sát.

Khi mô phỏng cần khảo sát hệ mất trật tự về cả mặt hình học và năng lượng, ta sẽ bổ sung một thông số đặc trưng cho sự mất trật tự hình học vào hệ mất trật tự đã có. Sau đây, chúng tôi sẽ trình bày chi tiết về một số mô hình mất trật tự đơn giản thường gặp trong các nghiên cứu. - Mô hình rào thế ngẫu nhiên (random barrier-RB) Sự mất trật tự trong mô hình rào thế ngẫu nhiên là do năng lượng chuyển tiếp Ei,i+1 [35,6]. Mức độ mất trật tự của mô hình được xác định bởi mức độ mất trật tự của năng lượng rào thế ngẫu nhiên Ei,i+1.1 mô tả mô hình rào thế ngẫu nhiên.

Tần suất dịch chuyển giữa hai vị trí lân cận i và i+1 có giá trị như nhau: 14 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.1) do hạt nhảy từ vị trí i sang i+1 và ngược lại có cùng một độ cao rào thế Ei,i+1. Trong mô hình này, năng lượng chuyển tiếp Ei,i+1 được phân bố theo hàm νB(E). Sự kích hoạt nhiệt thường được cho là nguyên nhân của quá trình vật lý dẫn đến chuyển dịch các hạt trong hệ. Dạng đơn giản nhất của quá trình này tuân theo định luật Arrhenius.

Tần suất hạt nhảy từ vị trí i sang vị trí lân cận i+1: Ei ,i1 i ,i 1   0 .2) k BT Với Ei,i+1 ≥0 ( Ei,i+1 là độ cao rào thế). - Mô hình năng lượng vị trí ngẫu nhiên (Mô hình bẫy ngẫu nhiên) Một mô hình mất trật tự khác là mô hình năng lượng vị trí ngẫu nhiên (bẫy ngẫu nhiên) [86, 87]. Trong mô hình bẫy ngẫu nhiên, hạt sẽ không định xứ tại một vị trí (các bẫy) lâu dài mà sẽ dịch chuyển sang vị trí lân cận. Tuy nhiên, tần suất nhảy của hạt sang vị trí lân cận chỉ phụ thuộc vào vị trí ban đầu lưu trú, hoàn toàn không phụ thuộc vào vị trí lân cận hạt nhảy tới.

Tần suất nhảy của hạt giữa hai vị trí lân cận i và i+1 được xác định bởi công thức Ei i ,i 1  0 .exp( ) , với Ei ≤ 0 (1.3) k BT Năng lượng vị trí Ei có giá trị âm, chỉ độ sâu của bẫy được xác định bởi một hàm phân bố νT(E). Mô hình mất trật tự năng lượng vị trí được minh họa như hình 1.2 - Mô hình kết hợp mô hình năng lượng vị trí và rào thế ngẫu nhiên Trong mô hình kết hợp [40] cả năng lượng vị trí Ei và năng lượng chuyển tiếp Ei,i+1 có giá trị độc lập, không phụ thuộc lẫn nhau và lần lượt có phân bố tương ứng theo hàm νT(E), νB(E). Tần suất giữa hai bước nhảy liên tiếp của hạt cho bởi công thức 15 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com Ei ,i1  Ei i ,i 1   0 .4) k BT Đồ thị mô tả sự phân bố năng lượng trong mô hình tổng hợp như hình 1. Lưu ý rằng tất cả các năng lượng này đều có gốc năng lượng E=0.

- Mô hình bị chặn ngẫu nhiên (Randomly blocked sites - RBS) Mô hình bị chặn ngẫu nhiên [35] có đặc điểm như sau: trên lưới có các vị trí bị chặn được gieo ngẫu nhiên với xác suất 1-p, và các hạt không thể nhảy vào các vị trí này bị chặn này. Quá trình nhảy của các hạt đến các vị trí bất kỳ của lưới được cho là thành công nếu vị trí đó là mở (cho phép các hạt nhảy vào) không phải là các vị trí bị chặn ngẫu nhiên trên lưới. Ngược lại nếu vị trí hạt nhảy đến là đóng (vị trí chặn ngẫu nhiên) thì hạt nhảy không thành công và ở lại vị trí cũ (hiệu ứng che chắn). Trong trường hợp này xác suất nhảy của nguyên tử sẽ là (1-p) với p là xác suất các vị trí đã bị chiếm chỗ.

Do vậy một bước nhảy từ i tới i+1 trong mô hình này sẽ có tần suất chuyển tiếp Γi,i+1= Γ nếu vị trí i+1 là vị trí mở và Γji= 0 nếu vị trí i+1 là vị trí chắn (đóng). Mô hình này được minh họa như hình 1. - Mô hình Miller và Abrahams (MA). Đối với mô hình MA [35] (Hình 1.5), tần suất chuyển dịch của các hạt đến vị trí lân cận có cùng một giá trị nếu năng lượng vị trí hạt chuyển đến nhỏ hơn năng lượng vị trí ban đầu của hạt.

Trong khi, sự dịch chuyển đến các vị trí có năng lượng cao hơn sẽ phụ thuộc vào nhiệt kích hoạt.  0 Ei1  E i  i ,i 1   Ei  Ei1 (1.exp( ) Ei 1  E i  k BT Mô hình này mô tả sự chuyển dịch của điện tử hoặc lỗ trống trong bán dẫn vô định hình. Đối với mô hình này, trong tần suất chuyển dịch xuất hiện thừa số 16 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com phụ thuộc khoảng cách. Nguyên nhân là nhằm hạn chế để hạt chuyển dịch trong lân cận gần nhất.1 Mô hình năng lượng rào thế ngẫu nhiên Hình 1.2 Mô hình năng lượng vị trí ngẫu nhiên Hình 1.

Mô hình kết hợp mô hình năng lượng vị trí và rào thế ngẫu nhiên 17 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail. Mô hình bị chặn ngẫu nhiên Hình 1. Mô hình Miller và Abrahams 18 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail. Mô phỏng khuếch tán trong lưới mất trật tự.

a, Khuếch tán trong hệ mất trật tự lý thuyết - Trường hợp một hạt. Trong các mô hình mất trật tự lý thuyết, hệ số khuếch tán cho trường hợp một hạt đã được xác định một cách rõ ràng, chi tiết. Cụ thể, mô hình mất trật tự rào thế ngẫu nhiên, trường hợp một chiều, hệ số khuếch tán có giá trị tính theo công thức 1 1  D  (1.6)   Với Γ là tần suất chuyển dịch. Tuy nhiên, khi số chiều lớn hơn, khuếch tán trong mô hình mất trật tự rào thế ngẫu nhiên có thể lấy giá trị gần đúng.

Phương pháp sử dụng phổ biến trong trường hợp này là gần đúng hiệu dụng trung bình (the effective medium approximation - EAM). Tần suất dịch chuyển hiệu dụng được xác định từ [27]     eff    z2 0 (1.7)   eff     2  Trong đó, z là số phối trí. Thông thường, nếu ảnh hưởng mất trật tự không lớn, phương pháp gần đúng hiệu dụng trung bình cho giá trị hệ số khuếch tán chuẩn xác và phù hợp [23]. Một cách đánh giá khác về hệ số khuếch tán được tính thông qua phương pháp đường tới hạn (CP) đề xuất bởi Ambegaokar, Halperin, và Langer [109].

Trong phương pháp này, đường từ một mặt này tới một mặt khác của lưới lớn được coi như vượt qua năng lượng rào thế thấp nhất có thể. Năng lượng rào thế lớn nhất xác định hệ số khuếch tán tiệm cận. Phương pháp đường tiệm cận này được đánh giá là một phương pháp phù hợp với tính toán cho hệ 3 chiều 19 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com có mức độ mất trật tự cao [104]. Đối với các lưới ô vuông, hai phương pháp gần đúng hiệu dụng trung bình và trường tiệm cận có phân bố không giống nhau về năng lượng kích hoạt từ 0 đến Ec cho cùng một kết quả.

Nội dung được bảo vệ bản quyền — Tải xuống đầy đủ