Chương 1. Tổng quan về hướng nghiên cứu Trong chương này, tác giả trình bày những thông tin tổng quan về vật liệu nhiệt điện. Các đặc trưng cấu trúc tinh thể và tính chất của vật liệu SnSe và SnS. Cơ sở thực nghiệm Trong chương này, tác giả trình bày tổng quan về phương pháp chế tạo vật liệu đơn tinh thể SnSe, SnS và hợp chất lai hóa giữa hai loại vật liệu này.
Ngoài ra tác giả cũng giới thiệu về các phương pháp khảo sát cấu trúc, hình thái, tính chất nhiệt điện của các vật liệu chế tạo. Kết quả và thảo luận Trong chương này, tác giả trình bày về các kết quả khảo sát về đặc trưng cấu trúc, hình thái, độ dẫn điện, hệ số Seebeck, nồng độ hạt tải, power factor,… của 03 hệ mẫu chế tạo được. Phân tích các kết quả và biện luận, giải thích các kết quả thực nghiệm. Kết luận: Phần này tác giả tổng kết lại tất cả các kết quả khảo sát được của luận văn, những kết luận khoa học và những hướng đề xuất tiếp theo.
TỔNG QUAN VỀ HƯỚNG NGHIÊN CỨU 1. Hiệu ứng nhiệt điện Hiệu ứng nhiệt điện là một đặc trưng của vật liệu trong đó nó có thể trực tiếp chuyển đổi từ sự chênh lệch nhiệt độ ở hai đầu thanh vật liệu thành điện thế và ngược lại. Một thiết bị nhiệt điện tạo ra một điện áp khi có sự chênh lệch nhiệt độ ở hai đầu thiết bị. Ngược lại, khi một điện áp được đặt vào nó, nhiệt được truyền từ bên này sang bên kia, tạo ra sự chênh lệch nhiệt độ.
Ở quy mô nguyên tử, một gradient nhiệt độ đặt vào vật liệu sẽ làm cho các hạt mang điện trong vật liệu khuếch tán từ phía nóng sang phía lạnh. Hiệu ứng này có thể được sử dụng để tạo ra điện, đo nhiệt độ hoặc thay đổi nhiệt độ của các vật thể. Do hướng gia nhiệt và làm mát được xác định bởi độ phân cực của điện áp đặt vào, do đó, các thiết bị nhiệt điện có thể được sử dụng làm bộ điều khiển nhiệt độ. Hiệu ứng nhiệt điện có ba loại là Hiệu ứng Seebeck, Hiệu ứng Peltier và hiệu ứng Thomson.
Hiệu ứng Seebeck Hiệu ứng Seebeck là sự chuyển đổi trực tiếp nhiệt thành điện tại điểm nối của các loại dây khác nhau. Hiệu ứng này được phát hiện lần đầu tiên vào năm 1794 và được nhà vật lý người Đức là Thomas Johann Seebeck kiểm chứng lại vào năm 1821 do đó người ta lấy tên ông để đặt cho hiệu ứng này. Seebeck quan sát thấy rằng kim la bàn sẽ bị lệch bởi một vòng khép kín được hình thành bởi hai kim loại khác nhau được nối ở hai đầu, khi có sự chênh lệch nhiệt độ giữa các khớp. Điều này được cho là do mức năng lượng điện tử trong mỗi kim loại thay đổi khác nhau và sự khác biệt của thế năng giữa các mối nối tạo ra một dòng điện và do đó sinh ra một từ trường xung quanh các dây dẫn.
Ở thời điểm đó, Seebeck không nhận ra rằng có một dòng điện liên quan, vì vậy ông gọi hiện tượng này là "hiệu ứng từ nhiệt". Tiếp đến, Nhà vật lý người 7 Đan Mạch Hans Christian đã kiểm chứng lại điều này và đặt ra thuật ngữ "nhiệt điện". Suất điện động nhiệt điện tạo ra trên vật liệu khi có một gradient nhiệt T ở hai đầu của vật liệu được xác định bằng biểu thức: E = - ST (1.1) Trong đó S là hệ số Seebeck của vật liệu. Nó phụ thuộc vào đặc tính của vật liệu.
Tùy theo từng loại vật liệu mà giá trị của Seebeck khác nhau. Chẳng hạn như ở kim loại, giá trị Seebeck thường thấp hơn ở bán dẫn. Hiệu ứng Peltier Năm 1834, Nhà vật lý người Pháp - Jean Charles Athanase Peltier đã khám phá ra rằng khi một dòng điện chạy qua một mối tiếp xúc giữa 2 kim loại A và B, nhiệt sẽ được sinh ra hoặc mất đi tại vị trí tiếp xúc. Người ta lấy tên của ông để đặt cho hiệu ứng này – Hiệu ứng Peltier.
Nhiệt Peltier được tạo ra tại vị trí tiếp xúc được xác định bằng biểu thức: 𝑄̇ = (Π𝐴 − Π𝐵 )𝐼 (1.2) Trong đó: Π𝐴 và Π𝐵 là các hệ số Peltier của vật dẫn A và B. Các hệ số này biểu thị nhiệt lượng được truyền qua trên một đơn vị diện tích của vị trí tiếp xúc; I là cường độ dòng điện chạy qua mối tiếp xúc. Hiệu ứng Peltier có thể được coi là hiệu ứng ngược của Seebeck và có thể được ứng dụng trong máy làm lạnh. Hiệu ứng Thomson Ta biết rằng, hệ số Seebeck là một hàm số phụ thuộc vào nhiệt độ.
Do vậy, nếu một sự biến thiên nhiệt độ là liên tục ta có thể xác định được sự biến thiên của Seebeck. Nếu một dòng điện được điều chỉnh biến thiên liên tục thì 8 sẽ tạo ra trong vật dẫn một hệ số Peltier cũng biến thiên liên tục. Hiệu ứng Thomson mô tả sự gia nhiệt hay làm mát trên một đơn vị thể tích của vật dẫn khi có mật độ dòng điện là J chạy qua.3) Trong đó: T là độ biến thiên nhiệt độ; là hệ số Thomson của vật liệu; J là mật độ của dòng điện. Tổng quan về vật liệu nhiệt điện Các nghiên cứu về vật liệu nhiệt điện những năm gần đây tập trung vào một số nhóm vật liệu điện hình có hệ số ZT cao như: Các hợp chất Bi/Sb - Chalcogenides có hệ số ZT vào khoảng từ 1 đến 1.5 trong vùng nhiệt độ giao thấp (từ nhiệt độ phòng đến khoảng 100 oC) [6], [7]; Các hợp chất của Chì (Sb) – chalcogenides có hệ số ZT từ khoảng 1.0 trong vùng nhiệt độ ở mức trung (từ 200 đến 500 oC) [8], [9], [10]; Giá trị ZT cao hơn (ZT>2) thường phân bố ở vùng nhiệt độ cao tập trung vào và các họ vật liệu như Cu2-Se/S, Half-Heusler, SnSe và dạng cấu trúc nano của các loại vật liệu này [11], [18].
Các bán dẫn cấu trúc lớp (layer structure semiconductors) được xếp vào nhóm vật liệu cấu trúc nano – một trong những nhóm vật liệu có tiềm năng ứng dụng trong nhiều lĩnh vực đồng thời tính chất của loại vật liệu này cũng dễ thay đổi bởi các tác động làm thay đổi cấu trúc mạng tinh thể cũng như cấu trúc điện tử trong vật liệu. Một điểm đặc biệt nữa ở họ vật liệu này là tính đẳng hướng trong dịch chuyển điện tử. Tính chất nhiệt, điện của họ vật liệu này theo các trục tinh thể là khác nhau. Trong họ vật liệu này, SnSe và SnS là hai vật liệu có cấu trúc tinh thể tương đối giống nhau và đang được quan tâm nghiên cứu trong lĩnh vực nhiệt điện bởi hệ số dẫn nhiệt của hai vật liệu này được xác định là rất nhỏ - một trong những yêu cầu quan trọng làm tăng cường độ phẩm chất nhiệt điện (figure of merit ZT) của vật liệu.
9 Năm 2014, nhóm nghiên cứu của giáo sư Li-Dong Zhao thuộc trường đại học Northwestern của Mỹ công bố trên tạp chí Nature rằng đơn tinh thể bán dẫn loại p – SnSe có hệ số ZT lên tới 2.6 do có độ dẫn nhiệt thấp, hệ số Seebeck và độ dẫn điện cao. Đồng thời, nhóm cũng cho thấy rằng, tính chất nhiệt điện đơn tinh thể SnSe có tính dị hướng cao. Hệ số ZT đạt cực đại theo phương trục b (ZT = 2.8 theo phương trục c và a của tinh thể [13]. Tiếp đến, một loạt các công bố khác về tính chất nhiệt điện của SnSe ra đời trong những năm 2014, 2015 và đầu 2016 [19], [20], [21].
Cuối năm 2016, nhóm nghiên cứu của giáo sư Sunglae Cho, Đại học Ulsan Hàn Quốc đã tiến hành pha tạp Bi vào đơn tinh thế SnSe nhằm tạo ra vật liệu bán dẫn loại n trên nền SnSe, kết quả quan sát được giá trị ZT cao nhất bằng 2.2 với nồng độ pha tạp Bi bằng 6% [22]. Với việc pha tạp Na, BiCl, một số nghiên cứu khác cũng cho ZT của SnSe trong khoảng từ 1 đến 1. Đối với SnS, đây là vật liệu có cấu trúc tương tự như SnSe, có độ dẫn nhiệt tương đương, tuy nhiên hệ số công suất (power factor) thấp hơn do có nồng độ hạt tải nhỏ. Vì vậy, các kết quả thực nghiệm công bố hệ số ZT của SnS là rất nhỏ (khoảng 0.
Nguyên nhân được cho là nồng độ hạt tải của SnS nhỏ kéo theo độ dẫn điện nhỏ. Cải thiện độ dẫn điện của SnS thông qua việc pha tạp nguyên tố khác nhằm làm tăng nồng độ hạt tải cũng là một yếu tố có thể làm tăng ZT của vật liệu này [27], [28], [29]. Trong nghiên cứu này, chúng tôi tìm hiểu phương pháp chế tạo đơn tinh thể, tối ưu hóa các thông số chế tạo để thu được các đơn tinh thể SnSe, SnS có chất lượng tốt, khảo sát thành phần nguyên tố, cấu trúc, nồng độ hạt tải, độ dẫn điện, hệ số Seebeck, từ đó đánh giá tính chất nhiệt điện của các tinh thể chế tạo được. Trong giới hạn của luận văn, chúng tôi sẽ bước đầu lai hóa giữa hai loại vật liệu để quan sát sự thay đổi tính chất nhiệt điện theo thành phần của các phân tử SnSe, SnS trong hợp chất.
Cấu trúc tinh thể và cấu trúc giải năng lượng của SnSe và SnS 1. Cấu trúc tinh thể của SnSe và SnS Đơn tinh thể SnSe và SnS được biết đến là các vật liệu có cấu trúc tinh thể trực thoi (orthorhombic) có thể bắt nguồn từ sự biến dạng ba chiều của kiểu cấu trúc NaCl. Ở nhiệt độ thấp SnSe (S) có cấu trúc phase Pnma #62, cấu trúc này chứa các khối đa diện phối hợp SnSe7 bị biến dạng cao, có ba liên kết Sn-Se ngắn và bốn liên kết rất dài, và một cặp Sn2+ đơn độc nằm giữa bốn liên kết Sn-Se dài. Các phiến SnSe dày hai nguyên tử được gấp nếp, tạo ra hình chiếu giống như hình zig-zag dọc theo trục b.
Trong mỗi lớp SnSe (S) bao gồm 2 lớp nguyên tử được tạo thành từ liên kết cộng hóa trị giữa các nguyên tử Sn và Se (S) dọc theo mặt phẳng a-b của mạng tinh thể. Dọc theo trục c là liên kết Van - der - waals (liên kết yếu) giữa các lớp SnSe(S), đây là nguyên nhân hình thành nên cấu trúc lớp (dễ dàng tách thành từng lớp) của loại vật liệu này.1 mô tả liên kết giữa các nguyên tử Sn-Se(S) trong pha cấu trúc Pnma. Độ dài liên kết giữa các nguyên tử Sn và Se trên một lớp dọc theo trục a và c là 2.92 A [30], trong khi ở SnS là 2.