Luận văn thạc sĩ về ứng dụng công nghệ micro nano trong chế tạo cảm biến từ

Luận văn thạc sĩ nghiên cứu ứng dụng công nghệ micro nano trong chế tạo tổ hợp cảm biến từ, mở ra hướng đi mới cho công nghệ cảm biến.

• Tác giả: Đồng Quốc Việt
• Người hướng dẫn: TS. Trần Mậu Danh
• Trường học: Đại học Quốc gia Hà Nội
• Chuyên ngành: Vật liệu và Linh kiện nano
• Đề tài: Cảm Biến Từ: Ứng Dụng Công Nghệ Micro – Nano Trong Nghiên Cứu Thạc Sĩ
• Loại tài liệu: luận văn
• Năm xuất bản: 2013
• Địa điểm: Hà Nội

Mục lục chi tiết

• LỜI CẢM ƠN
• LỜI CAM ĐOAN
• 1. CHƯƠNG 1: TỔNG QUAN
• 1.1. Các loại cảm biến đo từ trường phổ biến
• 1.1.1. Cảm biến flux - gate
• 1.1.2. Cảm biến dựa trên hiệu ứng Hall
• 1.1.3. Cảm biến dựa trên hiệu ứng từ - điện
• 1.2. Nhiễu cảm biến
• 1.3. Cảm biến đo từ trường bằng hiệu ứng từ điện trở dị hướng (AMR)
• 1.3.1. Hiệu ứng từ điện trở dị hướng
• 1.3.2. Mạch cầu điện trở Wheatstone
• 2. CHƯƠNG 2: PHƯƠNG PHÁP THỰC NGHIỆM
• 2.1. Phương pháp chế tạo cảm biến
• 2.1.1. Xử lý bề mặt mẫu
• 2.1.2. Chế tạo mặt nạ và hốc chứa cảm biến
• 2.1.3. Phún xạ tạo màng
• 2.2. Các phương pháp khảo sát tính chất của cảm biến
• 2.2.1. Khảo sát tính chất từ của cảm biến
• 2.2.2. Khảo sát tính chất từ điện trở của cảm biến
• 2.2.3. Hệ khảo sát đáp ứng góc của cảm biến từ trường
• 3. CHƯƠNG 3: KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN
• 3.1. Cảm biến dạng mạch cầu Wheatstone
• 3.2. Khảo sát ảnh hưởng kích thước đơn thanh trong mạch cầu Wheatstone lên tính chất của cảm biến
• 3.2.1. Tính chất từ của cảm biến 1×5 mm và cảm biến 1×3 mm
• 3.2.2. Khảo sát tính chất từ điện trở của cảm biến 1×5 mm và cảm biến 1×3 mm
• 3.2.3. Khảo sát ảnh hưởng của chiều dày màng NiFe lên tính chất của cảm biến 1×5 mm
• 3.2.3.1. Khảo sát tính chất từ của hệ cảm biến 1×5 mm
• 3.2.3.2. Khảo sát ảnh hưởng chiều dày màng NiFe lên tính chất từ điện của cảm biến 1×5 mm
• 3.2.4. Khảo sát tính chất từ của cảm biến 3 thanh điện trở
• 3.2.4.1. So sánh tính chất của cảm biến 3 thanh và cảm biến đơn thanh
• 3.2.4.2. Khảo sát tính chất từ của cảm biến 3 thanh và cảm biến 1×5 mm
• 3.2.4.3. Khảo sát tính chất từ - điện trở của cảm biến 3 thanh và cảm biến 1×5 mm
• 3.2.4.4. Khảo sát bề dày màng NiFe tới tính chất của cảm biến 3 thanh
• 3.2.5. Khảo sát đáp ứng góc của cảm biến dạng mạch cầu Wheatstone dựa trên hiệu ứng AMR với từ trường trái đất
• 3.2.5.1. Khảo sát từ trường làm việc của cảm biến
• 3.2.5.2. Sự phụ thuộc tín hiệu cảm biến vào định hướng của từ trường trái đất
• DANH MỤC CÔNG TRÌNH KHOA HỌC CỦA TÁC GIẢ LIÊN QUAN ĐẾN LUẬN VĂN
• TÀI LIỆU THAM KHẢO

Tóm tắt

I. Tổng quan về cảm biến từ

Cảm biến từ là thiết bị quan trọng trong việc đo lường từ trường. Các loại cảm biến này được phân loại dựa trên nguyên lý hoạt động và ứng dụng của chúng. Trong số đó, cảm biến flux-gate, cảm biến Hall, và cảm biến từ - điện là những loại phổ biến nhất. Cảm biến flux-gate sử dụng lõi sắt từ mềm và cuộn dây để đo từ trường, trong khi cảm biến Hall hoạt động dựa trên hiệu ứng Hall, cho phép đo từ trường một chiều và xoay chiều. Cảm biến từ - điện, như được nghiên cứu bởi Junyi Zhai, có khả năng xác định độ lớn và góc định hướng của từ trường mà không cần từ trường làm việc. Những cảm biến này có ứng dụng rộng rãi trong các lĩnh vực như khoa học vật liệu, y sinh học và bảo vệ môi trường.

1.1. Các loại cảm biến đo từ trường

Cảm biến đo từ trường hiện nay rất đa dạng. Cảm biến flux-gate có cấu tạo đơn giản nhưng hạn chế về kích thước và thời gian đáp ứng. Cảm biến Hall có khả năng đo từ trường trong dải tần số cao, nhưng độ nhạy có thể bị ảnh hưởng bởi nhiệt độ. Cảm biến từ - điện, với khả năng chuyển đổi trực tiếp từ trường thành tín hiệu điện, đang được nghiên cứu để cải thiện độ nhạy và độ chính xác. Việc lựa chọn loại cảm biến phù hợp phụ thuộc vào yêu cầu cụ thể của ứng dụng.

II. Phương pháp chế tạo cảm biến

Phương pháp chế tạo cảm biến từ sử dụng công nghệ micro nano là một trong những bước quan trọng trong nghiên cứu này. Việc xử lý bề mặt mẫu, chế tạo mặt nạ và hốc chứa cảm biến, cùng với quá trình phún xạ tạo màng, đều ảnh hưởng đến tính chất của cảm biến. Các phương pháp khảo sát tính chất của cảm biến bao gồm khảo sát tính chất từ và tính chất từ điện trở. Đặc biệt, việc khảo sát đáp ứng góc của cảm biến là cần thiết để đảm bảo độ chính xác trong các ứng dụng thực tế.

2.1. Chế tạo cảm biến

Chế tạo cảm biến từ yêu cầu quy trình nghiêm ngặt. Bước đầu tiên là xử lý bề mặt mẫu để đảm bảo độ sạch và độ nhẵn cần thiết. Tiếp theo, việc chế tạo mặt nạ và hốc chứa cảm biến giúp định hình cấu trúc của cảm biến. Cuối cùng, quá trình phún xạ tạo màng là bước quan trọng để tạo ra lớp vật liệu nhạy từ. Các vật liệu như Ni80Fe20 được lựa chọn vì tính chất từ mềm và độ nhạy cao, phù hợp cho việc chế tạo cảm biến có độ nhạy tốt trong vùng từ trường thấp.

III. Kết quả và thảo luận

Kết quả nghiên cứu cho thấy cảm biến dạng mạch cầu Wheatstone có khả năng giảm thiểu nhiễu nhiệt và tăng cường độ nhạy. Việc khảo sát ảnh hưởng của kích thước đơn thanh trong mạch cầu Wheatstone cho thấy rằng kích thước và chiều dày màng NiFe có ảnh hưởng lớn đến tính chất từ và tính chất từ điện trở của cảm biến. Các thí nghiệm cho thấy cảm biến 1×5 mm có độ nhạy cao hơn so với cảm biến 1×3 mm, điều này mở ra hướng nghiên cứu mới cho việc tối ưu hóa thiết kế cảm biến.

3.1. Khảo sát tính chất từ của cảm biến

Khảo sát tính chất từ của cảm biến cho thấy rằng các yếu tố như kích thước và chiều dày màng NiFe ảnh hưởng trực tiếp đến độ nhạy và độ ổn định của cảm biến. Các thí nghiệm cho thấy rằng cảm biến 1×5 mm có độ nhạy cao hơn so với cảm biến 1×3 mm. Điều này chứng tỏ rằng việc tối ưu hóa thiết kế cảm biến là rất quan trọng để đạt được hiệu suất tốt nhất trong các ứng dụng thực tế.

Nội dung chính

Tổng quan nghiên cứu

Trong bối cảnh phát triển nhanh chóng của công nghệ cảm biến, việc đo đạc từ trường thấp có vai trò quan trọng trong nhiều lĩnh vực như y sinh học, bảo vệ môi trường, khoa học kỹ thuật quân sự và phương tiện giao thông. Trên thế giới hiện nay, có nhiều loại cảm biến đo từ trường dựa trên các hiệu ứng khác nhau như cảm biến flux-gate, cảm biến hiệu ứng Hall, cảm biến dựa trên hiệu ứng từ-điện và cảm biến từ điện trở dị hướng (AMR). Tuy nhiên, các cảm biến này đều gặp phải thách thức lớn về nhiễu, đặc biệt là nhiễu nhiệt, ảnh hưởng đến độ nhạy và độ chính xác của thiết bị.

Mục tiêu nghiên cứu của luận văn là ứng dụng công nghệ micro-nano để chế tạo tổ hợp cảm biến từ dạng mạch cầu Wheatstone dựa trên hiệu ứng AMR, nhằm giảm thiểu tối đa ảnh hưởng của nhiễu nhiệt và nâng cao độ nhạy trong đo đạc từ trường thấp, bao gồm cả từ trường trái đất. Nghiên cứu tập trung vào vật liệu Ni80Fe20 – một vật liệu từ mềm có lực kháng từ nhỏ (HC khoảng 3-5 Oe) và độ từ thẩm cao, phù hợp cho việc chế tạo cảm biến có độ nhạy cao và ổn định.

Phạm vi nghiên cứu được thực hiện tại Trường Đại học Công nghệ, Đại học Quốc gia Hà Nội trong giai đoạn 2010-2013, với các thử nghiệm và khảo sát tính chất điện từ của cảm biến được tiến hành trong phòng thí nghiệm chuyên sâu. Kết quả nghiên cứu không chỉ góp phần nâng cao hiệu quả đo đạc từ trường thấp mà còn mở ra hướng ứng dụng rộng rãi trong các lĩnh vực kỹ thuật và khoa học hiện đại.

Cơ sở lý thuyết và phương pháp nghiên cứu

Khung lý thuyết áp dụng

Luận văn dựa trên hai lý thuyết chính: hiệu ứng từ điện trở dị hướng (AMR) và mạch cầu điện trở Wheatstone.

• Hiệu ứng từ điện trở dị hướng (AMR): Là hiện tượng thay đổi điện trở của vật liệu sắt từ phụ thuộc vào góc giữa vectơ từ hóa và chiều dòng điện. Sự thay đổi này được mô tả bằng công thức:

$$ R(\theta) = R_{0,p} + \Delta R \cos^2 \theta $$

trong đó $\theta$ là góc giữa dòng điện và vectơ từ hóa, $R_{0,p}$ là điện trở khi vectơ từ hóa vuông góc với dòng điện, và $\Delta R$ là độ thay đổi điện trở cực đại. AMR xuất phát từ liên kết spin-quỹ đạo và sự tán xạ điện tử trong mạng tinh thể.

• Mạch cầu điện trở Wheatstone: Là cấu trúc mạch điện gồm bốn điện trở mắc theo hình cầu, dùng để đo sự thay đổi điện trở nhỏ thông qua sự chênh lệch điện áp lối ra. Mạch cầu giúp triệt tiêu nhiễu nhiệt do tính đối xứng của các nhánh điện trở, từ đó nâng cao tỷ số tín hiệu trên nhiễu (SNR). Phương trình điện áp lối ra của mạch cầu khi có sự thay đổi điện trở thành phần được biểu diễn gần đúng bởi:

$$ V = \frac{V_{in}}{4} \left( \frac{\Delta R}{R} \right) $$

trong trường hợp mạch cân bằng ban đầu và sự thay đổi điện trở nhỏ hơn 5%.

Ngoài ra, các khái niệm quan trọng khác bao gồm: nhiễu nhiệt (Johnson noise), nhiễu 1/f, hiệu ứng từ trễ (magnetic hysteresis), và dị hướng hình dạng (shape anisotropy) của thanh điện trở.

Phương pháp nghiên cứu

Nguồn dữ liệu chính là các mẫu cảm biến được chế tạo tại phòng thí nghiệm Micro-Nano, Trường Đại học Công nghệ, ĐHQGHN. Quy trình nghiên cứu gồm các bước:

• Chế tạo cảm biến: Sử dụng công nghệ phún xạ catot để tạo màng mỏng Ta/Ni80Fe20/Ta trên đế SiO2. Các thanh điện trở có kích thước khác nhau (1×3 mm, 1×5 mm, và cấu hình 3 thanh) được tạo bằng mặt nạ cắt laser VLS3.60 với các thông số năng lượng 25%, tốc độ 60%, độ phân giải 1000 dpi.

• Xử lý bề mặt mẫu: Làm sạch đế SiO2 bằng rung siêu âm trong axeton và cồn, sấy khô ở 120°C để loại bỏ dung môi.

• Khảo sát tính chất từ: Sử dụng thiết bị từ kế mẫu rung (VSM Lake Shore 7430) đo đường cong từ hóa tỉ đối (M/Ms) ở nhiệt độ phòng, với từ trường ngoài tác dụng theo hai phương song song và vuông góc với phương ghim của cảm biến.

• Khảo sát hiệu ứng từ điện trở: Đo điện áp lối ra của cảm biến dưới tác dụng của từ trường ngoài bằng hệ thống đo điện từ gồm nguồn dòng DC, máy đo Keithley 2000, và Gausmeter, với dòng cấp 1-5 mA.

• Khảo sát đáp ứng góc: Sử dụng mâm quay phương vị và cuộn Helmholtz tạo từ trường làm việc 15.5 Oe để khảo sát sự phụ thuộc điện áp lối ra theo góc định hướng so với từ trường trái đất.

Cỡ mẫu gồm nhiều cảm biến với các cấu hình và chiều dày màng NiFe khác nhau (5, 10, 15 nm), được chọn mẫu ngẫu nhiên trong quá trình chế tạo để đảm bảo tính đại diện. Phân tích dữ liệu sử dụng phần mềm Passcal và các công cụ thống kê cơ bản để đánh giá độ nhạy, độ biến thiên điện áp và tính dị hướng.

Kết quả nghiên cứu và thảo luận

Những phát hiện chính

1. Ưu thế của mạch cầu Wheatstone so với cảm biến đơn thanh: Cảm biến dạng mạch cầu Wheatstone với 4 thanh điện trở 1×5 mm cho tín hiệu điện áp lối ra ổn định, không có nhiễu nền và đường tín hiệu đo đi, đo về gần như trùng khít, trong khi cảm biến đơn thanh có nhiễu nền lớn và hiện tượng trôi tín hiệu. Hiệu ứng từ điện trở dị hướng (AMR) của mạch cầu đạt tỉ số MR cao hơn đáng kể, cho thấy độ nhạy tăng lên rõ rệt.

2. Ảnh hưởng kích thước thanh điện trở: Cảm biến 1×5 mm có lực kháng từ HC = 1.5 Oe, thấp hơn so với 1×3 mm (HC = 3 Oe), đồng thời độ nhạy từ trường S = 0.09 mV/Oe gấp đôi so với mẫu 1×3 mm. Điều này được giải thích bởi dị hướng hình dạng đơn trục tăng khi tỉ số chiều dài/chiều rộng (L/W) tăng, giúp tăng cường hiệu ứng AMR.

3. Ảnh hưởng chiều dày màng NiFe: Khi giảm chiều dày màng NiFe từ 15 nm xuống 5 nm, điện trở nội tăng từ khoảng 134 Ω lên 343 Ω, đồng thời độ biến thiên điện áp lối ra tăng gần 3 lần (ΔV từ 2.4 mV lên 7 mV), độ nhạy tăng tương ứng. Hiệu ứng AMR mạnh hơn ở màng mỏng hơn do tăng cường tỉ số AMR.

4. Cảm biến 3 thanh cải tiến: Cảm biến dạng mạch cầu với thành phần 3 thanh điện trở mắc nối tiếp (kích thước W=0.3 mm, L=4.2 mm và 7 mm) cho độ biến thiên điện áp lối ra ΔV = 22.3 mV, độ nhạy S = 1.53 mV/Oe, gấp 10 lần so với cảm biến đơn thanh 1×5 mm. Thiết kế này vừa tăng điện trở nội, vừa tăng dị hướng đơn trục, nâng cao đáng kể hiệu quả cảm biến.

5. Khảo sát đáp ứng góc với từ trường trái đất: Cảm biến 3 thanh với màng NiFe 5 nm hoạt động tốt ở từ trường làm việc 15.5 Oe, cho tín hiệu điện áp lối ra phụ thuộc tuần hoàn theo góc định hướng với biên độ tối đa 1.1 V khi phương ghim vuông góc với phương bắc nam. Độ nhạy góc Kφ đạt 3.5 mV/độ trong dải góc 135°-225°, phù hợp cho ứng dụng định hướng từ trường.

Thảo luận kết quả

Kết quả cho thấy việc sử dụng mạch cầu Wheatstone giúp triệt tiêu nhiễu nhiệt hiệu quả nhờ cấu trúc đối xứng, từ đó nâng cao tỷ số tín hiệu trên nhiễu (SNR). Sự tăng tỉ số chiều dài/chiều rộng của thanh điện trở làm tăng dị hướng hình dạng, góp phần làm giảm lực kháng từ HC và tăng độ nhạy cảm biến. Việc giảm chiều dày màng NiFe làm tăng điện trở nội và hiệu ứng AMR, phù hợp với các nghiên cứu trước đây về vật liệu từ mềm.

Thiết kế cảm biến 3 thanh là bước tiến quan trọng, vừa tăng điện trở nội, vừa tăng dị hướng đơn trục, giúp tăng tín hiệu lối ra lên gấp 10 lần so với cảm biến đơn thanh. Điều này đồng nghĩa với khả năng phát hiện từ trường thấp được cải thiện rõ rệt, mở rộng ứng dụng trong đo đạc từ trường trái đất và các lĩnh vực kỹ thuật khác.

Phân tích đồ thị đường cong từ hóa và điện áp lối ra cho thấy tính từ mềm tốt với lực kháng từ nhỏ, giúp giảm hiện tượng từ trễ và tăng độ ổn định tín hiệu. Đồ thị đáp ứng góc gần như hàm sin cho thấy cảm biến có thể xác định chính xác hướng từ trường, tuy nhiên nhược điểm là độ nhạy thấp tại các góc vuông góc với phương bắc nam, cần nghiên cứu thêm cảm biến đa chiều để khắc phục.

Đề xuất và khuyến nghị

1. Tối ưu hóa cấu trúc cảm biến đa chiều: Phát triển cảm biến 3 thanh dạng 2 chiều để đồng thời đo được cường độ và hướng của từ trường tại một vị trí, khắc phục nhược điểm độ nhạy thấp tại góc vuông góc.

2. Giảm chiều dày màng NiFe dưới 5 nm: Nghiên cứu khả năng chế tạo màng mỏng NiFe mỏng hơn nhằm tăng cường hiệu ứng AMR và độ nhạy, đồng thời kiểm soát điện trở nội để tránh tăng nhiễu nhiệt.

3. Ứng dụng công nghệ phún xạ và cắt laser chính xác hơn: Nâng cao độ chính xác trong quá trình phún xạ và gia công mặt nạ để đảm bảo đồng nhất kích thước thanh điện trở, từ đó tăng tính ổn định và tái lập của cảm biến.

4. Triển khai hệ thống đo và xử lý tín hiệu tự động: Phát triển phần mềm điều khiển và xử lý tín hiệu tự động, tích hợp thuật toán lọc nhiễu và hiệu chỉnh từ trễ, nhằm nâng cao độ chính xác và độ tin cậy trong ứng dụng thực tế.

5. Thử nghiệm thực tế tại các môi trường khác nhau: Đánh giá hiệu suất cảm biến trong các điều kiện môi trường đa dạng như nhiệt độ thay đổi, nhiễu điện từ, và ứng dụng trong các lĩnh vực y sinh học, quân sự, giao thông để hoàn thiện thiết kế.

Đối tượng nên tham khảo luận văn

1. Nhà nghiên cứu và kỹ sư vật liệu từ mềm: Có thể áp dụng kết quả nghiên cứu về ảnh hưởng kích thước và chiều dày màng NiFe lên hiệu ứng AMR để phát triển vật liệu mới cho cảm biến từ trường.

2. Chuyên gia phát triển cảm biến và thiết bị đo lường: Tham khảo thiết kế mạch cầu Wheatstone và cấu hình cảm biến 3 thanh để cải tiến các thiết bị đo từ trường thấp với độ nhạy cao và nhiễu thấp.

3. Ngành công nghiệp y sinh và môi trường: Ứng dụng cảm biến từ trường thấp trong các thiết bị theo dõi sinh học, giám sát môi trường, giúp nâng cao độ chính xác và độ tin cậy trong đo đạc.

4. Cơ quan nghiên cứu quân sự và giao thông: Sử dụng cảm biến để định vị, định hướng và giám sát các thiết bị, phương tiện trong môi trường có từ trường yếu, đảm bảo an toàn và hiệu quả vận hành.

Câu hỏi thường gặp

1. Cảm biến từ điện trở dị hướng (AMR) là gì?
   AMR là hiện tượng thay đổi điện trở của vật liệu sắt từ phụ thuộc vào góc giữa vectơ từ hóa và dòng điện. Ví dụ, trong cảm biến Ni80Fe20, điện trở thay đổi khi từ trường ngoài tác dụng làm thay đổi hướng vectơ từ hóa, tạo ra tín hiệu điện áp lối ra tỷ lệ với cường độ từ trường.

2. Tại sao chọn mạch cầu Wheatstone cho cảm biến?
   Mạch cầu Wheatstone giúp triệt tiêu nhiễu nhiệt nhờ cấu trúc đối xứng của các điện trở thành phần, từ đó tăng tỷ số tín hiệu trên nhiễu (SNR). Kết quả nghiên cứu cho thấy cảm biến dạng mạch cầu có tín hiệu ổn định, không bị trôi và nhiễu nền thấp hơn nhiều so với cảm biến đơn thanh.

3. Ảnh hưởng của chiều dày màng NiFe đến hiệu suất cảm biến?
   Chiều dày màng NiFe càng mỏng thì điện trở nội càng cao và hiệu ứng AMR càng mạnh, dẫn đến độ biến thiên điện áp lối ra và độ nhạy cảm biến tăng lên. Ví dụ, giảm từ 15 nm xuống 5 nm làm tăng độ nhạy gần 3 lần.

4. Cảm biến 3 thanh có ưu điểm gì so với cảm biến đơn thanh?
   Cảm biến 3 thanh có điện trở nội lớn hơn do mắc nối tiếp nhiều thanh điện trở, đồng thời tăng dị hướng đơn trục, giúp tín hiệu lối ra tăng gấp 10 lần so với cảm biến đơn thanh cùng kích thước, nâng cao khả năng phát hiện từ trường thấp.

5. Làm thế nào để cảm biến đo được hướng của từ trường trái đất?
   Bằng cách khảo sát sự biến thiên điện áp lối ra theo góc định hướng của cảm biến so với phương bắc nam, tín hiệu thu được có dạng hàm sin tuần hoàn. Độ nhạy góc được xác định trong dải góc có biến thiên lớn, giúp cảm biến xác định chính xác hướng từ trường.

Kết luận

• Đã thành công trong việc chế tạo cảm biến từ trường thấp dạng mạch cầu Wheatstone dựa trên hiệu ứng AMR với vật liệu Ni80Fe20, giảm thiểu nhiễu nhiệt và tăng độ nhạy.
• Cảm biến 3 thanh với màng NiFe 5 nm cho độ biến thiên điện áp lối ra và độ nhạy cao nhất, gấp 10 lần cảm biến đơn thanh 1×5 mm.
• Đã khảo sát và xác định được từ trường làm việc tối ưu (15.5 Oe) và đáp ứng góc của cảm biến với từ trường trái đất, mở rộng ứng dụng trong định hướng và đo đạc từ trường.
• Kết quả nghiên cứu góp phần nâng cao hiệu quả đo đạc từ trường thấp, có ý nghĩa thực tiễn trong nhiều lĩnh vực kỹ thuật và khoa học.
• Đề xuất phát triển cảm biến đa chiều và tối ưu hóa công nghệ chế tạo để ứng dụng rộng rãi hơn trong tương lai.

Khuyến khích các nhà nghiên cứu và kỹ sư tiếp tục phát triển cảm biến đa chiều, thử nghiệm trong môi trường thực tế và tích hợp hệ thống xử lý tín hiệu tự động để nâng cao hiệu quả ứng dụng.

Trích đoạn nội dung tài liệu

ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƢỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ ĐỒNG QUỐC VIỆT ỨNG DỤNG CÔNG NGHỆ MICRO – NANO CHẾ TẠO TỔ HỢP CẢM BIẾN TỪ U N V N THẠC S V T LIỆU VÀ LINH KIỆN NANO Hà Nội - 2013 z ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƢỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ ĐỒNG QUỐC VIỆT ỨNG DỤNG CÔNG NGHỆ MICRO - NANO CHẾ TẠO TỔ HỢP CẢM BIẾN TỪ Chuyên ngành: Vậ ệ ệ N C ạ í ểm U N V N THẠC S V T LIỆU VÀ LINH KIỆN NANO N ƣờ ƣớng dẫn khoa học: TS. Trần Mậu Danh Hà Nội - 2013 z LỜI CẢ ƠN Trước tiên, cho em gửi lời cảm ơn sâu sắc tới TS. Trần Mậu Danh và ThS. Bùi Đình Tú, những người thầy đã hướng dẫn ân cần, nhiệt tình, tạo mọi điều kiện tốt nhất, truyền đạt nhiều kiến thức và kinh nghiệm quý báu trong thời gian em làm luận văn.

Em cũng xin gửi lời cảm ơn tới tập thể các cán bộ, thầy cô trong bộ môn Vật liệu và Linh kiện nano đặc biệt là PSG. Đỗ Thị Hương Giang đã giúp đỡ cho em trong suốt thời gian học tập và nghiên cứu tại phòng thí nghiệm của bộ môn. Trong quá trình thực hiện luận văn em đã cũng nhận được rất nhiều sự giúp đỡ nhiệt tình của NCS. Nguyễn Xuân Toàn, NCS.

Lê Khắc Quynh, NCS. Phạm Anh Đức, ThS. Nguyễn Thị Ngọc. Em xin chân thành cảm ơn sự giúp đỡ của các anh các chị.

Luận văn này được hoàn thành với sự hỗ trợ của đề tài mã số QGTĐ. 24 và đề tài nghiên cứu và phát triển khoa học công nghệ thuộc chương trình khoa học và công nghệ vũ trụ năm 2010-2011. Cuối cùng, con xin gửi là cảm ơn tới toàn thể gia đình. Gia đình chính là nguồn động lực lớn lao nhất đối với con.

Hà Nội, ngày tháng năm Học viên Đồng Quốc Việt z LỜI CA ĐOAN Tôi xin cam đoan những kết quả nghiên cứu khoa học trong luận văn là hoàn toàn trung thực và chưa từng được công bố bởi bất kỳ nơi nào khác. Mọi nguồn tài liệu tham khảo đều được trích dẫn một cách rõ ràng. Hà Nội, ngày tháng năm Học viên Đồng Quốc Việt z MỤC LỤC TRANG PHỤ BÌA LỜI CA ĐOAN DANH ỤC CÁC BẢNG BIỂU .1 DANH ỤC CÁC HÌNH VẼ .2 CHƢƠNG 1 TỔNG QUAN .1 Các loại cảm biến đo từ trường phổ biến .1 Cảm biến flux - gate .2 Cảm biến dựa trên hiệu ứng Hall .3 Cảm biến dựa trên hiệu ứng từ - điện .2 Nhiễu cảm biến .3 Cảm biến đo từ trường bằng hiệu ứng từ điện trở dị hướng (AMR) .1 Hiệu ứng từ điện trở dị hướng .2 Mạch cầu điện trở Wheatstone .12 CHƢƠNG 2 PHƢƠNG PHÁP THỰC NGHIỆM .1 Phương pháp chế tạo cảm biến .1 Xử lý bề mặt mẫu.2 Chế tạo mặt nạ và hốc chứa cảm biến .3 Phún xạ tạo màng.2 Các phương pháp khảo sát tính chất của cảm biến .1 Khảo sát tính chất từ của cảm biến .2 Khảo sát tính chất từ điện trở của cảm biến .3 Hệ khảo sát đáp ứng góc của cảm biến từ trường.27 CHƢƠNG 3 KẾT QUẢ VÀ THẢO LU N .1 Cảm biến dạng mạch cầu Wheatstone .2 Khảo sát ảnh hưởng kích thước đơn thanh trong mạch cầu Wheatstone lên tích chất của cảm biến.1 Tính chất từ của cảm biến 1×5 mm và cảm biến 1×3 mm .2 Khảo sát tính chất từ điện trở của cảm biến 1×5 mm và cảm biến 1×3 mm .3 Khảo sát ảnh hưởng của chiều dày màng NiFe lên tính chất của cảm biến 1×5 mm .1 Khảo sát tính chất từ của hệ cảm biến 1×5 mm.2 Khảo sát ảnh hưởng chiều dày màng NiFe lên tính chất từ điện của cảm biến 1×5 mm .4 Khảo sát tính chất từ của cảm biến 3 thanh điện trở .1 So sánh tính chất của cảm biến 3 thanh và cảm biến đơn thanh.1 Khảo sát tính chất từ của cảm biến 3 thanh và cảm biến 1×5 mm .2 Khảo sát tính chất từ - điện trở của cảm biến 3 thanh và cảm biến 1×5 mm .2 Khảo sát bề dày màng NiFe tới tính chất của cảm biến 3 thanh .5 Khảo sát đáp ứng góc của cảm biến dạng mạch cầu Wheatstone dựa trên hiệu ứng AMR với từ trường trái đất .1 Khảo sát từ trường làm việc của cảm biến .2 Sự phụ thuộc tín hiệu cảm biến vào định hướng của từ trường trái đất .45 DANH MỤC CÔNG TRÌNH KHOA HỌC CỦA TÁC GIẢ IÊN QUAN ĐẾN LU N V N .46 TÀI LIỆU THAM KHẢO.47 z 1 DANH ỤC CÁC BẢNG BIỂU Bảng 2.1: Thông số kỹ thuật của máy .2: Thông số cắt mặt nạ của máy laser VLS3.3: Thông số cắt hốc chứa cảm biến .4: Thông số phún xạ của các lớp Ta/NiFe/Ta .5: Các thông số phún xạ điện cực .1: Thông số tính chất từ của cảm biến 1×3 mm và 1×5 mm .2: Độ biến thiên điện áp và độ nhạy của cảm biến 1×3 mm và 1×5 mm.3: Độ biến thiên thế lối ra của cảm biến theo 2 phương song song và vuông góc của từ độ với từ trường .4: Các thông số thu được từ đường cong từ hóa 3.5: Điện trở thanh, độ biến thiên điện áp và độ nhạy của cảm biến 1×5 mm khi thay đổi chiều dày màng NiFe 5, 10, 15 nm .6: Thông số từ đường từ hóa tỉ đối M/MS của cảm biến 3 thanh .7: Thông số độ biến thiên và độ nhạy của cảm biến 3 thanh và cảm biến 1×5 mm .8: Độ biến thiên điện thế lối của cảm biến 1×5 mm, cảm biến 3 thanh 5 và cảm biến 3 thanh 15 .41 z 2 DANH ỤC CÁC HÌNH VẼ Hình 1.1: Sơ đồ cấu tạo của cảm biến flux – gate .2: Sơ đồ hiệu ứng Hall .3: Sơ đồ minh họa hiệu ứng điện từ thuận và ngược trên các vật liệu multiferoics kiểu từ giảo/áp điện .4: Liên kết từ điện trong vật liệu từ điện, (a) thay đổi sự phân cực điện được gây ra bởi từ trường ngoài, (b) thay đổi độ từ hóa bởi điện trường ngoài .5: Nguồn gốc vật lý của AMR .6: Giá trị điện trở thay đổi phụ thuộc vào góc giữa dòng điện .7: Mạch cầu điện trở Wheatstone .1: Buồng xử lý mẫu .2: Cấu tạo chung của một máy cắt laser .3: Máy cắt laser VLS3.4: Mặt nạ được sử dụng để chế tạo cảm biến 1× 3 mm: (a) là mặt nạ điện trở, (b) là mặt nạ điện cực và (c) hình dạng cảm biến hoàn thiện.5: Hệ mask của cảm biến 1× 5 mm: (a) là mặt nạ điện trở, (b) là mặt nạ điện cực (c) hình dạng cảm biến hoàn thiện .6: Hệ mask của cảm biến 3 thanh: (a) là mặt nạ điện trở, (b) là mặt nạ điện cực .7: Mặt nạ của các cảm biến .8: Nguyên lý của quá trình hình thành màng mỏng bằng phún xạ catot .9: Thiết bị phún xạ catot .10: Thanh điện trở của mạch cầu Wheatstone sau khi được phún xạ tạo màng Ta/NiFe/Ta.11: Cảm biến thu được sau quá trình phún xạ điện cực .12: (a) Sơ đồ nguyên l của thiết bị từ kế mẫu rung. (b) Thiết bị từ kế mẫu rung VSM.13: Sơ đồ thí nghiệm đo hiệu ứng từ điện trở.14: (a) Cảm biến được đóng gói hoàn chỉnh.

(b)Cảm biến được kết nối với hệ đo điện từ .15: Mâm quay góc phương vị và cuộn Helmholtz .1: Sự phụ thuộc điện áp lối ra vào từ trường ngoài của cảm biến (a) dạng thanh điện trở (b) dạng mạch cầu Wheatstone.2: Sự biến thiên của các điện trở thành phần trong mạch cầu Wheatstone .3: Sự phụ thuộc của điện trở suất vào từ trường ngoài với trường hợp từ trường song song và vuông góc với dòng điện .4: Đường cong từ hóa theo phương song song và vuông góc với phương ghim của từ độ (a) cảm biến 1×3 mm (b) cảm biến 1×5 mm .5 : Đường cong từ hóa tỉ đối M/Ms của cảm biến 1×3 mm và 1×5 mm (a) Khi từ trường ngoài vuông góc với trục từ hóa dễ (b) Khi từ trường song song với trục từ hóa dễ .6: Sự thay đổi điện áp lối ra cảm biến phụ thuộc vào từ trường tác dụng trong dải (a) – 60 Oe ÷ 60 Oe (b) 10 ÷ 20 Oe .7: Sự thay đổi hiệu điện thế lối ra theo từ trường ngoài trong dải -120 ÷ 120 Oe với phương từ độ của cảm biến cùng phương với từ trường ngoài .8: Đường cong từ hóa tỉ đối M/MS của cảm biến 1×5 mm với chiều dày màng NiFe là 5, 10 và 15 nm (a) theo phương vuông góc với trục từ hóa dễ, (b) theo phương song song với trục từ hóa dễ .9: Sự phụ thuộc của điện áp lối ra vào từ trường ngoài của cảm biến 1×5 mm với chiều dày màng NiFe khác thay đổi 5, 10 và 15 nm .10: Đường cong từ hóa tỉ đối M/Ms của cảm biến cảm biến 3 thanh theo phương vuông góc và song song với trục từ hóa dễ .11: Sự thay đổi điện áp lối ra của cảm biến 3 thanh và 1×5 mm theo từ trường .12: Sự phụ thuộc điện áp lối ra vào từ trường ngoài của cảm biến 3 thanh với chiều dày lớp màng NiFe thay đổi.13: Sự phụ thuộc hiệu điện thế lối ra của cảm biến 3 thanh theo từ trường (a) 10 Oe ÷ 20 Oe (b) -60 Oe ÷ 60 Oe.14: Sự phụ thuộc của điện áp lối ra vào góc định hướng giữa phương ghim của cảm biến và phương bắc nam của từ trường trái đất .15: Sự biến thiên điện áp lối ra của cảm biến trong dải góc 1350 ÷ 2250 .44 z 4 Ở ĐẦU Trên thế giới có rất nhiều loại cảm biến dựa trên các hiệu ứng khác nhau được sử dụng để đo từ trường thấp, trong đó chủ yếu là các cảm biến dựa trên hiệu ứng quang và từ như cảm biến giao thoa lượng tử siêu dẫn, sợi quang, bơm quang học, cảm biến dựa trên hiệu ứng điện - từ, cảm ứng điện từ (Flux-Gate), hiệu ứng Hall. Mặc dù các cảm biến hoạt động dựa trên các hiệu ứng khác nhau nhưng các cảm biến đều dựa trên nguyên tắc đo đạc và phân tích hiệu điện thế lối ra từ cảm biến thay đổi phụ thuộc vào cường độ của từ trường tác dụng lên cảm biến. Mỗi loại cảm biến đều có đặc thù riêng, có các ưu điểm và nhược điểm riêng tùy thuộc vào mục đích và phạm vi trong từng lĩnh vực ứng dụng. Với mục tiêu đặt ra là nghiên cứu và chế tạo cảm biến đo từ trường thấp đáp ứng yêu cầu giảm được tối đa độ ảnh hưởng của các loại nhiễu lên cảm biến, đặc biệt là nhiễu nhiệt, chúng tôi đã lựa chọn thiết kế cảm biến dạng mạch cầu Wheatstone là cấu hình tổ hợp các cảm biến đơn hoạt động dựa trên hiệu ứng từ điện trở dị hướng (AMR).