Luận Văn Thạc Sĩ: Thiết Kế Phần Cao Tần Bộ Phát Đầu Đọc RFID Với Công Nghệ CMOS 0.18μm

2014

111
0
0

Phí lưu trữ

30.000 VNĐ

Tóm tắt

I. Thiết kế phần cao tần bộ phát đầu đọc RFID

Luận văn tập trung vào thiết kế phần cao tần của bộ phát đầu đọc RFID sử dụng công nghệ CMOS 0.18μm. Phần cao tần bao gồm các khối chính như mạch khuếch đại công suất, mạch đổi tần, và Balun. Mục tiêu là đạt công suất ngõ ra trên 20dBm với hiệu suất trên 30%, đồng thời đảm bảo độ tuyến tính và hệ số cách ly tốt. Công nghệ CMOS 0.18μm được lựa chọn nhằm giảm chi phí và tăng hiệu suất năng lượng, phù hợp với các ứng dụng hệ thống RFID trong thực tế.

1.1. Mạch khuếch đại công suất

Mạch khuếch đại công suất được thiết kế với hai lớp: lớp E (chế độ đóng ngắt) để tăng hiệu suất và lớp A (chế độ tuyến tính) làm driver. Kết quả mô phỏng cho thấy công suất ngõ ra đạt 21.3dBm với hiệu suất 38.35%. Điều này đáp ứng yêu cầu của tiêu chuẩn ETSI EN 302 208 cho hệ thống RFID hoạt động ở tần số 865-868MHz.

1.2. Mạch đổi tần

Mạch đổi tần được thiết kế để chuyển đổi tín hiệu baseband lên tần số 868MHz. Mạch này đạt độ lợi chuyển đổi -3.3dB và IIP3 là 11.7dBm, đảm bảo độ tuyến tính cao và tiêu thụ năng lượng thấp. Đây là yếu tố quan trọng trong việc truyền tín hiệu ASK (Amplitude Shift Keying) trong hệ thống RFID.

1.3. Balun

Balun được thiết kế đơn giản, không sử dụng cuộn dây, nhằm chuyển đổi tín hiệu vi sai từ mạch đổi tần sang tín hiệu đơn cực cho mạch khuếch đại công suất. Kết quả mô phỏng cho thấy độ lợi công suất đạt 17.71dB, đáp ứng yêu cầu về hiệu suất và tiết kiệm diện tích.

II. Ứng dụng và giá trị thực tiễn

Luận văn không chỉ tập trung vào thiết kế vi mạch mà còn nhấn mạnh giá trị thực tiễn của hệ thống RFID trong các lĩnh vực như quản lý vật thể, kiểm soát ra vào, và nhận dạng động vật. Công nghệ CMOS 0.18μm giúp giảm chi phí sản xuất và tăng tuổi thọ pin, phù hợp với các ứng dụng thương mại và công nghiệp. Kết quả mô phỏng cho thấy phần cao tần bộ phát đạt công suất ngõ ra 20.34dBm, đáp ứng các tiêu chuẩn quốc tế.

2.1. Ứng dụng trong quản lý vật thể

Hệ thống RFID được sử dụng rộng rãi trong quản lý vật thể tại các siêu thị, kho bãi, và trạm thu phí tự động. Thiết kế phần cao tần trong luận văn giúp tăng khoảng cách đọc và tốc độ truyền dữ liệu, cải thiện hiệu quả quản lý.

2.2. Ứng dụng trong kiểm soát ra vào

Các giải pháp kiểm soát ra vào sử dụng RFID đang được áp dụng tại nhiều doanh nghiệp và cơ sở công cộng. Công nghệ CMOS 0.18μm giúp giảm kích thước và chi phí của thiết bị, đồng thời tăng độ tin cậy và tuổi thọ.

III. Phân tích và đánh giá

Luận văn đã đưa ra một thiết kế vi mạch hoàn chỉnh cho phần cao tần bộ phát RFID, tích hợp các khối chức năng trên cùng một chip. Kết quả mô phỏng và layout cho thấy hiệu suất và độ ổn định cao, đáp ứng các yêu cầu kỹ thuật và tiêu chuẩn quốc tế. Tuy nhiên, một số thành phần như mạch phối hợp trở kháng và cuộn dây chặn cao tần vẫn cần được thực hiện off-chip, đây là hạn chế cần được cải thiện trong các nghiên cứu tiếp theo.

3.1. Ưu điểm

Thiết kế phần cao tần sử dụng công nghệ CMOS 0.18μm giúp giảm chi phí, tăng hiệu suất năng lượng, và phù hợp với các ứng dụng thương mại. Các khối chức năng được tích hợp trên chip, giảm thiểu số lượng linh kiện off-chip.

3.2. Hạn chế

Một số thành phần như mạch phối hợp trở kháng và cuộn dây chặn cao tần vẫn cần được thực hiện off-chip, làm tăng kích thước và chi phí của hệ thống. Đây là điểm cần được cải thiện trong các nghiên cứu tiếp theo.

21/02/2025

TÀI LIỆU LIÊN QUAN

Luận văn thạc sĩ kỹ thuật điện tử thiết kế phần cao tần bộ phát của đầu đọc rfid dùng công nghệ cmos 0 18μm
Bạn đang xem trước tài liệu : Luận văn thạc sĩ kỹ thuật điện tử thiết kế phần cao tần bộ phát của đầu đọc rfid dùng công nghệ cmos 0 18μm

Để xem tài liệu hoàn chỉnh bạn click vào nút

Tải xuống

Tài liệu "Thiết kế phần cao tần bộ phát đầu đọc RFID sử dụng công nghệ CMOS 0.18μm" tập trung vào việc thiết kế và tối ưu hóa phần cao tần của bộ phát đầu đọc RFID, sử dụng công nghệ CMOS 0.18μm. Đây là một nghiên cứu quan trọng trong lĩnh vực vi mạch và công nghệ RFID, giúp cải thiện hiệu suất, độ nhạy và khả năng tích hợp của các hệ thống RFID. Tài liệu cung cấp cái nhìn sâu sắc về quy trình thiết kế, các thách thức kỹ thuật và giải pháp để đạt được hiệu quả cao trong việc truyền tín hiệu tần số cao. Điều này mang lại lợi ích lớn cho các kỹ sư và nhà nghiên cứu trong việc phát triển các thiết bị RFID tiên tiến và tiết kiệm năng lượng.

Để mở rộng kiến thức về thiết kế vi mạch và công nghệ bán dẫn, bạn có thể tham khảo thêm Tiểu luận phần 3 IC Design Flow định nghĩa về ASIC, Phần 3 IC Design Flow định nghĩa về ASIC, và Luận án tiến sĩ đánh giá vai trò và thiết kế lớp điện môi cực cổng dị cấu trúc trong các transistor hiệu ứng trường xuyên hầm. Những tài liệu này sẽ giúp bạn hiểu rõ hơn về quy trình thiết kế vi mạch và các yếu tố ảnh hưởng đến hiệu suất của thiết bị bán dẫn.

Tải xuống (111 Trang - 14.98 MB)