MỞ ĐẦU. Lý do chọn đề tài. Mục đích nghiên cứu. Đối tƣợng và phạm vi nghiên cứu.
Phƣơng pháp nghiên cứu. Vật liệu nano. Phân loại vật liệu nano:. Đặc trƣng của vật liệu nano.
Phƣơng pháp chế tạo vật liệu nano. Cấu trúc tinh thể của vật liệu Al2O3 .1 Cấu trúc mạng tinh thể của vật liệu Al2O3. Cấu hình điện tử của ion Cr3+. Cơ sở quang học của vật liệu.
Hiện tƣợng phát quang. Cơ chế phát quang của vật liệu. Các đặc trƣng của bột huỳnh quang. Sự chuyển mức năng lƣợng trong ion kim loại chuyển tiếp ở lớp dn.
Giản đồ Tanabe – Sugano. Giản đồ Tanabe-Sugano cho cấu hình d3. Các phƣơng pháp tổng hợp vật liệu huỳnh quang. Phƣơng pháp đồng kết tủa [14].
Phƣơng pháp sol- gel. Phƣơng pháp thủy nhiệt. Phƣơng pháp khuếch tán nhiệt. Tổng quan về tình hình nghiên cứu vật liệu Al2O3:Cr3+.
THỰC NGHIỆM VÀ PHƢƠNG PHÁP NGHIÊN CỨU. Hóa chất và thiết bị chế tạo mẫu. Quy trình chế tạo vật liệu Al2O3:Cr3+ bằng phƣơng pháp đồng kết tủa. Một số phƣơng pháp nghiên cứu tính chất của vật liệu.
Phƣơng pháp nghiên cứu tính chất quang bằng phép đo phổ huỳnh quang. Phƣơng pháp nghiên cứu hình thái bề mặt của vật liệu bằng ảnh FESEM. Phƣơng pháp nghiên cứu cấu trúc tinh thể bằng giản đồ nhiễu xạ tia X (XRD). Phƣơng pháp đo các thông số điện quang của LED.
KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN. Nghiên cứu hình thái bề mặt vật liệu bằng ảnh FESEM. Nghiên cứu cấu trúc tinh thể bằng giản đồ nhiễu xạ tia X (XRD). Nghiên cứu tính chất quang của vật liệu Al2O3 pha tạp Cr3+.
Phổ huỳnh quang (PL) và kích thích huỳnh quang (PLE) của vật liệu Al2O3 pha tạp Cr3+. Ảnh hƣởng của nhiệt độ ủ mẫu lên tính chất quang của vật liệu Al2O3 pha tạp Cr3+. Ảnh hƣởng của nồng độ pha tạp lên tính chất quang của vật liệu Al2O3:Cr3+. Thử nghiệm chế tạo đèn ED đỏ bằng cách phủ bột Al2O3:Cr3+ lên chíp NUV LED 395 nm.
63 DANH MỤCTÀI LIỆU THAM KHẢO. 64 QUYẾT ĐỊNH GIAO ĐỀ TÀI LUẬN VĂN ( bán sao) DANH MỤC CÁC CHỮ VIẾT TẮT Kí hiệu Tên Tiếng Anh Tên Tiếng Việt CRI Color rendering index Hệ số hoàn màu EDS Energy dispersive X-ray Phổ tán sắc năng lƣợng spectroscopy tia X CD Compact disc Đĩa quang DVD Digtital versatile disc Đĩa Quang FESEM Field emission scanning Hiển vi điện tử quét electron microscopy phát xạ trƣờng AND Deoxyribonucleic acid Vật liệu di truyền LED Light emitting diode Điốt phát quang NUV Near Ultraviolet Tử ngoại gần PL Photoluminescence Quang phát quang PLE Photoluminescence Kích thích quang phát excitation quang SEM Scanning electron Kính hiển vi điện tử microscopy quét UV Ultraviolet Tử ngoại XRD X-ray Diffraction Nhiễu xạ tia X DANH MỤC CÁC HÌNH Hình 1. Phân loại vật liệu nano: (0D) hạt nano hình cầu, cụm nano; (1D) dây, thanh nano; (2D) màng, đĩa và lƣới nano; (3D) vật liệu khối [7]. Một số hình ảnh về đá quý ruby.
Cấu trúc tinh thể α-Al2O3 (corundum). Sơ đồ quá trình huỳnh quang [20]. Sự truyền năng lƣợng từ E tới E1 [20]. Giản đồ Tanabe-Sugano cho cấu hình d3 [20].
Phổ hấp thụ của ion Cr3+(3d3) trong một oxit [20]. Phổ phát quang của α –Al2O3:Cr3+ với λex= 365nm và phổ kích phát quang của α –Al2O3:Cr3+ với λem =694 nm. Tính chất quang của vật liệu Al2O3:Cr3+ bằng phƣơng pháp cắt laze. Tính chất quang của vật liệu Al2O3:Cr3+ bằng phƣơng pháp đốt cháy gel.
Các thiết bị thí nghiệm để chế tạo bột Al2O3 pha tạp Cr3+ bằng phƣơng pháp đồng kết tủa và ủ nhiệt trong môi trƣờng không khí: (a) cân điện tử, (b) máy khuấy từ gia nhiệt, (c) bể rung siêu âm, (d) máy quay li tâm, (e) tủ sấy và (f) lò nung nhiệt độ cao Nabertherm. Sơ đồ quy trình tổng quát để chế tạo vật liệu huỳnh quang bằng phƣơng pháp đồng kết tủa. Sơ đồ quy trình tổng hợp bột huỳnh quang Al2O3 pha tạp Cr3+ bằng phƣơng pháp đồng kết tủa. Hệ huỳnh quang (Nanolog, Horiba Jobin Yvon) nguồn kích thích là đèn Xenon công suất 450 W có bƣớc sóng từ 250 ÷ 800 nm, tại viện Tiên tiến Khoa học và Công nghệ (AIST), Trƣờng Đại học Bách khoa Hà Nội.
Thiết bị FESEM-JEOL/JSM-7600F tích hợp đo FESEM và EDS tại Viện Tiên tiến Khoa học và Công nghệ (AIST)- Đại học Bách khoa Hà Nội. Hệ đo giản đồ nhiễu xạ tia X (D/MAX-2500/PC). 42 tại Viện (KICET), Hàn Quốc. Hệ đo các thông số điện quang Gamma Scientific RadOMA GS-1290 spectroradiometer.
Ảnh FESEM của mẫu Al2O3:0,6%Cr3+ chế tạo bằng phƣơng pháp đồng kết tủa và ủ tại các nhiệt độ khác nhau trong môi trƣờng không khí: (a) 600 oC; (b) 1100 oC; (c) 1200 oC và (d) 1400 oC. Giản đồ nhiễu xạ tia X của vật liệu Al2O3:0,6%Cr3+ chế tạo bằng phƣơng pháp đồng kết tủa và ủ nhiệt tại các nhiệt độ khác nhau từ 600 C đến 1500 C, thời gian 2 giờ trong môi trƣờng không khí. Phổ huỳnh quang của vật liệu Al2O3 pha tạp 0,6%Cr3+ chế tạo bằng phƣơng pháp đồng kết tủa và ủ nhiệt tại 1400 oC với thời gian 2 giờ trong môi trƣờng không khí. Phổ kích thích huỳnh quang của mẫu Al2O3:Cr3+0,6% ủ ở 1200 oC với thời gian 2 giờ trong môi trƣờng không khí.
Phổ huỳnh quang ứng với hai bƣớc sóng kích thích khá nhau 405 nm và 560 nm của vật liệu Al2O3 pha tạp 0,6% Cr3+ chế tạo bằng phƣơng pháp đồng kết tủa và ủ nhiệt tại 1400 oC với thời gian 2 giờ trong môi trƣờng không khí. Phổ huỳnh quang kích thích tại 405 nm của mẫu Al2O3:x%Cr3+ (x=0,2-2%) chế tạo bằng phƣơng pháp đồng kết tủa và ủ tại các nhiệt độ 1400 oC môi trƣờng không khí trong 2 giờ với nồng độ khác nhau. Đƣờng biễu diễn sự phụ thuộc cƣờng độ huỳnh quang (kích thích tại 405 nm) của đỉnh phát xạ 695 nm mẫu Al2O3:x%Cr3+(x=0,2-2%) chế tạo bằng phƣơng pháp đồng kết tủa và ủ nhiệt tại 1400 oC trong môi trƣờng không khí. Phổ huỳnh quang kích thích tại 560 nm của mẫu Al2O3:x%Cr3+(x=0,2-2%) chế tạo bằng phƣơng pháp đồng kết tủa và ủ nhiệt ở 1400 C trong môi trƣờng không khí.
Đƣờng biễu diễn sự phụ thuộc cƣờng độ huỳnh quang (kích thích tại 560 nm) của đỉnh phát xạ 695 nm của mẫu Al2O3:x%Cr3+(x=0,2-2%) chế tạo bằng phƣơng pháp đồng kết tủa và ủ nhiệt tại 1400 C trong môi trƣờng không khí. Phổ kích thích huỳnh quang đo tại đỉnh 695 nm của mẫu Al2O3 với các nồng độ pha tạp Cr3+ khác nhau từ 0,2% đến 1,5%. Các hình ảnh thử nghiệm chế tạo đèn ED đỏ từ bột Al2O3:Cr3+ phủ lên chíp NUV LED 395 nm: (a) bột Al2O3:Cr3+, (b) chíp NUV ED 395 nm đã đƣợc phủ bột Al2O3:Cr3+ và (c) đèn ED phát xạ đỏ khi nối với nguồn. Phổ điện huỳnh quang (a) và giản đồ CIE của đèn ED đỏ dƣới dòng điện 150 mA.
Hình chèn nhỏ trên hình 3.14b là ảnh phát xạ thực tế của đèn ED thử nghiệm. 62 DANH MỤC CÁC BẢNG Bảng 2. Khối lƣợng hóa chất để tổng hợp bột huỳnh quang Al2O3: Cr3+. Kích thƣớc tinh thể trung bình của vật liệu Al2O3:0,6%Cr3+ tính toán tại đỉnh nhiễu xạ ứng với mặt tinh thể (113).
Các thông số trƣờng tinh thể của vật liệu Al2O3:Cr3+. Lý do chọn đề tài Điốt phát quang ánh sáng trắng (W- ED) có nhiều ƣu điểm vƣợt trội so với các loại đèn truyền thống nhƣ kích thƣớc nhỏ gọn, tiết kiệm năng lƣợng, hiệu suất phát quang lớn và đặc biệt là thân thiện với môi trƣờng. Hiện nay có hai phƣơng pháp chủ yếu để chế tạo các W-LED [1]: (i) Sử dụng các bột phát xạ đơn sắc gồm ba thành phần màu cơ bản là đỏ (RED), xanh lam (B UE) và xanh lá cây (GREEN) phủ lên chip ed tử ngoại (UV) hoặc tử ngoại gần (NUV); (ii) phủ một lớp bột phát quang màu vàng YAG: Ce3+ lên chíp LED phát xạ màu xanh lam (Blue– ED). Trong đó, các W- ED đƣợc chế tạo bằng cách phủ bột YAG:Ce lên chíp Blue- ED đã đƣợc thƣơng mại hóa [1].
Tuy nhiên, nhƣợc điểm của các W- ED thƣơng mại là hệ số trả màu thấp (CRI<80) do trong thành phần bột phát xạ màu vàng còn thiếu vùng ánh sáng đỏ và đỏ xa [2]. Hiện nay, vấn đề đang đƣợc quan tâm hết sức mạnh mẽ đó là sử dụng ánh sáng nhân tạo trong việc tăng cƣờng hiệu quả sinh trƣởng của cây trồng (chiếu sáng cho lĩnh vực nông nghiệp). Trên thực tế, cây trồng hấp thụ mạnh ánh sáng ở hai vùng xanh dƣơng và đỏ/đỏ xa. Tuy nhiên, các loại bột huỳnh quang phát xạ ánh sáng đỏ/đỏ xa hiện nay thƣờng hấp thụ mạnh trong vùng tử ngoại (UV) hoặc cận tử ngoại (NUV) [3].
Điều này cho thấy việc sử dụng bột huỳnh quang phủ lên các chíp UV LED hoặc NUV LED này không mang lại hiệu quả kinh tế cao bởi các chíp này thƣờng có giá thành đắt hơn nhiều lần so với chíp Blue (thƣơng mại). Do đó, việc nghiên cứu loại bột huỳnh quang phát xạ trong vùng đỏ/đỏ xa và hấp thụ mạnh trong vùng Bule (xung quanh bƣớc sóng ~450 nm) nhằm định hƣớng ứng dụng trong các loại đèn ED chuyên dụng cho nông nghiệp đang thu hút sự quan tâm của nhiều nhóm 2 nghiên cứu trên toàn thế giới. Trong các mạng nền làm bột liệu huỳnh quang, nhôm ôxít (Al2O3) là mạng nền có nhiều tính chất lý hóa thú vị nhƣ nhiệt độ nóng chảy cao, độ trong suốt lớn và đặc biệt là có độ bền nhiệt/hóa học ổn định [4][5][6]. Nó đang đƣợc sử dụng nhƣ mạng nền pha tạp các nguyên tố khác nhau nhằm ứng dụng trong các linh kiện điện-quang.
Bột huỳnh quang Al2O3 pha tạp Cr3+ (Al2O3:Cr3+) cho phát xạ mạnh trong vùng ánh sáng đỏ xa (~700 nm) và hấp thụ trong vùng bƣớc sóng 405nm và 558nm [6]. Đây là đặc tính vô cùng quan trọng trong chế tạo các đèn ED phát xạ đỏ chuyên dụng cho nông nghiệp. Tuy nhiên, các nghiên cứu chỉ dừng lại quy trình tổng hợp Al2O3:Cr3+ và phân tích tính chất quang của nó. Việc nghiên cứu các đèn ED phát xạ ánh sáng đỏ trên cơ sở chíp Violet LED và bột huỳnh quang Al2O3:Cr3+ chƣa đƣợc chú trọng nhiều.
Từ những lý do trên, chúng tôi chọn đề tài “NGHIÊN CỨU TỔNG HỢP VÀ TÍNH CHẤT QUANG CỦA VẬT LIỆU Al2O3:Cr3+ NHẰM ỨNG DỤNG TRONG ĐÈN ED PHÁT XẠ ÁNH SÁNG ĐỎ” với định hƣớng ứng dụng trong chiếu sáng nông nghiệp công nghệ cao hoặc sử dụng nhƣ một loại bột đơn sắc bổ sung phát xạ đỏ để nâng cao chất lƣợng của các bột huỳnh quang thƣơng mại cho WLED hiện tại.