Chương 1. Tổng quan tài liệu: Trình bày về lý thuyết nhiệt phát quang; một số ứng dụng của vật liệu nhiệt phát quang; một số vấn đề liên quan đến nhiệt phát quang; khái niệm về đại lượng và đơn vị dùng trong định liều bức xạ; một số đặc trưng chính của vật liệu nhiệt phát quang cần khảo sát. Phương pháp thực nghiệm: Tìm hiều về nguyên vật liệu và thiết bị sử dụng; tìm hiểu cách bố trí thí nghiệm; tìm hiểu phương pháp xác định một số đặc trưng kỹ thuật chính của vật liệu KaGdEs:Tb Chương 3. Kết quả và thảo luận: Trình bày kết quả đạt được và thảo luận, so sánh kết quả thực nghiệm với tiêu chuẩn IEC 1066:1991 và nhận xét, đề xuất hướng khắc phục những vấn đề còn tồn tại.
TONG QUAN TAI LIEU 1. LY THUYET NHIET PHAT QUANG 1. Khai niệm hiện tượng nhiệt phát quang Nhiét phat quang [Thermally stimulated luminescence (TSL) - 1a phat quang cưỡng bức nhiệt, viết tắt là Thermoluminescence (TL)]: Là hiện tượng một vật liệu cách điện (còn gọi là điện môi) hoặc một chất bán dẫn phát ra ánh sáng khi bị nung nóng nếu trước đó vật liệu đã được chiều xạ một cách có chủ đích hay tình cờ bởi các bức xạ lon hóa (như: ơ, B ,y, tia-X hoặc nơtron) [17]. Vật liệu TL là vật liệu có khả năng hấp thụ và tích lũy năng lượng ion hóa trong suốt quá trình bị phơi chiếu bởi các bức xạ như tia-X, d, B, y hoặc nofron.
Sau đó năng lượng được giải phóng dưới dạng ánh sáng khi vật liệu bị đốt nóng. Rat nhiều vật liệu có tính chất TL nhưng để ứng dụng trong đo liều thì vật liệu cần thỏa mãn những yêu cầu khắt khe như độ nhạy cao, độ tuyến tính cao, độ fading thấp (Fading là sự suy giảm tín hiệu TL theo thời gian). Trong những năm gần đây, thế giới vẫn đang tập trung nghiên cứu nhiều loại vật liệu khác nhau nhằm tăng cường độ chính xác của việc đo liều bức xạ bằng phương pháp TL. Đây là một hiện tượng rất phố biến, trong số vài ngàn khoáng vật tự nhiên đã biết có hơn 60 % khoáng vật có hiệu ứng TL, hiệu ứng này còn được phát hiện đối với nhiều vật liệu khác, kế cả các tổ chức sống và vật liệu tổng hợp nhân tạo.
Các đặc điểm của hiện tượng nhiệt phát quang Muốn xảy ra hiện tượng TL thì vật liệu phải tồn tại các mức năng lượng nằm trong vùng cắm, các mức này đóng vai trò là những bẫy điện tử và lỗ trồng. Khi vật liệu được chiếu xạ bằng các bức xạ ion hóa, điện tử (electron) bị bắt tại bẫy và lỗ trống bị bắt tại tâm phát quang. Trong quá trình nung nóng vật liệu, điện tử sẽ nhận được nhiệt năng và thoát ra khỏi bẫy, tái hợp với lỗ trống tại tâm tái hợp và phát ra photon ánh sáng. Cường độ ánh sáng của các photon phát ra khi đốt nóng vật liệu sẽ tỷ lệ với với liều bức xạ mà vật liệu đó đã hấp thụ.
Vật liệu TL phải là vật liệu cách điện hoặc bán dẫn, đối với kim loại thì không có hiện tượng TL. 7 Nhiệt lượng mà ta cung cấp cho vật liệu khi nung nóng chỉ là yếu tố kích thích, không phải là nguyên nhân gây ra sự phát quang. Nguyên nhân gây ra sự phát quang là do vật liệu đã hấp thụ năng lượng ion hoá từ trước đó. Các vật liệu này sau khi đã được kích thích nhiệt để phát quang thì khi nâng nhiệt một lần nữa cũng sẽ không phát quang, do điện tử đã thoát ra khỏi bẫy.
Nếu muốn phát quang thì vật liệu cần chiếu xạ lần nữa. Lượng tia bức xạ tích lũy theo thời gian được đo đếm bằng vật liệu TL — là thành phần chính của dụng cụ đo liều, đó là liều kế TL (Thermoluminescense Dosimeter - TLD). Trên thế giới, TL là một phương pháp được ứng dụng rộng rãi từ lâu trong nhiều lĩnh vực khác nhau như đo liều xạ trị, đo liều môi trường, đo liều xác định tuổi khảo cô, v. Tại Việt Nam, trong khoảng mười năm gần đây, Viện Nghiên cứu hạt nhân (Đà Lạt) đã nghiên cứu và chế tạo thành công TLD (dùng vật liệu CaSOa:Dy dạng bột) làm dịch vụ đo liều cá nhân và môi trường cho các cơ Sở bức xạ và hạt nhân.
Nhu vậy, hiện tượng TL của các vật liệu này liên quan đến hai quá trình vật lý là quá trình hình thành các khuyết tật trong mạng tinh thé đóng vai trò các bẫy và tâm tái hợp trong vật liệu, và quá trình tích lũy của các điện tích trong bẫy do chiếu xạ và quá trình tái hợp điện tử - lỗ trống do cưỡng bức nhiệt phát quang [18]. Giải thích hiện tượng nhiệt phát quang Tính chất TL được giải thích bằng lý thuyết vùng năng lượng của vật rắn. Cấu trúc vùng năng lượng của các chất bán dẫn hay các chất cách điện lý tưởng được chia làm 3 vùng như sau: + Vùng hóa trị: Là vùng có năng lượng thấp nhất theo thang năng lượng, ở vùng này các điện tử liên kết rất chặt chẽ với nguyên tử và không linh động (chúng chỉ chuyền động trên một quỹ đạo xác định ở năng lượng thấp nhất). + Vùng dẫn: Là vùng có mức năng lượng cao nhất, vùng này các điện tử chuyên động tự do, vì vậy điện tử ở vùng này là điện tử dẫn.
+ Vùng cắm: Là vùng nằm giữa vùng hóa trị và vùng dẫn không có mức năng lượng nào, điện tử không thê tồn tại trong vùng cắm này. Tuy nhiên, trên thực tế trong mang tinh thể luôn luôn tồn tại các loại khuyết tật khác nhau như các vùng khuyết ion hay các tạp chất xen vào nên trong vùng cắm tồn tại một số mức năng lượng cho phép. Các mức năng lượng này đóng vai trò là tâm bẫy điện tử hoặc bẫy lỗ trống (tâm tái hợp). Trên giản 8 đồ năng lượng trình bày ở Hình I.
Vùng dẫn \ A 1 kL ! Phatquang | ¬"% 1 _ ị Bức xa tới Tam crip + Vùng hóa trị « điệntửtựdo © Lỗ trồng Hình 1. Cấu trúc vùng năng lượng và các quá trình dịch chuyển Từ Hình 1.1, ta thấy sự hình thành và vận chuyên của các hạt tải điện được diễn ra theo các quá trình như sau: (1) Quá trình ion hoá. (2), (5) Qué trinh bay electron va 16 trong. (3) Quá trình giải thoát điện tử ra khỏi bẫy bằng nhiệt.
(4) Quá trình kết hợp giữa electron và lỗ trống với sự phát ra photon ánh sáng. Khi chiếu xạ bởi các tia bức xạ (tia UV, tia-X, y, nơtron.) vào vật liệu thì bức xạ Ion hóa được hấp thụ trong vật liệu sẽ tạo ra các hạt tải điện là các điện tử và lỗ trong tự đo. Số hạt tải điện sinh ra tỉ lệ với năng lượng mà vật liệu hấp thụ. Đối với sơ đồ vùng năng lượng, các điện tử sau khi nhận được năng lượng của bức xạ ion hóa chuyên từ vùng hóa trị lên vùng dẫn và chuyên động tự do trong vùng này (bước 1).
Điện tử và lỗ trống tự do có thời gian sống rat ngắn, chúng lập tức bị bắt vào các tâm bẫy tương ứng (bước 2 và 5). Lúc này mẫu ở trạng thái kích thích, nếu chiếu mẫu với nguồn nhiệt độ thích hợp, điện tử bị bẫy có thể nhận được năng lượng đủ đề thoát ra khỏi bẫy. Sau khi thoát ra khỏi bẫy chúng chuyền lên vùng dẫn (bước 3). Thời gian điện tử ở vùng dẫn rất ngắn, chúng có xu thế chuyền về trạng thái cân bằng thông qua việc tái hợp với các lỗ trồng trên tâm tái hợp.
Quá trình tái hợp của điện tử và lỗ trống xảy ra kèm theo việc giải phóng năng lượng dưới dạng photon ánh sánh nhìn thấy (bước 4). Hiện tượng phát ra ánh sáng do được chiếu bằng nhiệt độ thích hợp được gọi là hiện tượng TL. 9 Cấu trúc vùng năng lượng thực tế phức tạp hơn nhiều bởi nó không chỉ tồn tại một mức bẫy điện tử và một mức bẫy lỗ trống như Hình 1.1 mà nó có nhiều các mức bẫy khác nhau như trình bày trên Hình 1.2: C là mức bẫy electron gần phía đáy của vùng dẫn, nó là các mức bẫy nông, không bền ngay ở nhiệt độ môi trường do đó điện tử dễ dàng thoát ra khỏi bẫy. D là mức bẫy trung bình và đóng vai trò là các bẫy đo liều chính, điện tử trong mức bẫy này được giải phóng khi được kích thích bằng nhiệt độ phù hợp.
E là các mức bẫy sâu, điện tử bị bắt ở đây chỉ có thể thoát ra khi được nung với nhiệt độ cao. B là mức bẫy lỗ trống sâu và F là bẫy lỗ trống đóng vai trò là là tâm tái hợp của điện tử và lỗ trong hay chính là tâm phát quang. Ngoài ra các quá trình chuyền động của điện tử và lỗ trống cũng phức tạp hơn nhiều chứ không đơn giản như mô hình một mm G | Vùng hóa trị Hình 1. Cấu trúc vùng năng lượng thực tế gồm nhiều bẫy điện tử và lỗ bẫy một tâm.
Vùng dẫn Ving cam A ; trong. Trong trường hợp điện tử và lỗ trắng tự do tái hợp trực tiếp, năng lượng được giải phóng ra dưới dạng bức xạ sóng điện từ (photon). Cũng có thê xảy ra trường hợp một phần năng lượng được giải phóng ra được dùng để kích thích một tâm huỳnh quang (tâm này có thể trùng với tâm tái hợp). Tâm huỳnh quang hồi phục (trở về trạng thái cơ bản) bằng cách phát xạ ánh sáng.
Tuy nhiên, trong các chất bán dẫn hoặc điện môi các hạt tải điện có thể bị bẫy tại các mức năng lượng trong vùng cấm: các điện tử bị bẫy trên bẫy T và các lỗ trống bị bẫy trên tâm tái hợp R chuyền đời (2) trong Hình 1. 10 Vùng dẫn < ee @ w ụ 3 2 E 4 ul? Ee. 1 R ——— 2 _ Vùng hóa trị SS Hinh 1. M6 hinh TL don gian gm 2 mitc doi với điện tử và lỗ trồng Tóm lại, khi có sự đảo mật độ từ trạng thái cân bằng nhiệt động sang trạng thái nửa bền và hồi phục cưỡng bức nhiệt về trạng thái cân bằng ban đầu thì nhiệt phát quang xảy ra.
Xác suất p tính trong một đơn vị thời gian đề giải phóng một điện tử khỏi bẫy ở nhiệt độ T tuân theo phương trình Arrhenius [17].1) Với E là độ sâu của bẫy hay năng lượng cần thiết để giải phóng một điện tử từ bẫy lên vùng dẫn (xem Hình 1.