Luận văn thạc sĩ hus xác định một số chỉ tiêu lượng vết trong bột vonfram dùng cho thuốc vi sai an toàn bằng phương pháp icp ms

Luận văn thạc sĩ phân tích hus xác định một số chỉ tiêu lượng vết trong bột vonfram dùng cho thuốc vi sai an toàn bằng phương, đánh giá thực trạng, chỉ ra hạn chế, đề xuất giải

Chuyên ngành

Hoá Phân Tích

Người đăng

Ẩn danh

Thể loại

Luận Văn Thạc Sỹ Khoa Học

2013

82
4
0

Phí lưu trữ

30 Point

Mục lục chi tiết

LỜI NÓI ĐẦU

1. CHƯƠNG 1: TỔNG QUAN

1.1. Giới thiệu sơ lược về kim loại Vonfram bột dùng cho chế tạo thuốc cháy chậm vi sai an toàn

1.2. Sơ lược về kim loại Vonfram (W)

1.3. Tính chất vật lý, hóa học, ứng dụng và công nghệ sản xuất kim loại Vonfram bột

1.4. Ứng dụng của kim loại W và các hợp chất của nó

1.5. Công nghệ chế tạo Vonfram bột

1.6. Đặc điểm của các nguyên tố vi lượng trong bột W (As, Bi, Cd, Co, Cr, Cu, Fe, Mn, Pb, Sb, Mo)

1.6.1. Tính chất lý, hóa học

1.6.2. Sự tồn tại của các nguyên tố vi lượng có trong bột W trong thiên nhiên

1.7. Các phương pháp xác định các nguyên tố vi lượng trong bột W

1.7.1. Phương pháp phân tích trọng lượng

1.7.2. Phương pháp thể tích

1.7.3. Các phương pháp phân tích điện hóa

1.7.4. Phương pháp sắc ký - Kỹ thuật phân tích sắc kí lỏng hiệu năng cao (HPLC) xác định đồng thời

1.7.5. Các phương pháp phân tích quang

2. CHƯƠNG 2: THỰC NGHIỆM

2.1. Mục tiêu và nội dung nghiên cứu

2.1.1. Mục tiêu nghiên cứu

2.1.2. Nội dung nghiên cứu

2.2. Phương pháp phân tích phổ Plasma cảm ứng cao tần (ICP-MS)

2.2.1. Đặc điểm của phương pháp phân tích bằng ICP-MS

2.2.2. Bản chất của phổ ICP-MS

2.2.3. Nguyên tắc và sự xuất hiện phổ khối ICP-MS

2.2.4. Hệ trang bị của phép đo ICP-MS

2.2.5. Trang thiết bị, dụng cụ và hóa chất dùng trong nghiên cứu

3. CHƯƠNG 3: KẾT QUẢ THỰC NGHIỆM VÀ THẢO LUẬN

3.1. Khảo sát và chọn các thông số đo phổ ICP-MS (tối ưu theo các nguyên tố cần xác định)

3.2. Chọn các đồng vị phân tích (số khối, tỉ lệ đồng vị, phương trình hiệu chỉnh đối với các nguyên tố)

3.3. Khảo sát và chọn các điều kiện thực nghiệm đo phổ của 12 ion kim loại tạp chất trong W

3.4. Nghiên cứu ảnh hưởng của nền Vonfram đến phép xác định

3.5. Xác định khoảng tuyến tính và xây dựng đường chuẩn, giới hạn phát hiện, giới hạn định lượng

3.5.1. Khoảng tuyến tính của phép đo ICP-MS

3.5.2. Xây dựng đường chuẩn các nguyên tố

3.6. Khảo sát sai số và độ lặp lại của phép đo

3.7. Phân tích mẫu bột Vonfram của một số nước đang sản xuất

3.8. Quy trình phá mẫu

3.9. Đánh giá hiệu suất thu hồi theo hai quy trình phá mẫu W

3.10. Quy trình phân tích mẫu W bằng phương pháp ICP-MS

TÀI LIỆU THAM KHẢO

Tóm tắt

I. Tổng quan về nghiên cứu chỉ tiêu lượng vết trong bột vonfram

Nghiên cứu chỉ tiêu lượng vết trong bột vonfram là một lĩnh vực quan trọng trong hóa phân tích, đặc biệt là trong sản xuất thuốc vi sai an toàn. Bột vonfram (W) được sử dụng rộng rãi trong nhiều ứng dụng công nghiệp, từ sản xuất dụng cụ cắt đến chế tạo thuốc cháy chậm. Việc xác định chính xác các chỉ tiêu lượng vết trong bột vonfram không chỉ giúp đảm bảo chất lượng sản phẩm mà còn bảo vệ sức khỏe con người và môi trường.

1.1. Giới thiệu về bột vonfram và ứng dụng của nó

Bột vonfram là một dạng kim loại có độ tinh khiết cao, được sử dụng trong nhiều lĩnh vực như sản xuất hợp kim, dụng cụ cắt, và đặc biệt là trong chế tạo thuốc vi sai an toàn. Với tính chất vật lý và hóa học đặc biệt, bột vonfram có khả năng chịu nhiệt và chống mài mòn tốt.

1.2. Tầm quan trọng của việc xác định chỉ tiêu lượng vết

Việc xác định chỉ tiêu lượng vết trong bột vonfram là cần thiết để đảm bảo chất lượng sản phẩm. Các tạp chất như As, Bi, Cd, và nhiều nguyên tố khác có thể ảnh hưởng đến tính an toàn và hiệu quả của thuốc vi sai. Do đó, việc phân tích chính xác là rất quan trọng.

II. Thách thức trong việc phân tích chỉ tiêu lượng vết trong bột vonfram

Phân tích chỉ tiêu lượng vết trong bột vonfram gặp nhiều thách thức do sự hiện diện của các tạp chất và yêu cầu về độ chính xác cao. Các phương pháp phân tích truyền thống thường không đáp ứng được yêu cầu này, dẫn đến việc cần thiết phải áp dụng các công nghệ hiện đại hơn.

2.1. Các phương pháp phân tích truyền thống và hạn chế của chúng

Các phương pháp phân tích truyền thống như chuẩn độ và tách chiết thường có độ chính xác thấp và không phát hiện được các thành phần có hàm lượng nhỏ. Điều này gây khó khăn trong việc đánh giá chất lượng bột vonfram.

2.2. Nhu cầu về công nghệ phân tích hiện đại

Công nghệ phân tích hiện đại như ICP-MS (Phổ plasma cảm ứng cao tần) đã được chứng minh là hiệu quả trong việc xác định các chỉ tiêu lượng vết. Việc áp dụng ICP-MS giúp nâng cao độ chính xác và giảm thời gian phân tích.

III. Phương pháp ICP MS trong phân tích bột vonfram

ICP-MS là một trong những phương pháp phân tích hiện đại nhất hiện nay, cho phép xác định nhanh chóng và chính xác các nguyên tố vi lượng trong bột vonfram. Phương pháp này sử dụng plasma để ion hóa mẫu và sau đó phân tích các ion bằng khối phổ.

3.1. Nguyên lý hoạt động của ICP MS

ICP-MS hoạt động dựa trên nguyên lý ion hóa mẫu trong plasma và phân tích các ion bằng khối phổ. Điều này cho phép phát hiện các nguyên tố với độ nhạy cao, ngay cả ở nồng độ rất thấp.

3.2. Lợi ích của việc sử dụng ICP MS

Sử dụng ICP-MS mang lại nhiều lợi ích như độ chính xác cao, khả năng phát hiện các nguyên tố vi lượng ở nồng độ thấp, và thời gian phân tích ngắn. Điều này rất quan trọng trong việc đảm bảo chất lượng bột vonfram.

IV. Kết quả nghiên cứu và ứng dụng thực tiễn

Kết quả nghiên cứu cho thấy rằng việc áp dụng phương pháp ICP-MS đã giúp xác định chính xác các chỉ tiêu lượng vết trong bột vonfram. Các kết quả này không chỉ có giá trị trong nghiên cứu mà còn có thể áp dụng trong sản xuất thực tiễn.

4.1. Kết quả phân tích các mẫu bột vonfram

Các mẫu bột vonfram được phân tích bằng ICP-MS cho thấy hàm lượng các tạp chất như As, Bi, Cd nằm trong giới hạn cho phép. Điều này chứng tỏ rằng bột vonfram đáp ứng được các tiêu chuẩn chất lượng cao.

4.2. Ứng dụng kết quả nghiên cứu trong sản xuất

Kết quả nghiên cứu có thể được áp dụng trong quy trình sản xuất bột vonfram, giúp cải thiện chất lượng sản phẩm và đảm bảo an toàn cho người sử dụng. Việc áp dụng công nghệ phân tích hiện đại sẽ giúp nâng cao năng lực cạnh tranh của sản phẩm trên thị trường.

V. Kết luận và triển vọng tương lai của nghiên cứu

Nghiên cứu chỉ tiêu lượng vết trong bột vonfram bằng phương pháp ICP-MS đã mở ra nhiều cơ hội mới cho ngành công nghiệp chế tạo thuốc vi sai an toàn. Việc áp dụng công nghệ hiện đại không chỉ nâng cao chất lượng sản phẩm mà còn bảo vệ sức khỏe con người và môi trường.

5.1. Tóm tắt kết quả nghiên cứu

Nghiên cứu đã xác định thành công các chỉ tiêu lượng vết trong bột vonfram, chứng minh tính khả thi của phương pháp ICP-MS trong phân tích hóa học. Kết quả này có thể được sử dụng làm cơ sở cho các nghiên cứu tiếp theo.

5.2. Triển vọng phát triển công nghệ phân tích trong tương lai

Triển vọng phát triển công nghệ phân tích trong tương lai sẽ tập trung vào việc cải thiện độ nhạy và độ chính xác của các phương pháp phân tích, đồng thời mở rộng ứng dụng của chúng trong nhiều lĩnh vực khác nhau.

18/07/2025
Luận văn thạc sĩ hus xác định một số chỉ tiêu lượng vết trong bột vonfram dùng cho thuốc vi sai an toàn bằng phương pháp icp ms

Trích đoạn nội dung tài liệu

ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƢỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN ------------------ HOÀNG TRỌNG KHIÊM XÁC ĐỊNH MỘT SỐ CHỈ TIÊU LƢỢNG VẾT TRONG BỘT VONFRAM DÙNG CHO THUỐC VI SAI AN TOÀN BẰNG PHƢƠNG PHÁP ICP-MS LUẬN VĂN THẠC SỸ KHOA HỌC HÀ NỘI - 2013 LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.com ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƢỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN ---------------------- HOÀNG TRỌNG KHIÊM XÁC ĐỊNH MỘT SỐ CHỈ TIÊU LƢỢNG VẾT TRONG BỘT VONFRAM DÙNG CHO THUỐC VI SAI AN TOÀN BẰNG PHƢƠNG PHÁP ICP-MS Chuyên ngành: Hoá Phân tích Mã số: 60.29 LUẬN VĂN THẠC SỸ KHOA HỌC Ngƣời hƣớng dẫn khoa học: TS PHẠM THỊ NGỌC MAI HÀ NỘI - 2013 LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.com MỤC LỤC DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU VIẾT TẮT SỬ DỤNG TRONG LUẬN VĂN. DANH MỤC CÁC BẢNG. DANH MỤC CÁC HÌNH .1 CHƢƠNG 1: TỔNG QUAN. Giới thiệu sơ lƣợc về kim loại Vonfram bột dùng cho chế tạo thuốc cháy chậm vi sai an toàn.

Sơ lƣợc về kim loại Vonfram (W). Tính chất vật lý, hóa học, ứng dụng và công nghệ sản xuất kim loại Vonfram bột. Ứng dụng của kim loại W và các hợp chất của nó. Công nghệ chế tạo Vonfram bột.

Đặc điểm của các nguyên tố vi lƣợng trong bột W (As, Bi, Cd, Co, Cr, Cu, Fe, Mn, Pb, Sb, Mo). Tính chất lý, hóa học. Sự tồn tại của các nguyên tố vi lƣợng có trong bột W trong thiên nhiên 11 1. Các phƣơng pháp xác định các nguyên tố vi lƣợng trong bột W.

Phƣơng pháp phân tích trọng lƣợng [4, 6]. Phƣơng pháp thể tích. Các phƣơng pháp phân tích điện hoá. Phƣơng pháp sắc ký - Kĩ thuật phân tích sắc kí lỏng hiệu năng cao (HPLC) xác định đồng thời.

Các phƣơng pháp phân tích quang .17 CHƢƠNG 2: THỰC NGHIỆM. Mục tiêu và nội dung nghiên cứu. Mục tiêu nghiên cứu. Nội dung nghiên cứu.

Phƣơng pháp phân tích phổ Plasma cảm ứng cao tần (ICP-MS) .25 LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail. Đặc điểm của phƣơng pháp phân tích bằng ICP-MS. Bản chất của phổ ICP-MS. Nguyên tắc và sự xuất hiện phổ khối ICP-MS.

Hệ trang bị của phép đo ICP-MS. Trang thiết bị, dụng cụ và hóa chất dùng trong nghiên cứu .34 CHƢƠNG 3: KẾT QUẢ THỰC NGHIỆM VÀ THẢO LUẬN. Khảo sát và chọn các thông số đo phổ ICP-MS (tối ƣu theo các nguyên tố cần xác định). Chọn các đồng vị phân tích (số khối, tỉ lệ đồng vị, phƣơng trình hiệu chỉnh đối với các nguyên tố).

Khảo sát và chọn các điều kiện thực nghiệm đo phổ của 12 ion kim loại tạp chất trong W. Nghiên cứu ảnh hƣởng của nền Vonfram đến phép xác định. Xác định khoảng tuyến tính và xây dựng đƣờng chuẩn, giới hạn phát hiện, giới hạn định lƣợng. Khoảng tuyến tính của phép đo ICP-MS.

Xây dựng đƣờng chuẩn các nguyên tố. Khảo sát sai số và độ lặp lại của phép đo. Phân tích mẫu bột Vonfram của một số nƣớc đang sản xuất. Quy trình phá mẫu.

Đánh giá hiệu suất thu hồi theo hai quy trình phá mẫu W. Quy trình phân tích mẫu W bằng phƣơng pháp ICP-MS .70 TÀI LIỆU THAM KHẢO. LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.com DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU VIẾT TẮT SỬ DỤNG TRONG LUẬN VĂN STT Kí hiệu viết tắt Tên đầy đủ 1 AAS Phổ hấp thụ nguyên tử (atomic absorption spectrometry) 2 AES Phổ phát xạ nguyên tử (atomic emision spectrometry) 3 ICP-MS Phổ plasma cảm ứng cao tần (Inductively coupled plasma - Mass spectrometry) 4 CE Tiêu chuẩn hàng hóa xuất nhập vào Châu Âu (European conformity) 5 CPS Số đếm trên thời gian 1 giây (Counter per second) 6 DCP Dòng plasma một chiều (Drect Current Plasma) 7 F-AAS Phổ hấp thụ nguyên tử ngọn lửa (Flame atomic absorption spectrometry) 8 GF-AAS Phổ hấp thụ nguyên tử không ngọn lửa (Graphite furnace atomic absorption spectrometry) 9 HPLC Phƣơng pháp sắc ký lỏng hiệu năng cao (High- performance liquid chromatography) 10 LOD Giới hạn phát hiện (Limit of Detection) 11 LOQ Giới hạn định lƣợng (Limit of Quantity) 12 LLKM Lƣu lƣợng khí mang 13 MIP Plasma cảm ứng vi sóng (Microwave Induced Plasma) 14 RF Công suất nguồn phát cao tần (Radio Frequency power) 15 ppm Phần triệu (part per million) 16 ppb Phần tỷ (part per billion) 17 ppt Phần nghìn tỷ (part per thousand billion) 18 RSD Độ lệch chuẩn tƣơng đối (Relative standard deviation) 19 SD Độ lệch chuẩn (Standard deviation) 20 SDe Độ sâu mẫu (Sample Depth) LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.com DANH MỤC CÁC BẢNG Ký hiệu Tên bảng Trang Bảng 1.1 Tiêu chuẩn kỹ thuật một số bột kim loại Vonfram 9 Bảng 1.2 Các nguyên tố vi lƣợng có trong bột Vonfram 10 Bảng 1.3 Phần trăm trọng lƣợng các nguyên tố vi lƣợng trong thiên 11 nhiên Bảng 3.1: Số khối, tỷ lệ đồng vị và phƣơng trình hiệu chỉnh đối với 38 các nguyên tố Bảng 3.2: Kết quả khảo sát ảnh hƣởng của công suất RF 40 Bảng 3.3: Kết quả khảo sát lƣu lƣợng khí mang 42 Bảng 3.4: Kết quả khảo sát ảnh hƣởng của thế thấu kính ion 45 Bảng 3.5: Các thông số đƣợc chọn để định lƣợng các nguyên tố kim 47 loại trong nền Bảng 3.6: Phƣơng trình đƣờng chuẩn của 12 nguyên tố vết kim loại 57 Bảng 3.7: Giới hạn phát hiện và độ nhạy của các nguyên tố 58 Bảng 3.8: Sai số và độ lặp lại của phép đo các nguyên tố tạp chất 60 trong W Bảng 3.9: So sánh hiệu suất thu hồi của quy trình phân tích 65 Bảng 3.10: Kết quả phân tích tạp chất kim loại trong bột W tinh 66 khiết Bảng 3.11: Kết quả xác định khoảng tin cậy các nguyên tố kim loại 69 trong mẫu bột W của Trung Quốc LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.com DANH MỤC CÁC HÌNH Ký hiệu Tên hình Trang Hình 1.1: Sơ đồ công nghệ làm sạch dung dịch natri vonframat 7 Hình 1.2: Sơ đồ công nghệ chế tạo Vonfram bột từ quặng 8 Vonframit Hình 2.1: Ứng dụng của ICP-MS trong các ngành và lĩnh vực khác 26 nhau Hình 2.2: Cấu tạo nguyên tử (lớp vỏ electron) 28 Hình 2.3: Cấu tạo nguyên tử và sơ đồ chuyển mức năng lƣợng của 28 electron Hình 2.4: Các bộ phận chính của máy ICP-MS 30 Hình 2.5: Bộ tạo sol khí kiểu mao dẫn 31 Hình 2.6: Bộ tạo plasma và nhiệt độ các vùng của plasma 32 Hình 2.7: Kiểu hệ lọc khối trƣờng tứ cực 33 Hình 2.8: Hệ thống máy ICP-MS Elan 9000 Perkin-Elmer 34 Hình 3.1: Ảnh hƣởng của công suất RF 41 Hình 3.2: Ảnh hƣởng của Lƣu lƣợng khí mang 43 Hình 3.3: Ảnh hƣởng của thế thấu kính ion 46 Hình 3.4: Ảnh hƣởng của nền W đến tín hiệu đo 48 Hình 3.5: Đƣờng chuẩn iôn crôm (Cr+) 50 LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.6: Đƣờng chuẩn iôn Mangan (Mn+) 51 Hình 3.7: Đƣờng chuẩn iôn sắt (Fe+) 51 Hình 3.8: Đƣờng chuẩn iôn côban (Co+) 52 Hình 3.9: Đƣờng chuẩn iôn niken (Ni+) 52 Hình 3.10: Đƣờng chuẩn iôn đồng (Cu+) 53 Hình 3.11: Đƣờng chuẩn iôn asen (As+) 53 Hình 3.12: Đƣờng chuẩn iôn molipden (Mo+) 54 Hình 3.13: Đƣờng chuẩn iôn cadimi (Cd+) 54 Hình 3.14: Đƣờng chuẩn iôn antimon (Sb+) 55 Hình 3.15: Đƣờng chuẩn iôn chì (Pb+) 55 Hình 3.16: Đƣờng chuẩn iôn bitmut (Bi+) 56 LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.com LỜI NÓI ĐẦU Trên thế giới, kim loại Vonfram đƣợc sử dụng rất phổ biến trong nhiều lĩnh vực khác nhau, ví dụ nhƣ trong ngành quang điện tử Vonfram đƣợc dùng để chế tạo sợi đốt trong các bóng đèn điện, bóng điện tử. Trong ngành luyện kim Vonfram đƣợc dùng để chế tạo hợp kim cứng, thép chịu mài mòn cao, đƣờng ray xe lửa, dụng cụ cắt gọt kim loại… Trong lĩnh vực hỏa thuật, Vonfram là nguyên liệu chính để chế tạo các loại thuốc cháy chậm dùng cho các cơ cấu giữ chậm trong đạn dƣợc, kíp mìn, kíp vi sai.

Hiện nay, kim loại Vonfram ở dạng sợi, tấm, bột, phần lớn vẫn phải nhập khẩu từ nƣớc ngoài, chỉ có một lƣợng nhỏ đƣợc sản xuất tại Việt Nam ở một số cơ sở nhƣ Viện Công nghệ- Bộ Quốc phòng, Viện luyện kim màu- Viện Khoa học Việt nam, Công ty Cơ khí Hóa chất 13- Bộ Quốc phòng và một số cơ sở tinh chế quặng Vonframmic dùng để xuất khẩu. Nhu cầu sử dụng kim loại Vonfram của Việt Nam là rất lớn, tuy nhiên với công nghệ hiện nay của nƣớc ta chƣa đáp ứng đƣợc nhu cầu về số lƣợng, chất lƣợng sản phẩm. Khó khăn lớn nhất là việc phân tích đánh giá chất lƣợng sản phẩm (thành phần, tỷ lệ các loại tạp chất) để thiết lập và điều chỉnh công nghệ chế tạo nhằm tạo ra sản phẩm kim loại W có độ tinh khiết cao. Tuy nhiên, ở nƣớc ta hiện nay hầu hết các cơ sở sản xuất vẫn đã và đang sử dụng các phƣơng pháp phân tích cổ điển (phƣơng pháp hóa học) để đánh giá chất lƣợng Vonfram, cụ thể là các đơn vị trong Bộ Quốc phòng vẫn đang sử dụng phƣơng pháp chuẩn độ, tách, chiết…để phân tích đánh giá chất lƣợng sản phẩm hoặc nguyên liệu cho sản xuất của đơn vị mình, đặc điểm của các phƣơng pháp phân tích này là độ chính xác không cao, không phát hiện đƣợc các thành phần có hàm lƣợng nhỏ, tiêu tốn nhiều hóa chất, thời gian phân tích kéo dài, nguy hiểm, độc hại.

Công ty Hóa chất 21- Bộ Quốc phòng là đơn vị hàng đầu của Bộ Quốc phòng trong lĩnh vực sản xuất hỏa cụ và hóa chất đặc chủng, hàng năm phải thực hiện hàng LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.com chục nghìn mẫu phân tích khác nhau, việc phân tích đánh giá chất lƣợng sản phẩm tiêu tốn rất nhiều thời gian và công nhân thao tác. Chúng tôi đang nghiên cứu đầu tƣ một số dây chuyền sản xuất, trong đó có dây chuyền sản xuất bột kim loại W, do vậy việc lựa chọn phƣơng pháp phân tích đáp ứng yêu cầu về kiểm tra chất lƣợng sản phẩm đảm bảo độ chính xác cao, tiêu tốn ít thời gian và phát hiện đƣợc các chất có nồng độ nhỏ để lựa chọn thiết bị cần đầu tƣ là rất quan trọng. Chúng tôi đã lựa chọn phƣơng pháp phân tích quang học, cụ thể là phƣơng pháp phổ Plasma cảm ứng cao tần (ICP-MS). Mục đích thứ nhất là để lựa chọn thiết bị đầu tƣ cho sản xuất của Công ty, thứ hai là hiện đại hóa thiết bị và công nghệ phân tích, thứ ba là phục vụ trực tiếp cho dự án đầu tƣ dây chuyền sản xuất bột W dùng cho sản xuất thuốc vi sai an toàn.

Nội dung được bảo vệ bản quyền — Tải xuống đầy đủ