Bối cảnh và vấn đề nghiên cứu

Trong các hệ thống máy móc công nghệ và dây chuyền truyền động tự động hóa tại các nhà máy, xí nghiệp, các bộ nguồn một chiều (DC) đóng vai trò cung cấp năng lượng cho toàn bộ khối điều khiển, bo mạch chủ và các thiết bị ngoại vi. Cùng với xu hướng thu nhỏ kích thước thiết bị và nâng cao hiệu suất làm việc, các hệ thống điện - điện tử ngày càng nhạy cảm hơn trước các sự cố sốc điện và biến động nguồn. Do đó, các bộ biến đổi nguồn DC/DC đòi hỏi chất lượng điện áp đầu ra ổn định, tổn hao thấp và khả năng đáp ứng nhanh với sự thay đổi của tải. Đồng thời, sự phát triển của công nghệ vật liệu bán dẫn công suất và kỹ thuật điều khiển số thúc đẩy việc cải tiến liên tục các cấu trúc chuyển mạch. Trong môi trường đào tạo kỹ thuật, việc trang bị mô hình thực hành trực quan giúp người học tiếp cận sát với thực tế sản xuất. Đề tài khóa luận tốt nghiệp "Thiết kế, thi công mô hình bộ chuyển đổi DC/DC Boost" được thực hiện tại Khoa Công nghệ Điện, Trường Đại học Công nghiệp TP. Hồ Chí Minh nhằm phục vụ công tác giảng dạy và thực hành môn học Điện tử công suất.

Hệ thống mục tiêu và nhiệm vụ của đề tài được tác giả xác định cụ thể như sau:

  1. Mục tiêu tổng quát:

    • Nghiên cứu chuyên sâu về nguyên lý vận hành, cấu tạo và đặc tính của bộ chuyển đổi DC/DC Boost.
    • Nghiên cứu các phương thức điều khiển bộ chuyển đổi DC/DC Boost dựa trên nguyên tắc xử lý tín hiệu số.

  2. Mục tiêu cụ thể:

    • Thi công hoàn thiện một mô hình phần cứng bộ chuyển đổi DC/DC Boost đạt mức công suất ngõ ra định mức 100 W.
    • Điện áp đầu ra đạt giá trị dưới 100 V và có khả năng điều chỉnh linh hoạt.
    • Thiết lập cấu trúc mạch cho phép đáp ứng yêu cầu lựa chọn phương pháp điều khiển theo điện áp hoặc dòng điện.

  3. Nhiệm vụ nghiên cứu:

    • Nhiệm vụ 1: Khảo sát nguyên lý hoạt động của bộ biến đổi tăng áp (Boost Converter), phân tích cấu trúc điều khiển của các bộ nguồn thương mại hiện có trên thị trường và xác định hệ tiêu chuẩn kỹ thuật cần đạt.
    • Nhiệm vụ 2: Đề xuất cấu hình mạch nguyên lý, tính toán lựa chọn thông số linh kiện, thực hiện mô phỏng kiểm chứng khả năng làm việc của mạch.
    • Nhiệm vụ 3: Thiết kế mạch in (PCB), lắp ráp linh kiện, đo đạc hiệu chỉnh và đóng gói thành mô hình module thí nghiệm hoàn chỉnh.

Đối tượng nghiên cứu của đề tài là mạch biến đổi điện áp một chiều tăng áp (DC/DC Boost Converter) sử dụng linh kiện bán dẫn công suất kết hợp mạch điều khiển phát xung PWM. Phạm vi thực nghiệm được triển khai và thử nghiệm trực tiếp tại Phòng thực hành Điện tử công suất X5, Trường Đại học Công nghiệp TP. Hồ Chí Minh trong khung thời gian 6 tháng (từ tháng 1 đến tháng 6 năm 2018).

Cơ sở lý thuyết và phương pháp

Khung lý thuyết của đề tài tập trung vào nguyên lý tích phóng năng lượng của các phần tử phản kháng kết hợp chuyển mạch bán dẫn tốc độ cao. Bộ biến đổi Boost Converter sử dụng hai trạng thái đóng/ngắt của khóa chuyển mạch để tạo ra điện áp trung bình đầu ra lớn hơn điện áp đầu vào:

  • Chế độ dẫn liên tục (Continuous Conduction Mode - CCM): Dòng điện qua cuộn cảm $I_L$ luôn duy trì lớn hơn 0 trong toàn bộ chu kỳ chuyển mạch $T$. Khi van bán dẫn (khóa $S$) dẫn, cuộn cảm tích lũy năng lượng từ nguồn $V_S$ với mức năng lượng $W = \frac{1}{2} L I_L^2$. Khi van $S$ ngắt, năng lượng tích lũy trong cuộn cảm kết hợp cùng điện áp nguồn cấp phóng qua diode nạp cho tụ điện $C$ và cung cấp cho tải $R$. Điện áp đầu ra ở trạng thái ổn định được xác định theo hệ thức: $$V_{out} = \frac{V_S}{1 - D}$$ Trong đó chu kỳ công tác (Duty Cycle) $D = \frac{T_{on}}{T}$ biến thiên trong khoảng từ 0 đến 1.
  • Chế độ dẫn không liên tục (Discontinuous Conduction Mode - DCM): Dòng điện cuộn cảm giảm về 0 trước khi kết thúc chu kỳ chuyển mạch. Trong chế độ này, điện áp ra không chỉ phụ thuộc vào chu kỳ công tác $D$ mà còn bị chi phối bởi độ tự cảm $L$, tần số chuyển mạch $f$, điện áp vào $V_S$ và dòng điện tải.
  • Khung lý thuyết linh kiện và điều khiển: Cấu tạo bán dẫn và đặc tuyến V-A của Transistor hiệu ứng trường (MOSFET kênh N, điện áp ngưỡng $U_{GS}$, điện trở kênh dẫn $R_{DS(on)}$); nguyên lý tiếp giáp P-N và đặc tính đóng ngắt tốc độ cao của Diode Schottky với sụt áp thuận thấp; cấu trúc tầng đệm khuếch đại dòng kích cổng qua các vi mạch chuyên dụng (Driver IC IR2153, IR2011); lý thuyết cảm kháng $Z_L = 2\pi f L$, dòng điện bão hòa của cuộn cảm lõi Ferrite; tính chất phóng nạp và khả năng san phẳng điện áp của tụ hóa phân cực.

Phương pháp nghiên cứu được triển khai tuần tự qua 8 bước kỹ thuật:

  • Phương pháp phân tích - tổng hợp tài liệu chuyên ngành về mạch nguồn xung và linh kiện bán dẫn công suất.
  • Phương pháp khảo sát, đo kiểm thực tế các module thương mại (mạch tăng áp HT016 công suất 6 W, module Boost 150 W, mạch tăng áp 1200 W 20 A) nhằm rút ra các thông số thiết kế tối ưu.
  • Phương pháp mô phỏng trên máy tính bằng phần mềm Matlab/Simulink và phần mềm PSIM để khảo sát đáp ứng dòng điện, điện áp và kiểm chứng tính khả thi của mạch trước khi gia công.
  • Phương pháp thiết kế hỗ trợ bằng máy tính (EDA/CAD): sử dụng phần mềm Altium Designer để xây dựng sơ đồ nguyên lý và thiết kế mạch in PCB; sử dụng phần mềm AutoCAD 2007 để dựng bản vẽ bố trí cơ khí, gá lắp khung vỏ mô hình.
  • Phương pháp thực nghiệm: hàn lắp linh kiện phần cứng, kết nối bo mạch Arduino Nano V3 lập trình phát xung PWM, dùng dao động ký (Oscilloscope) và đồng hồ vạn năng để khảo sát dạng sóng thực tế trên từng linh kiện.

Nguồn dữ liệu nghiên cứu bao gồm tài liệu kỹ thuật (Datasheet) của các hãng sản xuất bán dẫn (International Rectifier, STMicroelectronics), hệ thống bài thí nghiệm chuyên ngành Điện tử công suất và dữ liệu đo đạc thực nghiệm trên mô hình chế tạo.

Thiết kế và triển khai

Hệ thống mô hình bộ chuyển đổi DC/DC Boost được cấu trúc thành ba phân khu chức năng độc lập nhưng phối hợp chặt chẽ:

  1. Khối nguồn cấp: Sử dụng bộ nguồn tổ ong chuyển đổi điện áp lưới 220 V AC / 50 Hz sang nguồn một chiều 12 V DC với khả năng chịu dòng cực đại 20 A. Khối được tích hợp công tắc đóng cắt cách ly an toàn, cung cấp năng lượng đồng thời cho mạch lực và mạch điều khiển.
  2. Khối điều khiển:
    • Vi điều khiển trung tâm: Bo mạch Arduino Nano V3 tích hợp vi xử lý 8-bit ATmega328, đảm nhận vai trò tính toán và tạo xung điều chế độ rộng xung (PWM).
    • Tầng điều chỉnh: Sử dụng hai biến trở độc lập cho phép người vận hành thay đổi trực tiếp chu kỳ công tác ($D$) và tần số đóng cắt ($f$) của xung kích.
    • Tầng kích van bán dẫn (Gate Driver): Tín hiệu xung logic từ Arduino có biên độ và dòng phát thấp, không đủ khả năng kích mở triệt để MOSFET công suất. Mạch sử dụng vi mạch điều khiển IR2011 để khuếch đại biên độ áp và tăng tốc độ nạp/xả điện dung ký sinh cực cổng ($C_{iss}$), bảo đảm quá trình chuyển mạch dứt khoát, giảm thiểu tổn hao chuyển mạch. Đồng thời, mạch sử dụng thêm diode Zener 56 V để ghim áp và bảo vệ quá áp cho đường tín hiệu điều khiển.
  3. Khối công suất (Mạch lực): Đóng vai trò thực hiện quá trình tăng áp thông qua van bán dẫn chính MOSFET kênh N IRF540, cuộn dây cảm kháng công suất lõi Ferrite chịu dòng lớn, van xả Diode Schottky MBRF20100CT và tụ lọc hóa san phẳng gợn sóng đầu ra.
Thành phần / Linh kiện Thông số kỹ thuật danh định Chức năng trong hệ thống
Nguồn tổ ong AC/DC Vào: 220 V AC, Ra: 12 V DC / 20 A Cung cấp nguồn sơ cấp cho hệ thống
Vi điều khiển Arduino Nano V3 (ATmega328) Phát tín hiệu xung PWM điều khiển
IC Driver MOSFET IR2011 (chịu áp đến 200 V, dòng đỉnh 1,0 A) Đệm khuếch đại xung kích cực cổng MOSFET
Khóa chuyển mạch MOSFET IRF540 Đóng ngắt mạch lực nạp năng lượng cho cuộn cảm
Cuộn cảm công suất Độ tự cảm $L = 100\ \mu\text{H}$, dòng định mức 10 A Tích lũy và phóng năng lượng tăng áp
Diode chặn/chỉnh lưu Schottky MBRF20100CT (100 V, 20 A) Ngăn dòng xả ngược, thông mạch dẫn dòng nạp tụ
Tụ điện lọc ngõ ra Tụ hóa phân cực $C = 1000\ \mu\text{F} - 100\text{ V}$ Tích trữ năng lượng, lọc gợn sóng điện áp tải
Tải thử nghiệm Bóng đèn sợi đốt 1 A / 24 W và tải trở Tiêu thụ công suất và kiểm tra độ ổn định

Quy trình kiểm thử được thực hiện qua hai giai đoạn: Giai đoạn mô phỏng trên phần mềm Matlab/Simulink kiểm tra đáp ứng dòng áp qua tải, diode, cuộn cảm và MOSFET tại các tần số 10 kHz và 50 kHz với các chu kỳ công tác $D = 20%$, $D = 50%$ và $D = 80%$. Giai đoạn thực nghiệm đo đạc tín hiệu thực tế bằng máy hiện sóng trên phần cứng đã chế tạo, đối chiếu dạng sóng điện áp kích từ Driver IR2011, điện áp giữa hai cực Drain - Source ($V_{DS}$) của IRF540, điện áp hai đầu cuộn dây và điện áp chỉnh lưu trên diode.

Nội dung chính theo từng chương

Chương 1: Giới thiệu

Chương mở đầu trình bày tính cấp thiết của việc nghiên cứu bộ nguồn DC chuyển mạch trong công nghiệp và giảng dạy kỹ thuật. Tác giả nêu rõ mục tiêu tổng quát (nghiên cứu nguyên lý, điều khiển DSP) và ba mục tiêu kỹ thuật cụ thể: công suất ra đạt 100 W, điện áp ra dưới 100 V có khả năng điều chỉnh, hỗ trợ cấu hình điều khiển dòng hoặc áp. Nội dung thực hiện gồm 3 phần chính gắn liền với tiến trình công tác kéo dài từ tháng 1 đến tháng 6 (được cụ thể hóa tại Bảng 1.1 trong văn bản). Ý nghĩa thực tiễn của đề tài được khẳng định qua việc trực tiếp phục vụ phòng thực hành Điện tử công suất X5, đồng thời cung cấp tài liệu kỹ thuật về thiết kế phần cứng cho sinh viên chuyên ngành.

Chương 2: Tổng quan

Chương 2 cung cấp cơ sở lý thuyết chi tiết về bộ biến đổi Boost Converter cùng toàn bộ linh kiện cấu thành:

  • Phân tích chi tiết hai chế độ hoạt động CCM và DCM, thiết lập các phương trình cân bằng điện áp và năng lượng trên cuộn cảm trong trạng thái khóa On và Off.
  • Khảo sát thông số 3 module thương mại: mạch tăng áp HT016 (vào 2–24 V DC, ra 5–28 V DC, dòng tối đa 2 A, công suất 6 W), module Boost 150 W (vào 10–32 V DC, ra 12–35 V DC) và bộ tăng áp 1200 W (vào 10–60 V DC, ra 12–80 V DC, dòng tối đa 20 A).
  • Trình bày cấu tạo vật lý, ký hiệu, đặc tuyến Volt-Ampere và quy trình kiểm tra van bán dẫn MOSFET (cực G, D, S) và Diode bằng thang đo điện trở $x1\text{k}\Omega$ trên đồng hồ VOM.
  • Phân tích chi tiết hai dòng IC Driver chuyên dụng: IR2153 tích hợp mạch dao động định thời tương tự CMOS 555 (chịu áp tối đa 600 V, độ rộng xung 50%, dòng làm việc 5 mA, thời gian tăng/giảm $T_r/T_p = 80/40\text{ ns}$, mức ghim áp $V_{clamp} = 15,2\text{ V}$) và IR2011 có cấu trúc điều khiển kênh cao/thấp độc lập (chịu áp lệch $V_{OFFSET}$ 200 V, dòng ra cực đại $I_{O+/-} = 1,0\text{ A}$, điện áp nguồn cấp 10–20 V, thời gian đóng/cắt danh định $t_{on}/t_{off} = 80/60\text{ ns}$, độ lệch trễ pha cực đại 20 ns).
  • Khái quát lý thuyết tính toán cảm kháng của cuộn cảm ($Z_L$), ảnh hưởng của vật liệu lõi (không khí, Ferrite, lõi thép kỹ thuật), năng lượng từ trường nạp xả; đặc tính phóng nạp của tụ điện, quy tắc đọc mã số tụ gốm, dung sai, quy tắc chọn điện áp chịu đựng của tụ lọc cao hơn tối thiểu 1,4 lần điện áp làm việc thực tế của mạch; giới thiệu hệ sinh thái Arduino, vi điều khiển ATmega328, môi trường lập trình Arduino IDE.

Chương 3: Thiết kế và thi công mô hình thí nghiệm

Chương 3 là phần trọng tâm về kỹ thuật của đồ án, mô tả toàn bộ quá trình biến đổi thiết kế từ sơ đồ khối sang phần cứng:

  • Xây dựng sơ đồ khối chi tiết bao gồm Khối nguồn, Khối điều khiển và Khối công suất; thuyết minh chi tiết chức năng biến đổi điện năng và chức năng của từng linh kiện thành phần.
  • Tính toán và lập luận lựa chọn linh kiện theo tiêu chí thiết kế: vi điều khiển Arduino Nano V3, Driver IR2011, cuộn cảm $L = 100\ \mu\text{H} / 10\text{ A}$, tụ hóa lọc nguồn $C = 1000\ \mu\text{F} - 100\text{ V}$, Diode Schottky MBRF20100CT, van MOSFET IRF540, nguồn tổ ong 12 V / 20 A, tải bóng đèn sợi đốt 1 A / 24 W.
  • Thiết lập mô hình mô phỏng mạch Boost Converter trên phần mềm Matlab/Simulink; xuất các đồ thị đáp ứng dòng điện và điện áp qua tải, diode, MOSFET và cuộn dây ở các tần số đóng cắt 10 kHz và 50 kHz tương ứng với chu kỳ công tác $D = 20%$, $D = 50%$ và $D = 80%$.
  • Triển khai vẽ sơ đồ nguyên lý và layout mạch in 2D/3D bằng phần mềm Altium Designer; thiết kế bản vẽ cơ khí tổng thể trên AutoCAD 2007 để lắp ráp khung vỏ module.
  • Tiến hành thi công mạch in, hàn linh kiện và lắp ráp mô hình thực tế; thực hiện đo kiểm thực nghiệm các dạng sóng xung kích đầu ra của IC Driver IR2011, điện áp hai đầu cuộn cảm $L$, điện áp giữa hai cực của MOSFET và Diode, điện áp san phẳng trên tải tại các tỷ lệ điều chế độ rộng xung $D = 0,2$ và $D = 0,8$.

Chương 4: Kết luận và kiến nghị

Chương cuối cùng tổng kết các hạng mục đã hoàn thành của khóa luận, xác nhận việc chế tạo thành công mô hình phần cứng hoạt động ổn định đúng với các tiêu chí thiết kế ban đầu. Tác giả đồng thời nêu lên các hạn chế thực tế của mô hình và đề xuất các hướng phát triển kỹ thuật tiếp theo cho các nghiên cứu tiếp nối.

Kết quả và đóng góp

Khóa luận đã hoàn thành các nội dung kỹ thuật từ tính toán lý thuyết, thiết kế mô phỏng đến gia công phần cứng hoàn thiện với các kết quả cụ thể:

  • Kết quả kỹ thuật đạt được:

    • Chế tạo thành công module phần cứng bộ chuyển đổi DC/DC Boost với công suất ngõ ra định mức đạt 100 W, điện áp ngõ ra vận hành ổn định trong giới hạn dưới 100 V và có thể thay đổi linh hoạt thông qua biến trở điều chỉnh xung.
    • Tích hợp thành công mạch điều khiển sử dụng Arduino Nano V3 kết hợp vi mạch Driver công suất tốc độ cao IR2011, cho phép phát xung và kích đóng ngắt dứt khoát khóa bán dẫn MOSFET IRF540 ở các dải tần số 10 kHz đến 50 kHz.
    • Kiểm chứng sự trùng khớp giữa kết quả mô phỏng trên phần mềm Matlab/Simulink và kết quả đo đạc thực nghiệm trên mô hình thực tế qua các thông số dạng sóng dòng điện, điện áp trên cuộn dây cảm kháng $100\ \mu\text{H}$, tụ lọc $1000\ \mu\text{F}$ và Diode Schottky MBRF20100CT ở các chu kỳ công tác $D = 0,2$, $D = 0,5$ và $D = 0,8$.

  • Đóng góp của đồ án:

    • Cung cấp một bộ thiết bị giảng dạy - học tập trực quan dưới dạng module thực hành hoàn chỉnh, được đưa vào ứng dụng trực tiếp tại Phòng thực hành Điện tử công suất X5 của trường.
    • Xây dựng một tài liệu kỹ thuật có tính hệ thống cao, ghi chép tường minh từ phương pháp luận tính toán thông số linh kiện, thiết kế sơ đồ nguyên lý, thiết kế mạch in (Altium Designer), thiết kế cơ khí (AutoCAD 2007) cho đến quy trình đo kiểm, kiểm tra lỗi bán dẫn thực tế.

Hạn chế và hướng nghiên cứu tiếp

  • Hạn chế của đề tài:
    • Chế độ điều khiển của mô hình hiện tại chủ yếu vận hành theo phương thức vòng hở (Open-loop) thông qua việc chỉnh định chu kỳ công tác và tần số bằng biến trở thủ công, chưa thiết lập hoàn thiện vòng phản hồi kín (Closed-loop) để tự động ổn định điện áp hoặc dòng điện ngõ ra khi tải hoặc điện áp ngõ vào biến động.
    • Như nhóm sinh viên đã tự nhận xét trong văn bản, do hạn chế về trình độ ngoại ngữ, nguồn tài liệu chuyên sâu tiếp cận được và quỹ thời gian thực hiện đề tài còn hạn hẹp, một số nội dung nghiên cứu nâng cao về xử lý tín hiệu số (DSP) chưa được khai thác sâu rộng.
  • Hướng nghiên cứu tiếp:
    • Nghiên cứu và ứng dụng các thuật toán điều khiển số nâng cao trên nền tảng vi xử lý DSP chuyên dụng để tự động điều chỉnh độ rộng xung PWM theo thuật toán phản hồi dòng điện hoặc phản hồi điện áp.
    • Bổ sung các mạch phản hồi cảm biến và thuật toán bảo vệ tự động chống ngắn mạch, quá dòng, quá áp và quá nhiệt nhằm nâng cao độ tin cậy và hiệu suất vận hành của bộ biến đổi.

Giá trị tham khảo

Báo cáo khóa luận là tài liệu tham khảo hữu ích cho sinh viên, giảng viên và kỹ sư kỹ thuật thuộc các ngành Công nghệ Kỹ thuật Điện, Điện tử, Tự động hóa và Cơ điện tử:

  • Đối tượng tham khảo: Sinh viên thực hiện đồ án môn học Điện tử công suất, khóa luận tốt nghiệp chuyên ngành kỹ thuật điện; cán bộ kỹ thuật phụ trách phòng thí nghiệm cần chế tạo thiết bị thực hành trực quan.
  • Nội dung đáng giá để tra cứu:
    • Quy trình phân tích và lựa chọn linh kiện mạch lực (cuộn cảm, tụ điện, diode xung, MOSFET) đi kèm các tiêu chí tính toán điện áp, dòng điện chịu đựng thực tế.
    • Giải pháp ghép nối tầng điều khiển vi xử lý (Arduino) với tầng công suất thông qua vi mạch kích cổng chuyên dụng IR2011, bao gồm sơ đồ nguyên lý và cách bố trí chân linh kiện.
    • Cẩm nang đo đạc, kiểm tra sống/chết của các linh kiện bán dẫn (Diode, MOSFET) bằng đồng hồ vạn năng kim truyền thống và kỹ thuật đo dạng sóng xung kích bằng dao động ký.

Câu hỏi thường gặp

1. Mô hình bộ chuyển đổi DC/DC Boost trong đề tài đạt được các thông số kỹ thuật đầu ra nào?
Theo đúng mục tiêu và kết quả thi công, mô hình bộ biến đổi Boost đạt công suất đầu ra định mức 100 W, điện áp ngõ ra hoạt động ở mức dưới 100 V và có khả năng điều chỉnh thông qua việc thay đổi chu kỳ xung kích.

2. Tầng phát xung và tầng điều khiển kích van bán dẫn trong đồ án sử dụng các linh kiện nào?
Tầng phát xung điều khiển sử dụng bo mạch vi điều khiển Arduino Nano V3 (dùng chip ATmega328) kết hợp 2 biến trở điều chỉnh độ rộng xung và tần số. Tín hiệu xung sau đó được đưa qua IC Driver IR2011 để khuếch đại dòng và áp trước khi kích vào cực cổng của MOSFET công suất IRF540.

3. Tại sao nhóm tác giả sử dụng Diode Schottky MBRF20100CT thay vì các loại diode chỉnh lưu thông thường?
Diode Schottky có điện áp rơi thuận rất nhỏ (khoảng 0,2–0,3 V) và tốc độ đóng cắt siêu nhanh, giúp triệt tiêu hiện tượng dẫn dòng ngược trong quá trình phân cực nghịch ở tần số cao, từ đó hạn chế sinh nhiệt và giảm thiểu tối đa tổn hao năng lượng trong mạch chuyển mạch nguồn xung.

4. Khóa luận đã thực hiện mô phỏng và thực nghiệm kiểm tra mạch tại những dải thông số nào?
Quá trình mô phỏng trên Matlab/Simulink và đo kiểm thực tế trên mô hình được khảo sát tại các tần số chuyển mạch 10 kHz và 50 kHz, tương ứng với các chu kỳ công tác ($D$) ở mức 20% ($D = 0,2$), 50% ($D = 0,5$) và 80% ($D = 0,8$).

5. Địa điểm ứng dụng thực tế của mô hình sau khi nghiệm thu là ở đâu?
Mô hình sau khi đóng gói hoàn thiện dạng module được bàn giao và đưa vào phục vụ trực tiếp cho công tác giảng dạy, thí nghiệm môn học Điện tử công suất tại Phòng thực hành Điện tử công suất X5, Trường Đại học Công nghiệp TP. Hồ Chí Minh.

Kết luận

Khóa luận tốt nghiệp "Thiết kế, thi công mô hình bộ chuyển đổi DC/DC Boost" đã hoàn thành trọn vẹn mục tiêu thiết kế và chế tạo một bộ biến đổi tăng áp công suất 100 W, điện áp ra dưới 100 V phục vụ đào tạo thực hành. Công trình thể hiện sự kết hợp chặt chẽ giữa tính toán giải tích, mô phỏng kiểm chứng trên phần mềm Matlab/Simulink và gia công phần cứng hoàn chỉnh bằng các công cụ thiết kế chuyên ngành như Altium Designer và AutoCAD 2007. Mặc dù hệ thống điều khiển vẫn vận hành ở cấu hình vòng hở và chưa tích hợp bộ điều khiển số vòng kín hoàn chỉnh, sản phẩm đã đáp ứng tốt yêu cầu trực quan hóa nguyên lý mạch lực và là tài liệu kỹ thuật có giá trị tham khảo cao cho môn học Điện tử công suất.