Chương 1: TƯƠNG TÁC CỦA TIA X VỚI VẬT CHẤT Tia X nói chung là một phẩn của bức xạ gamma, bức xạ điện tử năng lượng cao với bước sóng A tương ứng với năng lượng trong khoảng (10 keV — 300 keV). Khi xem xét tương tác của tia gamma đối với vật chất, ta vận dụng thuyết photon của Einstein, xem tia gamma là tập hợp của các photon có năng hv lượng E=hv và động lượng =: Khi đi qua môi trường vật chất, các photon tia gamma có thể truyền qua, tán xạ hoặc bị hấp thụ. Có bốn loại tương tác chính của photon tia gamma với vật chất: (a) Tán xạ Rayleigh, (b) Tán xạ Compton, (c) Hiệu ứng quang điện, (d) Phản ứng tạo cặp. Trong đó có ba loại đầu tiên đóng vai trò quan trọng trong tương tác tia X trong ngành X - quang chẩn đoán và y học hạt nhân.
Quá trình suy giảm năng lượng của tia X khi qua môi trường vật chất được thể hiện cụ thể thông qua các tương tác sau: 1.1 Tán xạ Rayleigh: SVTH : Phùng Nhật Anh 4 Niên khoá: 2000 - 2004 LUẬN VAN TỐT NGHIỆP GVHD : TS. Đỗ Xuân Hội - TS. Huynh Quang Linh Trong tán xa Rayleigh, còn gọi là tán xa kết hợp (coherent), các photon tới tương tác và kích thích với toàn bộ nguyên tử, còn trong tan xạ Compton và hiệu ứng quang điện, photon tương tác và kích thích với từng clectron riêng lẻ. Sự tương tác này xảy ra chủ yếu ở những tia X dùng trong chẩn đoán có năng lượng thấp, như sử dung trong lĩnh vực Chup tia X vứ (15-30 keV) (mammography).
Trong quá trình tán xa Rayleigh, năng lượng cu@ photon tới truyền cho toàn bộ các electron trong nguyên tử bia dao động đồng bộ và bức xạ năng lượng, phat ra một photon có cùng năng lượng với photon tới nhưng theo một hướng khác. Ở sự tương tác này, electron không bị bứt ra ngoài, vì vậy không xảy ra sự ion hoá. Nói chung, góc tấn xạ càng lớn khi năng lượng của tia X giảm. Trong chụp ảnh y khoa, sự tan xạ tia X có ảnh hưởng xấu đến chất lượng ảnh.
Tuy nhiên, loại tương tác này có xác suất xảy ra thấp trong khoảng năng lượng chẩn đoán. Trong các mô mềm tương tác này chiếm ít hơn 5% tương tác của tia X có năng lượng trên 70 keV và chỉ chiếm khoảng 12% của tương tác khi photon ở mức năng lượng 30 keV. Tiết diện vi phân của tán xa Rayleigh: dơ 1 2 2 2 piled 5 Tol z + cos* 9)|FCX,Z)|ˆ I-l (1-1) r, là bán kính cổ điển của electron, r„= 2,8. F(x,Z) là thừa số hình thức (form factor), F(X,Z) hay F(hv,8,Z) phụ thuộc vào môi trường (Z) và năng lượng của photon tới thông qua thông số X.
9 Sin= X= — (1-2) Trong đó F(x,Z) là thừa số dang: * sin[(2/^)rs] F(X,Z) „2)= Jota ay + (1-3) 1-3 Với: - p(r) là mật độ electron. - _ r là khoảng cách từ electron đến hạt nhân. Ta có: dQ = sin9.dọ (1-4) ra: ta suy ) Từ(1-1 SVTH : Phùng Nhật Anh $ Niên khoá: 2000 - 2004 LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP GVHD : TS. Đỗ Xuân Hội - TS.
Huynh Quang Linh =; - ú +cos 7 @)|F(X, zy 2nsin® (1-5) Công thức (1-5) có thé có được như sau: Trong đó “ene là hàm phân bố Thompson theo góc 0 và có giá tri: Tư1 r2(1 + cos2 6)2xsin6 (1-7) Tỷ số ma đóng vai trò là hàm phân phối f(6). Ta dùng công thức nay để mô phỏng tìm góc tán xạ 6 của photon ứng với từng giá trị của năng lượng photon tới hv (hay ứng với thông số X).Z)F sin8dôde (1-8) 00 g= mủ Jaxes 6)|F(x,ya i 2nd(cos@) (1-9) Tán xạ Rayleigh mặc dù có xác suất thấp nhưng góp phần đáng kể đến sự nhoè của ảnh X - quang. 12 Tán xạ Compton: SVTH : Phùng Nhật Anh 6 Nién khod: 2000 - 2004 LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP GVHD : TS. Đỗ Xuân Hội ~ TS.
Huỳnh Quang Linh Tán xạ Compton, còn gọi là tán xạ không kết hợp (incohrent), là tương tác chủ yếu của photon tia X và tia gamma với mô mềm trong khoảng năng lượng chẩn đoán. Thực tế, tán xạ Compton không những chiếm ưu thế trong khoảng năng lượng chẩn đoán trên 26 keV trong các mô mềm mà còn chiếm ưu thế ở mức năng lượng chẩn đoán xấp xỉ 30 MeV. Sự tương tác này hầu như xảy ra giữa photon và các electron lớp ngoài cùng. Các electron thoát ra khỏi nguyên tử và photon bị tán xạ, nó bị mất bớt năng lượng.
Như tất cả các loại tương tác, cả năng lượng và xung lượng phải bị biến đổi. Vì vậy, năng lượng của photon tới (E) bằng tổng năng lượng của photon tán xạ (E) và động năng của electron thoát ra (E. Thể hiện trong công thức: E=E +E. Năng lượng liên kết của electron bứt ra là tương đối nhỏ và có thể bỏ qua.
E’ =hv’ là năng lượng của photon tan xạ. E=hvw là năng lượng của photon tới. Năng lượng của photon tán xạ được tính theo năng lượng của photon tới và góc tán xạ 6: 1 hv'=hv——— ar, 6) -10 (1-10) œ(1 — cos8) E. 1-11 ) a = hv/m,cŸ sE / 511keV là tỷ số năng lượng tia X và năng lượng nghỉ của electron.
Khi năng lượng của photon tới giảm, photon tấn xạ và electron tấn xạ hướng gần nhau hơn (hình 1. Trong chụp ảnh tia X, các photon được phát hiện bởi một máy thu. Vì vậy, giảm sự tương phản của ảnh. Nếu như góc tán xạ cố định, khi tăng năng lượng của photon tới thì phần năng lượng truyền photon tấn xạ giảm.
Do đó, đối với những photon tới có năng lượng cao, phan lớn năng lượng được truyền cho electron tấn xạ. Vi dụ, với một góc tán xạ 60°, nếu năng lượng của photon tới là 100 keV thì năng lượng của photon tán xạ chiếm 90%, nhưng nếu năng lượng của photon tới là 5 MeV thì phần năng lượng truyền cho photon tán xạ chỉ là 17%. Khi tán xa Compton xảy ra đối với tia X có năng lượng thấp, được ứng dụng trong chụp ảnh chẩn đoán (tit 18 đến 150 keV), phần lớn năng lượng của SVTH : Phùng Nhật Anh 7 Niên khoá: 2000 - 2004 LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP GVHO : TS. Đỗ Xuân Hội - TS.
Huỳnh Quang Linh photon tới được truyền cho photon tán xạ. Ví dụ, tương tác Compton của một photon có năng lượng 80 keV, năng lượng nhỏ nhất của photon tán xạ là 61 keV. Vì vậy với sự mất năng lượng lớn nhất, photon tán xạ vẫn có năng lượng tương đối cao và có khả năng xuyên qua các mô. Ta cũng nhận thấy rằng năng lượng của tia X sau tấn xạ và động năng của electron đều phụ thuộc vào góc tán xạ.
Năng lượng của tia X thay đổi từ 0 đến hv và động năng của electron thay đổi từ E „. - 8 = 0": Năng lượng tia X không đổi, động năng của electron bằng 0. (1-14) l+a = sh = (1-15) em 1420 - 8= 180": Photon tia X tương tác trực tiếp với electron, electron bay theo hướng photon tới, photon tới bị tán xạ ngược lại một góc 180”. Sau tán xạ, on tia X có phot on nă có động năng lượng hv„„ va electr ng cực đại.
l BV nin =hv (1-16) I+2œ 1 KT” (1-17) Tiết diện vi phân của tán xạ Compton trên một electron được tính theo công thức O. Nishina [5]: (1-18) 2 ' số =4 tr) (+t sin*o) dQ 2 “(hv/ (hv'` hv 2 t, = ——— = 2,82.10°cm là bán kính cổ điển của electron.c Thay hv từ phương trình (2-10) vào phương trình(2-18) ta được: d seo. a (1—cos6) | (1-19) 2 2 đợ lại 1 SVTH : Phong Nhật Anh 8 Niên khoá: 2000 - 2004 LUẬN VAN TỐT NGHIỆP GVHO : TS. Đỗ Xuân Hội - TS.
Huỳnh Quang Linh Tỷ số se đóng vai trò như hàm phân phối g(6), hay hàm mật độ xác suất theo góc tan xạ 9. Ứng với mỗi giá trị năng lượng xác định, từ hàm phân phối xác suất g(6) ta mô phỏng để tìm giá trị góc tan xa 8. x10" Mat do zac sust Compton 7 ?* s~ \ \ \ > s- \ 1 \\ | - \ + 3- eet x -— — | = , ° os 1 us 2 25 3 3s Theta Hình 1-3: Mật độ xác suất Compton theo góc 9 ứng với năng lượng 200 keV. Đối với photon có năng lượng thấp, a<<1, phương trình trở thành: d.c Ị 2 — 2/0(1+cos 6) ti oes (1-20) - Tích phân phương trình (1-19) theo toàn bộ góc khối Q ta được tiết diện tán xạ Compton toàn phan: ° | a? l+2a a ad Ì*x — +%.| a l+œ|2(l+œ) =2 a 1 | ~—In(1+2a) | +—In(1 + 2a)- 1+3a 1-21 Phương trình này chỉ là tiết diện tấn xạ toàn phẩn trên một electron.
Dé có tiết diện tán xạ toàn phẩn trên một nguyên tử ta phải nhân tiết diện toàn phần của electron với số Z của nguyên tử. SVTH : Phùng Nhật Anh ọ Niện khoá: 2000 - 2004 LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP GVHD : TS. Đỗ Xuân Hội - TS. Huỳnh Quang Linh 100 so = wo 7° 60 s0 40 i » 2 10}, °Q 30 S6 0 lãi 150 180 Scatter Angle (degrees) Hình 1-4: Dé thị minh hoạ xác Suất tương đối của tán xạ Compton theo góc tán xạ của photon có năng lượng 20, 80, 140 keV trong mô.
ata Năng lượng của photon tới phải cao hơn năng lượng liên kết ci#thi hiệu ứng Compton mới có thể xảy ra. Khi năng lượng của photon tới tăng, xác suất tán xạ Compton tăng so với tán xạ Rayleigh và hấp thụ quang điện. Xác suất tán xạ phụ thuộc vào mật độ electron (số electron/g*mat độ). Vì vậy xác suất của tán xạ Compton gần như chỉ phụ thuộc vào Z và xác suất tán xạ Compton trên đơn vị thể tích tỷ lệ với mật độ của vật liệu.
So sánh với những nguyên tố khác, do không có nơtron trong nguyên tử hiđro dẫn đến tăng gần như gấp đôi mật độ electron. Vì vậy, những vật liệu có hiđro có xác suất tán xạ Compton cao hơn so với vật liệu không có hiđro có cùng khối lượng. Tiết diện tấn xạ Compton, động năng của electron thay đổi theo năng lượng của photon tia X tới và số Z của nguyên tử vật chất. Tán xạ Compton là tác nhân chủ yếu gây nên sự nhoè của ảnh X - quang.3 Hiệu ứng quang điện: A: 0.5: Hiệu ứng quang điện SVTH : Phùng Nhật Anh 10 Nién khod: 2000 - 2004 LUAN VĂN TỐT NGHIỆP GVHD : TS.
Đỗ Xuân Hội - TS. Huỳnh Quang Linh Trong hiệu ứng quang điện, toàn bộ năng lượng của photon tới được truyền cho electron và electron này bứt ra khỏi nguyên tử.