Đồ án thiết kế mạch khuếch đại công suất OCL ngõ vào đơn - ĐH Bách Khoa

Tài liệu đồ án kỹ thuật mạch điện tử 1 hướng dẫn chi tiết thiết kế, tính toán và thi công mạch khuếch đại công suất OCL ngõ vào đơn hoàn chỉnh.

• Tác giả: Trần Chí Cường
• Người hướng dẫn: TS. Huỳnh Thanh Tùng
• Trường học: Trường Đại học Bách khoa - Đại học Đà Nẵng
• Chuyên ngành: Điện tử - Viễn thông
• Đề tài: Thiết kế và thi công mạch khuếch đại công suất OCL ngõ vào đơn
• Loại tài liệu: Đồ án môn học
• Năm xuất bản: 2021
• Địa điểm: Đà Nẵng

Tóm tắt

I. Tổng quan đồ án mạch khuếch đại công suất OCL ngõ vào đơn

Đồ án kỹ thuật mạch điện tử 1 tập trung nghiên cứu thiết kế và thi công mạch khuếch đại công suất OCL ngõ vào đơn. Mạch OCL loại bỏ hoàn toàn tụ hóa ngõ ra. Tải loa được kết nối trực tiếp với điểm giữa của tầng công suất. Cấu hình này giúp mở rộng dải tần số về phía tần số thấp. Tín hiệu âm thanh giữ được độ trung thực cao. Mạch sử dụng nguồn cấp đối xứng nhằm duy trì điện áp một chiều tại ngõ ra ở mức 0V. Tầng tiền khuếch đại dùng cấu hình BJT cực phát chung. Lựa chọn này giúp đơn giản hóa sơ đồ nguyên lý so với cấu hình vi sai đối xứng. Toàn bộ hệ thống được tính toán để đạt công suất ra tải 15W với trở kháng tiêu chuẩn 8 Ohm. Mức méo phi tuyến tổng hài được kiểm soát nghiêm ngặt dưới 0.2%. Dải băng thông hoạt động ổn định từ 50Hz đến 15kHz. Đồ án giúp sinh viên nắm vững nguyên lý hoạt động của transistor lưỡng cực BJT, phương pháp phân cực và kỹ thuật ghép nối trực tiếp giữa các tầng khuếch đại tín hiệu âm tần.

1.1. Đặc điểm cấu trúc mạch OCL ngõ vào đơn

Mạch khuếch đại OCL ngõ vào đơn gồm ba tầng cơ bản: tầng tiền khuếch đại, tầng thúc và tầng công suất. Tầng tiền khuếch đại tiếp nhận tín hiệu nhỏ từ nguồn phát. Tầng này cung cấp trở kháng vào cao để hạn chế suy hao nguồn tín hiệu. Tầng thúc nhận tín hiệu để nâng cao biên độ điện áp lên mức yêu cầu. Tầng công suất mắc theo kiểu cực thu chung đẩy kéo. Kiểu mắc này tạo độ lợi dòng điện lớn, hạ thấp trở kháng ra để phối hợp tối ưu với loa. Việc không dùng tụ xuất ngõ ra giúp mạch truyền dẫn trực tiếp tín hiệu xoay chiều công suất lớn ra tải. Mạch duy trì đáp ứng pha tuyến tính trên toàn dải tần âm thanh.

1.2. Yêu cầu kỹ thuật và chỉ tiêu thiết kế đồ án

Mục tiêu của đề tài là xây dựng hệ thống khuếch đại âm tần hoàn chỉnh đáp ứng các chỉ tiêu khắt khe. Mạch cung cấp công suất 15W trên tải thuần trở 8 Ohm. Dải tần số công tác trải rộng từ 50Hz đến 15kHz với biên độ suy giảm không quá 3dB. Hệ số méo phi tuyến toàn phần được duy trì dưới ngưỡng 0.2%. Trở kháng vào đạt trên 270k Ohm để dễ dàng ghép nối với các thiết bị tiền xử lý. Nguồn cấp đối xứng hai chiều cộng trừ 18V cung cấp năng lượng ổn định. Mạch tích hợp cơ chế bảo vệ chống ngắn mạch đầu ra nhằm đảm bảo an toàn tuyệt đối cho linh kiện công suất trong mọi điều kiện vận hành thực tế.

II. Phân tích nguyên lý và thách thức ghép nối mạch OCL ngõ vào đơn

Thiết kế mạch khuếch đại OCL nhiều tầng đối mặt với nhiều thách thức kỹ thuật. Thách thức lớn nhất là vấn đề ghép nối liên tầng trực tiếp và trôi điểm làm việc tĩnh. Phương pháp ghép nối gián tiếp bằng tụ điện làm suy giảm đáp ứng tần số thấp. Tụ liên lạc gây lệch pha tín hiệu và làm cồng kềnh kích thước bo mạch. Do đó, kỹ thuật ghép nối một chiều trực tiếp được áp dụng để triệt tiêu nhược điểm của tụ. Tuy nhiên, liên kết trực tiếp khiến điểm tĩnh làm việc của các tầng phụ thuộc lẫn nhau. Sự thay đổi nhiệt độ trên các BJT tầng trước sẽ khuếch đại dòng rỉ sang tầng sau. Hiện tượng này dễ làm lệch điện áp tĩnh ngõ ra khỏi mức 0V. Điểm phân cực lệch sinh ra dòng điện một chiều chạy qua loa gây nóng cuộn dây và méo dạng sóng âm. Thêm vào đó, cấu hình ngõ vào đơn bằng một transistor BJT không có khả năng tự triệt tiêu nhiễu đồng pha tốt như mạch vi sai. Thiết kế đòi hỏi các giải pháp bù nhiệt và lọc nguồn nghiêm ngặt để duy trì độ ổn định tĩnh.

2.1. Hiện tượng méo xuyên tâm và trôi điện áp một chiều

Tầng công suất đẩy kéo Class B sử dụng cặp BJT bổ khuyết thường sinh ra méo xuyên tâm. Nguyên nhân do điện áp tiếp giáp base-emitter cần một ngưỡng khoảng 0.6V đến 0.7V để bắt đầu dẫn. Khi tín hiệu vào dao động qua mức 0V, cả hai transistor cùng tắt tạm thời khiến ngõ ra bị biến dạng gãy khúc. Ngoài ra, nhiệt độ môi trường tăng làm dòng rỉ ICBO tăng theo quy luật hàm mũ. Hiện tượng này làm thay đổi điện áp phân cực VBE và gây trôi điểm tĩnh Q. Nếu điện áp DC ngõ ra lệch khỏi mức cân bằng 0V, dòng tĩnh lớn sẽ phá hủy loa và gây méo tín hiệu nghiêm trọng.

2.2. Vấn đề ổn định nhiệt và bảo vệ ngắn mạch tải

BJT công suất khi làm việc ở mức tải cao sẽ tỏa nhiệt lượng rất lớn. Khi nhiệt độ mối nối bán dẫn tăng, hệ số khuếch đại dòng và dòng collector đều tăng. Quá trình này dẫn đến hiện tượng trôi nhiệt cục bộ gây cháy nổ linh kiện bán dẫn. Bên cạnh đó, sự cố chập tải ngoài ý muốn làm trở kháng tải về 0 Ohm. Khi ngắn mạch xảy ra, dòng điện qua BJT công suất tăng vọt vượt ngưỡng giới hạn an toàn cực đại. Nếu mạch không trang bị cơ chế hạn chế dòng tức thời, transistor công suất sẽ bị đánh thủng chỉ trong vài mili-giây. Việc thiết kế mạch bảo vệ ngắn mạch là yêu cầu sống còn.

III. Phương pháp thiết kế và thi công mạch khuếch đại OCL ngõ vào đơn

Để giải quyết triệt để các vấn đề kỹ thuật, giải pháp mạch đồng bộ được tính toán và triển khai chi tiết. Tầng tiền khuếch đại sử dụng BJT với mạch ổn định phân cực kết hợp mạch hồi tiếp âm điện áp song song. Mạch lọc nguồn RC kết hợp diode Zener 15V giúp ghim áp cố định, triệt tiêu gợn sóng từ nguồn đôi. Tầng thúc sử dụng cấu hình cực phát chung cung cấp độ lợi điện áp lớn lên đến 240 lần. Tầng công suất sử dụng cấu trúc đẩy kéo bổ khuyết mắc kiểu Darlington nhằm nâng cao hệ số khuếch đại dòng và nâng trở kháng vào của tầng ra. Các diode phân cực thuận được lắp đặt tiếp xúc nhiệt với cánh tản nhiệt để bù nhiệt tự động cho tiếp giáp B-E. Mạch giới hạn dòng ngắn mạch được tích hợp trực tiếp, khống chế dòng cực đại ở mức an toàn 3.4A khi xảy ra sự cố. Quá trình thiết kế được mô phỏng kiểm thử toàn diện trên phần mềm chuyên dụng trước khi tiến hành layout mạch in PCB và hàn linh kiện thực nghiệm.

3.1. Tính toán tầng tiền khuếch đại tầng thúc và tầng công suất

Quá trình tính toán bắt đầu từ tầng công suất đẩy kéo Darlington để xác định điện áp nguồn và dòng đỉnh. Cặp BJT công suất được chọn có khả năng chịu dòng và tản nhiệt tối ưu. Tầng thúc được thiết kế với dòng phân cực tĩnh đủ lớn để nạp xả nhanh điện dung ký sinh của tầng công suất. Tầng tiền khuếch đại chọn điểm phân cực nhằm tối ưu tỷ số tín hiệu trên nhiễu. Mạng hồi tiếp âm toàn phần với điện trở phân áp R7 và tụ C3 được tính toán kỹ lưỡng. Mạng hồi tiếp ấn định hệ số khuếch đại vòng kín ổn định ở mức 16 lần, đồng thời đưa trở kháng vào của mạch đạt mức 270k Ohm.

3.2. Mô phỏng kiểm thử trên máy tính và thi công thực tế

Sơ đồ nguyên lý được kiểm chứng trên phần mềm mô phỏng PSpice nhằm đánh giá phân cực DC và đáp ứng xoay chiều AC. Tín hiệu vào 0.7V ở tần số 500Hz cho dạng sóng ngõ ra sin chuẩn, biên độ điện áp đạt đúng kỳ vọng thiết kế. Thử nghiệm ngắn mạch tải xác nhận dòng đỉnh được ghim ở mức 3.4A an toàn. Sau khi mô phỏng đạt chuẩn, mạch in PCB được thiết kế tối ưu đường đi dây mass để chống nhiễu ù nền. Việc lắp ráp thực tế sử dụng các linh kiện chất lượng cao, cánh tản nhiệt nhôm kích thước lớn cho BJT công suất và chạy thử nghiệm đo đạc thực tế trên tải loa.

IV. Kết quả và ứng dụng mạch khuếch đại công suất OCL ngõ vào đơn

Đồ án thiết kế và thi công mạch khuếch đại công suất OCL ngõ vào đơn đã hoàn thành xuất sắc các mục tiêu đề ra. Kết quả đo đạc thực nghiệm trên phần cứng hoàn toàn trùng khớp với các thông số tính toán lý thuyết và mô phỏng. Mạch cung cấp công suất thực 15W với âm thanh trong trẻo, không bị xé tiếng ở dải cao và không bị hụt âm trầm. Độ méo phi tuyến được duy trì ở mức 0.2%, dải băng thông phẳng từ 50Hz đến 15kHz. Điểm tĩnh DC ngõ ra luôn ổn định quanh mức 0V nhờ mạch hồi tiếp âm và cơ chế bù nhiệt hiệu quả. Mạch giới hạn dòng hoạt động tin cậy, bảo vệ an toàn BJT khi xảy ra sự cố chập tải. Thiết kế mạch OCL ngõ vào đơn mang lại tính ứng dụng cao trong các thiết bị âm thanh dân dụng như loa nghe nhạc gia đình, amply mini hoặc loa kiểm âm nhỏ. Đồ án cung cấp nền tảng kiến thức thực hành vững chắc về kỹ thuật mạch tương tự cho sinh viên ngành Điện tử - Viễn thông.

4.1. Đánh giá ưu điểm và hạn chế kỹ thuật của mạch

Mạch khuếch đại OCL ngõ vào đơn sở hữu nhiều ưu điểm vượt trội về chất lượng âm thanh. Việc loại bỏ tụ xuất giúp tăng cường đáp ứng tần số thấp, cho âm bass sâu và tròn trịa. Cấu trúc linh kiện rời đơn giản giúp giảm chi phí sản xuất và dễ dàng bảo trì sửa chữa. Tuy nhiên, mạch vẫn tồn tại hạn chế nhất định so với mạch ngõ vào vi sai. Tỷ số khử tín hiệu đồng pha CMRR của mạch đơn thấp hơn, dễ bị ảnh hưởng bởi nhiễu nguồn nếu lọc nguồn không kỹ. Mạch cũng đòi hỏi kỹ thuật cân chỉnh điểm tĩnh DC ngõ ra cẩn thận trong quá trình chế tạo thực tế.

4.2. Khả năng phát triển và ứng dụng thực tiễn hệ thống

Mô hình mạch OCL 15W ngõ vào đơn có khả năng mở rộng và ứng dụng rộng rãi. Mạch dễ dàng nâng công suất lên mức cao hơn bằng cách tăng điện áp nguồn nuôi và sử dụng các cặp transistor Darlington công suất lớn hơn. Hệ thống có thể tích hợp thêm khối tiền khuếch đại âm sắc để điều chỉnh bass-treble linh hoạt. Thiết kế phù hợp ứng dụng trong các hệ thống loa phòng học, loa kiểm âm cá nhân và thiết bị âm thanh trợ giảng. Đồ án tạo tiền đề vững chắc để tiếp tục nghiên cứu các cấu trúc khuếch đại âm tần cao cấp hơn như OCL vi sai hay Class D trong tương lai.

Trích đoạn nội dung tài liệu

Chương 1: Transitor lưỡng cực (BJT) 1. Cấu tạo cơ bản của BJT Transitor lưỡng cực gồm hai mối nối pn nối tiếp nhau, được chế tạo trên cùng một mẫu bán dẫn Ge hoặc Si. Hình sau mô tả cấu trúc của hai loại BJT NPN và PNP Ta thấy rằng, tương ứng với mỗi miền bán dẫn là một cực của BJT, sự pha tạp (nồng độ của lỗ trống hay điện tích tự do) giảm dần từ cực E qua cực C, mà điện tích sẽ khuếch tán từ nơi có nồng độ cao tới nơi có nồng độ thấp nên, lỗ trống/điện tích tự do sẽ phát từ E nên cực này được gọi là cực phát (Emitter), cực C nhận các điện tích nên gọi là cực thu (Collector), cực B chuyển tiếp giữa 2 miền nên được gọi là cực nền (Base). Ngoài ra, miền chuyển tiếp B có độ rộng nhỏ nhất, kế tiếp là miền phát và rộng nhất là miền thu.

Hoạt động - Tùy theo phân cực của các tiếp giáp mà ta có 3 vùng hoạt động Vùng ngắt: BE phân cực nghịch Vùng tích cực: BE phân cực thuận, BC phân cực nghịch Vùng bão hòa: BE phân cực thuận, BC phân cực thuận - Trong thực tế khi sử dụng BJT để khuếch đại tín hiệu, ta phân cực BJT ở vùng tích cực. - Xét BJT NPN hoạt động ở vùng tích cực (PNP tương tự) Mối nối BE phân cực thuận nên vùng nghèo ở lớp tiếp giáp hẹp lại, BC phân cực nghịch nên vùng nghèo rộng ra Nhiều điện tử tử cực âm nguồn đi vào cực phát và khuếch tán sang cực nền (do phân cực thuận) tạo ra dòng IE Ta đã biết tại vùng nền hẹp và ít lỗ trống nên hầu hết điện tử sẽ khuếch tán thẳng sang vùng thu tùy theo độ rộng của vùng nghèo BC và đi về cực dương nguồn tạo ra dòng IC. Mặt khác một ít điện tử tại cực nền sẽ đi về cực dương nguồn VEE tạo ra dòng IB rất nhỏ. 1 h Như vậy theo định luật KCL: IE = IC + IB Do IB rất nhỏ nên IE ≈ IC Đặc tuyến của IC theo VCE và IB có dạng: 2 h 3.

Các cách ráp và độ lợi dòng - Khi sử dụng, BJT được ráp theo 3 cách căn bản: cực phát chung, cực nền chung và cực thu chung. Cực chung là cực nối với đất (GND) và được sử dụng cho cả ngõ vào và ngõ ra. - Dưới đây là sơ đồ 3 kiểu mắc: Trong mỗi cách ráp, người ta định nghĩa độ lợi dòng: Ai = dòng ngõ ra / dòng ngõ vào - Độ lợi dòng điện của BJT thường dùng là độ lợi trong cách ráp cực E chung và B chung Với cực E chung: Ai = hfe = β = IC/IB  IE = (β+1)IB Với cực B chung: Ai = hfb = α = IC/IE - β thường có giá trị từ vài chục đến vài trăm lần, α thường có giá trị từ 0.999 lần - Trong thực tế, β và α thường được nhà sản xuất cung cấp trong datasheet. - Từ định nghĩa và định lý Kirchoff về dòng điện ta rút ra công thức liên hệ: 𝛼 𝛽= 1−𝛼 3 h 4.

Dòng rỉ trong transitor – điện áp tối đa - Vì mối nối BC thường được phân cực nghịch nên cũng có dòng ngược bão hòa ISAT chạy qua và được gọi là ICBO Trong trường hợp cực B để hở, ta đặt điện áp vào 2 đầu cực C và E cũng xuất hiện dòng điện, dòng này được gọi là ICEO. ICBO và ICEO thường được nhà sản xuất cung cấp - Ngoài ra, nhà sản xuất còn cung cấp thêm một số thông số khác như VCEO: điện áp VCE tối đa mà BJT chịu được VEBO: điện áp VBE/VEB tối đa BJT chịu đươc 5. Ảnh hưởng của nhiệt độ tới BJT Nhiệt độ ảnh hưởng lớn tới các thông số của BJT: Vì sự thay đổi các thông số do nhiệt độ nên ổn định nhiệt được xem là ưu tiên hàng đầu khi thiết kế mạch khuyếch đại, một số phương pháp thường sử dụng trong mạch là hồi tiếp âm, bổ chính nhiệt dùng diode… 6. Phân cực điểm tĩnh cho BJT – Ổn định phân cực Trong bài phân tích là BJT NPN, nhưng các kết quả khảo sát vẫn đùng với BJT PNP, chỉ cần chú ý chiều dòng điện và cực tính nguồn cung cấp.

Phân cực cố định Cách tính toán: Bước 1: Áp đụng định lý KCL cho ngõ vào ra tính được IB: IB = (Vcc-0.7)/RB Bước 2: Sử dụng công thức liên hệ : IC = βIB Bước 3: Áp dụng KVl cho ngõ ra tính được VCE: Vce = Vcc – IC.RC (1) 4 h  Điểm làm việc tĩnh Qpoint(IC, VCE) và đồ thị phương trình (1) gọi là loadline (đường tải điện) - Điều kiện BJT hoạt động trong vùng tuyến tính: Mối nối BE phân cực thuận, Mối BC phân cực nghịch: Vc >VB  VCE>VBE  Vcc – IC.7)/RC > IC  IB < (Vcc-0. Phân cực ổn định cực phát RE được thêm vào nhằm mục đích hồi tiếp âm ổn định phân cực Cách tính toán: Bước 1. Sử dụng KVL ngõ vào ta có: VCC = RB.IB + VBE + RE.IE Bước 2: Thay IE = (1+β.𝑅𝐸 Bước 3: Suy ra IC = β. Phân cực bằng cầu chia điện thế Đây là cách được sử dụng phổ biến bởi độ ổn định và dễ tính toán.

Cách tính toán: Bước 1: Dùng định lý Thevenin biến đổi mạch Với RBB = R1 // R2 VBB = VCC.R2/(R1+R2) Bước 2: KVL cho mạch ngõ vào VBB = RBB.IB + VBE + RE.IE Bước 3: Thay IE = (1+β).𝑅𝐸 Bước 4: Suy ra IC = β. Thiết kế mạch phân cực dùng trong khuếch đại tín hiệu nhỏ Mục đích của việc phân cực cho BJT là thiết lập một điểm làm việc tĩnh (Qpoint) và nhờ đó xác định vùng hoạt động ban đầu của transistor - Khi thiết kế mạch phân cực cho BJT trong vùng tích cực, ta cần chú ý: 6 h VCE > 0.2V Thực tế, VCE thường được phân cực dựa theo yêu cầu về độ lợi áp của mạch, nó phải lớn hơn VP của điện áp ngõ ra IPC << IC IPC là dòng chạy trong cầu phân áp cực B trong mạch phân cực bằng cầu phân áp Thông thường, để mạch hoạt động ổn định, ta cần IPC >> IB, nhưng IPC càng lớn thì hiệu suất càng thấp, thế nên ta chọn IPC = 10. Mô hình tín hiệu nhỏ Khi hoạt động trong chế độ khuếch đại tín hiệu nhỏ, BJT có thể được vẽ dưới dạng mô hình tương đương gồm các điện trở và nguồn dòng phụ thuộc. Có 2 bước phân tích mạch: - 1: Phân tích mạch DC Xác định sơ đồ DC bằng cách hở mạch tụ điện và ngắn mạch cuộn cảm Xác định Qpoint tùy theo phương pháp phân cực - 2: Phân tích mạch AC Xác định sơ đồ AC bằng cách nối tất cả nguồn về mass, nối tắt tụ và hở mạch cuộn cảm Thay thế tất cả transistor bằng mô hình tín hiệu nhỏ: Thông số: Điện dẫn gm = 40.IC Trở kháng vào rπ = β0/gm Trở kháng ra ro = VA/IC với VA là điện áp Early Dựa trên sơ đồ mạch AC tính toán tất cả các thông số dòng áp vào ra.

Để đảm bảo cho mạch hoạt động trong vùng tín hiệu nhỏ, có một số yêu cầu sau: |vbe| <= 2VT/10 = 5mV |ic| <= 0.2IC 7 h Chương 2: Các mạch ứng dụng 1. Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ a. Mạch khuếch đại E chung (có RE) Sơ đồ mạch: Phân tích mạch: - Ngõ vào tín hiệu v1 tại cực B, tín hiệu lấy ra tại cực C - C1 C3 là các tụ liên lạc xoay chiều, mục đích là ngăn dòng 1 chiều DC đi qua - R1, R2, R3, RE, R6 là các trở phân cực. Ngoài ra, R6 có vai trò ổn định 1 chiều, RE có vai trò ổn định cả 1 chiều lẫn xoay chiều - C2: tụ thoát xoay chiều.

Do RE càng lớn, AV mạch càng giảm, mà RE quá nhỏ thì Qpoint lại không ổn định nên người ta mắc thêm tụ C2 nhằm đảm bảo RE phù hợp mà Qpoint vẫn ổn định. 8 h Bằng các phương pháp tính toán ta rút ra công thức tổng quát cho mạch: Đặc điểm của mạch: - Mạch chủ yếu khuếch đại điện áp - Ỏn định, ít biến thiên theo nhiệt độ - Làm việc ở chế độ A nên tín hiệu ra chuẩn - Thường được sử dụng với mục đích khuếch đại biên độ tín hiệu b. Mạch khuếch đại C chung Phân tích mạch: - Ngõ vào tín hiệu tại cực B, tín hiệu lấy ra tại cực E - Do tín hiệu lấy ra tại cực E nên ta có thể xác định mạch này không khuếch đại điện áp 9 h - Tụ C1, C3 là tụ liên lạc xoay chiều. - R1, R2, R4 là các trở phân cực tĩnh Bằng các phương pháp tính toán ta rút ra công thức cho mạch: Đặc điểm của mạch: - Không khuếch đại điện áp tín hiệu mà khuếch đại dòng điện - Chấp nhận tín hiệu đầu vào lớn - Do các đặc điểm trên nên thường được dùng để khuếch đại công suất 10 h 2.

Mạch khuếch đại nhiều tầng – ghép nối BJT - Trong thực tế, một mạch amply công suất gồm nhiều tầng kết nối với nhau, mỗi tầng có một chức năng xác định: • Tầng tiền khuếch đại: là tầng nhận tín hiệu vào, khuếch đại sơ, chống méo tín hiệu. Nó cung cấp một trở kháng vào lớn do công suất tín hiệu vào khuếch đại rất nhỏ. Trong thực tế, tầng này thường dùng mạch vi sai, mạch này có ưu điểm rất lớn do thiết kế đối xứng loại bỏ được các loại nhiễu đồng pha. Nhưng đồ án này sử dụng mạch ngõ vào đơn E chung nên không đề cập tới.

• Tầng thúc: là tầng kế tiếp tầng tiền khuếch đại, được liên kết gián tiếp bằng tụ hoặc liên kết trực tiếp. Thông thường đây là mạch C chung nên cung cấp độ lợi điện áp lớn. • Tầng công suất: là tầng xuất tín hiệu ra tải, cách li tải có trở kháng nhỏ ra khỏi các tầng trước, nhận tín hiệu tử tầng thúc nên biên độ tín hiệu rất lớn, đồng thời tải trở kháng nhỏ nên để biên độ tín hiệu không suy giảm, AI phải đủ lớn, phù hợp với yêu cầu trên chỉ có mạch C/D chung. Trong thực tế, người ta mắc theo kiểu đẩy kéo và dùng mạch Darlington để tăng độ lợi dòng.

- Khó khăn khi thiết kế mạch amply nhiều tầng thường đến từ khâu ghép nối liên tầng. Với ghép nối gián tiếp bằng tụ, các tầng được coi như riêng rẽ về mặt điện áp 1 chiều, cách ghép nối này có ưu điểm là dễ tính toán, dễ thực hiện, nhược điểm là tiêu tốn linh kiện, đồng thời tụ liên lạc sẽ làm giảm đáp ứng tần số mạch, gây méo tín hiệu.