Tổng quan nghiên cứu

Sự bùng nổ của ngành công nghiệp xe điện (EV) và các hệ thống lưu trữ năng lượng tái tạo đang thúc đẩy nhu cầu cấp thiết về việc tối ưu hóa hiệu suất và độ an toàn của nguồn pin. Trong các công nghệ lưu trữ hiện nay, pin Lithium-ion chiếm ưu thế vượt trội nhờ mật độ năng lượng thực tế đạt tới 555 Wh/kg, cao hơn từ 3 đến 4 lần so với các loại pin truyền thống như Ni-Cd hay Ni-MH, cùng chu kỳ nạp xả bền bỉ đạt từ 1.000 đến 2.000 chu kỳ. Tuy nhiên, để đảm bảo an toàn tuyệt đối, ngăn ngừa các rủi ro quá nhiệt, quá nạp hoặc quá xả, hệ thống quản lý pin (BMS) bắt buộc phải theo dõi chính xác trạng thái nạp (State of Charge - SoC).

SoC là thông số biểu thị lượng năng lượng còn lại trong cell pin tính theo tỷ lệ phần trăm từ 0% đến 100%. Vấn đề cốt lõi đặt ra là tham số này không thể đo lường trực tiếp bằng bất kỳ cảm biến vật lý nào mà phải ước lượng gián tiếp thông qua các biến đo lường như dòng điện, điện áp và nhiệt độ. Thách thức lớn nhất trong thực tế là mối quan hệ giữa điện áp hở mạch (OCV) và SoC có tính chất phi tuyến cao, đồng thời chịu tác động mạnh mẽ của hiện tượng điện áp trễ, quá trình phân cực khuếch tán và sự biến thiên nhiệt độ môi trường từ -25°C đến 45°C.

Luận văn thạc sĩ chuyên ngành Kỹ thuật điện thực hiện tại Trường Đại học Kỹ thuật Công nghiệp – Đại học Thái Nguyên năm 2020 đã giải quyết triệt để bài toán này. Đề tài tập trung xây dựng mô hình mạch điện tương đương tự hiệu chỉnh nâng cao (ESC) bậc 1 có xét đến các hiện tượng động học và nhiệt độ làm việc, từ đó ứng dụng bộ lọc Kalman mở rộng (EKF) để ước lượng trạng thái SoC cho cell pin Lithium-ion Samsung INR18650-25R dung lượng 2.500 mAh. Nghiên cứu mang ý nghĩa thực tiễn to lớn khi giúp giảm sai lệch điện áp mô hình xuống mức dưới ±0.02 V, tạo tiền đề nâng cao hiệu suất vận hành cho hệ thống BMS trên các dòng ô tô điện hiện đại.

Cơ sở lý thuyết và phương pháp nghiên cứu

Khung lý thuyết áp dụng

Nghiên cứu được xây dựng trên nền tảng vững chắc của lý thuyết điện hóa pin Lithium-ion và lý thuyết ước lượng trạng thái phi tuyến trong điều khiển học. Mô hình nghiên cứu trung tâm là mô hình mạch điện tương đương tự hiệu chỉnh nâng cao (Enhanced Self-Correcting - ESC), kết hợp các đặc tính động học phức tạp của cell pin bao gồm: điện áp hở mạch OCV, nội trở thuần R0, nhánh phân cực tuyến tính RC song song và điện áp trễ động học.

Khung lý thuyết của luận văn bao hàm 5 khái niệm chuyên ngành cốt lõi:

  1. Trạng thái nạp (SoC): Tỷ số giữa dung lượng khả dụng hiện có và dung lượng danh định của cell pin, dao động từ 0% đến 100%.
  2. Điện áp hở mạch (Open Circuit Voltage - OCV): Điện áp đo được trên hai cực của pin khi ở trạng thái cân bằng nhiệt và không có dòng điện chạy qua.
  3. Hiệu suất Coulomb: Tỷ số giữa lượng điện tích xả ra và lượng điện tích nạp vào, đạt xấp xỉ 99% đối với pin Lithium-ion tiêu chuẩn.
  4. Hiện tượng điện áp trễ (Hysteresis Voltage): Sự sai khác về điện áp cân bằng giữa quá trình sạc và quá trình xả tại cùng một mức SoC.
  5. Bộ lọc Kalman mở rộng (EKF): Thuật toán ước lượng trạng thái tối ưu đệ quy cho các hệ phi tuyến bằng phương pháp tuyến tính hóa chuỗi Taylor quanh điểm làm việc hiện tại.

Phương pháp nghiên cứu

Nguồn dữ liệu của luận văn được thu thập trực tiếp từ các chuỗi thử nghiệm thực nghiệm nghiêm ngặt trên cell pin công nghiệp Samsung INR18650-25R với dung lượng định mức 2.500 mAh và trọng lượng 49 g. Quá trình lấy mẫu dữ liệu được thực hiện có hệ thống tại 8 mức nhiệt độ chuẩn hóa gồm: -25°C, -15°C, -5°C, 5°C, 15°C, 25°C, 35°C và 45°C.

Phương pháp thực nghiệm được triển khai thông qua 4 kịch bản đo OCV ở tốc độ dòng cực thấp C/30 (nạp và xả trong 30 giờ) để triệt tiêu hiện tượng sinh nhiệt, kết hợp 3 kịch bản nạp xả xung động học để khảo sát phản ứng quá độ của pin. Dữ liệu đo đạc liên tục bao gồm: thời gian trích mẫu, dòng điện, điện áp hai cực, dung lượng nạp xả (Ah), năng lượng nạp xả (Wh) và tốc độ thay đổi điện áp (dV/dt).

Lý do lựa chọn phương pháp phân tích bình phương cực tiểu kết hợp thuật toán rời rạc hóa phương trình trạng thái là nhằm tối ưu hóa việc nhận dạng các tham số mô hình ESC như R0, R1, C1 và hệ số trễ M. Đồng thời, thuật toán EKF được lựa chọn thay thế cho phương pháp đếm Coulomb vì khả năng tự bù sai số ban đầu và triệt tiêu hiệu quả nhiễu đo lường từ cảm biến dòng áp. Toàn bộ quá trình tính toán, nhận dạng và mô phỏng được thực hiện trên nền tảng phần mềm Matlab trong giai đoạn nghiên cứu 2019-2020.

Kết quả nghiên cứu và thảo luận

Những phát hiện chính

Quá trình phân tích thực nghiệm và mô phỏng thuật toán EKF trên cell pin Samsung INR18650-25R đã mang lại 4 phát hiện khoa học quan trọng:

Thứ nhất, quan hệ giữa OCV và SoC thể hiện tính phi tuyến rõ nét và phụ thuộc mạnh vào nhiệt độ môi trường. Tại dải nhiệt độ dương từ 5°C đến 45°C, sự sai lệch giữa mô hình xấp xỉ và dữ liệu thực nghiệm cực kỳ nhỏ với sai số căn trung bình bình phương (RMS) chỉ dao động từ 2.0 mV đến 2.5 mV. Tuy nhiên, khi nhiệt độ giảm xuống dưới 0°C, sai lệch tăng lên rõ rệt: đạt 10.1 mV ở -15°C, 13.6 mV ở -5°C và lên tới 32.5 mV tại -25°C (gấp khoảng 25 lần so với tại 35°C), tập trung chủ yếu ở hai vùng SoC dưới 40% và SoC trên 70%.

Thứ hai, các tham số nội tại của mô hình ESC có sự biến đổi sâu sắc theo nhiệt độ. Dung lượng khả dụng Q đạt giá trị cực đại 2.19 Ah tại nhiệt độ tối ưu khoảng 19°C, sau đó suy giảm nhanh khi nhiệt độ dịch chuyển về hai phía cực đoan. Nội trở thuần R0 giảm mạnh từ 600 mΩ ở mức -20°C xuống chỉ còn khoảng 100 mΩ tại mức 45°C, thể hiện mức giảm tới 83.3% do độ linh động của các ion tăng cao ở nhiệt độ ấm.

Thứ ba, mô hình mạch ESC 1 nhánh RC tái hiện hoàn hảo điện áp hai cực của pin. Tại nhiệt độ kiểm chứng 45°C, sai lệch điện áp giữa mô hình tính toán và thực nghiệm có giá trị trung bình bằng 0, nằm gọn trong dải biên độ hẹp ±0.02 V, tương đương sai số chỉ khoảng 0.54% so với điện áp làm việc cơ sở 3.7 V.

Thứ tư, thuật toán EKF chứng minh khả năng ước lượng SoC với độ chính xác cao vượt trội dưới các kịch bản phụ tải biến động liên tục, duy trì sai số ước lượng SoC trong ngưỡng dưới 2.0% và loại bỏ hoàn toàn hiện tượng tích lũy sai số trôi dạt của các phép đo dòng điện truyền thống.

Thảo luận kết quả

Nguyên nhân chính dẫn đến sự gia tăng sai số ở nhiệt độ âm là do tốc độ phản ứng điện hóa bên trong chất điện phân lỏng bị chậm lại và quá trình khuếch tán của các ion Li+ trong các lớp cấu trúc tinh thể than chì bị cản trở. Hiện tượng này làm tăng mạnh điện trở phân cực và khuếch tán, khiến điện áp trễ biến thiên phức tạp hơn nhiều so với điều kiện tiêu chuẩn 25°C.

Khi so sánh với phương pháp đếm Coulomb đơn thuần (vốn dễ bị tích lũy sai số theo thời gian và phụ thuộc hoàn toàn vào giá trị SoC ban đầu) hay phương pháp tra bảng OCV tĩnh (đòi hỏi pin phải nghỉ từ 1 đến 2 giờ để đạt trạng thái cân bằng), thuật toán EKF dựa trên mô hình ESC thể hiện ưu thế vượt bậc. EKF có cơ chế vòng kín tự hiệu chỉnh trạng thái qua ma trận hiệp phương sai sai số, cho phép bám sát trạng thái nạp thực tế ngay cả khi giá trị khởi tạo bị lệch lớn.

Trong thực tế triển khai, các tập dữ liệu động học có thể được tổ chức trực quan dưới dạng bảng ma trận đa chiều hoặc các đồ thị quan hệ 3 chiều giữa ba biến OCV - SoC - Nhiệt độ trên giao diện BMS. Điều này giúp tối ưu hóa không gian bộ nhớ của vi điều khiển mà vẫn đảm bảo tốc độ phản hồi tính toán theo thời gian thực dưới 10 ms cho mỗi chu kỳ trích mẫu.

Đề xuất và khuyến nghị

Dựa trên kết quả nghiên cứu toàn diện của luận văn, 4 giải pháp cụ thể được đề xuất nhằm hoàn thiện và ứng dụng thuật toán vào thực tiễn:

  1. Tích hợp thuật toán ước lượng SoC sử dụng bộ lọc Kalman mở rộng (EKF) trực tiếp vào vi điều khiển của hệ thống BMS thương mại trên xe điện nhằm duy trì sai số ước lượng dưới mức 1.5%, thời gian hoàn thành thử nghiệm trong vòng 6 tháng do các kỹ sư hệ thống nhúng và phần mềm ô tô đảm nhiệm.
  2. Xây dựng bảng tra cứu tham số OCV-SoC-Nhiệt độ (Look-up Table) đa chiều với bước chia nhiệt độ 5°C để giảm tải tính toán trực tiếp trên CPU của BMS xuống dưới 20% công suất xử lý, do nhóm nghiên cứu thuật toán thực hiện trong quý tới.
  3. Trang bị hệ thống điều hòa nhiệt độ chủ động (Thermal Management System) cho các bộ pack pin nhằm duy trì nhiệt độ vận hành ổn định trong khoảng tối ưu từ 15°C đến 35°C, giúp nâng hiệu suất năng lượng lên mức 95% và kéo dài tuổi thọ cell pin vượt 1.000 chu kỳ nạp xả, do bộ phận thiết kế cơ khí và nhiệt thực hiện trong 12 tháng.
  4. Mở rộng mô hình hóa từ cấp độ đơn cell sang cấp độ toàn bộ gói pin (Battery Pack) gồm hàng trăm cell mắc nối tiếp và song song, tích hợp chiến lược cân bằng điện tích chủ động giữa các cell với độ lệch điện áp khống chế dưới 10 mV, do các viện nghiên cứu năng lượng và nhà sản xuất xe điện triển khai trong giai đoạn 2021-2023.

Đối tượng nên tham khảo luận văn

Luận văn thạc sĩ này là tài liệu học thuật và kỹ thuật chuyên sâu mang lại giá trị thiết thực cho 4 nhóm đối tượng chính:

  1. Kỹ sư phát triển phần cứng và phần mềm BMS: Nắm vững quy trình toán học xây dựng mô hình ESC và thuật toán EKF để lập trình trực tiếp lên vi điều khiển trên các hệ thống pin xe máy điện, ô tô điện và trạm sạc.
  2. Các nhà nghiên cứu và giảng viên chuyên ngành Kỹ thuật điện, Năng lượng tái tạo: Sử dụng làm tài liệu tham khảo chuẩn mực về mô hình hóa mạch điện tương đương phi tuyến, phương pháp trích xuất tham số thực nghiệm và điều khiển tối ưu hóa nguồn pin.
  3. Doanh nghiệp sản xuất ô tô điện và hệ thống lưu trữ điện (ESS): Ứng dụng quy trình thử nghiệm 4 kịch bản OCV và 3 kịch bản động học để đánh giá chính xác chất lượng, vòng đời và tính tương thích của các dòng cell pin Lithium-ion trên thị trường.
  4. Học viên cao học và sinh viên kỹ thuật: Cung cấp case study hoàn chỉnh từ khảo sát lý thuyết, thiết lập mô hình toán học trong không gian trạng thái đến lập trình mô phỏng kiểm chứng kết quả trên công cụ Matlab/Simulink.

Câu hỏi thường gặp

Tại sao phương pháp đếm Coulomb truyền thống không đủ tin cậy để xác định SoC?

Phương pháp đếm Coulomb hoạt động theo nguyên tắc vòng hở, do đó các sai số từ cảm biến đo dòng sẽ bị tích lũy liên tục theo thời gian (drift error). Hơn nữa, phương pháp này đòi hỏi phải biết chính xác 100% giá trị SoC ban đầu, điều rất khó xác định trong thực tế vận hành hàng ngày của xe điện.

Mô hình ESC có ưu điểm gì vượt trội so với các mô hình mạch tương đương R-C thông thường?

Mô hình ESC (Enhanced Self-Correcting) tích hợp thêm thành phần điện áp trễ động học và xem xét trực tiếp ảnh hưởng của nhiệt độ môi trường. Nhờ đó, mô hình tái hiện chính xác hiện tượng phục hồi điện áp phi tuyến và duy trì sai số điện áp cực thấp, chỉ khoảng ±0.02 V tại 45°C.

Nhiệt độ môi trường ảnh hưởng như thế nào đến độ chính xác ước lượng SoC của pin?

Khi nhiệt độ giảm xuống dưới 0°C, điện trở trong R0 tăng vọt từ 100 mΩ lên hơn 600 mΩ ở -20°C và sai số quan hệ OCV-SoC tăng gấp 25 lần (đạt 32.5 mV tại -25°C). Do đó, thuật toán ước lượng bắt buộc phải cập nhật tham số thích nghi theo nhiệt độ để tránh sai lệch lớn.

Cell pin Samsung INR18650-25R được sử dụng trong luận văn có những thông số cơ bản nào?

Cell pin Samsung INR18650-25R là loại pin Lithium-ion dạng trụ kích thước 18x65 mm, trọng lượng 49 g, dung lượng danh định 2.500 mAh, dòng xả liên tục định mức 20A (xung 35A), điện áp cắt dưới 2.25 V và tuổi thọ thiết kế đạt trên 1.000 chu kỳ nạp xả.

Thuật toán lọc Kalman mở rộng EKF có thể chạy thời gian thực trên vi điều khiển nhúng không?

Hoàn toàn khả thi vì mô hình ESC bậc 1 có cấu trúc phương trình trạng thái gọn nhẹ. Khi được rời rạc hóa với chu kỳ trích mẫu 1 giây, thuật toán EKF chỉ tiêu tốn một phần nhỏ tài nguyên bộ nhớ và thời gian xử lý của các dòng vi điều khiển 32-bit phổ biến hiện nay.

Kết luận

  • Luận văn đã xây dựng thành công mô hình mạch điện tương đương ESC bậc 1 phản ánh chính xác các hiện tượng động học phức tạp, phân cực khuếch tán và trễ điện áp của pin Lithium-ion.
  • Thiết lập hoàn chỉnh cơ sở dữ liệu quan hệ giữa OCV, SoC và các tham số mô hình dựa trên thực nghiệm đo đạc cell pin Samsung INR18650-25R tại 8 mốc nhiệt độ từ -25°C đến 45°C.
  • Chứng minh tính chính xác cao của mô hình ESC với sai lệch điện áp đầu ra so với thực nghiệm chỉ dao động trong dải cực hẹp ±0.02 V tại nhiệt độ 45°C.
  • Ứng dụng thành công bộ lọc Kalman mở rộng (EKF) để ước lượng SoC với khả năng lọc nhiễu xuất sắc và khống chế sai số ước lượng dưới 2.0% trong các chu kỳ nạp xả động học.
  • Đóng góp giải pháp thuật toán có tính ứng dụng thực tiễn cao, sẵn sàng triển khai trên các hệ thống quản lý pin BMS thương mại nhằm nâng cao tuổi thọ và độ an toàn cho xe điện.

Hướng nghiên cứu tiếp theo sẽ tập trung vào việc thử nghiệm thuật toán trên phần cứng vi điều khiển thực tế và mở rộng quy mô ước lượng cho toàn bộ pack pin đa cell trong vòng 12 tháng tới. Các cá nhân, kỹ sư và doanh nghiệp quan tâm có thể khai thác nội dung luận văn này để phát triển và tối ưu hóa các giải pháp lưu trữ năng lượng thông minh.