Mở đầu Chương này nêu lên hai vấn đề: (i) Nêu bật lên tầm quan trọng của tấm đa lớp trong các công nghiệp nói chung và nghành xây dựng nói riêng. Qua đó thấy được nghiên cứu về tấm đa lớp này là có ý nghĩa thực tiễn. (ii) Cho người đọc hình dung được một cách tổng quát nhất về hướng nghiên cứu và phương cách thực hiện của luận văn. Tổng quan tình hình nghiên cứu 10 Chương này trình bày tổng hợp và khái quát những nghiên cứu liên quan đến đề tài và những đánh giá về ưu điểm, hạn chế của các nghiên cứu đó.
Qua đó chứng minh rằng hướng tiếp cận của đề tài là hướng mới và có sẽ những đóng góp mới, tích cực cho các lĩnh vực liên quan. Cơ sở lý thuyết Chương này trình bày cách xây dựng phần tử MISQ20 theo lý thuyết tấm kể đến biến dạng cắt bậc cao bậc ba của (Reddy, J. N, 1984), lý thuyết biến dạng lớn Green, biến dạng Von-Karman, ứng suất Piola-kirchhoff thứ hai theo cách tiếp cận Total Lagrangian. Ngoài ra kỹ thuật phân tích phi tuyến Newton-Raphson cũng được giới thiệu.
Mô phỏng số Chương này trình bày kết quả các mô phỏng số của phần tử MISQ20-HSDT theo các bài toán tiêu biểu về phi tuyến kết cấu tấm/ vỏ. Kết quả được so sánh với các kết quả khác nhằm đánh giá khả năng của phần tử đang nghiên cứu và độ tin cậy của kết quả phân tích. Các dạng bài toán như sau được thực hiện: (i) Tấm đa lớp bình hành, hình tròn, hình tam giác, tấm gấp trong giai đoạn tuyến tính với các điều kiện biên khác nhau. (ii) Tấm đa lớp hình vuông được khảo sát phi tuyến hình học với các điều kiện biên khác nhau, bề dày khác nhau.
(iii) Tấm đa lớp hình bình hành được phân tích phi tuyến hình học với chiều dày thay đổi, góc bình hành thay đổi. (iv) Tấm hình tròn vật liệu đẳng hướng được phân tích phi tuyến hình học. (v) Tấm đa lớp hình tam giác được phân tích phi tuyến hình học và so sánh với hình vuông. (vi) Tấm gấp vật liệu đẳng hướng được phân tích phi tuyến hình học.
11 (vii) Tấm gấp vật liệu đa lớp được phân tích phi tuyến hình học, đây là đóng góp mới của đề tài. Kết luận và kiến nghị Chương này trình bày ngắn gọn các kết luận rút ra được từ luận văn, và các đóng góp mới của đề tài dựa trên kết quả tính toán đạt được về phần tử MISQ20- HSDT trong Chương 4. Đồng thời nêu ra kiến nghị cho những nghiên cứu tiếp theo để vấn đề toàn diện hơn. 12 Chương 2: Tổng quan tình hình nghiên cứu 2.
Sơ lược về các hướng tiếp cận tấm đa lớp Nhiều phương pháp phân tích kết cấu tấm vỏ với vật liệu đa lớp đã phát triển nhưng nhìn chung được chia làm 2 trường phái tính toán chính: (i) Dùng lý thuyết thuyết một lớp tương đương ESL) chuyển hóa từ thuyết đàn hồi 3D mà ở đó những lớp phức tạp được quy đổi thành một lớp duy nhất. (ii) Dùng lý thuyết nhiều lớp đơn (LW) mà ở đó mỗi lớp được xem như ứng xử riêng biệt Hình 2.Tấm đa lớp theo lý thuyết LW và ESL Giữa hai lý thuyết trên, ESL được dùng một cách rộng rãi vì sở hữu lợi thế đơn giản trong mô hình, công thức, và chi phí tính toán thấp. Ngoài ra mô hình ESL giúp giải quyết các bài toán kết cấu đa lớp phức tạp thành bài toán đơn giản hơn, chỉ bằng một lớp tương đương với độ chính xác rất tốt khi không có hiện tượng bong tách lớp. Có ba loại lý thuyết biến dạng cắt phổ biến: Lý thuyết tấm đa lớp cổ điển (CLPT) dùng lý thuyết tấm Kirchhoff làm chủ đạo và khi tính toán bỏ qua thành phần biến dạng do lực cắt gây ra, lý thuyết biến dạng cắt bậc nhất (FSDT) dùng lý thuyết tấm Mindlin làm chủ đạo và khi tính toán có kể thêm thành phần biến dạng do lực cắt gây ra, nhưng mặt biến dạng vẫn duy trì trạng thái phẳng, lý thuyết biến dạng cắt bậc cao (HSDT) cũng có kể đến thành phấn biến dạng do lực cắt gây ra, 13 ứng xử theo một đường bậc cao có ứng suất tiếp tại hai biên bằng zero.
Trong 3 lý thuyết trên thì HSDT mang lại độ tin cậy cao hơn vì mô phỏng gần với ứng xử thật của kết cấu. Vào những năm 1960, người ta đã tiến hành những bài báo đầu tiên về tấm đa lớp để tạo tiền đề cho việc nghiên cứu sau này. Có thể kể đến như (Broutman and Krock, 1967), (Whitney and Pagano, 1970) và một số tác giả khác, họ đã tính toán theo lý thuyết CPT hoặc FSDT. Vào những năm sau đó (Reddy, J.
N, 1984), (Touratier, 1991), (Soldatos, 1992), (Arya et al., 2002) và nhiều tác giả khác đã đóng góp các hàm biến dạng cắt bậc cao (HSDT) để giải quyết bài toán tấm. Về phân tích phi tuyến tấm/vỏ và tấm/vỏ đa lớp có rất nhiều các bài báo, các hướng nghiên cứu và tác giả liên quan. Tổng quan về vấn đề này đã được (Crisfield, 1997) và (Zhang and Yang, 2009) giới thiệu trong tác phẩm của mình. Trong khuôn khổ luận văn, học viên chỉ tóm tắt một số nét cơ bản về sự hình thành và phát triển của các phương pháp phân tích phi tuyến như sau: (Horrigmoe and Bergan, 1978) với cách tiếp cận Update Lagrangian và công thức xoay của phần tử để phân tích phi tuyến hình học cho tấm vỏ dựa trên phân tích tuyến tính (Clough, 1964) và (Zienkiewicz, 1968).
Ngoài ra, những phân tích phi tuyến kết cấu tấm vỏ cũng đã được phát triển từ phân tích tuyến tính của (Ahmad et al., 1970) theo cách tiếp cận Update Lagrangian hoặc Total Lagrangian như (Belytschko, 1989), (Dvorkin, 1984), (Stander et al. Có thể kể thêm một số tác giả sử dụng cách cộng dồn lượng tăng của biến dạng là (Liu et al., 1986), (Zienkiewicz et al. Cũng như trong phân tích tuyến tính, một vấn đề quan trọng được xem xét bởi nhiều tác giả là bậc tự do xoay quanh trục z vuông góc với mặt phẳng phần tử, hay còn gọi là “Drilling rotation”. Để xây dựng được ma trận chuyển từ hệ tọa độ địa phương sang hệ tọa độ tổng thể cũng như để thực hiện ghép nối ma trận giữa các phần tử, bậc tự do xoay quanh trục z này cần được kể đến.
Để giải quyết vấn đề 14 này, một số tác giả đã đề xuất dùng kỹ thuật độ cứng lò xo giả tạo, như (E. Kỹ thuật này hoạt động tốt với phân tích tuyến tính, còn với phân tích phi tuyến vật liệu có thể làm cho độ cứng kết cấu thay đổi đáng kể và còn phải phát triển nhiều trong thời gian tới. Trong những năm gần đây, có rất nhiều tác giả tham gia vào lĩnh vực tính toán tấm đa lớp này, để liệt kê hết là một vấn đề không thể, học viên chỉ liệt kê ra một số ít để có cái nhìn tổng quan sâu hơn của tính toán phi tuyến tấm đa lớp cận đại. Một số bài báo kể đến HSDT trong phân tích tấm đa lớp như sau: (Liew et al., 2007) phân tích phi tuyến hình học dùng hàm dạng Spline, (Roque et al., 2011) dùng kỹ thuật không lưới kết hợp RBF để phân tích tấm đa lớp.
(Ferreira et al., 2011) dùng hàm biến dạng cắt hình sin kết hợp với RBF phân tích tấm đa lớp. (Thai et al., 2012) áp dụng HSDT cho phần tử DSG3 cho tấm đa lớp, (Upadhyay and Shukla, 2012) phân tích phi tuyến hình học theo phương pháp giải tích. (Lee and Kim, 2013) áp dụng HSDT cho tấm Mindlin bốn nút kết hợp phương pháp biến dạng giả định, (Assumed Strain Method) của phần tử MITC4 cho tấm đa lớp, (Tran et al., 2015a) đã áp dụng HSDT cho phần tử tứ giác kết hợp với hàm dạng NURRBS phân tích phi tuyến hình học tấm đa lớp. (Tran et al., 2015b) dùng HSDT kết hợp với phần tử ES-DSG3 cho tấm đa lớp.
(Reddy, 2004) đã áp dụng hàm dạng đa thức Hermite vào các bài toán uốn của tấm. (Thai et al., 2014)- HSDT lượng giác ngược và hàm dạng IGA cho tấm đa lớp. Có khá nhiều luận văn thạc sĩ trong nước làm về tấm đa lớp, nên học viên chỉ nêu ra một số tên đề tài để nắm được xu hướng chung như: (Nguyen Quang Trung, 2013) phân tích kết cấu tấm nhiều lớp dùng lý thuyết biến dạng cắt bậc 3 bằng phần tử MITC3+ được làm trơn trên phần tử; (Trần Văn Dần, 2013) tối ưu hóa dựa trên độ tin cậy tấm đa lớp bằng giải thuật di truyền và phần tử CS-DSG3; (Trương Đức Thái, 2016) phân tích độ tin cậy của tấm đa lớp bằng phương pháp phần tử hữu hạn 15 trơn trên cạnh. (Vũ Diễm Trang, 2015) tính kết cấu dầm nhiều lớp dùng lý thuyết biến dạng cắt bậc cao và phương pháp phần tử hữu hạn đẳng hình học, (Trần Văn Phát, 2012) phân tích độ tin cậy của tấm đa lớp có chứa lớp áp điện dùng phương pháp phần tử hữu hạn trơn trên cạnh,…vv.
Phương pháp PTHH trơn Phương pháp phần tử hữu hạn trơn (SFEM) là một họ các phương pháp được xây dựng thông qua sự kết hợp của PTHH và một số kỹ thuật từ các phương pháp không lưới (Meshfree Method). Trong SFEM, biến dạng tại mỗi điểm được chuẩn hóa bằng một hàm làm trơn trong vùng lân cận của miền khảo sát. Khi hàm trơn được chọn là hằng số, ma trận độ cứng được tính trên biên của phần tử thay vì bên trong bằng tích phân Gauss như cách tính thông thường. Phương pháp này đạt được độ chính xác cao hơn phương pháp phần tử hữu hạn truyền thống mà không tăng chi phí tính toán.
Có nhiều nghiên cứu đã chứng minh rằng các mô hình SFEM đòi hỏi khối lượng tính toán thấp hơn so với các mô hình FEM truyển thống, sử dụng cùng cấu trúc lưới. Thông thường SFEM cho kết quả tính toán chính xác hơn, độ hội tụ cao hơn và ít nhạy cảm khi lưới không đều. Có thể kể đến một số cái tên như: Liu GR, Dai KY, Nguyễn Thời Trung, Nguyễn Xuân Hùng, Nguyễn Văn Hiếu.vv thông qua một số tác phẩm (Liu et al., 2007), (Liu and Nguyen, 2010), (Nguyen-Thanh et al., 2011), (Nguyen-Van et al. Phần tử MISQ20 là phần tử tứ giác trơn do tác giả (Nguyen Van Hieu, 2009) phát triển, tính hiệu quả trong phân tích được minh chứng qua (H.