Xác Định Các Tính Chất Của Đầu Dò Thallium Bromide Bằng Chương Trình PENELOPE

Luận văn thạc sĩ kỹ thuật nghiên cứu vật lý kỹ thuật xác định các tính chất của đầu dò thallium bromide bằng chương trình penelope, khảo sát thực trạng, phân tích nguyên nhân, đề

• Tác giả: Cao Thị Hồng Vân
• Người hướng dẫn: TS. Lý Anh Tú
• Trường học: Đại học Bách Khoa - ĐHQG Tp.HCM
• Chuyên ngành: Vật lý Kỹ thuật
• Đề tài: Xác Định Các Tính Chất Của Đầu Dò Thallium Bromide Bằng Chương Trình PENELOPE
• Loại tài liệu: luận văn thạc sĩ
• Năm xuất bản: 2015
• Địa điểm: TP. Hồ Chí Minh

Tóm tắt

I. Tổng Quan Về Nghiên Cứu Đầu Dò Thallium Bromide TlBr

Nghiên cứu về đầu dò Thallium Bromide (TlBr) đang thu hút sự quan tâm lớn trong lĩnh vực khoa học ứng dụng và y học. Các tiến bộ trong y tế hạt nhân đòi hỏi việc xác định chính xác sự phân bố của các chất phóng xạ trong cơ thể bệnh nhân, từ đó nâng cao hiệu quả điều trị. Vì vậy, việc phát triển các thiết bị dò phóng xạ sử dụng vật liệu detector hiệu quả cao là vô cùng quan trọng. Thallium Bromide (TlBr) nổi lên như một vật liệu bán dẫn đầy triển vọng cho việc chế tạo đầu dò hoạt động ở nhiệt độ phòng. Vật liệu này sở hữu các đặc tính vật lý ưu việt như số nguyên tử Z cao, mật độ lớn và bandgap tương đối rộng, giúp giảm thiểu rò rỉ nhiệt khi hoạt động ở nhiệt độ phòng. Luận văn này tập trung vào việc mô tả đặc tính của đầu dò bán dẫn TlBr và trình bày kết quả mô phỏng sự vận chuyển của photon qua đầu dò bằng phương pháp Monte Carlo sử dụng mã PENELOPE. Các nghiên cứu bao gồm mô phỏng tín hiệu và hiệu suất của đầu dò, phụ thuộc vào năng lượng bức xạ, độ dày lớp tinh thể TlBr, vị trí nguồn bức xạ và vật liệu điện cực.

1.1. Ứng dụng của Đầu Dò Bán Dẫn Trong Y Học và Công Nghiệp

Đầu dò bán dẫn đóng vai trò quan trọng trong các ứng dụng y tế và công nghiệp hiện đại. Trong y học, chúng được sử dụng để chẩn đoán và điều trị các bệnh khác nhau, bao gồm ung thư và bệnh tim mạch. Trong công nghiệp, chúng được sử dụng để kiểm tra chất lượng, giám sát môi trường và an ninh. Sự phát triển của các vật liệu bán dẫn mới như Thallium Bromide (TlBr) mở ra những cơ hội mới để cải thiện hiệu suất và độ tin cậy của các đầu dò bức xạ trong các ứng dụng này.

1.2. Ưu Điểm Vượt Trội của Thallium Bromide TlBr So Với Vật Liệu Khác

Thallium Bromide (TlBr) sở hữu nhiều ưu điểm so với các vật liệu bán dẫn khác, đặc biệt là khả năng hoạt động ở nhiệt độ phòng. Điều này giúp giảm chi phí và độ phức tạp của hệ thống, đồng thời mở rộng phạm vi ứng dụng của đầu dò bức xạ. Bên cạnh đó, TlBr có độ phân giải năng lượng tốt và hiệu suất phát hiện cao, cho phép đo lường chính xác và tin cậy các nguồn bức xạ.

II. Thách Thức và Mục Tiêu Nghiên Cứu Đầu Dò Thallium Bromide

Mặc dù Thallium Bromide (TlBr) hứa hẹn nhiều tiềm năng, nhưng vẫn còn một số thách thức cần giải quyết. Một trong những thách thức lớn nhất là cải thiện chất lượng tinh thể TlBr để giảm thiểu các khuyết tật và tạp chất, từ đó nâng cao hiệu suất và độ ổn định của đầu dò. Mục tiêu của nghiên cứu này là sử dụng phương pháp mô phỏng Monte Carlo với chương trình PENELOPE để xác định các yếu tố ảnh hưởng đến hiệu suất của đầu dò TlBr, bao gồm năng lượng photon, độ dày lớp tinh thể và vật liệu tiếp xúc. Kết quả nghiên cứu sẽ cung cấp thông tin quan trọng để tối ưu hóa thiết kế và quy trình chế tạo đầu dò TlBr.

2.1. Các Vấn Đề Về Chất Lượng Tinh Thể Thallium Bromide TlBr

Chất lượng tinh thể Thallium Bromide (TlBr) đóng vai trò then chốt trong việc quyết định hiệu suất và độ ổn định của đầu dò. Các khuyết tật và tạp chất trong tinh thể có thể làm giảm hiệu suất phát hiện và tăng độ nhiễu. Do đó, việc nghiên cứu và phát triển các phương pháp tinh chế và nuôi cấy tinh thể TlBr chất lượng cao là vô cùng quan trọng.

2.2. Tối Ưu Hóa Thiết Kế và Quy Trình Chế Tạo Đầu Dò TlBr

Nghiên cứu này tập trung vào việc tối ưu hóa thiết kế và quy trình chế tạo đầu dò TlBr thông qua mô phỏng Monte Carlo. Các thông số quan trọng như độ dày lớp tinh thể, vật liệu tiếp xúc và hình dạng detector sẽ được đánh giá để đạt được hiệu suất phát hiện tối ưu. Kết quả mô phỏng detector sẽ giúp giảm thiểu chi phí và thời gian thử nghiệm thực tế.

2.3. Phân Cực Trong Đầu Dò TlBr Nguyên Nhân và Giải Pháp

Hiện tượng phân cực trong đầu dò TlBr là một vấn đề cần được giải quyết. Phân cực xảy ra do sự tích tụ điện tích không gian, ảnh hưởng tiêu cực đến hiệu suất và độ ổn định của đầu dò. Nghiên cứu về các cơ chế gây ra phân cực và các giải pháp giảm thiểu nó là rất quan trọng để phát triển đầu dò TlBr đáng tin cậy.

III. Phương Pháp Mô Phỏng PENELOPE Cách Nghiên Cứu TlBr

Phương pháp Monte Carlo sử dụng chương trình PENELOPE là một công cụ mạnh mẽ để mô phỏng sự tương tác của photon với vật chất. PENELOPE cho phép mô phỏng chi tiết quá trình vận chuyển của photon qua đầu dò TlBr, từ đó xác định hiệu suất phát hiện, phổ năng lượng và các thông số quan trọng khác. Việc sử dụng PENELOPE giúp tiết kiệm chi phí và thời gian so với các thí nghiệm thực tế, đồng thời cung cấp thông tin chi tiết về các quá trình vật lý diễn ra bên trong detector TlBr.

3.1. Tổng Quan Về Phương Pháp Monte Carlo và Ứng Dụng

Phương pháp Monte Carlo là một phương pháp tính toán sử dụng số ngẫu nhiên để mô phỏng các hệ thống vật lý phức tạp. Phương pháp này đặc biệt hữu ích khi các phương pháp giải tích không thể áp dụng được. Trong lĩnh vực vật lý hạt nhân, phương pháp Monte Carlo được sử dụng rộng rãi để mô phỏng sự tương tác của bức xạ với vật chất.

3.2. Giới Thiệu Chi Tiết Về Chương Trình PENELOPE và Cơ Sở Dữ Liệu

PENELOPE là một chương trình mô phỏng Monte Carlo được thiết kế đặc biệt để mô phỏng sự vận chuyển của electron và photon trong vật chất. Chương trình này sử dụng cơ sở dữ liệu vật lý chi tiết để mô tả các quá trình tương tác, bao gồm hiệu ứng quang điện, hiệu ứng Compton và tạo cặp electron-positron. Geometry PENELOPE, Source PENELOPE, Material PENELOPE và Physics PENELOPE là các module quan trọng.

3.3. Xây Dựng Mô Hình Đầu Dò TlBr Trong PENELOPE Hướng Dẫn

Để sử dụng PENELOPE hiệu quả, cần xây dựng mô hình đầu dò TlBr một cách chính xác. Điều này bao gồm việc xác định hình dạng và kích thước của detector, vật liệu cấu thành và vị trí nguồn bức xạ. Cần lưu ý đến độ chính xác mô phỏng để đảm bảo kết quả đáng tin cậy. Validation PENELOPE cũng là một bước quan trọng.

IV. Kết Quả Mô Phỏng Hiệu Suất Đầu Dò TlBr và Các Yếu Tố Ảnh Hưởng

Kết quả mô phỏng bằng chương trình PENELOPE cho thấy hiệu suất của đầu dò TlBr phụ thuộc đáng kể vào năng lượng photon, độ dày lớp tinh thể TlBr và vật liệu tiếp xúc. Hiệu suất phát hiện tăng khi năng lượng photon tăng lên đến một giá trị nhất định, sau đó giảm dần do hiệu ứng hấp thụ giảm. Độ dày lớp tinh thể TlBr cũng ảnh hưởng đến hiệu suất, với hiệu suất tăng khi độ dày tăng lên. Vật liệu tiếp xúc cũng có vai trò quan trọng, với các vật liệu có số nguyên tử Z cao hơn cho hiệu suất tốt hơn.

4.1. Ảnh Hưởng Của Năng Lượng Photon Đến Hiệu Suất Phát Hiện TlBr

Năng lượng photon là một yếu tố quan trọng ảnh hưởng đến hiệu suất phát hiện của đầu dò TlBr. Ở năng lượng thấp, hiệu ứng quang điện chiếm ưu thế, dẫn đến hiệu suất cao. Tuy nhiên, khi năng lượng tăng lên, hiệu ứng Compton trở nên quan trọng hơn, làm giảm hiệu suất phát hiện. Phổ năng lượng thu được từ mô phỏng cung cấp thông tin chi tiết về sự phụ thuộc này.

4.2. Tối Ưu Độ Dày Lớp Tinh Thể TlBr Để Đạt Hiệu Suất Cao Nhất

Độ dày lớp tinh thể TlBr ảnh hưởng trực tiếp đến khả năng hấp thụ photon. Lớp tinh thể quá mỏng có thể không hấp thụ đủ photon, trong khi lớp quá dày có thể làm tăng hiệu ứng tự hấp thụ và giảm độ phân giải. Việc tìm ra độ dày tối ưu là rất quan trọng để đạt được hiệu suất phát hiện cao nhất. Cần khảo sát Hiệu suất đỉnh năng lượng toàn phần.

4.3. Vật Liệu Tiếp Xúc Vai Trò Trong Việc Tối Ưu Hiệu Suất Đầu Dò TlBr

Vật liệu tiếp xúc đóng vai trò quan trọng trong việc thu thập điện tích tạo ra trong đầu dò TlBr. Các vật liệu có số nguyên tử Z cao hơn thường cho hiệu suất tốt hơn do khả năng hấp thụ photon thứ cấp tốt hơn. Việc lựa chọn vật liệu tiếp xúc phù hợp có thể cải thiện đáng kể hiệu suất và độ phân giải của đầu dò.

V. Ứng Dụng Thực Tế và Hướng Phát Triển Đầu Dò Thallium Bromide

Đầu dò Thallium Bromide (TlBr) có tiềm năng ứng dụng rộng rãi trong nhiều lĩnh vực, bao gồm y tế hạt nhân, kiểm tra an ninh và giám sát môi trường. Trong y tế hạt nhân, đầu dò TlBr có thể được sử dụng để chẩn đoán các bệnh khác nhau bằng cách theo dõi sự phân bố của các chất phóng xạ trong cơ thể. Trong kiểm tra an ninh, chúng có thể được sử dụng để phát hiện các vật liệu phóng xạ bất hợp pháp. Trong giám sát môi trường, chúng có thể được sử dụng để theo dõi mức độ ô nhiễm phóng xạ. Việc tiếp tục nghiên cứu và phát triển đầu dò TlBr sẽ mở ra nhiều cơ hội ứng dụng mới.

5.1. Ứng Dụng của Đầu Dò TlBr Trong Y Tế Hạt Nhân Hiện Đại

Trong y tế hạt nhân, đầu dò TlBr có thể thay thế các detector truyền thống trong các thiết bị như máy SPECT (Single-Photon Emission Computed Tomography) và PET (Positron Emission Tomography). Ưu điểm của TlBr bao gồm độ phân giải năng lượng tốt, hiệu suất phát hiện cao và khả năng hoạt động ở nhiệt độ phòng, giúp giảm chi phí và cải thiện tính di động của thiết bị.

5.2. Sử Dụng Đầu Dò TlBr Trong Kiểm Tra An Ninh và Phát Hiện Chất Nổ

Đầu dò TlBr có thể được sử dụng để phát hiện các vật liệu phóng xạ bất hợp pháp tại các sân bay, cảng biển và các địa điểm công cộng khác. Chúng cũng có thể được sử dụng để phát hiện chất nổ bằng cách phân tích các đặc tính phóng xạ của chúng. Độ nhạy cao và khả năng hoạt động trong môi trường khắc nghiệt làm cho TlBr trở thành một lựa chọn lý tưởng cho các ứng dụng này.

5.3. Tiềm Năng của Đầu Dò TlBr Trong Giám Sát Môi Trường và Ứng Phó Sự Cố

Đầu dò TlBr có thể được sử dụng để theo dõi mức độ ô nhiễm phóng xạ trong môi trường, đặc biệt là sau các sự cố hạt nhân. Chúng có thể được triển khai tại các khu vực bị ảnh hưởng để cung cấp thông tin thời gian thực về mức độ phóng xạ, giúp các cơ quan chức năng đưa ra các quyết định ứng phó kịp thời. Giảm nhiễu detector là một yếu tố quan trọng.

VI. Kết Luận và Hướng Nghiên Cứu Phát Triển Đầu Dò TlBr

Nghiên cứu này đã sử dụng phương pháp mô phỏng Monte Carlo với chương trình PENELOPE để xác định các yếu tố ảnh hưởng đến hiệu suất của đầu dò TlBr. Kết quả cho thấy năng lượng photon, độ dày lớp tinh thể TlBr và vật liệu tiếp xúc đóng vai trò quan trọng trong việc quyết định hiệu suất. Việc tiếp tục nghiên cứu và phát triển đầu dò TlBr sẽ tập trung vào việc cải thiện chất lượng tinh thể, tối ưu hóa thiết kế và quy trình chế tạo, và khám phá các ứng dụng mới.

6.1. Tổng Kết Các Kết Quả Nghiên Cứu và Đóng Góp

Nghiên cứu này đã cung cấp thông tin chi tiết về hiệu suất của đầu dò TlBr và các yếu tố ảnh hưởng đến nó. Kết quả này có thể được sử dụng để tối ưu hóa thiết kế và quy trình chế tạo, từ đó nâng cao hiệu suất và độ tin cậy của đầu dò. Nghiên cứu cũng mở ra các hướng đi mới cho việc nghiên cứu và phát triển đầu dò bán dẫn.

6.2. Hướng Nghiên Cứu Tiếp Theo Để Nâng Cao Hiệu Suất Đầu Dò TlBr

Các hướng nghiên cứu tiếp theo sẽ tập trung vào việc cải thiện chất lượng tinh thể TlBr, phát triển các phương pháp chế tạo mới và khám phá các vật liệu tiếp xúc tiên tiến. Nghiên cứu cũng sẽ tập trung vào việc mô phỏng và tối ưu hóa các thiết kế detector phức tạp hơn, chẳng hạn như detector mảng điểm ảnh (pixelated detector). Nghiên cứu vật liệu bán dẫn là một lĩnh vực quan trọng.

6.3. Tầm Quan Trọng Của Nghiên Cứu Về Đầu Dò Thallium Bromide TlBr

Nghiên cứu về đầu dò TlBr có tầm quan trọng đặc biệt trong bối cảnh nhu cầu ngày càng tăng về các thiết bị dò bức xạ hiệu quả, đáng tin cậy và chi phí thấp. Việc phát triển đầu dò TlBr sẽ góp phần vào sự tiến bộ của nhiều lĩnh vực, bao gồm y tế, an ninh và môi trường. Đây là một lĩnh vực đầy hứa hẹn với nhiều tiềm năng phát triển trong tương lai.

Trích đoạn nội dung tài liệu

CHƯƠNG 1 LÍ THUYẾT TỔNG QUAN VỀ ĐẦU DÒ BÁN DẪN 1.1 Lịch sử phát triển của đầu dò bức xạ Vào năm 1895 Roentgen đã bắt đầu đo các tia X khi ông phát hiện ra chúng phát ra từ ống phóng điện chứa khí. Những phép đo tia X đầu tiên sử dụng các phương pháp huỳnh quang, chụp ảnh và buồng ion hoá. Do bước sóng của tia X ngắn nên phương pháp tán sắc trong quang phổ không sử dụng được để xác định độ dài bước sóng (bước sóng cỡ 0. Sau đó Bragg khám phá ra rằng có thể sử dụng mặt phẳng của tinh thể tự nhiên có độ sạch cao làm tinh thể nhiễu xạ.

Phương pháp này được gọi là phương pháp nhiễu xạ Bragg, phương pháp Bragg có thể quan sát được cấu trúc liên tục và cấu trúc vạch của phổ [1]. Vào thời điểm đó, các nghiên cứu về tia γ cũng được tiến hành. Năm 1896, Becquerel tình cờ phát hiện ra hiện tượng phóng xạ tự nhiên nhờ sự làm đen phim ảnh của bức xạ phát ra. Năm 1900, Villard thấy rằng tia phóng xạ tự nhiên có tính chất đâm xuyên giống như hạt α và β nhưng đường đi không bị lệch trong từ trường và điện trường.

Thành phần mới này được gọi là tia γ. Sau những quan sát đầu tiên tia X và tia γ bằng phim ảnh, những tiến bộ trong đo đạc đã dẫn đến sự phát triển đa dạng của các loại ống đếm chứa khí vào đầu năm 1908 (công trình của Rutherford và Geiger). So với chụp ảnh, các ống đếm khí cho phép đo và xác định nhanh chóng sự hiện diện của bức xạ (không phải đợi tráng rửa phim). Với các tia X và tia γ có năng lượng đủ thấp để có thể gây ra hiệu ứng quang điện, electron thứ cấp sinh ra có thể bị hấp thụ hoàn toàn trong thể tích khí, nên ống đếm tỉ lệ có thể đo phổ của các tia X và γ năng lượng thấp.

Nhìn chung các thiết bị ghi nhận này chỉ cho phép xác định được số sự kiện xảy ra trong ống đếm chứ không xác định được năng lượng của các photon. Vào khoảng năm 1948 (công trình của Hofstadter), đầu dò nhấp nháy NaI(Tl) ra đời đã mang lại những thay đổi căn bản trong phép đo phổ tia X và γ. Các đầu dò nhấp nháy có khả năng đo phổ năng lượng trên một dải rộng. Sau một thời gian phát triển, các nhà sản xuất đã chế tạo được những tinh thể kích thước lớn có khả năng hấp thụ một tỉ lệ lớn các photon 14 LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP ĐH Bách Khoa - ĐHQG Tp.HCM tới, thậm chí với các năng lượng trên 1 MeV.

Ưu điểm của đầu dò nhấp nháy so với ống đếm chứa khí là độ phân giải tốt hơn (FWHM cỡ 7% - 45 keV ở năng lượng 662 keV của tia γ), hiệu suất ghi cao, hoạt động ổn định, tinh thể bền vững về mặt vật lý và hoá học. Sự phân giải tốt của các đầu dò nhấp nháy cho phép quan sát các đỉnh tách bạch khi năng lượng của các photon khác nhau rõ ràng. Song song với sự phát triển đo phổ dùng đầu dò nhấp nháy NaI(Tl), các phương pháp khác cũng được phát triển để nghiên cứu các dịch chuyển gamma. Hạt nhân ở trạng thái kích thích khi trở về trạng thái cơ bản ngoài phát tia gamma còn phát electron biến hoán nội, do đó các tĩnh điện kế cũng được dùng để nghiên cứu đặc điểm của dịch chuyển gamma.

Mặc dù vậy, rất ít tĩnh điện kế (electrostatic spectrometers) được thiết kế để đo phổ các electrôn năng lượng thấp, các nghiên cứu chủ yếu tập trung vào thiết kế phổ kế có từ trường biến thiên để hội tụ và tách các electrôn theo các năng lượng khác nhau. Ở giai đoạn này, các phổ kế từ có nhiều ưu điểm hơn so với các phổ kế γ vì: - Các phổ kế từ có thể tách toàn bộ các electrôn ra khỏi bức xạ gamma, đồng thời vẫn đảm bảo được tính chất đặc trưng của bức xạ. - Đa số các phổ kế từ có độ phân giải (FWHM) tốt hơn 1% (nhỏ hơn 7 keV ở 662 keV), độ phân giải này tốt hơn so với ở các đầu dò NaI(Tl). Vào đầu những năm 60, phổ kế nhiễu xạ được đưa vào sử dụng.

Nguyên tắc hoạt động của phổ kế này dựa trên hiện tượng nhiễu xạ Bragg của tia gamma trên bề mặt các tinh thể hình trụ hoặc phẳng. Các phổ kế này có độ phân giải rất cao đặc biệt là ở vùng năng lượng thấp (FWHM cỡ 1 eV ở 100 keV). Hạn chế của phổ kế này là hiệu suất rất thấp nên chỉ được sử dụng trong các phép đo với các nguồn có hoạt độ lớn. Trong thời đại của các đầu dò NaI(Tl), phổ kế tinh thể chủ yếu được dùng để đo chính xác năng lượng của các tia gamma phát ra từ một số ít đồng vị phóng xạ.

Đầu dò nhấp nháy đã thu được những thành công nhất định song vẫn tồn tại những hạn chế cần phải khắc phục. Các nghiên cứu chế tạo đầu dò bằng vật liệu có tỉ trọng lớn đã dẫn đến sự ra đời của đầu dò bán dẫn Ge(Li). Để nâng cao hiệu suất thu góp các hạt mang điện thứ cấp, đầu dò bán dẫn cần được chế tạo bằng các vật liệu đơn tinh thể. Thực tế, nuôi cấy các đơn tinh thể có thể tích lớn là rất khó nên chỉ có các đơn tinh thể Si và Ge được sử dụng trong chế tạo các đầu dò có thể tích lớn và độ phân giải cao.

Đầu dò Ge được sử dụng 15 LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP ĐH Bách Khoa - ĐHQG Tp.HCM để đo năng lượng trong dải rộng còn đầu dò Si chủ yếu được sử dụng để đo các photon năng lượng thấp. Các đầu dò bán dẫn đầu tiên có độ phân giải khoảng 5 keV và hiện nay là nhỏ hơn 2 keV ở năng lượng 1,332 MeV. Sự cải thiện độ phân giải lên 10 lần của đầu dò bán dẫn so với đầu dò nhấp nháy NaI(Tl) có ý nghĩa rất lớn trong nghiên cứu và ứng dụng của phép đo phổ gamma. Đầu dò bán dẫn đã cho phép các nhà phổ học phân tích hầu hết các nhóm năng lượng của các tia gamma đơn năng xuất hiện trong phổ.

Sự phát triển của đầu dò Si là song song với đầu dò Ge. Tuy nhiên do Si dễ chế tạo hơn nên trong thực tế đầu dò Si ra đời sớm hơn. Các đầu dò Si đầu tiên có kích thước rất mỏng và sử dụng hàng rào thế năng mặt. Các đầu dò này thích hợp cho đo phổ các hạt mang điện hoặc các photon năng lượng thấp khoảng vài chục keV.

Với các đầu dò Ge(Li), hạn chế lớn nhất là chúng cần phải bảo quản thường xuyên ở nhiệt độ nitơ lỏng. Hạn chế này đã được khắc phục khi đầu dò bán dẫn Ge siêu tinh khiết ra đời, các đầu dò này có thể bảo quản được ở nhiệt độ phòng. Đầu dò bán dẫn Ge siêu tinh khiết ra đời đã thay thế các đầu dò Ge(Li) và việc sản xuất các đầu dò Ge(Li) này ở Mỹ đã bị dừng lại vào khoảng năm 1983. Sau sự thành công trong chế tạo các đầu dò bán dẫn Si và Ge, các nghiên cứu chế tạo đầu dò bán dẫn bằng các vật liệu có số Z cao hơn đã được nghiên cứu.

Mayer (1966), Sakai (1982) đã đề cập đến chế tạo đầu dò bằng các vật liệu GaAs, CdTe và HgI2. Đầu dò chế tạo bằng các vật liệu này có khả năng hoạt động ở nhiệt độ phòng. Tuy nhiên khả năng ứng dụng của các đầu dò này vẫn còn hạn chế do kích thước nhỏ, độ phân giải và khả năng sản xuất thương mại.2 Tương tác của bức xạ ion hóa với vật chất Sự hiểu biết về tương tác giữa bức xạ ion hóa và vật chất là rất cần thiết để có thể ứng dụng một cách hiệu quả. Các bức xạ khác nhau có các kiểu tương tác khác nhau 1.

Các đặc điểm chung của sự tương tác giữa bức xạ và vật chất Những quá trình xảy ra bên trong hạt nhân đều dẫn đến việc phát ra bức xạ. Đó có thể là hạt mang điện ( mảng vỡ hạt nhân, hạt  , proton, điện tử ), neutron hay bức xạ điện từ ( tia  ) mang năng lượng khá cao. Khi đi vào môi trường vật chất, bức xạ có thể tương tác với 16 LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP ĐH Bách Khoa - ĐHQG Tp.HCM nguyên tử như một toán bộ, với các điện từ riêng lẻ của vỏ nguyên tử hay với hạt nhân nguyên tử. Đối với những ứng dụng trong lĩnh vực y sinh học, bức xạ được quan tâm chủ yếu là điện tử hay photon.

Trong một số các ứng dụng hiện đại, người ta cũng sử dụng cả hạt nặng mang điện và neutron. Các bức xạ này thường có năng lượng nằm trong khoảng vài chục eV đến dưới 50 keV. Với các bức xạ loại này, ba loại tương tác thường xảy ra là bức xạ hãm ( đối với điện tử) và đặc biệt là sự ion hóa và sự kích thích ( xảy ra với mọi loại búc xạ). Sự ion hóa này xảy ra khi điện tử rời khỏi nguyên tử, còn trong sự kích thích điện tử nhảy từ mức năng lượng thấp lên mức năng lượng cao.

Khả năng gây ion hóa và kích thích của các loại bức xạ khác nhau là khác nhau. Các hạt mang điện có khả năng ion hóa mạnh nhất, do chúng có khả năng tương tác trực tiếp với điện tử của vỏ nguyên tử. Photon cũng có thể tương tác trực tiếp với điện tử. Còn neutron thì hầu như không tương tác trực tiếp với điện tử của vỏ nguyên tử, nhưng dễ dàng gây ra các phản ứng hạt nhân, làm sinh ra những hạt mang điện, và những hạt mang điện dễ dàng ion hóa nguyên tử.

Do đó có thể nói, neutron cũng gián tiếp gây nên hiện tượng ion hóa và kích thích. Khi ion hóa hay kích thích nguyên tử, bức xạ bị mất một phần hay toàn bộ năng lượng của mình. Năng lượng này đã được chuyển hóa cho điện tử mà nó tương tác. Điện tử xuất hiện do sự ion hóa được gọi là điện tử thứ cấp có thể nhận được năng lượng đủ lớn để có thể tiếp tục ion hóa các nguyên tử khác, làm xuất hiện những điện tử mới, các điện tử này lại có thể có động năng đủ lớn để gây ion hóa hoặc kích thích những nguyên tử khác,… Bằng cách đó, năng lượng mà bức xạ truyền cho một điện tử nay được phân bố cho nhiều điện tử lân cận, ở gần ( hấp thụ gần) hoặc ở xa ( hấp thụ xa) nơi xuất phát của điện tử thứ cấp ban đầu.