Luận văn: Đảo từ cảm ứng điện trường cho bộ nhớ MERAM tương lai

Luận văn thạc sĩ: Nghiên cứu đảo từ cảm ứng điện trường trên cấu trúc nano từ điện trở áp điện. Ứng dụng tiềm năng cho bộ nhớ MRAM tương lai.

Người đăng

Ẩn danh

Thể loại

Luận văn thạc sĩ

2011

63
1
0

Phí lưu trữ

30 Point

Mục lục chi tiết

LỜI CẢM ƠN

LỜI CAM ĐOAN

MỤC LỤC

MỞ ĐẦU

1. Chƣơng 1: CƠ SỞ LÝ THUYẾT

1.1. Vật liệu tổ hợp từ-điện trở và áp điện

1.2. Vật liệu áp điện

1.3. Vật liệu từ-điện trở

1.4. Đối tượng nghiên cứu của luận văn

2. Chƣơng 2: CÁC PHƢƠNG PHÁP THỰC NGHIỆM

2.1. Chế tạo màng đa lớp bằng phương pháp phún xạ ca tốt

2.2. Chế tạo vật liệu tổ hợp từ trở/áp điện

2.3. Khảo sát tính chất từ bằng từ kế mẫu rung (VSM)

2.4. Đo hiệu ứng từ điện trở bằng phương pháp bốn mũi dò

3. Chƣơng 3: KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN

3.1. Quá trình từ hóa của các màng đơn lớp sắt từ tự do và bị ghim

3.2. Quá trình từ hóa trong các màng spin-van

3.3. Quá trình từ hóa của màng spin-van với lớp sắt từ tự do NiFe

3.4. Quá trình từ hóa của màng spin-van với lớp sắt từ tự do FeCoB

3.5. Tương tác trao đổi giữa các lớp sắt từ trong cấu trúc spin-van

3.6. Ảnh hưởng của chiều dày lớp Cu không từ (tCu)

3.7. Hiệu ứng từ-điện trở của các cấu trúc spin-van

3.8. Hiệu ứng từ-điện trở của màng spin-van với lớp sắt từ tự do NiFe

3.9. Hiệu ứng từ-điện trở của màng spin-van với lớp sắt từ tự do FeCoB

3.10. Quá trình từ hóa và từ-điện trở cảm ứng bởi điện trƣờng trong các vật liệu tổ hợp spin-van/áp điện

3.11. Quá trình từ hóa cảm ứng bởi điện trường

3.12. Hiệu ứng từ-điện trở cảm ứng bởi điện trường

4. Chƣơng 4 MÔ PHỎNG LÝ THUYẾT

4.1. Mô hình lý thuyết

4.2. Mật độ năng lượng

4.3. Mối liên hệ với hiệu ứng từ-điện trở. Mô hình mật độ năng lượng cực tiểu.

4.4. Thực hiện tính toán, mô phỏng

4.5. Các thông số mô phỏng

4.6. Sơ đồ khối của quá trình mô phỏng

4.7. Một số kết quả mô phỏng

TÀI LIỆU THAM KHẢO

DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ, ĐỒ THỊ

DANH MỤC CÁC BẢNG

BẢNG CÁC KÝ HIỆU CÁC CHỮ VIẾT TẮT

Tóm tắt

I. Nghiên Cứu Đảo Từ Điện Trường Tổng Quan và Tiềm Năng MERAM

Bộ nhớ MERAM (Magnetoelectric Random Access Memory) đang nổi lên như một ứng cử viên sáng giá cho công nghệ bộ nhớ mới nhờ khả năng kết hợp tốc độ cao, tiết kiệm năng lượng, và tính ổn định. Một trong những yếu tố then chốt để hiện thực hóa MERAM là khả năng đảo từ bằng điện trường, thay vì sử dụng từ trường như các công nghệ truyền thống. Việc sử dụng điện trường giúp giảm đáng kể tiêu thụ năng lượng và tăng tốc độ chuyển mạch. Nghiên cứu về đảo từ bằng điện trường tập trung vào việc khai thác hiệu ứng điện trường lên vật liệu từ tính, đặc biệt là các màng mỏng từ tính. Hiệu ứng này có thể đạt được thông qua nhiều cơ chế, bao gồm voltage-controlled magnetic anisotropy (VCMA)spin-orbit torque (SOT). Các vật liệu từ tính được sử dụng thường là các hợp kim sắt từ như NiFe, FeCoB, hoặc các vật liệu đa lớp như cấu trúc MERAM. Đảo từ bằng điện trường mở ra tiềm năng lớn cho việc cải tiến MERAM, hướng tới bộ nhớ không khả biến với mật độ lưu trữ cao và độ tin cậy cao. Tuy nhiên, việc kiểm soát và tối ưu hóa hiệu ứng điện trường vẫn là một thách thức lớn. Các nghiên cứu hiện tại tập trung vào việc nghiên cứu vật liệu mới, tối ưu hóa hiệu suấtquy trình chế tạo MERAM. Theo luận văn của Dương Thị Thanh Nhàn, việc sử dụng vật liệu tổ hợp từ-điện trở và áp điện là một hướng đi đầy hứa hẹn, tập trung "Nghiên cứu quá trình đảo từ cảm ứng bởi điện trƣờng trên cấu trúc nanô kiểu từ - điện trở/áp điện cho các bộ nhớ MERAMs tƣơng lai" để tìm ra vật liệu tổ hợp có hiệu ứng cao ở nhiệt độ phòng.

1.1. Lịch Sử Phát Triển và Các Ưu Điểm Vượt Trội của MERAM

Công nghệ MERAM đã trải qua một quá trình phát triển lâu dài, bắt đầu từ những năm 1990 với những nghiên cứu ban đầu về hiệu ứng từ điện trở (Magnetoresistance). Tuy nhiên, chỉ đến khi phát hiện ra hiệu ứng từ điện trở khổng lồ (Giant Magnetoresistance - GMR) và hiệu ứng từ điện trở đường hầm (Tunnel Magnetoresistance - TMR) thì MERAM mới thực sự có được tiềm năng thương mại. So với các công nghệ bộ nhớ khác như DRAM và Flash, MERAM có nhiều ưu điểm vượt trội, bao gồm tốc độ đọc/ghi nhanh, tuổi thọ cao, khả năng chống chịu bức xạ tốt, và đặc biệt là khả năng lưu trữ dữ liệu không cần nguồn điện (non-volatile). Quan trọng nhất, MERAM hứa hẹn khả năng tiết kiệm năng lượng đáng kể so với các công nghệ hiện tại, điều này đặc biệt quan trọng trong bối cảnh các thiết bị di động và hệ thống nhúng ngày càng phổ biến. Như đã đề cập trong luận văn, một trong những lĩnh vực nghiên cứu của Spintronics là chế tạo và nghiên cứu các vật liệu lưỡng tính từ - điện tổ hợp của các vật liệu có tính chất từ trở khổng lồ.

1.2. Vai Trò Của Điện Trường Trong Điều Khiển Từ Tính

Việc sử dụng điện trường để điều khiển tính chất từ tính của vật liệu từ tính là một hướng đi đầy hứa hẹn trong việc phát triển MERAM. Điện trường có thể tác động lên vật liệu từ tính thông qua nhiều cơ chế khác nhau, bao gồm hiệu ứng VCMA, hiệu ứng SOT, và hiệu ứng từ điện. Hiệu ứng VCMA cho phép điều chỉnh độ dị hướng từ của vật liệu từ tính bằng cách thay đổi điện áp. Hiệu ứng SOT sử dụng dòng spin để tạo ra mô-men xoắn tác động lên mô-men từ. Hiệu ứng từ điện khai thác sự tương tác giữa tính chất điệntính chất từ trong vật liệu đa pha. Việc sử dụng điện trường giúp giảm đáng kể năng lượng tiêu thụ so với việc sử dụng từ trường, đồng thời cho phép tăng tốc độ chuyển mạchthu nhỏ kích thước của linh kiện MERAM.

II. Thách Thức Đảo Từ Điện Trường Vật Liệu và Hiệu Ứng Yếu

Mặc dù tiềm năng rất lớn, việc hiện thực hóa đảo từ bằng điện trường cho MERAM vẫn còn đối mặt với nhiều thách thức. Một trong những thách thức lớn nhất là tìm kiếm vật liệu từ tínhhiệu ứng điện trường đủ mạnh để đảo từ một cách hiệu quả. Các hiệu ứng điện trường thường khá yếu, đặc biệt là ở nhiệt độ phòng, đòi hỏi các biện pháp cải tiến MERAM vật liệu và cấu trúc linh kiện. Một thách thức khác là đảm bảo độ tin cậytính ổn định của MERAM trong quá trình hoạt động. Điện áp chuyển mạch cần phải được kiểm soát chặt chẽ để tránh gây ra các hiệu ứng không mong muốn, chẳng hạn như phá hủy vật liệu. Ngoài ra, cần phải có các quy trình chế tạo MERAM tiên tiến để đảm bảo tính đồng nhấtkhả năng mở rộng của công nghệ.

2.1. Giới Hạn Của Các Vật Liệu Từ Tính Hiện Tại

Các vật liệu từ tính được sử dụng trong MERAM thường là các hợp kim sắt từ như NiFe, FeCoB, hoặc các vật liệu đa lớp. Tuy nhiên, các vật liệu này thường có hiệu ứng điện trường khá yếu, đòi hỏi điện áp cao để đảo từ. Điều này dẫn đến việc tiêu thụ năng lượng lớn và giảm độ tin cậy của MERAM. Nghiên cứu về nghiên cứu vật liệu mới với hiệu ứng điện trường mạnh hơn là một hướng đi quan trọng để vượt qua thách thức này. Các vật liệu tiềm năng bao gồm các vật liệu từ điện đa lớp, các vật liệu topological insulator, và các vật liệu spintronics mới.

2.2. Vấn Đề Về Độ Tin Cậy và Tính Ổn Định Của Linh Kiện

Việc đảm bảo độ tin cậytính ổn định của linh kiện MERAM là một thách thức lớn. Điện áp chuyển mạch cần phải được kiểm soát chặt chẽ để tránh gây ra các hiệu ứng không mong muốn, chẳng hạn như phá hủy vật liệu hoặc gây ra chuyển mạch từ tính không mong muốn. Ngoài ra, các hiệu ứng như creep từ tính (magnetic creep) và mỏi từ tính (magnetic fatigue) có thể làm giảm tuổi thọ của MERAM. Các nghiên cứu về độ tin cậy của MERAM tập trung vào việc tìm hiểu các cơ chế gây ra lỗi và phát triển các biện pháp để cải thiện tính ổn định của linh kiện.

2.3. Khó Khăn Trong Quy Trình Chế Tạo MERAM Trên Diện Rộng

Các quy trình chế tạo MERAM hiện tại thường phức tạp và tốn kém, gây khó khăn cho việc sản xuất hàng loạt. Việc kiểm soát độ dày, độ đồng nhất, và chất lượng của các màng mỏng từ tính là rất quan trọng để đảm bảo hiệu suấtđộ tin cậy của MERAM. Ngoài ra, việc tích hợp MERAM với các linh kiện điện tử khác cũng là một thách thức. Các nghiên cứu về quy trình chế tạo MERAM tập trung vào việc phát triển các kỹ thuật chế tạo đơn giản hơn, hiệu quả hơn, và có khả năng mở rộng cao hơn.

III. Giải Pháp Vật Liệu Tổ Hợp và Tối Ưu Hóa Cấu Trúc MERAM

Để vượt qua các thách thức trên, các nhà nghiên cứu đang tập trung vào việc phát triển các vật liệu tổ hợp mới và tối ưu hóa cấu trúc MERAM. Vật liệu tổ hợp kết hợp tính chất từ tínhtính chất áp điện, cho phép điều khiển tính chất từ tính bằng điện trường thông qua ứng suất cơ học. Cấu trúc MERAM được cải tiến để tăng cường hiệu ứng điện trường và giảm điện áp chuyển mạch. Phân tích FEAmô phỏng vật liệu được sử dụng để dự đoán và tối ưu hóa hiệu suất của MERAM.

3.1. Sử Dụng Vật Liệu Tổ Hợp Từ Điện Cho Đảo Từ Hiệu Quả

Vật liệu tổ hợp từ-điện là vật liệu kết hợp hai pha, một pha từ tính và một pha điện môi (ví dụ như áp điện). Khi một điện trường được áp dụng vào pha điện môi, nó sẽ tạo ra một ứng suất cơ học truyền sang pha từ tính, gây ra sự thay đổi trong độ từ hóa. Ưu điểm của cách tiếp cận này là nó có thể tạo ra hiệu ứng điện trường mạnh hơn so với việc sử dụng chỉ vật liệu từ tính đơn lẻ. Các vật liệu thường được sử dụng bao gồm PZT. Theo luận văn của Dương Thị Thanh Nhàn, hiệu ứng này còn được gọi là hiệu ứng từ-điện nghịch (Converse Magnetoelectric - CME). So với hiệu ứng ME, hiệu ứng CME là một hiệu ứng mới, gần đây đang được nghiên cứu và khai thác ứng dụng mạnh mẽ, trong đó phải kể đến một số ứng dụng như lưu trữ thông tin máy tính.

3.2. Tối Ưu Cấu Trúc Màng Mỏng và Lớp Giao Diện

Cấu trúc màng mỏng của MERAM có ảnh hưởng lớn đến hiệu suất. Việc tối ưu hóa độ dày, thành phần, và cấu trúc tinh thể của các màng mỏng từ tính có thể tăng cường hiệu ứng điện trường. Các lớp giao diện giữa các vật liệu khác nhau cũng đóng vai trò quan trọng. Việc kiểm soát chất lượngtính chất của các lớp giao diện có thể cải thiện độ tin cậyhiệu suất của MERAM. Các kỹ thuật như phún xạ ca tốtlắng đọng lớp nguyên tử (Atomic Layer Deposition - ALD) được sử dụng để chế tạo các màng mỏng với độ chính xác cao.

IV. Ứng Dụng MERAM Bộ Nhớ Tốc Độ Cao Tiết Kiệm Năng Lượng

MERAM có tiềm năng ứng dụng rộng rãi trong nhiều lĩnh vực, bao gồm bộ nhớ nhúng, bộ nhớ đệm, và bộ nhớ lưu trữ. Ứng dụng MERAM trong bộ nhớ nhúng cho phép các thiết bị di động và hệ thống nhúng có tốc độ xử lý nhanh hơnthời lượng pin dài hơn. MERAM cũng có thể được sử dụng làm bộ nhớ đệm trong các bộ vi xử lý để cải thiện hiệu suất tổng thể. Ngoài ra, MERAM có thể thay thế bộ nhớ Flash trong các ứng dụng lưu trữ dữ liệu nhờ tốc độ ghi nhanh hơntuổi thọ cao hơn. Theo luận văn đã trích, một trong các lĩnh vực nghiên cứu của Spintronics là chế tạo và nghiên cứu các vật liệu lưỡng tính từ - điện tổ hợp của các vật liệu có tính chất từ trở khổng lồ.

4.1. Tiềm Năng Thay Thế Bộ Nhớ Flash Truyền Thống

MERAM có nhiều ưu điểm so với bộ nhớ Flash truyền thống, bao gồm tốc độ ghi nhanh hơn, tuổi thọ cao hơn, và khả năng chống chịu bức xạ tốt hơn. Điều này khiến MERAM trở thành một ứng cử viên sáng giá để thay thế bộ nhớ Flash trong các ứng dụng như ổ cứng thể rắn (Solid State Drives - SSDs), thẻ nhớ, và thiết bị di động. Với tốc độ và tuổi thọ được cải thiện, MERAM mang đến một lựa chọn lưu trữ hiệu quả hơn.

4.2. Ứng Dụng Trong Các Hệ Thống Nhúng và IoT

MERAM có thể được sử dụng trong các hệ thống nhúngInternet of Things (IoT) để cải thiện hiệu suấttiết kiệm năng lượng. Các thiết bị IoT thường có nguồn pin giới hạn, vì vậy việc sử dụng MERAM với tiêu thụ năng lượng thấp là rất quan trọng. Ngoài ra, MERAMkhả năng chống chịu bức xạ tốt, phù hợp cho các ứng dụng trong môi trường khắc nghiệt.

V. Kết Luận Triển Vọng và Hướng Nghiên Cứu Tiếp Theo Cho MERAM

Nghiên cứu đảo từ bằng điện trường cho MERAM đã đạt được nhiều tiến bộ đáng kể trong những năm gần đây. Tuy nhiên, vẫn còn nhiều thách thức cần vượt qua để hiện thực hóa tiềm năng đầy đủ của công nghệ này. Các hướng nghiên cứu tiếp theo bao gồm nghiên cứu vật liệu mới với hiệu ứng điện trường mạnh hơn, tối ưu hóa cấu trúc MERAM để tăng cường hiệu suất, và phát triển các quy trình chế tạo MERAM tiên tiến. Theo luận văn của Dương Thị Thanh Nhàn, vật liệu tổ hợp của vật liệu áp điện và vật liệu có hiệu ứng từ-điện trở khổng lồ dạng màng mỏng cấu trúc spin-van. là một trong những ứng dụng cần tập trung nghiên cứu.

5.1. Nghiên Cứu Sâu Hơn Về Các Cơ Chế Đảo Từ Bằng Điện Trường

Việc hiểu rõ các cơ chế vật lý đằng sau đảo từ bằng điện trường là rất quan trọng để phát triển các vật liệucấu trúc MERAM tốt hơn. Các nghiên cứu về hiệu ứng VCMA, hiệu ứng SOT, và hiệu ứng từ điện cần được tiếp tục để tìm hiểu cách chúng có thể được khai thác để đảo từ một cách hiệu quả hơn. Các kỹ thuật như mô phỏng vật liệu, phân tích FEA, và thí nghiệm cần được sử dụng để nghiên cứu các cơ chế này.

5.2. Tập Trung Phát Triển Các Vật Liệu Tiên Tiến và Cấu Trúc Mới

Việc phát triển các vật liệucấu trúc MERAM mới là rất quan trọng để vượt qua các giới hạn của các công nghệ hiện tại. Các vật liệu tiềm năng bao gồm các vật liệu từ điện đa lớp, các vật liệu topological insulator, và các vật liệu spintronics mới. Các cấu trúc MERAM mới có thể được thiết kế để tăng cường hiệu ứng điện trường, giảm điện áp chuyển mạch, và cải thiện độ tin cậy.

24/09/2025

Trích đoạn nội dung tài liệu

Chương 1 chủ yếu đưa ra lý thuyết cơ bản về hiệu ứng từ trở, hiện tượng từ điện và những chủ đề liên quan tới các chương tiếp theo. Nghiên cứu hiện tượng từ - điện và ứng dụng. Chương 2 chủ yếu trình bày các phương pháp và thực nghiệm được sử dụng trong quá trình thực hiện luận văn đặc biệt là tối ưu hóa quá trình tạo các cấu trúc đa lớp Cu/Co/Cu có hiệu ứng từ trở tốt nhất. Chương 3 trình bày kết quả nghiên cứu các tính chất từ và hiệu ứng từ điện trở của các hệ đã được tạo ra trong chương 2.

Nghiên cứu khả năng ứng dụng của việc đảo từ cảm ứng bởi điện trường phục vụ cho việc chế tạo MERAMs trong tương lai. Chương 4 đưa một công cụ mô phỏng mới cho các tính chất của hiệu ứng từ trở khổng lồ. TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com 3 Chƣơng 1 CƠ SỞ LÝ THUYẾT 1. Vật liệu tổ hợp từ-điện trở và áp điện Vật liệu tổ hợp từ-điện là vật liệu kết hợp của hai vật liệu sắt từ và sắt điện.

Đây là vật liệu lai có sự tồn tại đồng thời các thuộc tính của cả pha từ và pha điện. Hiện nay, nghiên cứu trên các vật liệu lai tổ hợp dạng này đang là mối quan tâm nghiên cứu của rất nhiều nhóm trên thế giới do triển vọng ứng dụng rộng rãi của vật liệu cũng như các hiệu ứng vật lý mới được phát hiện trên hệ này. Như đã đề cập ở trên, hiệu ứng từ điện thường được quan sát thấy trên các vật liệu tồn tại đồng thời cả hai pha sắt từ và sắt điện. Bằng các cơ chế tác động khác nhau vào vật liệu tổ hợp từ điện chúng ta có thể làm thay đổi từ độ hoặc sự phân cực điện của vật liệu.

Hình minh họa hiệu ứng từ-điện trên vật liệu tổ hợp từ điện Với vật liệu tổ hợp dạng này, hiệu ứng từ điện có thể được chia thành 2 loại (hình 1.1) (i) Dùng từ trường để điều khiển véc tơ phân cực điện: Dưới tác dụng của một từ trường lên pha sắt từ, chúng sẽ bị biến dạng do hiệu ứng từ giảo. Do có sự tương tác trao đổi qua lại giữa hai pha sẽ dẫn đến sự biến dạng của pha sắt điện. Do hiệu ứng áp điện, ứng suất sinh ra do sự biến dạng này sẽ làm thay đổi vector phân cực điện của pha sắt điện. Hiệu ứng này còn được gọi là hiệu ứng từ-điện thuận (Magnetoelectric - ME).

Một trong những khả năng ứng dụng đang được khai thác trên hiệu ứng ME này là chế tạo các cảm biến đo từ trường, máy phát…[15] TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com 4 (ii) Dùng điện trường để tác động lên mômen từ trong pha sắt từ: Khi tác dụng điện trường ngoài vào vật liệu tổ hợp, pha sắt điện sẽ chịu biến dạng cưỡng bức do hiệu ứng áp điện. Sự biến dạng này sẽ kéo theo sự biến dạng sắt từ và do đó trong lòng pha sắt từ này sẽ tồn tại một ứng suất nội tại dẫn đến sự thay đổi moment từ của vật liệu. Hiệu ứng này còn được gọi là hiệu ứng từ-điện nghịch (Converse Magnetoelectric - CME). So với hiệu ứng ME, hiệu ứng CME là một hiệu ứng mới, gần đây đang được nghiên cứu và khai thác ứng dụng mạnh mẽ, trong đó phải kể đến một số ứng dụng như lưu trữ thông tin máy tính [3].

Một số nghiên cứu mới gần đây nhất được công bố đã chỉ ra được sự thay đổi định hướng từ độ trong màng mỏng sắt từ Ni dưới tác dụng của ứng suất gây ra bởi tấm áp điện Pb(Mg1/3Nb2/3)O3](1-x)-[PbTiO3] khi có tác dụng của điện trường. Bằng cách thay đổi ứng suất khác nhau, ta có thế điều khiển định hướng của mômen từ trong vật liệu. Chúng ta cần để ý rằng với vật liệu từ giảo mà điện trở của nó phụ thuộc chặt chẽ vào moment từ độ của nó thì thông qua việc sử dụng điện trường điều khiển moment từ ta có thể điều khiển được điện trở của vật liệu. Ý tưởng này này có thể áp dụng rất tốt cho các vật liệu tổ hợp có chứa vật liệu áp điện PZT và các màng GMR có chứa một lớp từ giảo.

Như đã trình bày ở trên, điện trở của hệ màng này sẽ bị chi phối mạnh mẽ bởi sự thay đổi từ độ này, do đó điện trở của màng sẽ bị thay đổi khi có điện trường tác dụng vào tấm áp điện. Dựa trên ý tưởng này mà ta có thể điều khiển được các tính chất khác là hệ quả của quá trình từ hóa trong các pha vật liệu sắt từ. Một trong số đó phải kể đến sự thay đổi của điện trở của màng mỏng do ứng suất nhờ điện trường. Trong luận văn này sẽ tập trung nghiên cứu vật liệu tổ hợp của vật liệu áp điện và vật liệu có hiệu ứng từ-điện trở khổng lồ dạng màng mỏng cấu trúc spin-van.

Vật liệu áp điện Vật liệu áp điện là vật liệu có độ phân cực điện thay đổi khi chịu tác dụng của một ứng suất cơ học (hiệu ứng áp điện thuận) hoặc có thể thay đổi hình dạng khi đặt trong một điện trường ngoài (hiệu ứng áp điện nghịch). Trong các nghiên cứu của luận văn, chúng tôi sử dụng hiệu ứng áp điện nghịch với mục đích tạo ứng suất cơ học nhờ tác dụng của điện áp cấp vào áp điện.2 minh họa cơ chế của hiệu ứng áp điện nghịch TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail. Hình minh họa hiệu ứng áp điện nghịch trên vật liệu áp điện Loại vật liệu áp điện đang thu hút sự quan tâm nghiên cứu hiện nay là gốm áp điện có cấu trúc Perovskite như BaTiO3 hoặc Pb(ZrxTi1-x)O3, do có hệ số áp điện và hằng số điện môi lớn. Công thức hóa học chung của vật liệu perovskite là ABX3, trong đó A, B là hai cation có hóa trị lần lượt là +2 và +4, X là anion liên kết với hai cation A và B.

Trong luận văn này chúng tôi sử dụng vật liệu áp điện là PZT. Ô đơn vị tinh thể PZT trong trạng thái Perovskite lập phương (trái) và mặt thoi (phải) [2] Trên hình 1.3 minh họa cấu trúc ô đơn vị tinh thể PZT trong trạng thái Perovskite lập phương và mặt thoi. Hiệu ứng áp điện có thể giải thích bằng sự dịch chuyển của các ion trong ô đơn vị này. Dưới tác dụng của một điện trường ngoài theo phương trục Oz, các ion O2- sẽ bị hút về điện cực dương, các ion Zn4+/Ti4+ và Pb2+ sẽ bị hút về điện cực còn lại.

Do có sự dịch chuyển này, liên kết giữa các ion trong tinh thể và do đó khoảng cách giữa các ion này sẽ bị thay đổi. Kết quả là tinh thể áp điện sẽ bị biến dạng và hiện tượng này gọi là hiệu ứng áp điện nghịch. PZT là vật liệu gốm áp điện được sử dụng rộng rãi nhất hiện nay. Tuỳ vào mục đích mà người ta sẽ chọn các thành phần gốm PZT với tỷ lệ Zr/Ti phù hợp để ứng dụng.

Hiện nay, các vật liệu áp điện PZT có thành phần và tính chất tối ưu tùy vào mục đích sử dụng đã được thương mại hóa và sản xuất hàng loạt theo yêu cầu được cung cấp bởi các công ty với giá thành thấp. TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail. Vật liệu từ-điện trở Từ trở (MR) được hiểu là sự thay đổi điện trở của vật liệu từ dưới tác dụng của từ trường ngoài và được đặc trưng bởi tỷ số:  ( H )   (0) R( H )  R(0) MR(%)   (1.1)  (0) R(0) với  (0) và R(0) lần lượt là điện trở suất và điện trở của vật liệu khi chưa có từ trường;  ( H ) và R( H ) thứ tự là điện trở suất và điện trở của vật liệu khi đặt trong từ trường. Năm 1988 nhóm nghiên cứu của M.N Baibich và nhóm nghiên cứu G.Binasch đã phát hiện ra hiện tượng dị thường trong các cấu trúc màng mỏng đa lớp của sắt từ và phản sắt từ [7, 9].

Sự phân cực electron trong các màng mỏng từ và các linh kiện có cấu trúc micro sẽ dẫn tới hiệu ứng từ trở trong từ trường thấp. Sự nhảy vọt của các nghiên cứu về “Từ điện trở” gắn với sự phát hiện của một hiệu ứng từ điện trở mới đó là hiệu ứng từ điện trở khổng lồ. Năm 1988, nhóm nghiên cứu của Albert Fert (Pháp) phát hiện ra hiệu ứng từ điện trở có tỉ số MR rất lớn trong các màng mỏng đa lớp Fe/Cr (001) đồng thời với nhóm này, nhóm của Peter Grunberg (Đức) cũng phát hiện ra hiệu ứng này trên màng mỏng 3 lớp Fe/Cr/Fe (hình 1. Hiệu ứng này được đặt tên là từ điện trở khổng lồ.

Thực chất của tính từ “khổng lồ” không nằm ở độ lớn của tỉ số từ trở mà nằm ở cơ chế tạo nên hiệu ứng. Trong luận văn này, hiệu ứng từ điện trở khổng lồ được định nghĩa như sau: R R  R  (1.2) R R ở đây, R là điện trở của vật liệu khi các lớp sắt từ sắp xếp song song và R là điện trở ở trật tự phản song song. Từ năm 2003 đến 2005, dựa vào mô hình electron tự do trong xấp xỉ của Fuchs- Sondheimer, R. Barnas và nhiều nhà khoa học khác đã phát triển lý thuyết GMR và đưa đưa ra nhiều mô hình lý thuyết mô tả những khía cạnh khác nhau của GMR.

TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail. Cơ chế tạo nên hiệu ứng từ điện trở khổng lồ 1. Đối tƣợng nghiên cứu của luận văn + Nghiên cứu công nghệ, ổn định chế tạo các cấu trúc GMR nanô kiểu màng spin-valve có hiệu ứng từ trở cao và nhạy với ứng suất. Khảo sát các đặc trưng tính chất (cấu trúc, tính chất từ, từ trở, từ đàn hồi…) và tối ưu hóa qui trình công nghệ, vật liệu, cấu hình.

Vật liệu NiFe đóng vai trò là lớp từ mềm có lực kháng từ nhỏ và lớp Co bị ghim từ bởi lớp IrMn. Cu được sử dụng để chế tạo lớp không từ theo cấu trúc được đưa ra như trên hình 1. Lớp sắt từ bị ghim Lớp không từ Lớp sắt từ tự do Thủy tinh Hình 1. Cấu trúc GMR dạng spin-van + Chế tạo và nghiên cứu vật liệu lưỡng tính từ - điện sử dụng các vật liệu từ trở và áp điện chế tạo được dạng màng mỏng.

Khảo sát các thuộc tính, đặc trưng từ, điện, TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com 8 từ-điện và ảnh hưởng của điện trường ngoài đến quá trình đảo từ và từ trở của các vật liệu lưỡng tính, cấu trúc được đưa ra như trên hình 1. + Nghiên cứu tính chất từ điện và quá trình đảo từ cảm ứng bởi điện trường đối với các màng mỏng đã chế tạo được.

Nội dung được bảo vệ bản quyền — Tải xuống đầy đủ