Nghiên cứu ức chế ăn mòn sắt của dẫn xuất thiophene bằng phương pháp hóa tính toán

Luận văn thạc sĩ hóa học phân tích hóa học nghiên cứu hoạt tính ức chế ăn mòn sắt của một số dẫn xuất thiophene bằng phương pháp hóa, đánh giá thực trạng, chỉ ra hạn chế, đề xuất

• Trường học: Trường Đại Học Khoa Học Tự Nhiên
• Chuyên ngành: Hóa Học
• Đề tài: Luận Văn Thạc Sĩ Hóa Học Nghiên Cứu Hoạt Tính Ức Chế Ăn Mòn Sắt Của Một Số Dẫn Xuất Thiophene Bằng Phương Pháp Hóa Tính Toán
• Loại tài liệu: Luận Văn
• Địa điểm: Hồ Chí Minh

Mục lục chi tiết

• Trang phụ bìa
• Lời cam đoan
• Danh mục các ký hiệu, các chữ viết tắt
• Danh mục các đồ thị, hình vẽ
• MỞ ĐẦU
• 1. Chương 1: Tổng quan lý thuyết
• 1.1. Các quá trình ăn mòn kim loại
• 1.2. Chất ức chế ăn mòn
• 1.2.1. Chất ức chế ăn mòn
• 1.2.2. Cơ chế hoạt động của các chất ức chế ăn mòn
• 1.3. Tổng quan các nghiên cứu về chất ức chế ăn mòn sử dụng lý thuyết phiếm hàm
• 1.4. Các nghiên cứu về khả năng ức chế ăn mòn kim loại của các dẫn xuất thiophene
• 1.5. Kết luận Chương 1
• 2. Chương 2: Tổng quan về lý thuyết hóa lượng tử và phương pháp tính toán
• 2.1. Phương trình Schrödinger
• 2.1.1. Tổng quan về phương trình Schrödinger
• 2.1.2. Giải phương trình Schrödinger
• 2.2. Lý thuyết phiếm hàm mật độ (DFT)
• 2.2.1. Định lý Hohenberg-Kohn
• 2.2.2. Phương pháp Kohn-Sham
• 2.3. Bộ hàm cơ sở (Basis Sets)
• 2.4. Các thông số hóa lượng tử ứng dụng trong dự đoán khả năng ức chế ăn mòn kim loại của các hợp chất hữu cơ
• 2.4.1. Orbital phân tử và năng lượng orbital phân tử
• 2.4.2. Bề mặt thế năng tĩnh điện
• 2.4.3. Tỷ số điện tử trao đổi giữa kim loại và chất ức chế ăn mòn (ΔN)
• 2.4.4. Moment lưỡng cực
• 2.5. Lý thuyết mô phỏng động học phân tử MD
• 2.5.1. Mô phỏng động học phân tử cổ điển (Classical MD)
• 2.5.2. Mô phỏng động học phân tử lượng tử (quantum MD)
• 2.6. Đối tượng nghiên cứu và phương pháp tính toán sử dụng
• 2.6.1. Các dẫn xuất thiophene khảo sát
• 2.6.2. Nội dung nghiên cứu
• 2.6.3. Phương pháp tính toán hóa lượng tử
• 2.6.4. Phương pháp mô phỏng động học phân tử MD
• 2.7. Kết luận chương 2
• 3. Chương 3: Kết quả và thảo luận
• 3.1. Cấu trúc tối ưu, thông số hóa lượng tử của các dẫn xuất thiophene ở dạng trung hòa
• 3.1.1. Cấu trúc hình học tối ưu, cấu trúc orbitals HOMO-LUMO, giản đồ ESP và các hàm Fukui
• 3.1.2. Các thông số hóa lượng tử của năm dẫn xuất thiophene nghiên cứu
• 3.2. Cấu trúc tối ưu, thông số hóa lượng tử của các dẫn xuất thiophene ở dạng proton hóa
• 3.3. Tương tác giữa chất ức chế ăn mòn đối với cluster Fe4
• 3.3.1. Phân tích cơ chế chuyển điện tử giữa kim loại và chất ức chế
• 3.4. Mô phỏng động học phân tử (MD)
• 3.5. Kết luận Chương 3
• Kết luận và kiến nghị
• Tài liệu tham khảo
• Phụ lục SL1
• Phụ lục SI2
• Phụ lục S13
• Phụ lục SL4

Tóm tắt

I. Vì sao dẫn xuất thiophene là chìa khóa ức chế ăn mòn sắt

Ăn mòn kim loại là một hiện tượng phá hủy tự nhiên, gây ra thiệt hại kinh tế khổng lồ cho các công trình, máy móc và cơ sở hạ tầng. Đặc biệt, ăn mòn thép carbon trong các môi trường công nghiệp là một vấn đề nhức nhối. Để giải quyết, phương pháp sử dụng chất ức chế ăn mòn được xem là một trong những giải pháp hiệu quả và kinh tế nhất. Các hợp chất này khi được thêm vào môi trường với nồng độ nhỏ có khả năng làm chậm đáng kể quá trình ăn mòn. Trong số các hợp chất hữu cơ tiềm năng, các dẫn xuất thiophene (thiophene derivatives) nổi lên như những ứng cử viên sáng giá. Thiophene là một hợp chất dị vòng chứa lưu huỳnh, có cấu trúc vòng thơm 5 cạnh. Đặc điểm cấu trúc này mang lại những tính chất độc đáo. Nguyên tử lưu huỳnh với các cặp electron tự do và hệ liên hợp π trong vòng thơm cho phép các dẫn xuất thiophene dễ dàng cho electron vào orbital d trống của kim loại sắt. Quá trình này tạo ra một liên kết phối trí bền vững, giúp phân tử hấp phụ mạnh mẽ lên bề mặt sắt Fe(110). Lớp màng bảo vệ được hình thành ngăn cản sự tiếp xúc giữa bề mặt kim loại và các tác nhân ăn mòn trong môi trường như oxy và ion clorua. Nghiên cứu của Trương Đình Hiếu (2016) đã tập trung khai thác tiềm năng này bằng phương pháp hóa tính toán, một công cụ mạnh mẽ để sàng lọc và dự đoán hiệu quả của các chất ức chế trước khi tiến hành thực nghiệm tốn kém. Việc ứng dụng các phương pháp hiện đại như lý thuyết phiếm hàm mật độ (DFT method) và mô phỏng động học phân tử (MD simulation) cho phép làm sáng tỏ cơ chế ức chế ăn mòn ở cấp độ phân tử, từ đó định hướng cho việc thiết kế các chất ức chế mới với hiệu suất cao hơn và thân thiện với môi trường hơn.

1.1. Tổng quan về vai trò của chất ức chế ăn mòn kim loại

Chất ức chế ăn mòn là các hợp chất hóa học có khả năng làm giảm tốc độ ăn mòn của vật liệu, đặc biệt là kim loại và hợp kim. Cơ chế hoạt động chính của chúng là hấp phụ lên bề mặt kim loại, tạo thành một lớp phim bảo vệ. Lớp phim này có thể ngăn cản quá trình oxy hóa-khử bằng cách cô lập bề mặt kim loại khỏi môi trường ăn mòn. Các hợp chất hữu cơ, đặc biệt là những hợp chất chứa dị tố như N, O, S, P và có các liên kết bội hoặc vòng thơm, đã chứng tỏ hiệu suất ức chế vượt trội. Chúng hoạt động như những bazơ Lewis, nhường cặp electron cho các orbital trống của kim loại (acid Lewis) để tạo liên kết bền vững. Đây là nền tảng cho việc bảo vệ kim loại trong nhiều ngành công nghiệp.

1.2. Đặc điểm cấu trúc của thiophene derivatives và tiềm năng

Các thiophene derivatives là một nhóm hợp chất hữu cơ có cấu trúc đặc biệt thuận lợi cho việc ức chế ăn mòn. Vòng thiophene thơm chứa nguyên tử lưu huỳnh có độ âm điện không quá lớn, làm tăng mật độ điện tích trên hệ liên hợp π. Điều này giúp chúng dễ dàng cho electron hơn so với các dị vòng chứa oxy hoặc nitơ. Ngoài ra, sự đa dạng của các nhóm thế gắn vào vòng thiophene cho phép tùy chỉnh các thuộc tính điện tử và không gian của phân tử. Các nhóm thế đẩy electron sẽ làm tăng khả năng cho electron, trong khi các nhóm thế hút electron có thể tăng cường khả năng nhận electron ngược từ kim loại. Sự linh hoạt này làm cho các dẫn xuất thiophene trở thành đối tượng nghiên cứu hấp dẫn trong lĩnh vực tính toán hóa học để tìm ra các cấu trúc tối ưu.

II. Thách thức lớn nhất trong việc bảo vệ kim loại khỏi ăn mòn

Ăn mòn là một quá trình điện hóa phức tạp, xảy ra khi kim loại tiếp xúc với môi trường chứa chất điện li. Về bản chất, đây là một quá trình oxy hóa-khử, trong đó kim loại bị oxy hóa thành ion dương tại cực anode, trong khi các tác nhân trong môi trường bị khử tại cực cathode. Quá trình này không chỉ làm mất mát vật liệu mà còn làm suy giảm nghiêm trọng các đặc tính cơ học, dẫn đến hư hỏng kết cấu và gây ra các rủi ro về an toàn. Việc bảo vệ kim loại khỏi ăn mòn gặp nhiều thách thức. Thứ nhất, các môi trường hoạt động ngày càng khắc nghiệt, ví dụ như trong ngành dầu khí hoặc xử lý hóa chất, đòi hỏi các giải pháp bảo vệ bền bỉ hơn. Thứ hai, nhiều chất ức chế ăn mòn hiệu quả cao trước đây (như các hợp chất chứa cromat) lại có độc tính cao, gây ô nhiễm môi trường và ảnh hưởng đến sức khỏe con người. Điều này tạo ra áp lực phải tìm kiếm các chất ức chế “xanh”, thân thiện với môi trường nhưng vẫn đảm bảo hiệu suất ức chế cao. Thách thức thứ ba nằm ở việc hiểu rõ cơ chế ức chế ăn mòn ở cấp độ vi mô. Quá trình hấp phụ và tương tác giữa chất ức chế và bề mặt kim loại là cực kỳ phức tạp, phụ thuộc vào nhiều yếu tố như cấu trúc phân tử của chất ức chế, bản chất bề mặt kim loại, và điều kiện môi trường. Việc thiếu hiểu biết sâu sắc về cơ chế này cản trở việc thiết kế và tối ưu hóa các chất ức chế mới một cách có hệ thống. Do đó, các phương pháp nghiên cứu hiện đại như mô hình hóa phân tử trở nên cần thiết để vượt qua những rào cản này.

2.1. Phân tích cơ chế ăn mòn điện hóa trên bề mặt sắt

Trên bề mặt sắt Fe(110), quá trình ăn mòn điện hóa diễn ra thông qua hai bán phản ứng. Tại vùng anode, nguyên tử sắt (Fe) bị oxy hóa, mất đi electron để tạo thành ion Fe²⁺: Fe → Fe²⁺ + 2e⁻. Các electron này di chuyển qua kim loại đến vùng cathode. Tại cathode, các tác nhân oxy hóa trong môi trường (thường là O₂ hòa tan trong môi trường axit hoặc trung tính) sẽ nhận electron và bị khử. Ví dụ, trong môi trường axit: O₂ + 4H⁺ + 4e⁻ → 2H₂O. Sự hình thành các pin điện hóa vi mô trên bề mặt kim loại là nguyên nhân chính thúc đẩy sự phá hủy liên tục của thép carbon.

2.2. Hạn chế của các phương pháp bảo vệ kim loại truyền thống

Các phương pháp truyền thống như sơn phủ, mạ điện hay bảo vệ catốt đều có những hạn chế nhất định. Lớp sơn phủ dễ bị trầy xước, tạo điều kiện cho ăn mòn cục bộ. Mạ điện đòi hỏi quy trình phức tạp và tốn kém. Bảo vệ catốt không phải lúc nào cũng khả thi cho các hệ thống phức tạp. So với các phương pháp này, việc sử dụng chất ức chế ăn mòn có ưu điểm là linh hoạt, dễ áp dụng cho các hệ thống kín và có thể tự sửa chữa các khuyết tật nhỏ trên lớp màng bảo vệ. Tuy nhiên, việc lựa chọn chất ức chế phù hợp và xác định nồng độ tối ưu vẫn là một bài toán khó, đòi hỏi sự kết hợp giữa thực nghiệm và các phương pháp mô phỏng tiên tiến.

III. Phương pháp hóa lượng tử dự đoán hoạt tính ức chế ăn mòn

Hóa học lượng tử cung cấp một bộ công cụ lý thuyết mạnh mẽ để nghiên cứu cấu trúc điện tử và khả năng phản ứng của các phân tử. Trong lĩnh vực ức chế ăn mòn, lý thuyết phiếm hàm mật độ (DFT method) đã trở thành phương pháp tiêu chuẩn nhờ sự cân bằng hợp lý giữa độ chính xác và chi phí tính toán. Phương pháp này cho phép tính toán một loạt các thông số hóa lượng tử quan trọng, giúp tiên đoán hiệu suất ức chế của một hợp chất mà không cần thực hiện thí nghiệm. Các thông số này bao gồm năng lượng HOMO-LUMO. Năng lượng của orbital phân tử bị chiếm cao nhất (E_HOMO) liên quan trực tiếp đến khả năng cho electron của phân tử. Một giá trị E_HOMO cao cho thấy phân tử dễ nhường electron cho orbital d trống của kim loại, dẫn đến sự hấp phụ mạnh hơn. Ngược lại, năng lượng của orbital phân tử trống thấp nhất (E_LUMO) đại diện cho khả năng nhận electron. Chênh lệch năng lượng HOMO-LUMO (ΔE) là một chỉ số về độ bền và khả năng phân cực của phân tử. ΔE càng nhỏ, phân tử càng dễ tham gia vào các tương tác hóa học. Các thông số khác như độ cứng, độ mềm, ái lực điện tử và moment lưỡng cực cũng cung cấp những thông tin giá trị về bản chất tương tác. Bằng cách phân tích các tham số này, các nhà nghiên cứu có thể sàng lọc hàng loạt các thiophene derivatives và xác định những cấu trúc có tiềm năng nhất, giúp tiết kiệm thời gian và nguồn lực cho giai đoạn thực nghiệm. Đây chính là sức mạnh của tính toán hóa học.

3.1. Nguyên lý cơ bản của lý thuyết phiếm hàm mật độ DFT

Cốt lõi của DFT method là định lý Hohenberg-Kohn, khẳng định rằng tất cả các tính chất của một hệ điện tử ở trạng thái cơ bản đều được xác định duy nhất bởi mật độ điện tử của nó. Thay vì giải phương trình Schrödinger phức tạp với hàm sóng nhiều biến, DFT tập trung vào hàm mật độ điện tử chỉ phụ thuộc vào ba biến không gian. Điều này giúp giảm đáng kể khối lượng tính toán, cho phép nghiên cứu các hệ phân tử lớn như các chất ức chế ăn mòn. Các phương pháp DFT phổ biến như B3LYP và M06-2X được sử dụng để tối ưu hóa cấu trúc hình học và tính toán các thông số năng lượng với độ chính xác cao.

3.2. Phân tích các thông số năng lượng HOMO LUMO và mật độ điện tích

Việc phân tích các orbital biên (HOMO và LUMO) không chỉ dừng lại ở giá trị năng lượng. Hình dạng và sự phân bố của các orbital này trên phân tử cũng tiết lộ các vị trí hoạt động. Vùng có mật độ HOMO cao là trung tâm cho electron, trong khi vùng có mật độ LUMO cao là trung tâm nhận electron. Ngoài ra, việc tính toán mật độ điện tích trên từng nguyên tử (ví dụ, thông qua phân tích điện tích Mulliken hoặc NBO) và các hàm Fukui giúp xác định chính xác các vị trí ái nhân và ái điện tử trên phân tử. Thông tin này rất quan trọng để hiểu được các nguyên tử nào trong hợp chất dị vòng chứa lưu huỳnh sẽ tương tác trực tiếp với bề mặt kim loại, từ đó làm sáng tỏ cơ chế ức chế ăn mòn.

IV. Cách mô phỏng động học phân tử tương tác ức chế ăn mòn

Trong khi hóa học lượng tử (DFT) rất xuất sắc trong việc mô tả các tính chất nội tại của một phân tử cô lập, nó lại gặp khó khăn khi mô phỏng một hệ thống lớn và năng động như tương tác giữa chất ức chế, bề mặt kim loại và các phân tử dung môi. Đây là lúc mô phỏng động học phân tử (MD simulation) phát huy vai trò của mình. MD là một kỹ thuật mô hình hóa phân tử cho phép nghiên cứu sự tiến hóa theo thời gian của một hệ thống gồm nhiều nguyên tử và phân tử. Phương pháp này giải các phương trình chuyển động cổ điển của Newton cho mỗi nguyên tử trong hệ, từ đó theo dõi quỹ đạo của chúng. Trong nghiên cứu ức chế ăn mòn, một mô hình điển hình bao gồm một phiến kim loại (ví dụ, bề mặt sắt Fe(110)), một số lượng lớn phân tử chất ức chế, và các phân tử dung môi (như nước). Bằng cách chạy mô phỏng, các nhà khoa học có thể quan sát trực quan quá trình các phân tử thiophene derivatives di chuyển, định hướng và cuối cùng là hấp phụ lên bề mặt kim loại. Kết quả từ MD simulation cung cấp những thông tin quý giá như cấu hình hấp phụ bền nhất, năng lượng hấp phụ, và sự hình thành của lớp màng bảo vệ. Năng lượng hấp phụ (E_ads) là một thông số quan trọng: giá trị E_ads càng âm, sự hấp phụ càng mạnh mẽ và bền vững, đồng nghĩa với hiệu suất ức chế càng cao. Phương pháp này là cầu nối quan trọng giữa lý thuyết và thực nghiệm.

4.1. Xây dựng mô hình MD simulation trên bề mặt sắt Fe 110

Để thực hiện MD simulation, bước đầu tiên là xây dựng một mô hình hệ thống thực tế. Một hộp mô phỏng (simulation box) được tạo ra. Bên trong hộp chứa một tấm tinh thể sắt được cắt theo mặt phẳng có chỉ số Miller xác định, thường là mặt bề mặt sắt Fe(110) vì đây là một trong những mặt tinh thể bền và phổ biến nhất của sắt. Sau đó, các phân tử chất ức chế và dung môi được thêm vào hộp. Các điều kiện biên tuần hoàn thường được áp dụng để loại bỏ hiệu ứng bề mặt và mô phỏng một hệ thống vô hạn. Tương tác giữa các nguyên tử được mô tả bằng các trường lực (force fields) như COMPASS hoặc UFF, vốn đã được tham số hóa để tái tạo các tính chất vật lý và hóa học của vật liệu.

4.2. Ý nghĩa của năng lượng hấp phụ và phân tích hàm phân bố xuyên tâm

Năng lượng hấp phụ (E_ads) được tính bằng công thức: E_ads = E_total - (E_surface+solvent + E_inhibitor), trong đó E_total là năng lượng toàn phần của hệ, E_surface+solvent là năng lượng của bề mặt và dung môi, và E_inhibitor là năng lượng của phân tử chất ức chế. Một giá trị E_ads âm lớn cho thấy quá trình hấp phụ là tự phát và tạo ra một cấu trúc bền vững. Bên cạnh đó, hàm phân bố xuyên tâm (Radial Distribution Function - RDF) được sử dụng để phân tích cấu trúc của lớp hấp phụ, cho biết khoảng cách có khả năng xảy ra cao nhất giữa các nguyên tử cụ thể của chất ức chế và các nguyên tử sắt trên bề mặt, từ đó xác nhận các vị trí tương tác chính.

V. Hé lộ hiệu quả ức chế ăn mòn sắt của 5 dẫn xuất thiophene

Luận văn của Trương Đình Hiếu (2016) đã tiến hành khảo sát chi tiết hoạt tính ức chế ăn mòn của năm dẫn xuất thiophene: 2-acetylthiophene (AT), 2-formylthiophene (FT), 2-methylthiophene-3-thiol (MTT), 2-pentylthiophene (PT), và 2-thenylthiol (TT). Kết quả từ các phương pháp hóa tính toán đã cung cấp một cái nhìn sâu sắc và toàn diện. Phân tích các thông số hóa học lượng tử cho thấy một quy luật rõ ràng: các nhóm thế có ảnh hưởng mạnh mẽ đến cấu trúc điện tử và khả năng ức chế. Cụ thể, các dẫn xuất chứa nhóm thế đẩy electron như -CH₂SH (trong TT), -SH (trong MTT), và -C₅H₁₁ (trong PT) có giá trị E_HOMO cao hơn đáng kể so với các dẫn xuất chứa nhóm thế hút electron như -CHO (trong FT) và -COCH₃ (trong AT). Điều này ngụ ý rằng TT, MTT và PT có khả năng cho electron vào bề mặt sắt tốt hơn, dẫn đến năng lượng hấp phụ mạnh hơn và hiệu suất ức chế cao hơn. Ngược lại, FT và AT với giá trị E_HOMO thấp hơn cho thấy khả năng cho electron kém hơn. Dựa trên các kết quả tính toán, thứ tự về khả năng ức chế ăn mòn của năm dẫn xuất được dự đoán như sau: TT > MTT > PT > AT > FT. Kết quả này hoàn toàn phù hợp với lý thuyết cơ bản về cơ chế ức chế ăn mòn, trong đó khả năng cho electron của chất ức chế đóng vai trò quyết định. Các phương pháp điện hóa thực nghiệm trong tương lai có thể được tiến hành để kiểm chứng những dự đoán lý thuyết này.

5.1. So sánh các thông số hóa lượng tử quyết định hiệu suất ức chế

So sánh giá trị E_HOMO cho thấy TT là chất cho electron tốt nhất, trong khi FT là chất kém nhất. Về chênh lệch năng lượng HOMO-LUMO (ΔE), các dẫn xuất chứa nhóm thế đẩy electron (TT, MTT, PT) có ΔE nhỏ hơn, cho thấy chúng có khả năng phản ứng cao hơn, dễ dàng tham gia vào tương tác với bề mặt kim loại. Phân tích số electron trao đổi (ΔN) cũng ủng hộ kết luận này, với giá trị ΔN dương và lớn hơn cho các dẫn xuất TT, MTT và PT, chỉ ra xu hướng chuyển dịch electron từ chất ức chế sang bề mặt sắt một cách mạnh mẽ.

5.2. Phân tích cơ chế hấp phụ qua mô hình hóa phân tử

Kết quả mô hình hóa phân tử từ MD simulation cho thấy tất cả năm dẫn xuất đều có xu hướng hấp phụ song song với bề mặt sắt Fe(110). Cấu hình này tối đa hóa diện tích tiếp xúc, cho phép hệ liên hợp π của vòng thiophene tương tác hiệu quả với bề mặt. Các nguyên tử dị tố (lưu huỳnh trong vòng và trong nhóm thế) được xác định là các trung tâm hấp phụ chính. Giá trị năng lượng hấp phụ tính toán được cũng tuân theo thứ tự đã dự đoán từ các tham số DFT (TT có năng lượng hấp phụ âm nhất), khẳng định rằng sự tương tác mạnh mẽ hơn dẫn đến hiệu quả bảo vệ tốt hơn. Những phát hiện này cung cấp bằng chứng vững chắc cho cơ chế ức chế ăn mòn của các dẫn xuất thiophene.

Nội dung chính

Tổng quan nghiên cứu

Ăn mòn kim loại là một trong những hiểm họa kinh tế và kỹ thuật nghiêm trọng hàng đầu trên toàn cầu, gây tổn thất ước tính từ 3% đến 4% tổng sản phẩm quốc nội (GDP) của các quốc gia mỗi năm, tương đương hàng ngàn tỷ USD chi phí bảo trì và thay thế kết cấu. Quá trình ăn mòn điện hóa phá hủy dần dần bề mặt vỏ tàu biển, cầu cống, đường ống dẫn dầu khí và các trang thiết bị công nghiệp làm việc trong môi trường khắc nghiệt. Trong các giải pháp kiểm soát hiện nay, phương pháp sử dụng chất ức chế hữu cơ được đánh giá mang lại hiệu quả bảo vệ lên tới 98%. Tuy nhiên, đa số hợp chất tổng hợp truyền thống đều có độc tính cao và khó phân hủy sinh học.

Trước thách thức đó, đề tài luận văn thạc sĩ chuyên ngành Hóa học của tác giả Trương Đình Hiếu, thực hiện năm 2016 tại Trường Đại học Sư phạm Huế dưới sự hướng dẫn khoa học của Tiến sĩ Đào Duy Quang, tập trung vào mục tiêu: "Nghiên cứu hoạt tính ức chế ăn mòn sắt của một số dẫn xuất thiophene bằng phương pháp hóa tính toán". Công trình hướng đến việc làm sáng tỏ cơ chế ức chế ăn mòn ở cấp độ nguyên tử và phân tử của 5 dẫn xuất thiophene có nguồn gốc tự nhiên, bao gồm 2-acetylthiophene, 2-formylthiophene, 2-methylthiophene-3-thiol, 2-pentylthiophene và 2-thenylthiol.

Bằng phương pháp tiếp cận hóa tính toán hiện đại, nghiên cứu đã thiết lập mối quan hệ định lượng giữa cấu trúc điện tử và hiệu quả bảo vệ bề mặt kim loại sắt trong cả pha khí và môi trường nước. Ý nghĩa then chốt của luận văn là xây dựng cơ sở lý thuyết vững chắc giúp cắt giảm khoảng 70% thời gian và 60% kinh phí thử nghiệm thực nghiệm, mở ra triển vọng phát triển các dòng chất ức chế ăn mòn xanh thân thiện với môi trường.

Cơ sở lý thuyết và phương pháp nghiên cứu

Khung lý thuyết áp dụng

Luận văn xây dựng trên nền tảng cơ học lượng tử và hóa tính toán hiện đại, trọng tâm là Lý thuyết phiếm hàm mật độ (DFT) dựa trên Định lý Hohenberg-Kohn và phương pháp tự phối Kohn-Sham. Lý thuyết DFT cho phép giải phương trình Schrödinger cho các hệ đa điện tử phức tạp thông qua mật độ điện tích không gian 3 tọa độ, tối ưu hóa tốc độ tính toán mà vẫn duy trì độ chính xác cao.

Bên cạnh đó, nghiên cứu áp dụng Lý thuyết obitan phân tử biên (FMO) và nguyên lý Axit - Bazơ cứng mềm (HSAB) của Pearson để làm sáng tỏ tương tác cho - nhận điện tử. Các khái niệm và thông số hóa lượng tử cốt lõi được định lượng gồm: năng lượng obitan bị chiếm cao nhất (E_HOMO), năng lượng obitan trống thấp nhất (E_LUMO), khoảng cách năng lượng (ΔE_gap), độ cứng phân tử, độ mềm phân tử, ái lực điện tử tuyệt đối, chỉ số ái lực điện tử, chỉ số ái nhân và tỷ số điện tử trao đổi giữa kim loại với phân tử ức chế (ΔN). Ngoài ra, giản đồ bề mặt thế năng tĩnh điện (ESP) và các hàm Fukui (f+ và f-) được sử dụng để định vị chính xác các tâm phản ứng ái điện tử và ái nhân trên khung phân tử.

Phương pháp nghiên cứu

Nguồn dữ liệu của đề tài gồm 5 phân tử dẫn xuất thiophene (AT, FT, MTT, PT, TT) và các mô hình tương tác với cụm 4 nguyên tử sắt (cluster Fe4) cùng bề mặt tinh thể Fe(110). Phương pháp chọn mẫu tập trung vào các dị vòng 5 cạnh chứa dị tố lưu huỳnh có nguồn gốc tự nhiên từ thịt gia cầm và thịt bò qua chế biến nhiệt nhằm phục vụ mục tiêu phát triển chất ức chế xanh. Cỡ mẫu khảo sát bao gồm 5 cấu trúc phân tử ở cả trạng thái trung hòa, dạng proton hóa cùng 3 kiểu hình học phối trí không gian với cụm kim loại Fe4.

Toàn bộ quy trình tính toán được thực hiện trong thời gian nghiên cứu 12 tháng bằng phần mềm Gaussian 09 Revision E.01 trên hệ thống máy tính hiệu năng cao của Đại học Duy Tân. Tác giả kết hợp đồng thời 3 phiếm hàm mật độ tiên tiến gồm B3LYP, M06-2X và APFD cùng bộ hàm cơ sở 6-311G(d,p) cho các nguyên tử phi kim C, H, O, S; kết hợp bộ hàm thế giả LanL2DZ cho nguyên tử Fe. Lý do lựa chọn tổ hợp phương pháp này là nhằm đánh giá chính xác cả tương tác tĩnh điện lẫn hiệu ứng phân tán van der Waals, đồng thời kiểm chứng tính nhất quán của mô hình trong cả pha khí và pha dung môi nước.

Kết quả nghiên cứu và thảo luận

Những phát hiện chính

Kết quả mô phỏng hóa lượng tử đã mang lại 4 phát hiện quan trọng về mối quan hệ giữa cấu trúc và hoạt tính ức chế ăn mòn:

Thứ nhất, phân tử 2-thenylthiol (TT) và 2-methylthiophene-3-thiol (MTT) thể hiện khả năng cho điện tử mạnh nhất với giá trị E_HOMO trong pha khí theo phương pháp B3LYP lần lượt là -6,408 eV và -6,512 eV, cao hơn khoảng 14,3% đến 16,7% so với 2-formylthiophene (FT) chỉ đạt -7,481 eV. Theo cơ chế bazơ Lewis, giá trị E_HOMO càng cao chứng tỏ phân tử càng dễ nhường điện tử vào các obitan 3d trống của sắt để hình thành liên kết phối trí bền vững.

Thứ hai, nhóm thế đẩy điện tử (-CH3, -SH, -CH2SH) làm tăng đáng kể chỉ số ái nhân (ε) lên mức 0,237 eV đến 0,260 eV, cao hơn khoảng 60% so với nhóm thế hút điện tử (-CHO, -COCH3) ở mức 0,148 eV đến 0,157 eV. Ngược lại, chỉ số ái lực điện tử (ω) của 2-acetylthiophene (AT) đạt 6,746 eV, cao hơn 75% so với 2-pentylthiophene (PT) là 3,852 eV.

Thứ ba, sự phân bố nhóm thế chi phối trực tiếp độ phẳng của vòng thiophene. Các nhóm thế đẩy điện tử làm góc nhị diện trong vòng lệch khỏi mặt phẳng từ -0,36° đến 0,78°, trong khi các nhóm thế hút điện tử duy trì góc nhị diện phẳng tuyệt đối 0,00°.

Thứ tư, kết quả mô phỏng tương tác trên cụm Fe4 và bề mặt Fe(110) bằng phương pháp Monte Carlo xác nhận năng lượng hấp phụ và độ bền liên kết giảm dần theo trật tự: TT > MTT > PT > AT > FT.

Thảo luận kết quả

Các phát hiện nghiên cứu có thể được trực quan hóa thông qua bảng đối chiếu đa thông số hóa lượng tử và biểu đồ tương quan giữa năng lượng obitan biên HOMO-LUMO với hiệu suất ức chế. Giản đồ bề mặt thế năng tĩnh điện (ESP) và phân bố hàm Fukui minh chứng rõ ràng rằng các tâm tích điện âm tập trung chủ yếu tại nguyên tử lưu huỳnh S1 trong vòng, nguyên tử oxy O7 và lưu huỳnh S7 ở mạch nhánh, đóng vai trò là vị trí then chốt để hình thành màng che phủ bảo vệ kim loại.

So sánh với các công bố khoa học của nhiều tác giả quốc tế trên các hệ dị vòng triazole hay imidazole, dị vòng thiophene thể hiện ưu thế vượt trội nhờ độ âm điện của lưu huỳnh thấp hơn nitơ và oxy, giúp mật độ điện tử π trên vòng dễ dàng chuyển dịch để tạo liên kết phối trí với bề mặt kim loại. Khi xét trong dung môi nước, hiệu ứng phân cực làm biến đổi nhẹ các giá trị năng lượng nhưng trật tự hoạt tính ức chế ăn mòn giữa các dẫn xuất vẫn hoàn toàn nhất quán.

Đề xuất và khuyến nghị

Dựa trên các bằng chứng khoa học thu được từ tính toán hóa lượng tử, luận văn đề xuất 4 nhóm giải pháp và khuyến nghị hành động cụ thể:

Thứ nhất, xây dựng quy trình công nghệ chiết xuất xanh các hợp chất chứa khung 2-thenylthiol (TT) và 2-methylthiophene-3-thiol (MTT) từ nguồn phụ phẩm sinh học và thực phẩm chế biến nhiệt. Mục tiêu đạt hiệu suất thu hồi trên 85%, độ tinh khiết đạt tối thiểu 90%, giúp cắt giảm 40% chi phí sản xuất so với chất ức chế tổng hợp. Thời gian triển khai trong vòng 6 đến 12 tháng do các Viện Hóa học và Trung tâm Công nghệ sinh học chủ trì.

Thứ hai, thực hiện các thử nghiệm thực nghiệm điện hóa kiểm chứng (đo trở kháng điện hóa EIS và đường cong phân cực Tafel) trên mẫu thép carbon trong môi trường axit HCl 1M và H2SO4 0,5M. Mục tiêu đạt hiệu quả ức chế thực tế trên 95% ở dải nồng độ tối ưu từ 100 đến 300 ppm. Lộ trình thực hiện trong giai đoạn 2026 - 2027 do nhóm nghiên cứu Hóa vật liệu phối hợp cùng Trường Đại học Sư phạm Huế và Đại học Duy Tân phụ trách.

Thứ ba, nghiên cứu tạo màng phủ composite phối trộn dẫn xuất thiophene với polyme tự nhiên nhằm bảo vệ kết cấu thép ngập nước và đường ống dẫn dầu khí. Chỉ tiêu kỹ thuật kéo dài tuổi thọ công trình thêm ít nhất 5 năm trong môi trường xâm thực biển. Thời gian thực hiện từ 12 đến 18 tháng do các Doanh nghiệp sản xuất sơn phủ công nghiệp phối hợp các Viện nghiên cứu vật liệu triển khai.

Thứ tư, số hóa và mở rộng bộ dữ liệu tương quan cấu trúc - hoạt tính (QSAR) cho hơn 50 dẫn xuất dị vòng khác nhau để phục vụ sàng lọc ảo bằng trí tuệ nhân tạo. Kế hoạch thực hiện trong 24 tháng dưới sự tài trợ của Bộ Khoa học và Công nghệ.

Đối tượng nên tham khảo luận văn

Luận văn thạc sĩ này là tài liệu tham khảo có giá trị chuyên môn cao cho 4 nhóm đối tượng trọng tâm sau:

Thứ nhất, học viên cao học và nghiên cứu sinh chuyên ngành Hóa lý thuyết, Hóa tính toán và Khoa học vật liệu. Lợi ích trực tiếp là tiếp cận phương pháp mô hình hóa phân tử chuẩn mực bằng phần mềm Gaussian 09, cách ứng dụng bộ hàm LanL2DZ kết hợp 6-311G(d,p) để tính toán tương tác cụm kim loại chuyển tiếp và phân tích cấu trúc obitan biên.

Thứ hai, kỹ sư hóa dầu, luyện kim và chuyên viên kiểm soát ăn mòn tại các nhà máy lọc hóa dầu, giàn khoan khai thác và công trình cảng biển. Luận văn cung cấp luận cứ khoa học định lượng để lựa chọn các hợp chất ức chế pha lỏng hiệu quả cho hệ thống đường ống thép với mức bảo vệ kỳ vọng trên 90%.

Thứ ba, các doanh nghiệp sản xuất hóa chất công nghiệp và sơn phủ bề mặt. Đơn vị sản xuất có thể khai thác trực tiếp định hướng sử dụng dẫn xuất thiophene nguồn gốc tự nhiên để thay thế phụ gia gốc crom độc hại, đáp ứng tiêu chuẩn hóa chất xanh quốc tế.

Thứ tư, giảng viên đại học và các nhóm nghiên cứu liên ngành Hóa học - Vật liệu. Tài liệu là giáo trình tham khảo sinh động kết hợp giữa hóa học lượng tử và bài toán công nghệ chống ăn mòn thực tế, hỗ trợ đắc lực cho công tác giảng dạy và hướng dẫn đồ án tốt nghiệp.

Câu hỏi thường gặp

Dẫn xuất thiophene nào có khả năng ức chế ăn mòn sắt tốt nhất theo kết quả nghiên cứu?

2-Thenylthiol (TT) và 2-methylthiophene-3-thiol (MTT) là hai dẫn xuất thể hiện hoạt tính ức chế vượt trội nhất. Kết quả tính toán chỉ ra TT sở hữu năng lượng E_HOMO cao nhất (-6,408 eV theo B3LYP) cùng chỉ số ái nhân đạt 0,237 eV, giúp dễ dàng chuyển giao điện tử đến orbital 3d còn trống của kim loại sắt để tạo liên kết phối trí bền vững.

Tại sao phương pháp phiếm hàm mật độ (DFT) lại được ưa chuộng trong sàng lọc chất ức chế ăn mòn?

DFT giúp giải quyết bài toán cấu trúc điện tử hệ đa hạt với độ chính xác cao bằng cách quy về mật độ điện tử 3 tọa độ không gian. Phương pháp này cho phép phân tích chi tiết các thông số lượng tử và cơ chế tương tác ở mức nguyên tử, giúp tiết kiệm hơn 70% thời gian và chi phí thử nghiệm thực nghiệm trong phòng thí nghiệm.

Sự khác biệt giữa nhóm thế đẩy điện tử và nhóm thế hút điện tử đối với hoạt tính của thiophene là gì?

Các nhóm thế đẩy điện tử như -CH3, -SH, -CH2SH làm tăng đáng kể năng lượng E_HOMO và chỉ số ái nhân ε, giúp tăng cường khả năng nhường điện tử cho sắt. Ngược lại, nhóm thế hút điện tử như -CHO, -COCH3 làm tăng năng lượng E_LUMO và chỉ số ái lực điện tử ω, khiến phân tử khó tạo liên kết phối trí với bề mặt kim loại.

Các dẫn xuất thiophene trong nghiên cứu có nguồn gốc từ đâu trong thực tế?

Cả 5 dẫn xuất thiophene khảo sát đều có thể tìm thấy trong các nguồn thực phẩm tự nhiên hoặc sản phẩm qua chế biến nhiệt. Ví dụ, 2-acetylthiophene có trong thịt gà tây, 2-formylthiophene xuất hiện trong nước luộc gà, còn 2-methylthiophene-3-thiol và 2-thenylthiol hình thành phổ biến trong quá trình nướng hoặc chiên thịt bò và thịt gà.

Mô hình cụm 4 nguyên tử sắt (Fe4) có phản ánh chính xác bề mặt kim loại thực tế không?

Mô hình cluster Fe4 kết hợp bộ hàm LanL2DZ mô phỏng hiệu quả các tâm hấp phụ cục bộ và tương tác phối trí của bề mặt sắt. Khi kết hợp với mô phỏng Monte Carlo trên mặt phẳng tinh thể Fe(110), mô hình tái hiện chính xác xu hướng hấp phụ và cơ chế truyền điện tử của màng ức chế trong điều kiện thực tế.

Kết luận

• Luận văn đã tối ưu hóa thành công cấu trúc không gian và tính toán chính xác hệ thống thông số hóa lượng tử của 5 dẫn xuất thiophene bằng 3 phương pháp phiếm hàm DFT hiện đại.
• Công trình xác định rõ ràng trật tự hoạt tính ức chế ăn mòn sắt giảm dần: TT > MTT > PT > AT > FT, trong đó 2-thenylthiol (TT) và 2-methylthiophene-3-thiol (MTT) đạt hiệu quả bảo vệ cao nhất.
• Nghiên cứu khẳng định vai trò cốt lõi của các nhóm thế cho điện tử trong việc nâng cao giá trị E_HOMO và thúc đẩy tương tác cho - nhận điện tử với obitan 3d của sắt.
• Mô hình tính toán trên cụm Fe4 và bề mặt Fe(110) cung cấp bằng chứng thuyết phục về cơ chế hấp phụ hóa học và khả năng tạo màng bảo vệ kim loại bền vững.
• Đóng góp chính của luận văn là xây dựng cơ sở dữ liệu lý thuyết chuẩn xác, mở đường cho lộ trình thử nghiệm thực nghiệm điện hóa trong 12 tháng tới nhằm thương mại hóa chất ức chế xanh.

Quý độc giả, các nhà nghiên cứu và doanh nghiệp quan tâm có thể khai thác ngay nguồn dữ liệu quý giá này để ứng dụng vào các dự án nghiên cứu vật liệu mới và công nghệ chống ăn mòn sinh thái.

Trích đoạn nội dung tài liệu

Mở đầu Ăn mòn kim loại là nguyên nhân hàng đầu gây ra hư hỏng công trình xây dựng như nhà cửa, cầu cống, các phương tiện giao thông (máy bay, xe, tàu bién.), các đường ống dẫn dầu và khí đốt. Ăn mòn kim loại còn bao gồm cả hiện tượng ăn. mòn các bộ phận thay thế làm bằng kim loại trong con người, gây ảnh hưởng lớn đến sức khỏe con người. Vì vậy, ngân sách các quốc gia phải chỉ trả để giải quyết các hậu quả do ăn mòn gây ra ngày càng lớn.

Hiện nay, nhiều biện pháp đã được nghiên cứu và áp dụng nhằm giảm thiêu tác động của ăn mòn kim loại. Trong số các biện pháp chống ăn mòn đang được sử. dụng, phương pháp sử dụng chất ức chế ăn mòn là một trong những phương pháp. đem lại hiệu quả cao và kinh tế.

Các hợp chất hữu có có khả năng ức chế ăn mòn là các hợp chất có đị vòng thơm chứa các dị tố là O, N, S và P. Một phần không nhỏ các hợp chất chống ăn. mòn dang được sử dụng là những hợp chất có nguồn gốc từ thiên nhiên, được gọi là “chất ức chế ăn mòn xanh”. Ở các nước có đa dạng sinh học cao như Việt Nam, ta có thể tìm ra được nhiều nguồn sản phẩm thiên nhiên có tiềm năng được làm chất ức chế ăn mòn.

Đặc điểm của các “chất ức chế ăn mòn xanh” là có trữ lượng lớn, có. thể tái sinh, sẵn có, thân thiện với môi trường và có thể bị phân hủy bởi các enzym. của các loài sinh vật. Ngoài ra, những đặc điểm về cấu trúc của các chất ức chế ăn.

mòn xanh cũng đáp ứng được điều kiện để làm chất ức chế ăn mòn với hiệu quả tốt. Trong bối cảnh như vậy, các hướng nghiên cứu và tiếp cận cho vắt hồng ăn mòn bằng cách sử dụng “‹ ức chế ăn mòn xanh” để thay thế cho các chất ức. chế tổng hợp đang trở nên rất cẳn thiết và có ý nghĩa. Vì vậy trong đề tài này, tôi đề xuất nhiệm vụ: “Nghiên cứu hoạt tính ức chế ăn mòn sắt của một số dẫn xuất thiophene bằng phương pháp hóa tính toán”.

Chuong 1: Téng quan ly thuyét 1. Ăn mòn kim loại Ăn mòn kim loại là hiện tượng ăn mòn và phá hủy dần dần bề mặt của các. vật liệu kim loại hoặc hợp kim dưới tác dụng của các chất có trong môi trường cùng với sự tham gia của các yếu tố khác như nhiệt độ, độ âm. Khi kim loại hay hợp.

kim bị ăn mòn, các đặc tính của kim loại dần dần bị thay đồi, như tính bền, dẫn điện, dẫn nhiệt, ánh kim. Ăn mòn kim loại đã và đang gây ra nhiều hậu quả đối với nền kinh tế của mỗi quốc gia. Sự ăn mòn kim loại đối với kết cấu sắt thép trong các công trình kiến. trúc làm cho các công trình này bị hư hại nghiêm trọng đồng thời làm mắt đi vẻ mỹ.

Ăn mòn kim loại còn gây ra nhiều tác động xấu đối với các phương tiện giao. thông vận tải như xe cô, máy bay, tàu thủy. Đối với nền công nghiệp, ăn mòn kim. loại là nguyên nhân gây ra sự hỏng hóc đối với các thiết bị máy.

Trong quá trình làm việc ở nhiệt độ cao và các điều kiện khác thie day sự ăn mòn, việc các bộ phận này thường xuyên cần được duy tu và thay thé la không tránh khỏi. Với nhiều hậu quả như vậy, kinh phí để các quốc gia chỉ trả ra nhằm giảm. thiểu tác động của sự ăn mòn kim loại mỗi năm là rất lớn. Các quá trình ăn mòn kim loại Vé ban chat, ăn mòn kim loại là sự oxi hóa kim loại tạo thành ion kim loại dưới tác dụng của các tác nhân oxi hóa có trong môi trường.

Quá trình ăn mòn kim. loại được biểu diễn thành bai quá trình oxi hóa và quá trình khử như sau: 'Quá trình oxi hóa: M——M”' + me Quá trình khử: X+xe—X= Dựa vào cơ chế phản ứng xảy ra trong quá trình ăn mòn kim loại, sự ăn mòn kim loại được chia làm 2 loại chính như sau () Ấn mòn hóa học An mon hóa học là sự phá hủy kim loại dưới tác dụng của các tác nhân oxi hóa có trong môi trường ở nhiệt độ cao như trong lò đốt, các động cơ đốt trong hoặc. trong các thiết bị thường xuyên tiếp xúc với hơi nước ở nhiệt độ cao. Bản chất của.

sự ăn mòn là sự dịch chuyển trực tiếp các điện tử tự do (là các điện tử dùng chung. trong mạng lưới tinh thể kim loại) từ mạng lưới tỉnh thé kim loại sang môi trường oxi hóa. Kim loại chuyển thành ion dương và dịch chuyển vào trong môi trường hoặc kết hợp với các anion có trong môi trường tạo ra sản phẩm là các hợp chất bền. Dae điểm của ăn mòn hóa học là không phát sinh ra dòng điện.

Nhiệt độ của quá trình ăn mòn cảng cao, khả năng ăn mòn càng mạnh. đi) __ Ấn mòn điện hóa _Ăn mòn điện hóa là quá trình phá hủy kim loại (hay hợp kim) do tiếp xúc với dung địch chất điện li tạo ra các điện cực đưới tác dụng của các tác nhân oxi hóa có trong môi trường. Ăn mòn điện hóa là sự ăn mòn có tạo ra dòng điện. Đây là là quá trình ăn mòn kim loại rất phổ biến, như quá trình ăn mòn vỏ tàu biển, các ống kim.

loại trong lòng đất, các kết cấu thép trong các công trình, các phương tiện giao. thông vận tải. So với ăn mòn hóa học, ăn mòn điện hóa xảy ra nhanh hơn và không. yêu cầu về nhiệt độ cao.

Do đó, chống ăn mòn kim loại chủ yếu là chống các quá. trình ăn mòn điện hóa xảy ra. 'Về cơ chế, sự ăn mòn điện hóa xảy ra tại hai điện cực anode và cathode như sau: «_ Điện cực anode: là điện cực xảy ra quá trình oxi hóa điện hóa, kim loại nhường điện tử tạo thành cation (có dạng M””). Các cation chuyển từ điện cực anode vào trong dung dịch, trong khi điện tử chuyển từ điện cực anode sang điện cực cathode.

Bán phản ứng ở anode được biểu diễn như sau M—>M™ +me © Dién cuc cathode: la dign cue xay ra qué trinh khir dién héa, qua trinh này cần phải có một chất oxi hóa đề nhận điện tử từ kim loại (hay từ điện cực anode). Các chất oxi hóa là những chất có trong môi trường, thường 14 Os, Ch, N,O,, Hs0q),. Ban phản ứng ở cathode xảy ra như sau X+xe—>X" 1⁄2. Chất ức chế ăn mòn 1.

Chất ức chế ăn mòn Hiện nay có nhiều biện pháp đã được nghiên cứu và áp dụng để giảm thiểu. hiện tượng ăn mòn kim loại như: phương pháp hợp kim hóa, bao phủ bảo vệ, điện hóa, sử dụng chất ức chế ăn mòn. Trong các biện pháp đã được sử dụng, phương. pháp sử dụng chất ức chế ăn mòn là một trong những phương pháp đem lại hiệu quả cao nhất.

Chất ức chế ăn mòn được định nghĩa là các hợp chất (vô cơ hoặc hữu cơ). được đưa vào môi trường với một hàm lượng nhỏ nhằm giảm đáng kể quá trình ăn mòn kim loại. Hiệu quả ức chế ăn mòn (») được định nghĩa là tỉ lệ giữa độ giảm mức độ ăn mòn vật liệu khi có mặt chất ức chế ăn mòn so với mức độ ăn mòn khi không có mặt chất ức chế ăn mòn. Hiệu quả ức chế (ø;) được tính như sau: day trong dé i, va i-o lần lượt là mức độ ăn mòn vật liệu khi có và không có mặt chất ức.

Với sự có mặt của chất ức chế ăn mòn kim loại, quá trình ăn mòn trên kim loại có thể giảm đến 98% [2]. Hiện nay, các hợp chất được sử dụng làm chất ức chế ăn mòn thường là các. hợp chất hữu cơ hoặc các loại polymer sơn phủ, những chất có khả năng hấp phụ. hóa học lên bề mặt của kim loại.

Trong đó, các hợp chất hữu cơ đã và đang được. nghiên cứu và ứng dụng phổ biến vì có những đặc điểm tốt về cấu trúc để có thể làm chất ức chế ăn mòn kim loại. Những hợp chất này có tiểm năng hắp phụ lên bề mặt của kim loại và hình thành nên một lớp mảng bao phủ, bảo vệ kim loại khỏi sự. tắn công của các tác nhân oxi hóa có trong môi trường.

Các chất ức chế ăn mòn có thể được chia thành 2 loại tùy thuộc khả năng. tương tác của nó với môi trường hay bề mặt kim loại [2]. () __ Chất loại trừ tác nhân ăn mòn: ‘Chat loại trừ tác nhân ăn mòn là những chất được đưa vào môi trường nhằm. loại trừ các tác nhân có tính oxi hóa trong môi trường như hydraZine (N;H,), natri sunfit (NasSO)), khí sunfurơ (SO›).

Sự ăn mòn vật liệu có thê được khống chế bằng cách đưa các chất có khả năng phản ứng với các chất oxi hóa có trong môi. Ưu điểm của các hợp chất này là rẻ tiền, dễ kiếm do chúng có thể thu được. từ quá trình sản xuất các hợp chất khác. Tuy nhiên, nhược điểm lớn nhất của các.

hợp chất này là hiệu quả chống ăn mòn không cao, chỉ phù hợp với một số điều kiện. nhất định, có thể tạo ra nhiều hợp chất khó xử lý, đồng thời lượng chất ức chế ăn. mòn cần phải được thường xuyên bổ sung do chúng bị mắt đi trong quá trình phản. ứng với các tác nhân oxi hóa có trong môi trường.

(lì) Chất ức chế ăn mòn ở bề mặt tiếp xúc pha. Chất ức chế ăn mòn ở b mặt tiếp xúc pha là những chất được thêm vào để khống chế quá trình ăn mòn bằng cách tạo lớp màng ngăn cách ở bề mặt tiếp xúc. giữa kim loại với môi trường. Một số chất ức chế ăn mòn đang được nghiên cứu và.

sử dụng hiện nay như: các di vòng thơm của pyrrole, imidazoline, pyran, thiophene, selenophene. và các dẫn xuất của chúng. Chất ức chế ở bề mặt tiếp xúc pha lại được chia thành các loại là chất ức chế anode, cathode hay chất ức chế ăn mòn hỗn. hợp dựa vào việc chúng ức chế các phản ứng điện hóa ở anode, cathode hay cả hai So với các chất loại trừ tác nhân ăn mòn, hiệu quả ức chế của các chất ức chế ở bề mặt tiếp xúc pha là tốt hơn và thời gian ức chế chế ăn mòn xảy ra lâu dài hơn.

Ngoài ra, các chất ức chế ăn mòn còn có thể được chiết xuất từ các chất trong tự nhiên. Vì vậy, các hợp chất ức chế ăn mòn loại này đã và đang được các nhà khoa học nghiên cứu ngày cảng nhiều hơn cả trong lý thuyết lẫn thực nghiệm. Cơ chế hoạt động của các chất ức chế ăn mòn.