CHƯƠNG 1 TỔNG QUAN TÀI LIỆU 1.1 CẤU TRÚC VÀ TÍNH CHẤT CỦA ĐỒNG(I) OXIT Đồng(I) oxit là một trong hai dạng oxit của đồng, có màu đỏ với công thức hoá học là Cu2 O. Cu2 O rất bền với nhiệt (nóng chảy ở 1240°C), không tan trong nước nhưng tan chậm trong kiềm đặc hoặc NH3 đặc, tan tốt trong dung dịch axit. Trong không khí ẩm, Cu2 O dễ bị oxi hoá tạo thành đồng(II) oxit (CuO).1: Ô cơ sở của mạng tinh thể Cu2 O Cu2 O có cấu trúc tinh thể kiểu lập phương với hằng số mạng a = 4.27 Å và nhóm đối xứng không gian Pn3̄m. Mạng tinh thể của Cu2 O được tạo thành bởi hai phân mạng: phân mạng Cu kiểu lập phương tâm mặt và phân mạng O kiểu lập phương tâm khối (Hình 1.
Mỗi ô cơ sở chứa 4 nguyên tử Cu và 2 nguyên tử O, trong đó, nguyên 4 LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.com tử đồng có số phối trí bằng 2, còn nguyên tử oxi có số phối trí bằng 4 [79]. Cu2 O là chất bán dẫn loại p, khi ở dạng khối nó có năng lượng vùng cấm Eg = 2. Ở cấp độ nanomet, khi kích thước hạt giảm thì năng lượng vùng cấm tăng lên (hiệu ứng kích thước - size effect) [83]. Do vậy, Cu2 O nano có thể hấp thụ photon vùng khả kiến có bước sóng λ < 580 nm.
Tính chất này làm cho Cu2 O nổi trội hơn một số oxit khác trong các quá trình quang hoá. Ví dụ, TiO2 anatase có Eg = 3.2 eV, còn ZnO có Eg = 3.4 eV nên chúng chỉ bị kích thích bởi bức xạ tử ngoại.2 CÁC PHƯƠNG PHÁP TỔNG HỢP Cu2O NANO DẠNG BỘT Cu2 O nano dạng bột được tổng hợp bằng nhiều phương pháp khác nhau, nhưng phổ biến nhất là phương pháp kết tủa trong dung môi lỏng.1 Phương pháp khử trong dung dịch Cu2 O có kích cỡ 2-18 nm được điều chế bằng cách thêm từ từ dung dịch t- BuOH trong tetrahidrofuran (THF) vào dung dịch hỗn hợp CuA2 (A=Cl, CH3 COO, (CH3 COO)2 CH) và NaH trong THF ở 63°C [11]. Đầu tiên muối Cu2+ bị khử bằng ion H− hoạt hoá để tạo ra đồng kim loại. 4NaH + 2t-BuOH −→ 2(NaH, t-BuONa) + 2H2 2(NaH, t-BuONa) + CuA2 −→ Cu + 2NaA + 2t-BuONa + H2 Sau đó, đồng kim loại được oxi hoá thành Cu2 O bằng cách sục dòng khí hỗn hợp O2 - N2 : 2Cu + 21 O2 −→ Cu2 O 5 LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.com Sản phẩm cuối cùng Cu2 O tạo thành được phân tán trong dung môi hữu cơ.
Tác giả [6] cũng đã điều chế bột Cu2 O/Cu có kích cỡ từ 4-8 nm bằng cách cho dung dịch CuCl2 tác dụng với các phối tử hữu cơ như axit lauric, dodecanthiol, hoặc tridecylamine trong toluen và chất khử NaBH4. Cu2 O nano dạng sợi có đường kính khoảng 8 nm và chiều dài khoảng 10-20 nm thu được bằng cách khử Cu2+ bằng hidrazin khi có mặt chất hoạt động bề mặt polyetileng- lycol trong môi trường kiềm [97]. Cu2 O nano cũng được tạo ra bằng cách khử Cu2+ trong dung dịch nhưng không dùng chất hoạt động bề mặt mà bằng phản ứng của phức đồng(II) xitrat với N2 H4 .H2 O trong môi trường kiềm ở nhiệt độ phòng [23]. Các hạt Cu2 O nano với kích thước 5-6 nm đã được tác giả [56] tổng hợp thành công khi cho Cu(CH3 COO)2 .H2 O tác dụng với axetamit trong dung môi etilen glycol có sử dụng sóng siêu âm.
Hạt Cu2 O nano thu được có hình dạng bông hoa. Khi tổng hợp trong dung dịch axit yếu thì các tinh thể Cu2 O nano thu được có những hình dạng khác nhau như: hình lập phương [21, 41, 50], hình bát diện [43], hình bát diện khuyết mặt (100) ((100) truncated octahedra) [109], hình thoi 12 mặt (rhom- bic dodecahedra) [51, 105], hình bát diện khuyết mặt (110) ((110) truncated octahe- dra) [51], các đa diện 26 mặt (26-facet polyhedra) [112], các khung nano (nanocages) [54, 87],. Tùy vào điều kiện tổng hợp sẽ thu được các hạt Cu2 O nano có hình thái khác nhau. Ví dụ, các khung nano Cu2 O hình thoi 12 cạnh khuyết mặt (100) được chuyển hóa thành các khung nano với dạng elip trên mặt (110) trong dung dịch HCl có thêm etanol [42].
Có thể thu được các hạt nanocompozit của Cu2 O với các oxit kim loại khác bằng những cách thức khác nhau. Các tác giả [16] đã pha tạp SnO2 vào Cu2 O bằng phương pháp tổng hợp trong dung dịch với chất bảo vệ cetyltrimetylamonibromua (CTAB) 6 LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.com trong môi trường kiềm và chất khử hidrazin. Các hạt Cu2 O/SnO2 có hoạt tính xúc tác quang hóa phân hủy trifluralin rất tốt. Tác giả [88] đã pha tạp Ag vào Cu2 O, nhờ đó làm giảm đáng kể điện trở suất của Cu2 O và làm giảm độ rộng vùng cấm của Cu2 O.
Các tác giả [12, 30, 85] đã làm tăng đáng kể từ tính của Cu2 O mà không làm giảm độ dẫn điện của nó bằng cách pha tạp Ni, Co và Mn vào Cu2 O. Các tác giả [99] lại tổng hợp được các hạt Cu2 O/ZnO bằng cách phân tán ZnO trong dung dịch CuSO4 .5H2 O, sau đó siêu âm để thu được hỗn hợp đồng nhất. Hỗn hợp này được khử bằng N2 H4 .H2 O để thu được nanocompozit Cu2 O/ZnO.2 Phương pháp đồng kết tủa Các tác giả [38] đã tổng hợp được các hạt nano Fe/Cu2 O bằng cách khử hỗn hợp CuSO4 và Fe(NO3 )3 bằng hidrazin trong môi trường kiềm. Kết quả cho thấy Cu2 O có độ rộng vùng cấm 2.
Khi thêm 1% Fe vào Cu2 O thì độ rộng vùng cấm của mẫu thu được là 1.87 eV, còn thêm 2% Fe thì mẫu thu được có độ rộng vùng cấm là 1. Như vậy có sự giảm độ rộng vùng cấm của các mẫu thu được so với Cu2 O tinh khiết. Từ tính của Cu2 O cũng thay đổi khi thêm Fe. Ở 300°C mẫu 1% Fe/Cu2 O và 2% Fe/Cu2 O là thuận từ, trong khi đó Cu2 O tinh khiết có tính nghịch từ.3 Phương pháp sử dụng bức xạ và sóng siêu âm Bằng phương pháp chiếu tia γ vào dung dịch CuSO4 có chứa C12 H25 NaSO4 , (CH3 )2 CHOH và đệm axetat, các tác giả [45, 77, 104] đã tổng hợp được Cu2 O có kích cỡ thay đổi từ 14-50 nm tuỳ thuộc vào thành phần dung dịch đầu và liều lượng tia γ.
Cu2 O nano hình cầu với kích thước 10-20 nm cũng được tạo thành bằng cách chiếu tia viba vào dung dịch hỗn hợp của CuSO4 , NaBH4 và etilenglycol [44]. 7 LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.3 CÁC PHƯƠNG PHÁP CHẾ TẠO MÀNG MỎNG Cu2O NANO Màng Cu2 O được chế tạo theo một số các phương pháp khác nhau như kết tủa điện hóa, phún xạ, lắng đọng hơi học, nhúng, .1 Phương pháp lắng đọng hơi hoá học (CVD) Hình 1.2: Các bước trong phương pháp CVD Phương pháp lắng đọng hơi hoá học được sử dụng rộng rãi để chế tạo màng mỏng có chất lượng cao với thành phần hoá học xác định và đồng nhất về cấu trúc. Trong phương pháp này, các phân tử tiền chất được hoá hơi, sau đó một hay nhiều loại phân tử tiền chất (sẽ được trộn lẫn) bị cuốn tới đế bởi dòng khí mang. Tại đó, năng lượng dưới dạng nhiệt được cung cấp để bắt đầu phản ứng hoá học phân hủy tiền chất tạo thành các màng oxit kim loại hoặc các hợp chất mong muốn trên bề mặt đế.
Phương pháp CVD bao gồm các bước sau đây: • Hoá hơi và vận chuyển các phân tử tiền chất vào lò phản ứng bằng khí mang. 8 LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.com • Các phản ứng hoá học ở pha khí dẫn tới sự hình thành các hợp chất trung gian mới và các sản phẩm phụ (ví dụ, phản ứng của hơi tiền chất với hơi tác nhân phản ứng để tạo thành hợp chất trung gian kém bền). • Sự vận chuyển sản phẩm phản ứng ở pha khí đi qua lớp biên tới bề mặt của đế. • Sự phân huỷ các phân tử tiền chất trên bề mặt đế và sự hợp nhất của sản phẩm phân huỷ tạo thành màng mỏng.
• Loại bỏ các sản phẩm phụ ở pha khí khỏi lò phản ứng thông qua hệ thống xả. Ưu điểm của phương pháp lắng đọng hơi hoá học là tạo ra các màng bám dính chặt, đồng nhất và có độ lặp lại cao. Để thu được màng mong muốn, đôi khi cần nhiệt độ rất cao để cung cấp cho phản ứng phân huỷ. Một điểm hạn chế khác là để lắng đọng vật liệu có thành phần phức tạp như mong muốn là không dễ bởi vì các tiền chất khác nhau có tốc độ hoá hơi khác nhau.
Phương pháp CVD có thể được sử dụng để tạo ra nhiều lớp phủ kim loại và không kim loại, các cacbua, các silicat, các nitrua và các oxit. Phương pháp CVD được dùng rộng rãi trong việc phủ các lớp chống mài mòn, chống ăn mòn và bảo vệ ở nhiệt độ cao, để chế tạo các chất bán dẫn, các cảm biến, các linh kiện quang điện tử và chất xúc tác. Phương pháp CVD thường sử dụng năng lượng nhiệt để hoạt hoá các phản ứng hoá học. Tuy nhiên, các phản ứng hoá học cũng có thể được khơi mào bằng việc sử dụng các kiểu năng lượng khác.
Một số dạng khác của phương pháp CVD cũng được sử dụng rộng rãi.1 là một số phương pháp CVD thường được sử dụng. Phương pháp lắng đọng hơi hoá học đã được ứng dụng để chế tạo màng mỏng Cu2 O với các hạt Cu2 O có kích thước rất khác nhau và rất bền [64–67]. Tính chất quang, điện, cấu trúc của màng mỏng Cu2 O phụ thuộc vào kích cỡ hạt. Phương pháp 9 LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.1: Các phương pháp CVD thông dụng STT Phương pháp Đặc điểm 1 CVD áp suất khí quyển Quá trình lắng đọng được thực hiện ở áp suất khí quyển 2 CVD áp suất thấp Quá trình lắng đọng được thực hiện dưới áp suất thấp để loại bỏ những phản ứng không mong muốn ở pha khí 3 CVD được tăng cường Dùng plasma để nâng cao tốc độ phản ứng của plasma các tiền chất 4 CVD nhiệt nhanh Sử dụng các đèn cấp nhiệt hoặc các phương pháp khác để gia nhiệt nhanh giúp giảm các phản ứng không mong muốn ở pha khí 5 CVD laser Dùng năng lượng laser để phân hủy tiền chất trên đế 6 MOCVD Dùng các tiền chất là hợp chất cơ kim 7 CVD lớp nguyên tử Lắng đọng các lớp chất khác nhau một cách liên tục để tạo ra các màng tinh thể phân lớp tổng hợp này thường được ứng dụng để tạo lớp Cu2 O có kích cỡ nano bền và có tính chất quang, điện rất tốt.